1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 11, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 11, стр. 1653-1657

Магнитная энергия взаимодействия синтетического антиферромагнетика со свободным слоем спин-туннельного элемента

О. П. Поляков 1, 2, П. А. Поляков 1, Д. В. Васильев 3, *, В. В. Амеличев 3, С. И. Касаткин 2, Д. В. Костюк 3, В. С. Шевцов 1, 3, Е. П. Орлов 3

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”
Москва, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт проблем управления имени В.А. Трапезникова Российской академии наук”,
Москва, Россия

3 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение “Научно-производственный комплекс “Технологический центр”
Москва, Россия

* E-mail: D.Vasilyev@tcen.ru

Поступила в редакцию 07.07.2023
После доработки 17.07.2023
Принята к публикации 28.07.2023

Аннотация

Найдено точное выражение для магнитостатической энергии взаимодействия синтетического антиферромагнетика со свободным слоем спин-туннельного элемента, ферромагнитные слои которых имеют форму сильно сплюснутых эллипсоидов вращения. Установлено, что точное значение этой энергии взаимодействия может существенно отличаться от обычного значения, которое рассчитывается с помощью выражения для размагничивающего поля. Вычислены параметры, при которых происходит полная компенсация магнитного взаимодействия синтетического антиферромагнетика.

Список литературы

  1. Liu M., Du W., Su H. et al. // NPG Asia Mater. 2021. V. 13. P. 7.

  2. Zavornitsyn R.S., Naumova L.I., Milyaev M.A. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2019. V. 1389. Art. No. 012157.

  3. Silva A.V., Leitao D.C., Valadeiro J. et al. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2015. V. 72. Art. No. 10601.

  4. Chan P.H., Li X., Pong P.W.T. // Vacuum. 2017. V. 140. P. 111.

  5. Liu M., Du W., Su H. et al. // Nanotechnology. 2021. V. 32. Art. No. 505504.

  6. Fowley C., Chun B.S., Wu H.C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. Art. No. 222506.

  7. Амеличев В.В., Васильев Д.В., Костюк Д.В. и др. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 6. С. 461; Amelichev V.V., Vasiliev D.V., Kostyuk D.V. et al. // Russ. Microelectron. 2021. V. 50. No. 6. P. 420.

  8. Ikegawa S., Mancoff S.F., Janesky J., Aggarwal S. // IEEE Trans. Electron Devices. 2020. V. 67. No. 4. P. 1407.

  9. Wang S., Fujiwaraa H., Sunb M. // J. Magn. Magn. Mater. 2005. V. 295. P. 246.

  10. Worledge D.C. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 2847.

  11. Polyakov O., Amelichev V., Zhukov D. et al. // Sensors. 2021. V. 21. Art. No. 2118.

  12. Поляков О.П., Касаткин С.И., Амеличев В.В., Поляков П.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 11. С. 1554; Polyakov O.P., Polyakov P.A., Kasatkin S.I., Amelichev V.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2021. V. 85. No. 11. P. 1217.

  13. Стрэттон Дж. Теория электромагнетизма. М.–Л.: ГИТТЛ, 1948. 539 с.

  14. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. Теоретическая физика. Т. 8. М.: Наука, 1982. 620 с.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал