Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, T. 112, № 3-4, стр. 172-173
Microstructure and formation mechanism of V-defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells with a high in content
Wang H., Tan Q., He X.
Инструменты
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики