Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2023, T. 117, № 7-8, стр. 550-555

Эффект резистивного переключения в мемристорах TaN/HfOx/Ni с филаментом, сформированным под действием локальной электронно-лучевой кристаллизации

Воронковский В.А., Герасимова А.К., Алиев В.Ш.

Полный текст (PDF) / Полный текст (HTML)