ЖЭТФ, 2019, том 155, вып. 2, стр. 331-337

ЛОКАЛЬНЫЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ В ДИАМАГНИТНЫХ

BiSbO₄ И Bi₄Si₃O₁₂: ЯКР²⁰⁹Bi

Э. А. Кравченкоa*, А. А. Гиппиус^b,c, А. В. Ткачев^c, Д. О. Чаркин^b, В. А. Долгих^b

^a Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук

119991, Москва, Россия

^b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

119991, Москва, Россия

^c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук

19991, Москва, Россия

Поступила в редакцию 25 июля 2018 г.,

после переработки 25 июля 2018 г.

Принята к публикации 29 августа 2018 г.

Методами, основанными на измерении параметров ядерных квадрупольных взаимодействий, в соедине-

ниях висмута с валентными s- и p-электронами, которые принято считать диамагнитными, обнаружено

существование локальных магнитных полей H_loc, существенно превышающих магнитные поля, созда-

ваемые ядерными магнитными моментами (единицы гаусс). Аномалии в магнитных свойствах BiSbO4

и Bi4Si3O12 отчетливо проявлялись при анализе формы линий их спектров ЯКР²⁰⁹Bi. Квартет линий

для нижнего перехода ν1 (Δm = 1/2-3/2) в спектре Bi4Si3O12 в нулевом внешнем магнитном поле и

дублеты для линий всех переходов в спектре BiSbO4 при единственной кристаллографической позиции

атомов висмута в кристаллических решетках соединений свидетельствуют о магнитной природе расщеп-

лений. Наиболее вероятными величинами H_loc в этих соединениях являются значения в пределах от 40

до 100 Гс.

DOI: 10.1134/S0044451019020135

Гамильтониан квадрупольного взаимодействия

определяется взаимодействием электрического

квадрупольного момента Q ядра (таким моментом

1. ВВЕДЕНИЕ

обладают все ядра со спином I > 1/2) с градиентом

Спектроскопия ядерного квадрупольного резо-

электрического поля ГЭП кристалла,

нанса (ЯКР) представляет собой прямой, наиболее

эффективный и точный метод обнаружения и ис-

∂E_i

∂²U

q_ij =

следования явлений, сопровождающихся изменени-

∂j

∂ij

ями электрических полей в месте нахождения ре-

зонансного ядра. В данной работе метод ЯКР был

где E_i — напряженность, U — потенциал этого поля

выбран в качестве основного для исследования осо-

в месте нахождения ядра, а i, j = x, y, z. Измеряемы-

бенностей спектров во внутренних (локальных) маг-

ми параметрами являются константа ядерной квад-

нитных полях. Анализ спектров ЯКР²⁰⁹Вi соедине-

рупольной связи e²Qq_zz/h, где eQ — квадрупольный

ний висмута с валентными s- и p-электронами, ко-

момент ядра и q_zz — максимальная компонента тен-

торые принято считать диамагнитными (BiSbO₄ и

зора ГЭП в системе главных осей, h — постоянная

Bi₄Si₃O₁₂), указал на существование в этих соедине-

Планка, и параметр асимметрии ГЭП на квадру-

ниях локальных магнитных полей H_loc, существенно

польном ядре, η = (q_xx -q_yy)/q_zz. Их значения непо-

превышающих магнитные поля, создаваемые ядер-

средственно зависят от распределения электронной

ными магнитными моментами и составляющие еди-

плотности вокруг исследуемого ядра, поэтому даже

ницы гаусс.

незначительные ее возмущения приводят к отчет-

ливо регистрируемым изменениям в спектрах ЯКР.

^* E-mail: ekravchenko2@yandex.ru

Физические основы явления ЯКР, возможности ме-

331

Э. А. Кравченко, А. А. Гиппиус, А. В. Ткачев и др.

ЖЭТФ, том 155, вып. 2, 2019

[

]1/2

H = 0

f =

1 + (I + 1/2)²tg2 θ

±9/2

Спектр ЯКР²⁰⁹Bi в отличном от нуля внешнем маг-

±7/2

нитном поле произвольной ориентации относитель-

±5/2

но осей ГЭП схематически представлен на рис. 1б.

±3/2

Таким образом, характерным признаком магнитных

±1/2

расщеплений в спектре ЯКР, исключающим крис-

таллографическую неэквивалентность атомных по-

зиций как причину расщеплений, служит наблюде-

, МГц

ние квартета линий для нижнего перехода ν₁ (Δm =

= 1/2-3/2) и дублетов для остальных переходов

Рис. 1. Схема квадрупольных уровней и переходов меж-

(ν₂, . . . , ν_k).

ду ними для ядра²⁰⁹Bi в нулевом (а) и зеемановском (б)

магнитных полях

тода и его ограничения при решении различных за-

2. ЭКСПЕРИМЕНТ

дач неорганической химии изложены в обзоре [1].

Как известно, спектр ЯКР²⁰⁹Bi (спин ядра²⁰⁹Bi

Образец BiSbO₄ синтезировали из шихты

равен I = 9/2) состоит из четырех линий перехо-

стехиометрического состава (Sb₂O₃ и Bi₂O₃) с

дов между пятью дважды вырожденными уровня-

последующим перетиранием и отжигом, проводи-

ми энергии | ± m〉 (рис. 1a) с частотами, которые

мым в несколько этапов на воздухе в кварцевом

для простейшего случая η = 0 и симметрии, пред-

тигле. Данные рентгенофазового анализа (РФА):

полагающей магнитную эквивалентность атомов Bi,

моноклинная ячейка (I2/c) с параметрами a

даются выражением

= 5.4690(2)Å, b

= 4.8847(2)Å, c

= 11.8252(6)Å,

3ke²Qq_zz

β = 101.131(3)^◦.

ν_k =

k = 1,...,4.

2I(2I - 1)h

Исходными для образца BiPO₄ были Bi₂O₃ и

(NH₄)₂HPO₄ в мольном соотношении 1 : 2. Препа-

Постоянное магнитное поле H снимает двукрат-

раты перетирали и нагревали в несколько этапов

ное вырождение энергии квадрупольных уровней по

на воздухе в открытом алундовом тигле с после-

магнитному квантовому числу m, так что каждый

дующим охлаждением в режиме остывающей печи.

переход ±m → ±(m + 1) при m > 1/2 расщепляет-

Данные РФА: высокотемпературная моноклинная

ся полем H на дублет ±mγH cos θ с разностью час-

(P 2₁/m) модификация BiPO₄ с параметрами ячей-

тот [2]

ки a = 4.871(3)Å, b = 7.073(3)Å, c = 4.709(3)Å,

Δν = 2γH_e cos θ,

(1)

β = 96.24(8)^◦.

Кристаллы Bi₄Si₃O₁₂ выращены методом Чох-

где γ — гиромагнитное отношение для квадруполь-

ральского аналогично процедуре по выращиванию

ного ядра и θ — угол между направлением поля H и

кристалла Bi₄Ge₃O₁₂ (BGO), описанной в работе [3].

осью q_zz градиента электрического поля на ядре Bi.

Спектры ЯКР²⁰⁹Bi снимали на импульсном

Нижние уровни m = ±1/2 при наложении внешнего

некогерентном спектрометре производства СКБ

поля смешиваются с образованием новых состояний

ИРЭ АН СССР с непрерывной разверткой частоты

ψ₊ и ψ_- и появлением на месте исходного невоз-

в широком интервале. Эксперимент по наблюдению

мущенного перехода ν±1/2 → ν±3/2 квадруплета с

огибающей квадрупольного спинового эха (ОСЭ)

частотами

состоял в регистрации сигнала ЯКР при увеличе-

ν_α = 6A/h -

(3 - f)γH cos θ,

нии расстояния между зондирующими импульсами

с последующей обработкой сигнала. Слабые посто-

ν_β = 6A/h -

(3 + f)γH cos θ,

янные внешние магнитные поля прикладывались

(2)

перпендикулярно оси радиочастотной катушки.

ν^′α = 6A/h +

(3 - f)γH cos θ,

Спектрометр снабжен устройством для записи

ОСЭ.

ν^′β = 6A/h +

(3 + f)γH cos θ,

Измерения спектров ЯКР²⁰⁹Bi BiSbO4 и BiPO4

где

проводились на самодельном импульсном фазокоге-

A = e²Qq_zz/[4I(2I - 1)]

рентном спектрометре в транспортном азотном дью-

аре при 77 К с использованием техники спинового

332

ЖЭТФ, том 155, вып. 2, 2019

Локальные магнитные поля...

I_echo, отн. ед.

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

19.4

19.5

19.6

19.7

19.8

, МГц

Рис. 2. Линия перехода ν1 (Δm = 1/2-3/2) в спектре ЯКР

²⁰⁹Bi соединения Bi4Si3O12 в нулевом магнитном поле

Рис. 3. (В цвете онлайн) Схема строения ортосиликата

висмута Bi4Si3O12

эха со ступенчатой (point-by-point) разверткой час-

тоты. Спектры измерялись путем интегрирования

Как следует из уравнений (2), количество компо-

ОСЭ во временном домене с последующим усред-

нением по числу накоплений, которое зависело от

нент (мультиплетность) расщепленной линии и их

положение на шкале частот зависят от величины

частоты и номера квадрупольного перехода.

и ориентации магнитного поля H по отношению к

осям ГЭП на ядре Bi. Очевидно, что при угле θ =

[

√

]

3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

= 1/ tg

2/(I + 1/2)

линии ν_α и ν^′α совпадают,

давая сигнал удвоенной интенсивности на частоте

Форма линии перехода ν₁ (Δm = 1/2-3/2) в

нерасщепленной линии, так что вместо квадруплета

спектре ЯКР²⁰⁹Bi ортосиликата висмута Bi₄Si₃O₁₂

следует ожидать появления дублета. Именно такую

представляла собой квадруплет (рис. 2), хотя наб-

картину расщеплений мы наблюдали в спектре ЯКР

людение велось в нулевом внешнем магнитном по-

²⁰⁹Bi соединения BiSbO₄ (рис. 4). Следовательно, в

ле. При этом расщепление линии ν₁ на квадруплет

BiSbO₄ также существует локальное магнитное по-

наблюдалось как для монокристалла, так и для по-

ле, которое, согласно оценке на основе спектральных

рошкового образца, что указывает на существова-

данных, характеризуется параметрами

ние в соединении внутреннего источника магнитных

расщеплений — локального магнитного поля H_loc,

H_loc ∼ 40 Гс, θ = 29.5^◦.

направление которого связано с направлением спи-

на ядра. В порошке каждый кристаллит для локаль-

Следует заметить, что величины расщеплений в

ного магнитного поля является монокристаллом, и

дублетах верхних переходов (326, 251,

175

кГц,

наблюдение в нем зеемановского спектра снимает

рис. 4) находятся в хорошем соответствии с отно-

возможный вопрос о примеси как источнике расщеп-

шениями 9/2 :7/2 и 7/2 : 5/2, следующими из урав-

лений.

нения (1), что также подтверждает их магнитную

Согласно структурным данным [4], в решетке ор-

природу.

тосиликата висмута (кубическая решетка I43d) ато-

Соединение BiSbO₄ кристаллизуется в моно-

мы Bi занимают единственную кристаллографичес-

клинной сингонии (пространственная группа I2/c)

кую позицию (рис. 3). Оценка локального магнитно-

c параметрами ячейки a = 5.4518(8), b = 4.8783(4),

го поля в Bi₄Si₃O₁₂, ответственного за наблюдавше-

= 11.825(1)Å, β = 101.11(1)◦ [7], хорошо со-

еся расщепление его спектра ЯКР²⁰⁹Bi, дала вели-

гласующимися с параметрами исследованного на-

чину H_loc cos θ ≈ 41 Гс. Учитывая наблюдавшийся

ми соединения. Структуру составляют слои [SbO₄]_n,

ранее диапазон изменения величин угла θ (пример-

образованные октаэдрами SbO₆ с общими углами

но от 5^◦ до 65^◦ [5]), следует предположить вероятное

(рис. 5). Слои параллельны плоскости (001) и соеди-

значение H_loc в пределах от 41 до 100 Гс.

нены между собой связями Bi-O. Координационным

333

Э. А. Кравченко, А. А. Гиппиус, А. В. Ткачев и др.

ЖЭТФ, том 155, вып. 2, 2019

I_echo, отн. ед.

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

24.2

24.4

24.6

24.8

25.0

25.2

25.4

45.0

45.5

46.0

46.5

47.0

, МГц

I_echo, отн. ед.

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

68.5

69.0

69.5

70.0

70.5

71.0

92.5

93.0

93.5

94.0

, МГц

Рис. 4. Линии переходов ЯКР²⁰⁹Bi соединения BiSbO4 при 77 К в нулевом магнитном поле: Δm = 1/2-3/2 (а), 3/2-5/2

(б), 5/2-7/2 (в), 7/2-9/2 (г): 1 — экспериментальная запись; 2 — сглаженная огибающая; 3 и 4 — компоненты фитинга

полиэдром висмута является тригональная бипира-

внешних магнитных полей (H < 500 Э), указыва-

мида BiO₄E c неподеленной парой электронов, зани-

ющая на сильную взаимосвязь между магнитной и

мающей позицию в экваториальной плоскости. Бес-

электронной подсистемами таких соединений. На-

конечные ленты [BiO₂]_n направлены вдоль [100]. От-

пример, во внешнем магнитном поле сильно возрас-

мечено, что уточненная структура BiSbO₄ [7] во всех

тала интенсивность линий в спектре ЯКР²⁰⁹Bi кри-

деталях подтверждает данные Ауривиллиуса [4] о

сталла Bi₄Si₃O₁₂ (рис. 6), что не следует из теории

структуре этого соединения, полученные в значи-

зеемановских спектров ЯКР [2,8]. Как показали ре-

тельной мере на основе кристаллохимических прин-

зультаты моделирования расщеплений спектра ЯКР

ципов, установленных при исследовании большо-

²⁰⁹Bi во внешних магнитных полях для изострук-

го числа соединений (фаз), построенных из слоев

турного монокристалла Bi₄Ge₃O₁₂ (BGO), в кото-

[Bi₂O₂]2n+n, чередующихся с перовскитоподобными

ром ранее обнаружено H_loc ≈ 30 Гc [3], характер

слоями [4].

расщеплений зависит от свойств симметрии ГЭП на

При анализе спектров ЯКР соединений²⁰⁹Bi

ядре²⁰⁹Bi и взаимной ориентации полей, возмуща-

c аномальными магнитными свойствами выявлена

ющих спиновую систему [3,5]. При этом увеличение

уникально высокая чувствительность их электрон-

интенсивности линий в спектрах соединений с ука-

ных характеристик (ГЭП) к воздействию слабых

занными аномалиями в значительной степени опре-

334

ЖЭТФ, том 155, вып. 2, 2019

Локальные магнитные поля...

менте вклад в амплитуду спинового эха дает только

однородное уширение линии ЯКР. Рисунок 7а де-

монстрирует рост интенсивности линии ЯКР²⁰⁹Bi

во внешних магнитных полях в спектре соединения

Bi₃O₄Br, в котором ранее было обнаружено особен-

но сильное локальное поле [10] (таблица), а также

влияние этих полей на ОСЭ линии того же пере-

хода (рис. 7б). Подобное влияние магнитных полей

на спектры ЯКР не наблюдалось в соединениях, не

обладающих аномалиями в магнитных свойствах.

Более того, при допировании монокристалла BGO

чрезвычайно малыми количествами (десятыми до-

лями мол. %) парамагнитных атомов Cr, Nd и Gd

характер спиновой динамики приобретал неожидан-

ные особенности: эффективное время спин-спиновой

релаксации резко (до 8 раз) росло, что предполага-

ло уменьшение флуктуаций в электронной системе

соединений под воздействием постоянных внешних

магнитных полей [9].

В таблице приведены спектры ЯКР²⁰⁹Bi вновь

исследованных и ранее изученных соединений, в ко-

торых локальные магнитные поля были обнаруже-

ны по расщеплению спектральных линий в нулевых

внешних магнитных полях. Эти локальные магнит-

ные поля по напряженности существенно больше

магнитных полей, создаваемых ядерными магнит-

Рис. 5. Схема строения BiSbO4

ными моментами (единицы Гс), следовательно, их

источником в данных соединениях является элект-

ронная система. Ранее нам удавалось обнаружить

I_echo, отн. ед.

и существенно более слабые (H_loc

< 10 Гс) ло-

2.2

кальные магнитные поля в экспериментах по реги-

2.0

страции ОСЭ [12]. С помощью этого подхода сла-

H = 300 Э

1.8

бые (в пределах неоднородного уширения) расщеп-

1.6

ления линий выявлялись как низкочастотные мо-

1.4

H = 7.5 Э

дуляции кривых ОСЭ. Результаты ЯКР получили

1.2

подтверждение в данных СКВИД-магнитометрии,

1.0

обнаруживших анизотропную парамагнитную вос-

0.8

приимчивость при низких температурах и магне-

H = 0

0.6

тоэлектрический эффект в монокристалле α-Bi₂O₃

0.4

[13], а также резкое увеличение намагниченности по-

0.2

сле охлаждения кристалла в магнитном поле (эф-

19.0

19.5

20.0

фект «field cooling») [14].

, МГц

С целью выявить существование локальных маг-

Рис. 6. Линия перехода ν1 (Δm = 1/2-3/2) в спектре ЯКР

нитных полей еще в одном кислородном соедине-

²⁰⁹Bi монокристалла Bi4Si3O12 в слабых внешних магнит-

нии висмута мы исследовали соединение BiPO₄. Бы-

ных полях

ла изучена его высокотемпературная модификация

с моноклинной решеткой (пространственная группа

P2₁/m) и параметрами ячейки, хорошо согласую-

деляется влиянием внешнего магнитного поля H на

щимися с литературными данными [15]. Согласно

скорость ядерной спин-спиновой релаксации (T₂)-1

этим данным, структуру образуют слои, состоящие

[9]. Последняя фактически определяется характе-

из цепочек тетраэдров PO₄ и атомов висмута вдоль

ром спада ОСЭ, поскольку в импульсном экспери-

направления [101]. Окружение атома Bi внутри слоя

335

Э. А. Кравченко, А. А. Гиппиус, А. В. Ткачев и др.

ЖЭТФ, том 155, вып. 2, 2019

Таблица. Спектры ЯКР²⁰⁹Bi кислородных соединений висмута при 77 K

Cоединение Δm = 1/2-3/2 Δm = 3/2-5/2 Δm = 5/2-7/2 Δm = 7/2-9/2 e²Qq, МГц η, % H_loc, Гс Ссылка

Настоящая

Bi4Si3O12

19.60

39.20

59.0

78.40

470.4

41-100

работа

24.88

46.28

69.99

93.39

560.7

8.6

Настоящая

BiSbO

∼ 40

24.79

46.12

69.73

93.06

558.7

8.6

работа

Настоящая

BiPO4

16.21

26.72

40.93

54.70

328.8

15.0

работа

α-Bi2O3 (A)

25.2

45.8

69.4

92.8

556.7

13.0

∼ 170

[10]

(B)

39.3

37.2

58.3

79.4

482.6

40.0

∼ 140

Bi3O4Br (A)

21.62

25.13

39.59

53.34

322.6

31.1

[10]

(B)

58.04

43.30

67.92

86.63

536.9

61.7

∼ 250

^∗Частоты ЯКР

²⁰⁹Bi измерены авторами работы [11].

I_echo, отн. ед.

H = 45 Э

H = 15 Э

Рис. 8. Схема строения высокотемпературной модифика-

H = 0

ции BiPO

57.6

57.8

58.0

58.2

, МГц

образовано шестью связями Bi-O, и еще две связи

I_echo, отн. ед.

Bi-O соединяют слои между собой (рис. 8). Спектр

приведен в таблице.

ЯКР²⁰⁹Bi соединения BiPO₄

Эксперименты в нулевых внешних магнитных по-

лях, однако, не выявили в его спектре особенностей,

которые могли бы указывать на существование в

нем локальных магнитных полей. Все линии были

сравнительно узкими и симметричными (рис. 9).

150 Э

15 Э

45 Э

4. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

H = 0

100

200

300

400

500

600

700

800

Полученные в настоящей работе данные ЯКР

, МГц

²⁰⁹Bi дают новые свидетельства в пользу существо-

вания локальных магнитных полей в соединениях,

Рис. 7. a) Рост интенсивности линии ν1(В) спектра ЯКР

в которых отсутствуют атомы d- или f-элементов

²⁰⁹Bi соединения Bi3O4Br (см. таблицу) в слабых внешних

и которые традиционно считаются диамагнитными.

магнитных полях H. б) ОСЭ для той же линии во внешних

магнитных полях H

Спектры ЯКР²⁰⁹Bi двух исследованных соединений

дополняют собой пока единичные примеры, в кото-

336

ЖЭТФ, том 155, вып. 2, 2019

Локальные магнитные поля...

I_echo, отн. ед.

является факт наличия у центрального элемен-

та неподеленной пары электронов [5] и, возможно,

принадлежность соединения к кристаллохимическо-

му классу фаз Ауривиллиуса, состоящих из слоев

[Bi₂O₂]2n+n, чередующихся с перовскитоподобными

слоями.

ЛИТЕРАТУРА

Yu. A. Buslaev, E. A. Kravchenko, and L. Kolditz,

Coord. Chem. Rev. 82, 1 (1987).

P. T. Das and E. L. Hahn, Nuclear Quadrupole-Re-

sonance Spectroscopy, Acad. Press, NewYork-London

(1958).

, МГц

E. A. Kravchenko, Yu. F. Kargin, V. G. Orlov et al.,

J. Magn. Magn. Mater. 224, 249 (2001).

Рис. 9. Линии переходов в спектрах ЯКР²⁰⁹Bi (см. табли-

цу) соединений BiPO4 (слева) и BiSbO4 (справа)

B. Aurivillius, Arkiv Kemi 1, 463 (1949).

Э. А. Кравченко, В. Г. Орлов, М. П. Шлыков,

Успехи химии 75(1), 86 (2006).

рых локальные магнитные поля проявляются в виде

отчетливо регистрируемых магнитных расщеплений

Y. Sheng, K. Qui, W. Zhang et al., Ceramics Int.

43(12), 9158 (2017).

линий ЯКР. В большинстве других соединений су-

ществование локальных магнитных полей выявля-

R. Enjalbert, S. Sorokina, A. Castro et al., Acta

лось при анализе расщеплений спектров монокри-

Chem. Scand. 49, 813 (1995).

сталлов в слабых (не более 10 Э) внешних магнит-

ных полях (зеемановский эксперимент) либо в ви-

E. Shempp and P. J. Bray, Phys. Chem. 4, 522 (1970).

де модуляции ОСЭ в нулевом магнитном поле [5].

E. A. Kravchenko, V. G. Morgunov, V. G. Orlov et

Накопление экспериментального материала в обла-

al., Письма в ЖЭТФ 86, 337 (2008).

сти исследования особенностей кристаллохимии, а

также электронной и магнитной подсистем «немаг-

10.

E. A. Kravchenko and V. G. Orlov, Z. Naturforsch.

A: Phys. Sci. 49, 418 (1994).

нитных» соединений важно для расширения наших

знаний о природе магнетизма.

11.

K. V. Gopalakrishnan, L. G. Gupta, and R. Vijaya-

Как и в интенсивно исследуемых оксидах пере-

ragharan, Pramana 6, 343 (1976).

ходных и редкоземельных элементов, электронные

12.

E. A. Kravchenko, V. G. Morgunov, Yu. F. Kargin et

и магнитные свойства оксидных висмутовых соеди-

al., Appl. Magn. Res. 27, 65 (2004).

нений являются результатом взаимного влияния

большого числа факторов: особенностей кристалли-

13.

A. I. Kharkovskii, V. I. Nizhankovskii, E. A. Krav-

ческой структуры, обменных и суперобменных вза-

chenko et al., Z. Naturforsch. A: Phys. Sci. 51, 665

имодействий, орбитальных степеней свободы [5]. На

(1996).

настоящем этапе исследований выделить основопо-

14.

V. I. Nizhankovskii, A. I. Kharkovskii, and V. G. Or-

лагающий фактор, необходимый для возникновения

lov, Ferroelectrics 279, 175 (2002).

локальных магнитных полей в диамагнитных кис-

лородных соединениях висмута, не представляется

15.

B. Romero, S. Bruque, M. A. G. Aranda et al., Inorg.

возможным. Бесспорно необходимым, по-видимому,

Chem. 33, 1869 (1994).

337

ЖЭТФ, вып. 2