Неорганические материалы, 2020, T. 56, № 8, стр. 882-892
Пленки твердых растворов (Gd1 – xTbx)2O2S, полученные сульфидированием оксидов в парах NH4SCN, и их оптические свойства
С. В. Белая 1, *, В. В. Баковец 1, М. И. Рахманова 1, Е. А. Максимовский 1, И. В. Юшина 1, В. Р. Шаяпов 1, И. В. Корольков 1, 2
1 Институт неорганической химии СО Российской академии наук
630090 Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 3, Россия
2 Новосибирский государственный университет
630090 Новосибирск, ул. Пирогова, 2, Россия
* E-mail: sveta@niic.nsc.ru
Поступила в редакцию 21.11.2019
После доработки 25.02.2020
Принята к публикации 05.03.2020
Аннотация
Пленки состава (Gd1 – xTbx)2O3 (x = 0.04–0.22) на подложках Si и SiO2 толщиной 115–150 нм получены методом MO CVD c использованием Ln(dpm)3 в качестве прекурсоров. После отжига на воздухе при 800°С для удаления углеродсодержащих примесей пленки сульфидировали в парах NH4SCN при температурах 700–1000°С в атмосфере Ar до образования оксосульфидов состава (Gd1 – xTbx)2O2S. Поверхность пленок состоит из зерен размером 60–200 нм. Измеренная величина показателя преломления пленок равна 2.2–2.4, оцененная оптическая ширина запрещенной зоны (Eg) – 4.7–5.0 эВ. Оптическое пропускание пленок достигает 78–84% в видимой области спектра 400–750 нм. Максимальная интенсивность ФЛ пленок оксосульфидов, полученных в одинаковых условиях, наблюдается при x = 0.05. Синяя составляющая ФЛ уменьшается с ростом содержания тербия, и свечение сдвигается в зеленую область.
ВВЕДЕНИЕ
Оксосульфиды лантаноидов (Ln2O2S) и иттрия и твердые растворы на их основе являются перспективными материалами [1–8]. Оксосульфид Gd2O2S:Tb3+, в частности, – эффективный (12–25%) даун- и ап-конверсионный люминофор зеленого свечения, обладающий, в том числе, рентгенолюминесцентными, термолюминесцентными, электролюминес-центными и катодолюминесцентными свойствами [3, 8–18].
C развитием планарных технологий связана разработка методов получения тонких пленок оксосульфидов. Известно небольшое число способов получения таких пленок: электронно-лучевое испарение [19], пиролиз экстрактов РЗЭ совместно с раствором серы [20], а также метод MO CVD с использованием комплексов РЗЭ с органическими лигандами в атмосфере сероводорода [21].
Как известно, получать оксосульфиды можно, воздействуя на оксиды газообразными CS2, H2S, S, а также продуктами термического разложения паров NH4SCN – CS2 и H2S, которое происходит непосредственно в реакционной камере [1, 22]. Использование последнего способа технологически менее токсичном.
Целью настоящей работы является синтез пленок Gd2O2S:Tb путем сульфидирования пленок Gd2O3:Tb, полученных методом MO CVD из паров комплексных соединений Gd(dpm)3 и Tb(dpm)3, серосодержащими продуктами термического разложения паров NH4SCN, и исследование оптических свойств полученных пленок.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Пленки Gd2O3:Tb3+ получали термическим разложением паров трис-дипивалоилметанатов (трис-2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандионатов) Gd(III) и Tb(III), Ln(dpm)3, в токе Ar [23, 24]. Осаждение пленок осуществляли на подложки из кварцевого стекла (SiO2) и Si(100) при температурах 530 и 570°С соответственно. Для гомогенизации смеси исходных комплексов была выбрана температура испарителя выше температур их плавления – 200°С (tпл(Tb(dpm)3) = 177–180°С, tпл(Gd(dpm)3) = 182–184°С) [25]. Пленки оксидов отжигали на воздухе 2 ч при температуре 800°С для удаления углеродсодержащих примесей [26]. Далее сульфидирование проводили в парах NH4SCN в токе Ar ($v$ = 6.7 л/ч) по методике [23]. Пленки на SiO2 сульфидировали в несколько подходов при 700–1000°С до получения оксосульфида. Пленки на Si сульфидировали 1 ч при 1000°С.
Рентгенофазовый анализ (РФА) проводили с помощью дифрактометра Shimadzu XRD-7000 (CuKα-излучение, Ni-фильтр, внешний эталон – Si, tкомн). Фазовый состав пленок определяли, используя базу данных [27]. Область когерентного рассеяния (ОКР) рассчитывали по формуле Шеррера [28].
Элементный состав пленок оксосульфидов исследован методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии по длине волны на сканирующем электронном микроскопе Hitachi-3400N с приставкой Oxford Instruments INCA Wave 500. В качестве стандартов служили образцы Gd2S3 и Tb2S3.
Микрофотографии поверхности пленок на подложках Si и SiO2 получены на сканирующих электронных микроскопах JEOL 6700F и Hitachi S-3400N соответственно.
Толщина и показатель преломления пленок измерены методом монохроматической эллипсометрии с использованием лазерного эллипсометра ЛЭФ-3М (λ = 632.8 нм).
Спектры пропускания снимали на сканирующем спектрофотометре UV-3101PC фирмы Shimadzu. Оптическую ширину запрещенной зоны Eg определяли из спектров пропускания, используя уравнение (hνα)1/n = A(hν – Eg), где h – постоянная Планка, ν – частота колебаний, α – коэффициент поглощения, n – величина, определяемая структурой запрещенной зоны полупроводника (в нашем случае n = 1/2 – для прямого разрешенного перехода), А – коэффициент пропорциональности. Используя указанное уравнение, строили график в координатах (hνα)2–hν; Eg определяли по экстраполяции линейной части спада этой функциональной зависимости на ось абсцисс [29].
Спектры фотолюминесценции (ФЛ) (λвозб = = 290 нм) и возбуждения люминесценции (ВЛ) (λэм = 545 нм, щель 2 × 2 нм2, 1450 В) записаны на люминесцентном спектрофотометре Horiba Jobin Yvon Fluorolog 3.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
Концентрацию Tb в пленках на Si изменяли в пределах 4–22 мол. %, на SiO2 – 7–18 мол. %. На рис. 1а представлены дифрактограммы отожженных на воздухе пленок. Все пики проиндексированы в соответствии со структурой C-Ln2O3 (пр. гр. Ia$\bar {3}$) [27]. Параметр а кубической ячейки смещен в область, предполагающую наличие в структуре ионов Tb4+ [26], и уменьшается в линейной зависимости с возрастанием концентрации Tb (рис. 1б), что, согласно эмпирическому правилу Вегарда, свидетельствует о формировании твердых растворов замещения ${{\left( {{\text{G}}{{{\text{d}}}_{{{\text{1}}--x}}}{\text{Tb}}_{x}^{{{\text{3}} + ,{\text{4}} + }}} \right)}_{{\text{2}}}}{{{\text{O}}}_{y}}$ (y > 3) [30]. Процесс сульфидирования привел к образованию твердых растворов оксосульфидов состава (Gd1 – xTbx)2O2S (x = 0.4–0.22) (пр. гр. P$\bar {3}$m1) (рис. 2) [27, 31]. Водород, выделяющийся при 700–1000°С при разложении H2S, входящего в состав паров NH4SCN [22], восстанавливает окисленный Tb4+ до Tb3+ [32]. В области 2θ = 28°–35° наблюдаются слабые добавочные рефлексы предположительно от образовавшегося между пленкой и подложкой Ln2SiO4S [33, 34].
Поверхность отожженных оксидных пленок на SiO2 и Si состоит из зерен размером 60–100 и 60–220 нм соответственно. После сульфидирования морфология поверхности пленок сохранилась (рис. 3). Для пленок (Gd1– xTbx)2O2S на Si размер кристаллитов (ОКР) – 24–25 нм – не зависит от концентрации Tb, как и ожидалось для образцов, сульфидированных при одинаковой температуре [32]. Величина ОКР для пленок на SiO2, сульфидирование которых проходило при разных температурах, имеет некоторый разброс – 22–28 нм.
Толщина пленок равнялась 135–150 и 115–150 нм на Si и SiO2 соответственно и возрастала с увеличением концентрации Tb3+, что согласуется с известным явлением ускорения зародышеобразования в присутствии примесей, к которым в данном случае относятся ионы Tb3+ [35]. Измеренная величина показателя преломления 2.2–2.4 близка к известным: 2.1–2.3 для Gd2O2S [36] и 2.1–2.2 для Gd2O2S:Tb [37]. Закономерных изменений с ростом концентрации Tb3+ не замечено. Оптическое пропускание пленок изменяется от 78 до 84% в видимой области спектра 400–750 нм, уменьшаясь с ростом толщины пленок (рис. 4a). Это почти в два раза выше, чем у слоев керамики Gd2O2S и Gd2O2S:Tb [36, 38]. Величина Eg изменяется в диапазоне 4.7–5.0 эВ (рис. 4б), что совпадает с известными значениями для Ln2O2S – 4.4–4.8 эВ [8, 39–41].
Спектры ВЛ пленок (Gd1 –xTbx)2O2S получены при λэм = 545 нм, соответствующей наиболее интенсивной эмиссии перехода 5D4 → 7F5 иона Tb3+. Полоса в области ~289 нм отвечает 4f 8 → 4f 75d-переходам Tb3+, полосы при 260–280 и 312 нм (рис. 5) обусловлены электронными переходами ионов Gd3+ из основного 8S7/2 в возбужденные состояния 6IJ и 6P7/2 [3, 15, 30, 39, 42–45]. Набор полос в спектре ВЛ пленки чистой матрицы имеет максимум при 262 нм. Присутствие электронных переходов Gd3+ и Tb3+ в спектрах ВЛ подразумевает безызлучательный перенос энергии между ионами Gd3+ и Tb3+ [44]. Относительная интенсивность полос 250–280 нм (переходы в матрице) уменьшается с увеличением x [31]. В областях 336–388 и 488–492 нм заметны слабые полосы с наиболее интенсивными пиками 354, 379 и 489 нм (рис. 5, вставка). Линии в области 340–500 нм, отвечающие внутриконфигурационным 4f 8-переходам 7F6 → 5LJ, 5DJ ионов Tb3+ [3, 7, 39], можно видеть в спектре ВЛ пленки Tb2O2S, но они отсутствуют в спектре пленки Gd2O2S (рис. 5).
На рис. 6а представлен спектр ФЛ пленки Gd2O2S:Tb3+ (х = 0.05) – типичный для всех полученных пленок спектр эмиссии иона Tb3+. Интенсивность эмиссии убывает при λвозб = 275 нм и далее при λвозб = 250 нм в соответствии со спектрами ВЛ (рис. 5 и вставка на рис. 6а). Спектры ФЛ представлены интенсивными полосами f–f-переходов внутри электронной конфигурации Tb3+ (4f)8, а именно: 5D4 → 7F6 в голубой области (дублет при 490 и 494 нм), 5D4 → 7F5 в зеленой области (дублет с максимальной интенсивностью при 544 и 549 нм), а также 5D4 → 7F4 (с максимумами при 583, 587, 591 нм) и 5D4 → 7F3 (621 и 626 нм). Переходы 5D3 → 7FJ проявляются линиями низкой интенсивности, которая постепенно становится пренебрежимо малой относительно интенсивности переходов 5D4 → 7FJ с ростом x (вставка на рис. 6б), что типично для веществ с высокой концентрацией ионов Tb3+, когда заселенность 5D4-состояний пополняется за счет 5D3-состояний в процессе кросс-релаксации1 [30, 39, 42, 44, 46–48]. Соответственно, при x > 0.14 спектр практически представлен зеленой, голубой и красной эмиссией (в порядке убывания по интегральной интенсивности).
В случае пленок на Si с размерами ОКР около 25 нм максимум интенсивности эмиссии 5D4 → 7F5 приходится на x = 0.05 (рис. 7а), что согласуется с данными [39], тогда как известны и другие значения концентрации тушения фотоэмиссии для Gd2O2S:Tb [30, 48–50], на что, по-видимому, оказывает влияние способ синтеза данного материала. Для пленок на SiO2 существует заметный разброс значений интенсивности ФЛ при одной и той же концентрации Tb3+, и она может быть значительной даже при больших x. В пленках, близких по составу, интенсивность ФЛ растет с увеличением размера ОКР (рис. 7б), т.е. на эффективность свечения в значительной мере оказывает влияние степень кристалличности пленок [35]. Это означает, что интенсивность свечения можно регулировать, изменяя как x, так и температуру сульфидирования.
Сумма полных ширин полос ФЛ при 544 и 549 нм на их полувысоте (ПШПВ) составляет 6–7.4 и 6–9 нм для пленок на SiO2 и Si соответственно. Для пленок оксосульфидов на Si, полученных при одинаковой температуре, она растет с увеличением x, что согласуется со снижением степени кристалличности (уменьшением ОКР) [7] (рис. 8).
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Наноструктурированные тонкие пленки твердых растворов замещения состава (Gd1 – xTbx)2O2S (х = 0.04–0.22) получены путем сульфидирования пленок (Gd1 –xTbx)2Oy в парах NH4SCN. Подобраны оптимальные температура и длительность процесса: 1000°С, 1 ч. Коэффициент преломления пленок и оптическая ширина запрещенной зоны Eg близки к известным данным для керамических и порошковых материалов этого состава, а оптическое пропускание в области 400–750 нм может достигать 85%, что в два с лишним раза выше, чем у слоев керамики толщиной 1500 нм, минимально допустимой современной технологией.
Пленки, полученные при одной температуре, имеют одинаковый размер кристаллитов и максимальную интенсивность ФЛ при x = 0.05. Для пленок, полученных при разных температурах, размер кристаллитов различается, и именно он ощутимо влияет на интенсивность ФЛ при одинаковой концентрации активатора.
Вклад синей составляющей в цветность полученных пленочных люминофоров уменьшается с ростом концентрации Tb3+ и практически сходит на нет при x = 0.14. Таким образом, чтобы достичь высокоэффективного зеленого свечения, необходимо добиться высокой степени кристалличности пленки с данной концентрацией активатора. В свою очередь, для максимального смещения цветности в “холодную” область также следует максимально повысить кристалличность пленки с очень низкой концентрацией Tb3+.
Рассмотренная методика получения тонких пленок (Gd1– xTbx)2O2S совместима с современными планарными технологиями.
Список литературы
Супоницкий Ю.Л., Кузьмичева Г.М., Елисеев А.А. Оксосульфиды редкоземельных элементов // Успехи химии. 1988. Т. 57. № 3. С. 60–64.
Cavouras D., Kandarakis I., Bakas A. et al. An Experimental Method to Determine the Effective Luminescence Efficiency of Scintillator-Photodetector Combinations Used in X-Ray Medical Imaging Systems // Br. J. Radiol. 1998. V. 71. № 847. P. 766–772.
Popovici E.J., Muresan L., Hristea-Simoc A. et al. Synthesis and Characterisation of Rare Earth Oxysulphide Phosphors. I. Studies on the Preparation of Gd2O2S:Tb Phosphor by Flux Method // Opt. Mater. 2004. V. 27. P. 559–565.
Lei B., Liu Y., Zhang J. et al. Persistent Luminescence in Rare Earth Ion-doped Gadolinium Oxysulfide Phosphors // J. Alloys Compd. 2010. V. 495. P. 247–253.
Kumar G.A., Pokhrel M., Sardar D.K. Absolute Quantum Yield Measurements in Yb/Ho Doped M2O2S (M = Y, Gd, La) Upconversion Phosphor // Mater. Lett. 2013. V. 98. P. 63–66.
Yoon K., Kwak J.W., Lee D.H. et al. Development of a 3-Dimensional Dosimetry System for Leksell Gamma Knife Perfexion // J. Korean Phys. Soc. 2015. V. 67. № 1. P. 33–37.
Wang, X., Wang, X., Wang, Z. et al. Photo/Cathodoluminescence and Stability of Gd2O2S:Tb,Pr Green Phosphor Hexagons Calcined from Layered Hydroxide Sulfate // J. Am. Ceram. Soc. 2018. V. 101. № 12. P. 5477–5486.
Бородуленко Г.П., Быковский Ю.А., Кириллович А.А. и др. Оптические свойства монокристаллов оксисульфида лантана // ФТТ. 1987. Т. 29. № 23. С. 888–890.
Klaassen D.B.M., Mulder H., Ronda C.R. Excitation Mechanism of Cathodoluminescence of Solid Solutions of Oxysulfides // J. Electrochem. Soc. 1989. V. 136. № 9. P. 2754–2756.
Chatterjee S., Shanker V., Ghosh P.K. Trapping Parameters and Kinetics in Gd2O2S:Tb Phosphor // Solid State Commun. 1991. V. 80. № 10. P. 877–880.
Shanker V., Chatterjee S., Ghosh P.K. Electroluminescence in Tb3+ Doped Gd2O2S Phosphor // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. № 11. P. 5416–5419.
Issler S.L., Torardi C.C. Solid State Chemistry and Luminescence of X-ray Phosphors // J. Alloys Compd. 1995. V. 229. № 1. P. 54–65.
Kandarakis I., Cavouras D. Experimental and Theoretical Assessment of the Performance of Gd2O2S:Tb and La2O2S:Tb Phosphors and Gd2O2S:Tb–La2O2S:Tb Mixtures for X-ray Imaging // Eur. Radiol. 2001. V. 11. № 6. P. 1083–1091.
Tao S., Gu Z.H., Nathan A. Fabrication of Gd2O2S:Tb Based Phosphor Films Coupled with Photodetectors for X-ray Imaging Applications // J. Vac. Sci. Technol., A. 2002. V. 20. № 3. P. 1091–1094.
Chatterjee S., Shanker V., Chander H. Thermoluminescence of Tb Doped Gd2O2S Phosphor // Mater. Chem. Phys. 2003. V. 80. P. 719–724.
Park J.K., Choi S.R., Noh S.C. et al. Fabrication and Evaluation of a Gd2O2S:Tb Phosphor Screen Film for Development of CMOS-based X-ray Imaging Detector // J. Korean Phys. Soc. 2014. V. 65. № 3. P. 351–354.
Wang F., Yang B., Chen X. et al. Color-Tunable and Upconversion Luminescence of Gd2O2S:Er, Tb Phosphor // Mater. Chem. Phys. 2016. V. 169. P. 113–119.
Michail C., Valais I., Fountos G. et al. Luminescence Efficiency of Calcium Tungstate (CaWO4) under X-ray Radiation: Comparison with Gd2O2S:Tb // Measurement. 2018. V. 120. P. 213–220.
Shanker V., Ohmi K., Tanaka S., Kobayashi H. Gd2O2S:Tb Phosphor Thin Films Grown by Electron Beam Evaporation and Their Photoluminescent and Electroluminescent Characteristics // IEICE Trans. Electron. 1998. V. E81C. № 11. P. 1721–1724.
Steblevskaya N.I., Medkov M.A., Belobeletskaya M.V. Luminophores and Protective Coatings Based on Oxides and Oxysulfides of Rare-Earth Elements Prepared by Extraction Pyrolysis // Theor. Found. Chem. Eng. 2014. V. 48. № 4. P. 449–453.
Amano R., Shiokawa Y. Preparation of Lanthanide Sulfide Films by Chemical Vapor Deposition Using β-Diketone Chelates // J. Radioanal. Nucl. Chem. Lett. 1991. V. 155. № 3. P. 201–210.
Bakovets V.V., Sotnikov A.V., Korolkov I.V. Kinetics of Phase Formation in the Ln–O–S (Ln = La, Gd, Y) Systems during Oxide Sulfidation in Ammonium Thiocyanate Vapor // J. Am. Ceram. Soc. 2017. V. 100. № 4. P. 1320–1329.
Баковец В.В., Левашова Т.М., Филатова И.Ю. и др. Получение наноструктурированных пленок оксосульфида иттрия газофазным методом // Неорган. материалы. 2008. Т. 44. № 1. С. 73–75.
Баковец В.В., Белая С.В., Лобзарева М.Н., Максимовский Е.А. Кинетика осаждения пленок оксида тербия из паров Tb(dpm)3 // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 6. С. 625–630.
Sievers R.E., Eisentraut K.J., Springer C.S. Volatile Rare Earth Chelates of β-Diketones // Lantanide/Actinide Chemistry Advances in Chemistry. Ser. 71. American Chemical Society. Washington, 1967. P. 141–154.
Белая С.В., Баковец В.В., Боронин А.И. др. Пленки оксидов тербия, полученные химическим осаждением из паров трис-дипивалоилметаната тербия // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 4. С. 410–417.
Powder Diffraction File, Inorganic Phase in: Kabekkodu S. (Ed.), International Center for Diffraction Data, Newtown Square, Pennsylvania, USA, 2010.
Baer S., Scheife H., Petermann K., Huber G. Sesquioxides as Host Materials for Rare-Earth-Doped Bulk Lasers and Active Waveguides // Rare Earth Oxide Thin Films: Growth, Characterization and Applications / Eds Fanciulli M., Scarel G. Topics Applied. Physics. V. 106. Berlin, Heidelberg: Springer, 2007. P. 401–422.
Башкиров С.А., Гременок В.Ф., Иванов В.А. Физические свойства тонких пленок SnS, полученных методом горячей стенки // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. № 6. С. 765–769.
Da Silva A.A., Cebim M.A., Davolos M.R. Excitation Mechanisms and Effects of Dopant Concentration in Gd2O2S:Tb3+ Phosphor // J. Lumin. 2008. V. 128. № 7. P. 1165–1168.
Михитарьян Б.В. Люминесцентно-спектральные свойства твердых растворов Gd2O2S–Tb2O2S и Y2O2S–Tb2O2S: Автореферат дис. … канд. физ.-мат. наук (по ВАК РФ 01.04.07). 2007. Ставрополь. 23 с.
Flores-Gonzalez M.A., Ledoux G., Roux S. et al. Preparing Nanometer Scaled Tb-doped Y2O3 Luminescent Powders by the Polyol Method // J. Solid State Chem. 2005. V. 178. № 4. P. 989–997.
Sharma R.N., Rastogi A.C. Compositional and Electronic Properties of Chemical Vapor Deposited Y2O3 Thin Film Si(100) Interfaces // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. № 11. P. 6691–6702.
Киряков А.С., Пирязев Д.А., Тарасенко М.С., Наумов Н.Г. Кристаллическая структура новых халькогенидсодержащих ортосиликатов иттрия Y2SiO4Q (Q = S, Se) // Журн. структур. химии. 2018. Т. 59. № 3. С. 657–662.
Pomelova T.A., Bakovets V.V., Korol’kov I.V. et al. On the Abnormal Efficiency of the Luminescence of Submicron-Sized Phosphor Y2O3:Eu3+ // Phys. Solid State. 2014. V. 56. № 12. P. 2496–2506.
Anan’eva G.V., Gorokhova E.I., Demidenko V.A. et al. Optical Properties of Gd2O2S-Based Ceramic // J. Opt. Technol. 2005. V. 72. № 1. P. 58–61.
Гурвич А.М. Рентгенолюминофоры и рентгеновские экраны. М.: Атомиздат, 1976. С. 63.
Горохова Е.И., Ананьева Г.В., Демиденко В.А. и др. Сцинтилляционные оптические керамики на основе Gd2O2S, легированного Pr, Tb, Eu // Опт. журн. 2012. Т. 79. № 1. С. 58–64.
Hernández-Adame L., Méndez-Blas A., Ruiz-García J. et al. Synthesis, Characterization, and Photoluminescence Properties of Gd:Tb Oxysulfide Colloidal Particles // Chem. Eng. J. 2014. V. 258. P. 136–145.
Saraee K.R.E., Zadeh M.D., Mostajaboddavati M., Kharieky A.A. Changes of Tb Emission by Non-Radiative Energy Transfer from Dy in Gd2O2S:Tb Phosphor // J. Electron. Mater. 2016. V. 45. № 10. P. 4806–4812.
Luo X., Cao W. Ethanol-Assistant Solution Combustion Method to Prepare La2O2S:Yb, Pr Nanometer Phosphor // J. Alloys Compd. 2008. V. 460. № 1–2. P. 529–534.
Gorokhova E.I., Demidenko V.A., Khristich O.A. et al. Luminescence Properties of Ceramics Based on Terbium-Doped Gadolinium Oxysulfide // J. Opt. Technol. 2003. V. 70. № 10. P. 693–698.
Wang F., Liu D., Yang B., Dai Y. Characteristics and Synthesis Mechanism of Gd2O2S:Tb Phosphors Prepared by Vacuum Firing Method // Vacuum. 2013. V. 87. P. 55–59.
Hernandez-Adame L., Palestino G., Meza O. et al. Effect of Tb3+ Concentration in the Visible Emission of Terbium-Doped Gadolinium Oxysulfide Microspheres // Solid State Sci. 2018. V. 84. P. 8–14.
Ding Y.-J., Han P.-D., Wang L.-X., Zhang Q.-T. Preparation, Morphology and Luminescence Properties of Gd2O2S:Tb with Different Gd2O3 Raw Materials // Rare Metals. Published online 18 August 2015.
Wakefield G., Keron H.A., Dobson P.J., Hutchison J.L. Structural and Optical Properties of Terbium Oxide Nanoparticles // J. Phys. Chem. Solids. 1999. V. 60. № 4. P. 503–508.
Xu Z., Yang J., Hou Z. et al. Hydrothermal Synthesis and Luminescent Properties of Y2O3:Tb3+ and Gd2O3:Tb3+ Microrods // Mater. Res. Bull. 2009. V. 44. № 9. P. 1850–1857.
Hölsä J., Leskelä M., Niinistö L. Concentration Quenching of Tb3+ Luminescence in LaOBr and Gd2O2S Phosphors // Mater. Res. Bull. 1979. V. 14. № 11. P. 1403–1409.
Xu G.X., Qin H., Huang T. et al. Synthesis and Photoluminescence of Gd2O2S:Tb3+ Nanoaggregates via One-Pot Solvothermal Method // Optoelecton. Adv. Mater. – Rapid Commun. 2017. V. 11. № 11–12. P. 703–708.
Sang X., Xu G., Lian J. et al. A Template-Free Solvothermal Synthesis and Photoluminescence Properties of Multicolor Gd2O2S:xTb3+, yEu3+ Hollow Spheres // Solid State Sci. 2018. V. 80. P. 15–21.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Неорганические материалы