1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Неорганические материалы
  4. T. 59, № 11, 2023

Неорганические материалы, 2023, T. 59, № 11, стр. 1283-1291

Характеристики позиционной чувствительности при оптическом зондировании фотоприемного элемента на основе высокоомных слоев CdSe

В. И. Чукита 1, *, А. В. Воронов 1, М. В. Чукичев 2, В. С. Фещенко 3

1 Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко
МD-3300 Тирасполь, ул. 25 Октября, 107, Приднестровская Молдавская республика

2 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
119991 Москва, Ленинские горы, 1, Россия

3 Российский технологический университет МИРЭА
119454 Москва, пр. Вернадского, 78, Россия

* E-mail: chykita@mail.ru

Поступила в редакцию 27.04.2023
После доработки 25.10.2023
Принята к публикации 27.10.2023

Аннотация

Впервые найдено, что выходное напряжение, координатная и спектральная чувствительность фотоприемного элемента, изготовленного на основе высокоомных светочувствительных слоев CdSe, уменьшаются по гиперболическому закону при увеличении толщины слоев в пределах 6–60 мкм и линейно возрастают при увеличении входного электрического тока. Установленные в работе высокие значения координатной и спектральной чувствительности (70.8 мВ/(мм мкА мВт) и 375 мВ/(мкА мВт) соответственно), которые существенно превышают аналогичные характеристики слоев теллурида кадмия, свидетельствуют о перспективности использования высокоомных слоев CdSe в качестве материала для позиционно-чувствительных фотоприемников.

Ключевые слова: фотоприемный элемент, оптическое зондирование, выходное напряжение, координатная и спектральная чувствительность

Список литературы

  1. Сенокосов Э.А., Чукита В.И., Хамидуллин Р.А. и др. Исследование характеристик позиционной чувствительности эпитаксиальных слоев n-СdSe, выращенных в квазизамкнутом объеме на кристаллах слюды // Неорган. материалы. 2016. Т. 52. № 8. С. 822–825. https://doi.org/10.7868/S0002337X16080157

  2. Сенокосов Э.А., Чукита В.И., Хамидуллин Р.А. и др. Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 5. С. 689–694.  https://doi.org/10.21883/FTP2017.05.44430.8406

  3. Fortunato E., Ferreira I., Giuliani F. et al. Flexible Large Area Thin Film Position Sensitive Detectors // Sens. Actuators. 2000. V. 86. P. 182–186.

  4. Andersson H.A., Bertilsson K., Thungström G., Nilsson H.-E. Processing and Characterization of a MOS-Type Tetra Lateral Position Sensitive Detector with Indium Tin Oxide Gate Contact // IEEE Sens. J. 2008. V. 8. № 10. P. 1704–1709.

  5. Гурин Н.Т., Новиков С.Г., Корнеев И.В. и др. Позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 6. С. 57–62.

  6. Рахимов Н.Р., Минин О.В., Минин И.В., Алижанов Д.Д. Особенности получения координатно-чувствительного приемника оптического излучения на основе полупроводниковых пленок с аномальным фотонапряжением // Автоматика и программная инженерия. 2012. № 2. С. 41–46.

  7. Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Сорочан В.В., Цирулик Л.Д. Двукоординатные фотодатчики на основе однородных проводящих полупроводниковых пленок // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 5. С. 123–125.

  8. Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Богинский Д.Е. и др. Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2003. № 1. С. 49–51.

  9. Cенокосов Э.А., Сорочан В.В. Характеристики позиционно-чувствительных фотоприемников на основе слоев n-СdTe:In // Прикладная физика. 2006. № 2. С. 77–80.

  10. Cенокосов Э.А., Сорочан В.В. Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых слоев n-СdTe:In // Вестн. Мордовского ун-та. 2007. № 3. С. 103–109.

  11. Nasir E.M., Al-Lamy H.K., Abdul-Ameer H.J. Optical Properties of CdSe Films at Different Thickness and Annealing Temperature // Chalcogen. Lett. 2019. V. 16. P. 485–497.

  12. Mahato S., Kar A.K. The Effect of Annealing on Structural, Optical and Photosensitive Properties of Electrodeposited Cadmium Selenide Thin Films // J. Sci.: Adv. Mater. Devices. 2017. V. 2. P. 165–171.

  13. Shelke N.T., Karle S.C., Karche B.R. Photoresponce Properties of CdSe Thin Film Photodetector // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2020. V. 31. P. 15061–15069.

  14. Olgar M.A., Başol B.M., Polat İ. et al. Photodetector Properties of CdSe Thin Films Grown by Close Space Sublimation Method // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2023. V. 34. P. 1749–1757.

  15. Сенокосов Э.А., Чукита В.И., Жданов А.А. Управление технологией выращивания в квазизамкнутом объеме кристаллически совершенных полупроводниковых слоев // Вестн. Приднестровского ун-та. Сер.: Физ.-мат. науки. 2018. № 3. С. 16–19.

  16. Чукита В.И., Сенокосов Э.А., Суринов В.Г. и др. Спектры экситонной люминесценции и электрофизические характеристики фоточувствительных слоев CdSe, выращенных на слюде в квазизамкнутом объеме // Неорган. материалы. 2021. Т. 57. № 7. С. 700–704. https://doi.org/1031857/S002337X21070034

  17. Сенокосов Э.А., Чукита В.И. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев CdSe, выращенных методом термического напыления в квазизамкнутом объеме на кристаллах (0001) слюды // Вестн. Приднестровского ун-та. Сер.: Физ.-мат. науки. 2016. № 3. С. 36–43.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Неорганические материалы

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал