Радиотехника и электроника, 2023, T. 68, № 5, стр. 482-486

Выводы соотношений между токами во внешней цепи и параметрами образцов

С. Г. Дмитриев *

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
141190 Фрязино, Московской обл.,пл. Введенского, 1, Российская Федерация

* E-mail: sgd@ms.ire.rssi.ru

Поступила в редакцию 29.06.2022
После доработки 29.06.2022
Принята к публикации 23.07.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Рассмотрены различные способы вывода соотношений между токами во внешней цепи и изменениями параметров образцов, которые индуцируют эти токи. Соотношения такого рода обобщают теорему Шокли–Рамо и могут служить развитием законов Кирхгофа для электрических цепей.

1. СООТНОШЕНИЯ МЕЖДУ ТОКАМИ ВО ВНЕШНЕЙ ЦЕПИ И ПАРАМЕТРАМИ ОБРАЗОВ

Впервые соотношения между токами, поступающими из внешней цепи на металлические электроды, и подвижными зарядами в вакууме были рассмотрены в общем виде для произвольного числа (N) электродов и любого количества подвижных и неподвижных зарядов, в рамках теоремы Шокли–Рамо (ТШР) [1, 2] и ее обобщений [3, 4]. Конвективный ток в вакууме с плотностью $\vec {j} = (t,\vec {r})$ индуцирует, в силу ТШР, во внешней цепи компоненту тока, втекающего в отдельный α-й электрод

(1)
${{I}_{{\alpha 0}}} = \iiint {({{{\vec {E}}}^{{(\alpha )}}}\vec {j})}{\kern 1pt} {\kern 1pt} dV,$
где
(2)
$\vec {E} = {{{{{\vec {E}}}^{{(1\alpha )}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{{\vec {E}}}^{{(1\alpha )}}}} {{{\Phi }_{0}}}}} \right. \kern-0em} {{{\Phi }_{0}}}}$
– вспомогательное нормированное электрическое поле, ${{\varphi }^{{(1\alpha )}}}(\vec {r})$ и ${{\vec {E}}^{{(1\alpha )}}} = - {\text{grad}}{{\varphi }^{{(1\alpha )}}}$ – соответственно вспомогательные потенциал и электрическое поле в той же системе, но без пространственных зарядов и с потенциалами электродов
(3)
$\Phi _{\beta }^{{(1\alpha )}} = \delta _{\beta }^{\alpha }{{\Phi }_{0}},\,\,\,\,{{\Phi }_{0}} = 1\;{\text{В,}}$
где $\delta _{\beta }^{\alpha }$ – символ Кронекера. Интегрирование проводится по всему пространству без электродов.

Случай одного (точечного) заряда $q$ (в системе без других зарядов) анализировался в работах Шокли и Рамо [1, 2]. Этот заряд, двигающийся со скоростью $\vec {v}$ в точке ${{\vec {r}}_{0}}$, создает плотность тока

(4)
${{\vec {j}}_{0}} = q\vec {v}\delta (\vec {r} - {{\vec {r}}_{0}}),$
где $\delta (\vec {r} - {{\vec {r}}_{0}})$ – дельта-функция. При этом индуцированная во внешней цепи компонента тока Iα0, втекающего в α-й электрод, равна

(5)
${{I}_{{\alpha 0}}} = \iiint {({{{\vec {E}}}^{{(\alpha )}}}{{{\vec {j}}}_{0}})},\,\,\,\,dV = q({{\vec {E}}^{{(\alpha )}}},\vec {v}).$

Формулы особенно просты в случае двух плоскопараллельных электродов:

(6)
$\vec {E}_{{||}}^{{(0)}} = {{{{{\vec {n}}}_{0}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{{\vec {n}}}_{0}}} d}} \right. \kern-0em} d},$
(7)
${{I}_{{0\,||}}} = {{q(\vec {v},{{{\vec {n}}}_{0}})} \mathord{\left/ {\vphantom {{q(\vec {v},{{{\vec {n}}}_{0}})} d}} \right. \kern-0em} d},$
где d – расстояние между электродами, ${{\vec {n}}_{0}}$ – вектор внешней нормали к поверхности одного их этих двух электродов (индекс “0”), направленный в сторону другого электрода. При приближении заряда к выбранному (индекс “0”) электроду имеем, очевидно, $(\vec {v},{{\vec {n}}_{0}}) < 0$, а $q{{I}_{{0\,||}}} < 0$, т.е. ток из внешней цепи привносит в электрод заряд другого знака, экранирующий поле заряда $q$, а при удалении от электрода знаки заряда и тока совпадают. Нормаль ко второму электроду (индекс “1”) имеет другой знак ${{\vec {n}}_{1}} = - {{\vec {n}}_{0}}$, поэтому ток, втекающий в этот электрод, имеет ту же величину, но другой знак
(8)
${{I}_{{1\,||}}} = {{q(\vec {v},{{{\vec {n}}}_{1}})} \mathord{\left/ {\vphantom {{q(\vec {v},{{{\vec {n}}}_{1}})} d}} \right. \kern-0em} d} = - {{I}_{{0\,||}}},$
а сумма этих токов равна нулю. Это связано с тем, что заряд $q$ индуцирует на электродах экранирующие заряды, а при его движении экранирующие заряды перераспределяются между электродами, но так, что полный экранирующий заряд сохраняется. Закон сохранения заряда должен выполняться, конечно, и в общем случае, что гарантируется уравнениями Максвелла, которые используются при выводе формул и из которых этот закон вытекает (см., например, [5, 6]).

Обобщение ТШР на системы с диэлектриками проводилось в ряде работ [715]. При этом анализировалась возможность распространения ТШР на неоднородные локально анизотропные системы с поляризацией, в которых связь между электрической индукцией $\vec {D}(t,\vec {r})$ и полем $\vec {E}(t,\vec {r})$ имеет тот или иной характер. Например (система единиц СИ),

(9)
$\vec {D} = \vec {P} + \vec {D}{\kern 1pt} ',$
где $\vec {P}(t,\vec {r})$ – поляризация (плотность дипольного момента), которая может быть связана со спонтанной поляризацией в пироэлектриках (см., например, [6]), с различными неоднородностями (включая границы раздела и поверхности), с дефектными образованиями атомного масштаба, с отдельными молекулами и т.п., т.е. с той частью поляризации в образце, которая может существовать и без поля, а слагаемое $\vec {D}{\kern 1pt} '$ призвано описывать остальную, индуцированную полем, часть индукции. Например,
(10)
$D_{i}^{'} = {{\varepsilon }_{0}}{{\varepsilon }_{{ik}}}{{E}_{k}},$
где ${{\varepsilon }_{{ik}}}(t,\vec {r})$ – тензор (относительной) диэлектрической проницаемости, а ${{\varepsilon }_{0}}$ – диэлектрическая постоянная вакуума (по повторяющимся тензорным индексам предполагается суммирование). Связь между индукцией и полем может иметь и более общий характер (см., например, [5, 6]), а деление на слагаемые в (9) тоже достаточно условно. Поэтому предпочтительны формулы общего характера, в которых связь между индукцией и полем не конкретизирована.

Итак, выражение для полного тока на отдельный α-й электрод, справедливое и для систем с диэлектриками, имеет вид

(11)
${{I}_{\alpha }} = \iiint {({{{\vec {E}}}^{{(\alpha )}}},{{{\vec {j}}}_{{\text{п}}}})}\,dV,$
где ${{\vec {j}}_{{\text{п}}}}$ – полный ток (СИ)
(12)
${{\vec {j}}_{{\text{п}}}} = \vec {j} + {{\partial{ \vec {D}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial{ \vec {D}}} {\partial t}}} \right. \kern-0em} {\partial t}},$
а нормированное поле ${{\vec {E}}^{{(\alpha )}}}$ в этом случае имеет тот же смысл, что и выше. ТШР, очевидно, соответствует вкладу от первого слагаемого в полном токе, т.е. формула (1) сохраняет свой вид и в более общем случае. Соединительные провода не учитываются.

Формулы (4)(8) (или (1)) и выражают содержание собственно ТШР, хотя не меньшую ценность представляют и более общие выражения, одно из которых имеет вид (см., например, [3, 4]):

(13)
$\sum\limits_{\alpha = 1}^N {\Phi _{\alpha }^{{(1)}}{{I}_{\alpha }}} = \iiint {({{{\vec {E}}}^{{(1)}}},{{{\vec {j}}}_{{\text{п}}}})}\,dV,$
где $\Phi _{\alpha }^{{(1)}}(t)$ – потенциал α-го электрода из вспомогательной задачи (α = 1, 2, …, N), ${{\vec {E}}^{{(1)}}}$ – вспомогательное поле в этом случае. Формула (1), очевидно, представляет собой частный случай равенства (13) при условиях (3).

Отметим, что в работе [2] вывод формул ТШР основан на применении второй формулы Грина к потенциальным полям; автор ссылается на монографию [16] (по поводу формул Грина см. также [17] и, в более современной постановке, включая и обобщенные функции, [18]). В работе [1] была использована теорема взаимности Грина, которая также следует из второй формулы Грина (см., например, [17]). Формулы Грина были опубликованы в 1828 г. в его знаменитом эссе о применении математического анализа к электричеству и магнетизму [19] (историю вопроса см. в [20]), т.е. задолго до открытия уравнений Максвелла. В этой работе автор, вслед за Лапласом и Пуассоном, развивает теорию потенциала (“потенциальная функция” у Грина). Однако вторая формула Грина имеет вид (см. [1620])

(14)
$\int {(v\Delta u - u\Delta v)dV} = \int {(v{\text{grad}}u} - u{\text{grad}}v)dS$
(где Δ – лапласиан), она связывает объемные интегралы с поверхностными и справедлива не только для потенциалов (которые должны удовлетворять уравнениям Лапласа или Пуассона), но, очевидно, и для любых достаточно гладких функций u и v. Авторы [1, 2] выводили свою теорему для потенциальных полей, но формула (14) в их выводах оставляет надежду на перспективы более общего характера.

И действительно, в работе [7] отмечено, что вспомогательные потенциалы в ТШР могут и не иметь прямого отношения к полям основной задачи (но должны удовлетворять, конечно, граничным условиям (3)). Более того, в работе [8] показано, что в качестве вспомогательных можно использовать произвольные функции с теми же граничными условиями. Рассмотрим это утверждение подробнее. Заметим, что вторую формулу Грина можно доказать с помощью теоремы Остроградского–Гаусса, используя интегралы с дивергенцией (см., например, [18, 20]). Этот прием удобно применить и для вывода формул ТШР. Равенство (13), в частности, можно получить, производя дифференцирование под знаком интеграла в функционале (15)

(15)
$F = - \iiint {{\text{div}}({{\varphi }^{{(1)}}}{{{\vec {j}}}_{{\text{п}}}})}dV$
с учетом равенства
(16)
${\text{div}}{{\vec {j}}_{{\text{п}}}} = 0$
и приравнивая результат к поверхностному интегралу, полученному из (15) с помощью теоремы Остроградского–Гаусса. При этом поверхностные интегралы с ${{\partial{ \vec {D}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial{ \vec {D}}} {\partial t}}} \right. \kern-0em} {\partial t}}$ и $\vec {j}$ для α-го электрода дают разность
(17)
$\Phi _{\alpha }^{{(1)}}{{I}_{\alpha }} = \Phi _{\alpha }^{{(1)}}({{\partial {{Q}_{\alpha }}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial {{Q}_{\alpha }}} {\partial t - {{I}_{{s\alpha }}}}}} \right. \kern-0em} {\partial t - {{I}_{{s\alpha }}}}}),$
где ${{Q}_{\alpha }}$ – заряд α-го электрода, ${{I}_{{s\alpha }}}$ – ток, втекающий в него из образца через поверхность, а $\Phi _{\alpha }^{{(1)}}$ – потенциал α-го электрода во вспомогательной задаче. Как видно из вывода, вспомогательные функции действительно могут быть не связаны с основной задачей и вообще быть произвольными, но с теми же граничными условиями. То есть требуется только, чтобы они были постоянны вдоль поверхностей электродов (в каждый момент времени). Именно это условие обеспечивает вывод и вид формул ТШР. Обсуждаемое обобщение полезно в том отношении, например, что формулы ТШР остаются справедливыми (и сохраняют свой вид) и для непотенциальных полей, включая высокочастотные поля, например, сверхвысокочастотные (СВЧ) поля.

Сделаем теперь несколько уточняющих замечаний. Отметим, что если в границу области интегрирования включена вся поверхность α-го электрода, то разность в правой части (17) равна нулю в силу закона сохранения заряда. Ток ${{I}_{\alpha }}$ приобретает смысл втекающего из внешней цепи в электрод (через соединительные провода) тока, если в границу не включены участки поверхности, соответствующие контактам проводов с электродом. Нужно, следовательно, чтобы область интегрирования не включала в себя не только металлические электроды (с постоянными потенциалами на своих поверхностях), но и провода (с их непотенциальными, вообще говоря, поверхностями). Затем придется также уточнить определение заряда ${{Q}_{\alpha }}$, что приводит к появлению в ТШР дополнительных, связанных с проводами, слагаемых, усложняющих (вследствие непотенциальности их поверхностей) формулы ТШР (см. обсуждение этого вопроса в [21]). А вот в качестве вспомогательной можно (формально) выбрать задачу без проводов, но с тем же образцом (без зарядов и поляризации) и, разумеется, с теми же электродами и граничными условиями.

В работах по ТШР соединительные провода не учитывались, а в первых статьях [1, 2] их влияние, на первый взгляд, удалось вообще исключить. Но нет, просто авторы в своем анализе изящно обошли процесс подвода заряда к электродам, рассматривая (без проводов) заряды в них в отдельные, предельно близкие моменты времени. Интересно, что вопрос о влиянии соединительных проводов возник уже на заре изучения электричества, когда сами понятия емкости и потенциала только еще формировались (см., например, легендарные работы Г. Кавендиша [22, 23], в которых особо отмечено, что соединительные провода слабо влияют на распределение зарядов на массивных проводниках). Вспомним также и классическую работу У. Томсона (впоследствии – лорд Кельвин) [24], в которой в 1853 г. (т.е. еще до уравнений Максвелла), было получено (из энергетических, правда, соображений) классическое уравнение для токов в электрических цепях с емкостями и индуктивностями, а выведено оно было для того, чтобы получить не менее известную формулу для периода электрических колебаний в контуре. Так вот, в этой же работе, по ходу вывода формул, предполагалось, что влияние соединительных проводов пренебрежимо мало в силу малости их емкости. Это не удивительно: вспомогательные элементы и не должны ощутимо влиять на процессы в цепях (хотя паразитные эффекты, в качестве платы за их использование, тоже неизбежны). Так что используемое в ТШР приближение – пренебрежение влиянием проводов – можно считать классическим (и обоснованным).

Отметим, что при доказательстве ТШР и ее обобщений использовались различные подходы с разными функционалами, которые могут иметь разные же подынтегральные выражения и области интегрирования. В наиболее простом случае с плоскопараллельными электродами (см. формулы (4)(8)) формула (7) была приведена в [25] еще до того, как была доказана ТШР, она может быть доказана и более простым, чем формулы в ТШР, способом.

Теорема Шокли–Рамо и ее обобщения использовались для описания работы электровакуумных приборов, в особенности приборов СВЧ [14, 2529]. После распространения теоремы на диэлектрики [715], она применялась в работах по датчикам ионизирующего излучения [9, 10, 13, 30], а также при диагностике структур металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) и интегральных схем [14, 15, 31, 32]. Весьма привлекательны применения ТШР в биологии для изучения транспорта зарядов в протеинах [33].

2. ЗАКОНЫ КИРХГОФА

Эти же методы, т.е. подбор подходящих функционалов и их преобразование с помощью математических теорем и уравнений Максвелла, можно использовать и для обобщения законов Кирхгофа для электрических цепей [5], которые (законы) призваны обеспечивать полное их описание. ТШР можно рассматривать как первый шаг в этом направлении. Действительно, если элемент цепи нельзя однозначно охарактеризовать вольт-амперной характеристикой (а тем более, сопротивлением), то ТШР дает нам формулу, описывающую и в общем случае соотношение между токами внутри элемента и током, втекающим в него из внешней цепи. Также теорема помогает выявлять те параметры образцов, которые влияют на токи во внешней цепи. Типичным примеров являются электровакуумные приборы: для стационарных режимов выведены вольт-амперные характеристики (например, закон трех вторых для режима ТОПЗ (токов ограниченных пространственным зарядом) [34]), но в общем, нестационарном случае вольт-амперные характеристики получить нельзя (так как ток определяется не одним только напряжением, но зависит и от предыстории). Так что применять можно только формулы ТШР. С аналогичной ситуацией мы сталкиваемся и при описании полупроводниковых приборов (см. монографии [3537]). И здесь вольт-амперные характеристики получены только в частных случаях. Типичным контрпримером могут служить датчики ионизирующего излучения, при описания которых требуются формулы ТШР (см., например, работу [13] и цитированную там литературу).

Однако ТШР описывает не весь ток во внешней цепи, а только одну его компоненту (см. формулы (1) и (11)), кроме которой в (11) присутствует еще одно слагаемое

(18)
$I_{\alpha }^{'} = \iiint {({{{\vec {E}}}^{{(\alpha )}}},{{\partial{ \vec {D}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial{ \vec {D}}} {\partial t}}} \right. \kern-0em} {\partial t}})}dV,$
связанное с токами смещения. Для полноты описания цепей надо разобраться и с ним. Казалось бы, это не трудно, ведь токи смещения традиционно связывают с емкостными (в теории полупроводниковых приборов, например). А если так, то полные токи в (11) должны состоять из индуцированных и емкостных токов. Эта идея, в качестве очевидной, и была принята в первых (вакуумных) работах по ТШР [1, 2, 2629] (в случае квазистационарных режимов и потенциальных электрических полей). Применялась она и в случае диэлектриков [7, 12]. Но что можно сказать в общем случае?

В работах [14, 15] была предпринята попытка вывести соответствующие формулы для ТШР с учетом и наведенных, и емкостных токов с помощью функционалов более общего вида. Если переписать формулу (11), с учетом (9), в виде

(19)
${{I}_{\alpha }} = {{I}_{{\alpha 1}}} + \iiint {({{{\vec {E}}}^{{(\alpha )}}},}{{\partial{ \vec {D}}{\kern 1pt} '} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial{ \vec {D}}{\kern 1pt} '} {\partial t}}} \right. \kern-0em} {\partial t}})dV,$
где
(20)
${{I}_{{\alpha 1}}} = \iiint {\left( {{{{\vec {E}}}^{{(\alpha )}}},(\vec {j} + {{\partial{ \vec {P}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial{ \vec {P}}} {\partial t}}} \right. \kern-0em} {\partial t}})} \right)}dV,$
то вопрос о емкостных токах относится ко второму слагаемому, а формула (20) служит обобщением ТШР с учетом поляризации (плотности дипольного момента). При этом выражение ${{\partial{ \vec {P}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial{ \vec {P}}} {\partial t}}} \right. \kern-0em} {\partial t}}$ описывает плотность тока связанных зарядов (более подробно см. обсуждение связанных с поляризацией вопросов в [38]). Оказалось, что токи во внешней цепи (в формулах (19), (20)), кроме емкостных, содержат дополнительные слагаемые, которые могут быть описаны различными способами. Природа этих слагаемых и вид соответствующих формул рассматривались в работах [14, 15, 21, 38, 39]. Предполагаем продолжить их обсуждение и вывод заключительных формул на основе функционала более общего вида в следующей работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Рассмотрены различные способы вывода ТШР и ее обобщений на случай произвольных сред и непотенциальных полей, включая СВЧ-поля. Сделаны замечания относительно влияния соединительных проводов. Приведена история вопроса. Отмечено, что более полное описание современных электрических цепей в развитие законов Кирхгофа может быть получено путем последовательного усложнения используемых функционалов.

Список литературы

  1. Shockley W. // J. Appl. Phys. 1938. V. 9. № 10. P. 635.

  2. Ramo S. // Proc. IRE. 1939. V. 27. № 9. P. 584.

  3. Jen C.K. // Proc. IRE. 1941. V. 29. № 6. P. 345.

  4. Beck A.H.W. Thermionic Valves: their Theory and Design. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 1953.

  5. Сивухин Д.В. Общий курс физики. Т. 3. Электричество. М.: Физматлит, 2002.

  6. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т. 8. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматлит, 2005.

  7. Pellegrini B. // Phys. Rev. B. 1986. V. 34. № 8. P. 5921.

  8. Yoder P.D., Gärtner K., Fichtner W. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. № 4. P. 1951.

  9. Cavalleri G., Fabri G., Gatti E., Svelto V. // Nucl. Instr. Meth. 1963. V. 21. P. 177.

  10. Cavalleri G., Gatti E. Fabri G., Svelto V. // Nucl. Instr. Meth. 1971. V. 92. № 1. P. 137.

  11. Visschere P. De. // Sol.-Stat. Electronics. 1990. V. 33. № 4. P. 455.

  12. Kim H., Min H.S., Tang T.W., Park Y.J. // Sol.-Stat. Electronics. 1991. V. 34. № 11. P.1251.

  13. He Z. // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Research A. 2001. V. 463. № 1–2. P. 250.

  14. Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2018. T. 63. № 10. C. 1115.

  15. Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2019. T. 64. № 9. C. 926.

  16. Jeans J.H. The Mathematical Theory of Electricity and Magnetism. Cambridge: Cambridge University Press, 1927.

  17. Смайт В. Электростатика и электродинамика. М.: Изд-во иностр. лит., 1954.

  18. Владимиров В.С., Жариков В.В. Уравнения математической физики. М.: Физматлит, 2004.

  19. Green G. An Essay on the Application of Mathematical Analysis to the Theories of Electricity and Magnetism. Nottingham: T. Wheelhouse, 1828.

  20. Любимов Ю.А. // Успехи физ. наук. 1994. Т. 164. № 1. С. 105.

  21. Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2020. T. 65. № 7. C. 725.

  22. Cavendish H. // Phil. Trans. 1771. V. 61. P. 584.

  23. Cavendish H. The Electrical Researches of the honourable Henry Cavendish. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 1879.

  24. Thomson W. // Phil. Mag. 1853. V. 5. № 34. P. 393.

  25. North D.O. // Proc. IRE. 1936. V. 24. № 1. P. 108.

  26. Гвоздовер С., Лопухин В. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1946. Т. 10. № 1. С. 29.

  27. Лопухин В. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1946. Т. 10. № 1. С. 111.

  28. Коваленко В.Ф. Введение в электронику сверхвысоких частот. М.: Сов. радио, 1955.

  29. Лопухин В.М. Возбуждение электромагнитных колебаний и волн электронными потоками. М.: Гостехиздат, 1953.

  30. Tavernier S. Experimental Techniques in Nuclear and Particle Physics. L: Springer, 2010.

  31. Дмитриев С.Г. // ФТП. 2009. Т. 43. № 6. С. 854.

  32. Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2012. T. 57. № 11. C. 1229.

  33. Eisenberg B., Nonner W. // J. Comput. Electron. 2007. V. 6. № 1–3. P. 363.

  34. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966.

  35. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990.

  36. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.

  37. Nicollian E.R., Brews J.R. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology. N.Y.: J. Wiley & Sons, 1982.

  38. Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2022. T. 67. № 4. C. 411.

  39. Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2022. T. 67. № 2. C. 181.

Дополнительные материалы отсутствуют.