1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 6, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 6, стр. 829-832

Закрепление уровня ферми на окисленной поверхности (110) полупроводников AIII-Sb

П. А. Алексеев 1, *, А. Н. Смирнов 1, В. А. Шаров 1, Б. Р. Бородин 1, Е. В. Куницына 1

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Санкт-Петербург, Россия

* E-mail: prokhor@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию 05.12.2022
После доработки 23.12.2022
Принята к публикации 27.02.2023

Аннотация

Изучены особенности закрепления уровня Ферми на окисленной (110) поверхности полупроводников AIII-Sb (GaSb, Ga0.78In0.22As0.18Sb0.82, Ga0.66Al0.34As0.025Sb0.975). Показано, что уровень Ферми закрепляется на расстоянии 4.65 ± 0.1 эВ от уровня вакуума. Для фотоокисленной поверхности Ga0.78In0.22As0.18Sb0.82 и Ga0.66Al0.34As0.025Sb0.975 показано наличие Sb. Формирование Sb на поверхности в результате более быстрого окисления элементов III-группы приводит к закреплению уровня Ферми на одном расстоянии от уровня вакуума в III-Sb соединениях.

Список литературы

  1. Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Cirlin G.E. et al. // Nanotechnology. 2018. V. 29. Art. No. 314003.

  2. Woodall J., Freeouf J. // J. Vacuum. Sci. Technol. 1981. V. 19. P. 794.

  3. Baier H.-U., Koenders L., Mönch W. // Solid State Comm. 1986. V. 58. P. 327.

  4. Spicer W. E., Lindau I., Skeath P. et al. // Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. P. 420.

  5. Marozas B., Hughes W., Du X. et al. // Opt. Mater. Express. 2018. V. 8. P. 1419.

  6. Andreev I., Il’inskaya N., Kunitsyna E. et al. // Semiconductors. 2013. V. 37. P. 949.

  7. Dunaevskiy M., Alekseev P., Girard P. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. Art. No. 064112.

  8. Alekseev P., Dunaevskiy M., Kirilenko D. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. Art. No. 074302.

  9. Su Y., Gan K., Hwang J., Tyan S. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 5584.

  10. Haines M., Kerr T., Newstead S., Kirby P. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. P. 1942.

  11. Schwartz G., Gualtieri G., Griffiths J. et al. // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. P. 2488.

  12. Michaelson H.B. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 4729.

  13. Hasegawa H., Hideo O. // J. Vacuum. Sci. Technol. B. 1986. V. 4. P. 1130.

  14. Freeouf J., Woodall J. // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 39. P. 727.

  15. Sharov V., Alekseev P., Fedorov V. et al. // Appl. Surf. Sci. 2021. V. 563. Art. No. 150018.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал