1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Радиотехника и электроника
  4. T. 68, № 8, 2023

Радиотехника и электроника, 2023, T. 68, № 8, стр. 827-830

Полевые эффекты в электропроводности конденсаторных структур платина/алмазоподобный углерод/платина

А. С. Веденеев a, *, В. В. Рыльков a, b, В. А. Лузанов a, С. Н. Николаев b, А. М. Козлов a, А. С. Бугаев a, c

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
141190 Фрязино, Московской обл., пл. Введенского, 1, Российская Федерация

b Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
123182 Москва, пл. Академика Курчатова, 1, Российская Федерация

c Московский физико-технический институт
141700 Долгопрудный, Московской обл., Институтский пер., 9, Российская Федерация

* E-mail: asv335@mail.ru

Поступила в редакцию 19.10.2022
После доработки 15.01.2023
Принята к публикации 25.03.2023

Аннотация

Исследованы полевые зависимости электропроводности структур Pt/DLC/Pt на базе тонких слоев высокоомного алмазоподобного углерода (DLC). Показано, что неомическое поведение проводимости структур описывается формулой Френкеля–Пула и связано с коррелированным распределением зарядов в условиях их перколяционного прыжкового транспорта между низкоомными областями DLC.

Список литературы

  1. Frenkel J. // Phys. Rev. 1938. V. 54. № 8. P. 647.

  2. Френкель Я.И. // ЖЭТФ. 1938. Т. 8. № 12. С. 1292.

  3. Hill R.M. // Philosophical Magazine. 1971. V. 23. № 181. P. 59.

  4. Adachi H., Shibata Y., Ono S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1971. V. 4. № 7. P. 988.

  5. Makram-Ebeid S.S., Lannoo M. // Phys. Rev. B. 1982. V. 25. № 10. P. 6406.

  6. Nasyrov K.A., Gritsenko V.A. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 9. Article No. 093705.

  7. Шкловский Б.И. // ФТП. 1979. Т. 13. № 1. С.93.

  8. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. // Успехи физ. наук. 1975. Т. 117. № 11. С. 401.

  9. Насыров К.А., Гриценко В.А. // Успехи физ. наук. 2013. Т. 183. № 10. С. 1099.

  10. Sharma Y., Misra P., Katiyar R.S. // J. Appl. Phys. 2014. V.116. № 8. Article No. 084505.

  11. Peng P., Xie D., Yang Y. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V.111. № 8. Article No. 084501.

  12. Lampert A., Mark P. Current Injection in Solids. N.Y.: Acad. Press, 1970.

  13. Andreeva N., Ivanov A., Petrov A. // AIP Advances. 2018. V. 8. № 25. Article No. 025208.

  14. Zhuge F., Dai W., He C. L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. № 16. Article No.163505.

  15. Takabayasi S., Yang M., Ogawa Sh. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. № 9. Article No. 093507.

  16. Веденеев А.С., Лузанов В.А., Рыльков В.В. // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 109. № 3. С. 170.

  17. Liao X., Zhang X., Takai K., Enoki T. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. № 1. P. 013709.

  18. Pollak M., Hauser J.J. // Phys. Rev. Lett. 1973. V. 31. № 21. P.1304.

  19. Райх М.Э., Рузин И.М. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 43. № 9. С. 437.

  20. Лузанов В.А., Веденеев А.С. // РЭ. 2018. Т. 63. № 9. С. 1007.

  21. Аладашвили Д.И., Адамия З.А., Лавдовский К.Г. и др. // ФТП. 1989. Т. 23. № 2. С. 213.

  22. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

  23. Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Рыльков В.В. // ФТП. 2005. Т. 39. № 7. С. 844 .

  24. Николаев С.Н., Веденеев А.С., Лузанов В.А. и др. // РЭ. 2021. Т.66. № 10. С.1024.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Радиотехника и электроника

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал