Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2023, T. 117, № 7-8, стр. 550-555
Эффект резистивного переключения в мемристорах TaN/HfOx/Ni с филаментом, сформированным под действием локальной электронно-лучевой кристаллизации
Воронковский В.А., Герасимова А.К., Алиев В.Ш.
- EDN: KKTPGX
- DOI: 10.31857/S123456782307011X
Инструменты
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики