1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Кристаллография
  4. T. 68, № 5, 2023

Кристаллография, 2023, T. 68, № 5, стр. 738-746

Магнитоиндуцированные эффекты в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата с примесью хрома

Е. С. Иванова 1, *, Е. А. Петржик 1, А. П. Еремеев 1, Р. В. Гайнутдинов 1, А. К. Лашкова 1, А. Г. Иванова 1, Т. Р. Волк 1

1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника РАН”
Москва, Россия

* E-mail: ivanova.el.ser@gmail.com

Поступила в редакцию 29.12.2022
После доработки 20.01.2023
Принята к публикации 20.01.2023

Аннотация

Исследованы эффекты воздействия постоянного магнитного поля на макро- и наноскопические свойства кристаллов триглицинсульфата (TGS) с примесью хрома (TGS-Cr). Работа продолжает выполненные ранее исследования магнитоиндуцированных эффектов в сегнетоэлектриках. Особенность кристаллов TGS – рельеф наноскопического масштаба на полярном (010) сколе; нанорельеф является качественной характеристикой дефектной структуры кристалла. Показано, что экспозиция кристалла в магнитном поле 2 Тл приводит к изменению диэлектрических свойств, сопровождаемому долговременной трансформацией нанорельефа. Полученные результаты свидетельствуют о магнитоиндуцированном изменении дефектной структуры кристалла. Обнаружено качественное различие магнитоиндуцированных эффектов в кристаллах TGS-Cr и нелегированных кристаллах TGS. Обсуждается связь магнитоиндуцированных эффектов со структурными дефектами.

Список литературы

  1. Иванова Е.С., Петржик Е.А., Гайнутдинов Р.В. и др. // ФТТ. 2017. Т. 59. Вып. 3. С. 550.

  2. Гайнутдинов Р.В., Иванова Е.С., Петржик Е.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. Вып. 2. С. 84.

  3. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В., Петржик Е.А. // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 5. С. 826.

  4. Головин Ю.И. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 5. С. 769.

  5. Моргунов Р.Б. // УФН. 2004. Т. 174. Вып. 2. С.131.

  6. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Koldaeva M.V., Petrzhik E.A. // Dislocations in Solids. V. 14 / Ed. Hirth J.P. Amsterdam: Elsevier, 2008. P. 333.

  7. Моргунов Р.Б., Бучаченко А.Л. // ЖЭТФ. 2009. Т. 136. Вып. 3. С. 505.

  8. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 9. С. 1680.

  9. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов А.М. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 3. С. 513.

  10. Флерова С.А., Бочков О.Е. // Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 33. Вып. 1. С. 37.

  11. Орлов О.Л., Попов С.А., Флерова С.А., Цинман И.Л. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 2. С. 118.

  12. Lashley C., Hundley M.F., Mihaila B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 052910.

  13. Гриднев С.А. // Международный научный журнал “Альтернативная энергетика и экология”. 2015. Т. 167. № 3. С. 17.

  14. Golitsyna O.M., Drozhdin S.N. // Ferroelectrics. 2020. V. 567. № 1. P. 244.

  15. Петржик Е.А., Иванова Е.С., Альшиц В.И. // Изв. РАН. Сер. физ. 2014. Т. 78. С. 1305.

  16. Якушкин Е.Д. // Письма в ЖЭТФ. 2014. Т. 99. Вып. 7. С. 483.

  17. Якушкин Е.Д. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. Вып. 8. С. 523.

  18. Иванова Е.С., Румянцев И.Д., Петржик Е.А. // ФТТ. 2016. Т. 58. Вып. 1. С. 125.

  19. Tagantsev A.K., Cross L.E., Fousek J. // Domains in Ferroic Crystals and Thin Films. Springer, 2009.

  20. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В., Петржик Е.А. // ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 2. С. 305.

  21. Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В., Толстихина А.Л. и др. // Кристаллография. 2011. Т. 56. Вып. 6. С. 1139.

  22. Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В., Иванова Е.С., Толстихина А.Л. // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 7. Вып. 9. С. 13.

  23. Windsch W., Volkel G. // Ferroelectrics. 1975. V. 9. P. 187.

  24. Wartewig S., Volkel G., Windsch W. // Ferroelectrics. 1978. V. 19. P. 131.

  25. Stankowski J., Waplak S., Yurin V.A. // Phys. Status Solidi. A. 1974. V. 22. № 1. P. K41.

  26. Иванова Е.С., Овчинникова Г.И., Еремеев А.П. и др. // Кристаллография. 2019. Т. 64. № 5. С. 766.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Кристаллография

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал