1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Кристаллография
  4. T. 68, № 4, 2023

Кристаллография, 2023, T. 68, № 4, стр. 615-620

Микроструктура переходного слоя CrSi2, полученного методом горячего прессования Cr и Si

М. С. Лукасов 1, Н. А. Архарова 1, А. С. Орехов 1, Е. В. Ракова 1, Ф. Ю. Соломкин 2, В. В. Клечковская 1, *

1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Москва, Россия

2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Россия

* E-mail: klechvv@crys.ras.ru

Поступила в редакцию 06.02.2023
После доработки 21.02.2023
Принята к публикации 21.02.2023

Аннотация

В процессе горячего прессования при 1213 К и последующего отжига на воздухе монокристалла Si в объеме электролитического порошка Cr на границе раздела исходных компонентов происходит формирование промежуточного поликристаллического слоя силицида. Фазовый состав и микроструктура переходного слоя и его окрестностей исследовались методами растровой электронной микроскопии, рентгеновского энерго-дисперсионного микроанализа и дифракции обратно рассеянных электронов. Переходный слой имеет кристаллическую структуру гексагональной фазы дисилицида хрома (пр. гр. P6222). Дополнительный отжиг до 120 ч приводит к незначительной рекристаллизации мелких зерен в более крупные.

Список литературы

  1. Burkov A.T., Ivanov Y.I. // Silicide Thermoelectrics. In Advanced Thermoelectric Materials / Ed. Park C.R. 2019. V. 165.

  2. Gel’d P.V., Sidorenko F.A. // Silicides of Transition Metals of the Fourth Period. M.: Metallurgiya, 1971. P. 90.

  3. Gokhale A.B., Abbaschian G.J. // J. Phase Equilibria. 1987. V. 8. P. 474. https://doi.org/10.1007/BF02893156

  4. Okamoto H. // J. Phase Equilibria. 2001. V. 22 P. 593. https://doi.org/10.1361/105497101770332866

  5. Boren B. // Archive Chem., Mineral. Geol. 1933. V. 11. P. 1.

  6. Dauben C.H., Templeton D.H., Myers C.E. // J. Phys. Chem. 1956. V. 60. P. 443. https://doi.org/10.1021/j150538a015

  7. Tanaka K., Nawata K., Koiwa M. et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2001. V. 646. P. 4.3.1.

  8. Соломкин Ф.Ю., Суворова Е.И., Зайцев В.К. и др. // ЖТФ. 2011. Т. 81. № 2. С. 147.

  9. Соломкин Ф.Ю., Зайцев В.К., Новиков С.В. и др. // ЖТФ. 2013. Т. 83. № 2. С. 141.

  10. Соломкин Ф.Ю., Зайцев В.К., Картенко Н.Ф. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 1. С. 152.

  11. Соломкин Ф.Ю., Зайцев В.К., Картенко Н.Ф. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 5. С. 157.

  12. Fedorov M., Zaitsev V. // Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano / Ed. Rowe D.M. N.Y.: CRC press, 2006. P. 31.

  13. Burkov A., Vinzelberg H., Schumann J. et al. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. № 12. P. 7903.

  14. Novikov S.V., Burkov A.T., Schumann J. // J. Electron. Mater. 2014. V. 43. № 6. P. 2420.

  15. Novikov S.V., Burkov A.T., Schumann J. // J. Alloys Compd. 2013. V. 557. P. 239.

  16. Hielscher R., Schaeben C. // J. Appl. Cryst. 2008. V. 41. P. 1024.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Кристаллография

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал