1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 11, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 11, стр. 1547-1553

Исследование полупроводниковых материалов термооптическим методом в магнитном поле

А. Н. Котов 1, *, А. А. Старостин 1, В. В. Шангин 1, С. Б. Бобин 2, А. Т. Лончаков 2

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт теплофизики Уральского отделения Российской академии наук”
Екатеринбург, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук”
Екатеринбург, Россия

* E-mail: artem625@mail.ru

Поступила в редакцию 22.05.2023
После доработки 19.06.2023
Принята к публикации 28.07.2023

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния температуры и магнитного поля на релаксацию термооптического сигнала в образцах полупроводников с различным электронным спектром: n-Ge, n-InSb, ZnSe:Ni. Результаты получены с использованием двухлучевого оптоволоконного метода “накачка–зондирование” с интерферометром Фабри–Перо в диапазоне температур от 4.2 до 300 К с приложением магнитного поля до 8 Тл.

Список литературы

  1. Алферов Ж.И., Вавилов В.С. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с.

  2. Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. 560 с.

  3. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников М.: Наука, 1977. 366 с.

  4. Сухоруков Ю.П., Телегин А.В., Бессонов В.Д. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2013. Т. 77. № 10. С. 1482; Sukhorukov Yu.P., Telegin A.V., Bessonov V.L. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2013. V. 77. No. 10. P. 1275.

  5. Ганьшина Е.А., Припеченков И.М., Перова Н.Н. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 3. С. 328; Ganshina A.A., Pripechenkov I.M., Perova N.N. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 3. P. 282.

  6. Starostin A.A., Shangin V.V., Lonchakov A.T. et al. // Annalen der Physik. 2020. V. 532. No. 8. Art. No. 1900586.

  7. Romanova E., Kuzyutkina Y., Shiryaev V. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2018. V. 480. P. 13.

  8. Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Яцун В.В. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. № 2. С. 149; Vaksman Y.F., Nisuk Y.A., Yatsun V.V. et al. // Semiconductors. 2010. V. 44. No. 2. P. 141.

  9. Прохоров А.М. Исследования неравновесных носителей в германии при низких температурах. М.: Наука, 1985. 166 с.

  10. Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М.: Наука, 1984. 284 с.

  11. Сейсян Р.П. // ФТТ. 2016. Т. 58. № 5. С. 833; Seisyan R.P. // Phys. Solid State. 2016. V. 58. No. 5. С. 859.

  12. Сейсян Р.П., Савченко Г.М., Аверкиев Н.С. // ФТП. 2012. Т. 46. № 7. С. 896; Seisyan R.P., Savchenko G.M., Averkiev N.S. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 7. P. 873.

  13. Ландсберг Г.С. Оптика. М.: Физматлит, 2010. 848 с.

  14. Удд Э. Волоконно-оптические датчики. М.: Техносфера, 2008. 520 с.

  15. Бутусов М.М., Галкин С.Л., Оробинский С.П., Пал Б.П. Волоконная оптика и приборостроение. Л.: Машиностроение, 1987. 328 с.

  16. Окоси Т., Окамото К., Оцу М. и др. Волоконно-оптические датчики. Л.: Энергоатомиздат, 1990. 256 с.

  17. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. Ростов-на-Дону: Изд.: СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.

  18. Скворцов Л.А. Основы фототермической радиометрии и лазерной термографии. М.: Техносфера, 2017. 218 с.

  19. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. 253 с.

  20. Новицкий Л.А., Кожевников И.Г. Теплофизические свойства материалов при низких температурах. Справочник. М.: Машиностроение, 1975. 216 с.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал