1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Приборы и техника эксперимента
  4. № 4, 2023

Приборы и техника эксперимента, 2023, № 4, стр. 89-91

Установка для терморефлектометрии полупроводниковых материалов в сильном магнитном поле при низких температурах

А. Н. Котов a, *, А. А. Старостин a, В. В. Шангин a, С. Б. Бобин b, **, А. Т. Лончаков b

a Институт теплофизики УрО РАН
620016 Екатеринбург, ул. Амундсена, 107а, Россия

b Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН
620108 Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18, Россия

* E-mail: artem625@mail.ru
** E-mail: bobin@imp.uran.ru

Поступила в редакцию 01.11.2022
После доработки 20.12.2022
Принята к публикации 19.01.2023

Аннотация

Разработаны конструкция экспериментальной ячейки и оптоэлектронный блок для исследования релаксационных процессов в приповерхностной области полупроводников при импульсном лазерном облучении в температурном диапазоне от 3 до 300 К и магнитном поле до 12 Тл.

Список литературы

  1. Starostin A.A., Shangin V.V., Lonchakov A.T., Kotov A.N., Bobin S.B. // Annalen der Physik 2020. V. 532. Iss. 8. P. 1900586. https://doi.org/10.1002/andp.201900586

  2. Wang T., Zheng S., Yang Z. // Sensors and Actuators A. 1998. V. 69. P. 134.

  3. Новицкий Л.А., Кожевников И.Г. Теплофизические свойства материалов при низких температурах. Справочник. М.: Машиностроение, 1975.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Приборы и техника эксперимента

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал