ЖЭТФ, 2019, том 155, вып. 4, стр. 730-736

ОСОБЕННОСТИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО

ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ ДВУСЛОЙНЫХ ПЛЕНОК FeNi/FeMn

Л. С. Успенская^*, О. А. Тихомиров

Институт физики твердого тела Российской академии наук

142432, Черноголовка, Московская обл., Россия

Поступила в редакцию 31 августа 2018 г.,

после переработки 18 октября 2018 г.

Принята к публикации 23 ноября 2018 г.

Экспериментально обнаружено изменение кинетики перемагничивания двуслойной пленки ферромаг-

нетик-антиферромагнетик при понижении температуры. Типичным для высокотемпературного режима

является продвижение единой зигзагообразной доменной границы, в то время как при низких температу-

рах система перемагничивается путем неоднородного вращения. Установлено, что явление наблюдается

только в связанной системе слоев с обменной анизотропией; при удалении антиферромагнитного слоя

оно отсутствует. Изменение характера перемагничивания при низких температурах связывается с воз-

никновением специфического пиннинга доменных границ, обусловленного наличем участков интерфейса

с варьирующейся киральностью межслойной обменной пружины и перпендикулярной магнитной анизо-

тропией на ступеньках интерфейса.

DOI: 10.1134/S0044451019040163

раметров — магнитного либо электрического поля и

тока, а также температуры.

Богатство явлений, вызванных особыми свой-

Экспериментальное изучение кинетики домен-

ствами границ раздела между магнитными среда-

ной структуры в слоистых магнитных средах было

ми, привело к возникновению ряда новых фунда-

в значительной степени стимулировано недостаточ-

ментальных понятий (обменная анизотропия, сдвиг

ностью теоретических моделей, основанных на кон-

петли гистерезиса, обменная пружина, гигантское

цепции макроспина, для объяснения измеряемых на

магнитосопротивление), а также к созданию мно-

практике значений H_c и H_b [1]. Экспериментально

гочисленных приборов на их основе. К настоящему

наблюдались различные моды перемагничивания:

времени очевидно, что функционирование подобных

неоднородное вращение намагниченности, гигант-

устройств ключевым образом зависит от микроме-

ские скачки Баркгаузена (мгновенное продвижение

ханизмов перемагничивания как системы в целом,

единственной доменной границы), развитие пере-

так и ее составных частей. Формирование и эволю-

ходной доменной структуры с постепенным продви-

ция доменных границ, локализованных вблизи гра-

жением доменных границ в режиме крипа либо вяз-

ниц раздела, а также в отдельных слоях, в значи-

кого движения [2-7] в зависимости от конкретных

тельной степени определяется качеством интерфей-

сочетаний магнитных слоев, их геометрических раз-

са — наличием и плотностью ступенек и других де-

меров и качества поверхностей. При этом макроско-

фектов, шероховатостью, условиями синтеза и обра-

пически измеряемые величины H_c и H_b сильно за-

ботки, отжигом и т. д. В результате появляется воз-

висели от температуры. Однако до сих пор прямые

можность контролировать основные макроскопиче-

исследования кинетики доменной структуры при

ские характеристики (коэрцитивную силу H_c и об-

низких температурах носили лишь эпизодический

менный сдвиг петли гистерезиса H_b) в широких пре-

характер. Нам известны лишь единичные сообще-

делах. Дальнейшая подстройка готовых устройств

ния о смене режима перемагничивания в периодиче-

in situ достигается варьированием управляющих па-

ской системе магнитных слоев, разделенных немаг-

нитной прослойкой [8, 9]. Что касается двуслойных

обменно-связанных материалов со сдвигом петли ги-

^* E-mail: uspenska@issp.ac.ru

стерезиса, здесь низкотемпературные исследования

730

ЖЭТФ, том 155, вып. 4, 2019

Особенности низкотемпературного перемагничивания.. .

сводились главным образом к измерениям парамет-

ров петли гистерезиса [4, 10, 11]. Отдельные прямые

наблюдения, выполненные на структурах Co/CoO,

т. е. в структурах с компенсированными на интер-

фейсе ферромагнетик-антиферромагнетик спинами

и перпендикулярной намагниченностью, свидетель-

-10

ствуют о том, что сценарий перемагничивания при

H, Э

низких и высоких температурах сохраняется [12,13].

В настоящей работе мы сообщаем о прямом наб-

людении смены режима перемагничивания в дву-

слойных образцах ферромагнетик/антиферромаг-

нетик с не скомпенсированными на интерфейсе спи-

нами и плоскостной намагниченностью, FeNi/FeMn,

Рис.

1. Процесс перемагничивания бислойной пленки

при низких температурах.

FeNi/FeMn при комнатной температуре. На графике —

Использованные образцы были изготовлены ме-

петля гистерезиса; стрелки показывают, к какому участку

тодом последовательного магнетронного распыле-

петли гистерезиса относятся изображения

ния слоев на кремниевую подложку в присутствии

параллельного поверхности магнитного поля вели-

чиной 10 кЭ. Первым наносился слой пермаллоя

менные границы выявлялись благодаря связанным

Fe₂₀Ni₈₀ толщиной 40 нм, за ним слой антиферро-

с ними магнитными полями рассеяния. При неболь-

магнитного FeMn толщиной 7 нм. Такой порядок

шом (в несколько градусов) угле разворота между

слоев был выбран по двум причинам. Во-первых,

поляризатором и анализатором границы могут вы-

при напылении на насыщенный ферромагнетик спи-

глядеть либо как одиночные светлые (темные) по-

новая структура антиферромагнетика упорядочива-

лосы на сером фоне доменов с плоскостной намаг-

ется наилучшим образом. Во-вторых, в ряде пер-

ниченностью (границы блоховского типа и заряжен-

спективных низкотемпературных приложений [14]

ные зигзагообразные границы со встречной намаг-

используется дополнительный верхний слой сверх-

ниченностью), либо как спаренные светлая и темная

проводника (в данной работе не наносившийся); при

полосы (границы неелевского типа) [16]. Направле-

этом пространственное разделение ферромагнитно-

ние намагниченности в доменах определялось на ос-

го и сверхпроводящего слоев антиферромагнетиком

нове анализа полей рассеяния на краях образцов

должно ослаблять эффект подавления сверхпрово-

или на отдельном отверстии диаметром 20 мкм, спе-

димости. Выбранная толщина антиферромагнитно-

циально сделанном в центре образца [16, 17].

го слоя (7 нм) обеспечивает оптимальное значение

График рис. 1 представляет типичную петлю ги-

обменного сдвига H_b [15] и в то же время доста-

стерезиса, измеренную при комнатной температу-

точно мала для эффективного управления свойства-

ре. Она имеет характерную прямоугольную форму

ми сверхпроводящего слоя ферромагнетиком. Вели-

и различные величины коэрцитивного поля на вос-

чина ступенек на поверхности образца по данным

ходящей и нисходящей ветвях, Hc1 = 4.7 Э и Hc2 =

атомно-силовой микроскопии была меньше 1 нм

= 3.0 Э, соответствующие средней коэрцитивной си-

(за пределом разрешения стандартного атомно-си-

ле H_c = 3.85 Э (полуширина петли) и обменному

лового микроскопа). Процедура изготовления об-

сдвигу H_b = 0.85 Э. Вблизи коэрцитивного поля на-

разцов обеспечивала монодоменное состояние фер-

магниченность изменяется скачком; при фиксиро-

ромагнитного слоя в нулевом магнитном поле и ори-

ванной величине поля почти вся намагниченность

ентацию намагниченности в плоскости образца при

переключается необратимым образом.

комнатной температуре.

Кинетику доменной структуры при комнатной

Визуализация процесса перемагничивания и наб-

температуре иллюстрируют снимки на рис. 1. Верх-

людение магнитной доменной структуры в диапа-

ний и нижний ряды изображений соответствуют пе-

зоне температур от 7 до 300 К проводились в по-

ремагничиванию вдоль и против направления поля

ляризационно-оптическом микроскопе с помощью

однонаправленной анизотропии. При достижении

магнитооптического метода индикаторных пленок

определенной величины магнитного поля на крае

[16, 17], в качестве которых применялись плен-

образца появляются мелкие клинообразные доме-

ки иттрий-железистого граната с углом вращения

ны обратной намагниченности, которые затем быст-

плоскости поляризации света около 0.02 град/Э. До-

ро увеличиваются в размерах, достигая противопо-

731

Л. С. Успенская, О. А. Тихомиров

ЖЭТФ, том 155, вып. 4, 2019

-1

tn-1

, c

0.1

0.01

-80 -40 0

40 80

–6

-4

H, Э

V, мм/с

H, Э

0.1

0.01

-6

-4

Рис. 3. Процесс перемагничивания той же пленки, что и на

H, Э

рис. 1, но при температуре 235 К. Контрастность изобра-

Рис. 2. Изменения времени зарождения доменных границ

жения а увеличена в несколько раз по сравнению с изобра-

(а) и скорости их движения (б) в зависимости от вели-

жениями б, в, г, чтобы сделать более заметными появив-

чины приложенного импульсного магнитного поля и его

шиеся возмущения намагниченности

направления относительно оси обменно-наведенной одно-

направленной анизотропии

Зависимость скорости границ от поля носит ак-

тивационный характер, т. е. описывается формулой

V ∼ V0 exp[-(U_m - 4πHM_sγ_j)/kT],

ложного края и аннигилируя с соседними домена-

ми. Картина изменения доменной структуры каче-

где U_m

— энергетический барьер, который пре-

ственно совпадает для обеих ветвей гистерезиса, хо-

одолевает движущаяся доменная граница, γ_j соот-

тя зарождение и продвижение границ происходят

ветствует активационному объему, k — постоянная

при разных значениях поля. Иногда при инверсии

Больцмана, M_s — спонтанная намагниченность, T —

поля зарождение происходит на противоположных

температура образца. Подгонка экспериментальных

краях образца, но чаще новые домены возникают на

данных дает γ₁ = 1.25 · 10⁴ нм³ и γ₂ = 4.81 · 10⁴ нм³,

одной и той же стороне, хотя и в различных точках

т. е. активационные объемы для смещения доменных

(рис. 1а и 1в). Описанная картина квазистатическо-

границ в направлении поля однонаправленной ани-

го перемагничивания при комнатной температуре в

зотропии и против него различаются почти в 4 раза.

целом аналогична наблюдавшейся ранее в образцах

При понижении температуры всего лишь на 60 К

такого же состава [2, 6, 18].

картина перемагничивания усложняется (рис. 3).

В случае приложения импульсного магнитного

Перемагничивание все еще происходит за счет за-

поля вместо статического перемагничивание проис-

рождения на краях пленки и смещения доменных

ходит таким же образом, однако значения полей,

границ. Но перемагничивание против однонаправ-

соответствующие зарождению и продвижению гра-

ленной анизотропии приводит к заметному возму-

ниц, время формирования новых доменов и ско-

щению плоскостной намагниченности ферромагнит-

рость переключения зависят от амплитуды. При

ного слоя (рис. 3а — светлая рябь в правом ниж-

этом скорость движения доменных границ оказы-

нем углу изображения образца на сером фоне плос-

вается совершенно разной в зависимости от знака

костной намагниченности соответствует тонким об-

приложенного поля по отношению к направлению

ластям с перпендикулярно-ориентированной намаг-

однонаправленной анизотропии. Время зарождения

ниченностью). Перемагничивание по направлению

доменов оказывается на порядки меньше, а скорость

к однонаправленной анизотропии «укладывает» на-

их прорастания, т. е. скорость перемагничивания, —

магниченность в плоскость пленки (рябь «стирает-

на порядки больше при перемагничивании вдоль на-

ся» проходящей доменной границей, рис. 3б). Возму-

правления поля обменной анизотропии по сравне-

щение намагниченности пока еще на порядок мень-

нию с обратным перемагничиванием, несмотря на

ше, чем величина спонтанной намагниченности.

малое различие в коэрцитивности для соответству-

При дальнейшем понижении температуры воз-

ющих процессов (рис. 2).

мущение плоскостной намагниченности при пере-

732

ЖЭТФ, том 155, вып. 4, 2019

Особенности низкотемпературного перемагничивания.. .

H_c, Э

1000

-200

H, Э

0.1

100

200

300

Рис. 4. Процесс перемагничивания при температуре 35 К

T, K

Рис. 5. Изменение коэрцитивности с температурой: 1 — од-

нослойная пленка пермаллоя; 2 — пермаллой, выращенный

магничивании против направления обменно-наве-

на шероховатой поверхности пленки ниобия; 3 и 4 — перм-

денной анизотропии возрастает. При температуре

аллой, покрытый пленкой FeMn толщиной 7 нм (при пе-

35 К оно становится сравнимым с величиной спон-

ремагничивании соответственно в направлении легкой оси

и против легкой оси)

танной намагниченности. При этом характер пере-

магничивания бислойной пленки становится совер-

шенно иным, чем при комнатной температуре. Вмес-

то коррелированно движущихся больших доменов

300 К) на порядки превосходила скорость границ в

клинообразной формы наблюдаются мелкие (разме-

бислойной пленке; изменение кинетики процесса с

ром 1-5 мкм при наблюдении в оптическом микро-

температурой не наблюдалось.

скопе) не скоррелированные между собой домены

Итого, напыление на качественную пленку пер-

островкового типа (рис. 4). Общая доменная грани-

маллоя тонкого слоя антиферромагнетика не толь-

ца (фронт перемагничивания) отсутствует, грани-

ко стабилизирует заданное направление намагни-

цы мелких доменов неподвижны, магнитооптичес-

ченности, не только количественно изменяет харак-

кий контраст изображения возникает и увеличива-

теристики пермаллоя, добавляя смещение, расши-

ется постепенно по мере перемагничивания с после-

ряя петлю гистерезиса, ухудшая динамические ха-

дующим ослабеванием и исчезновением на противо-

рактеристики материала, но и качественно изменя-

положной стороне петли гистерезиса, что иллюстри-

ет низкотемпературную картину перемагничивания

руют рис. 4б-4д. В целом картина соответствует сце-

пермаллоя.

нарию неоднородного вращения намагниченности с

Термоактивированный процесс перемагничи-

локальным разворотом магнитного момента. Пет-

вания, наблюдающийся в бислойных пленках

ля гистерезиса при низких температурах переста-

FeNi/FeMn при комнатной температуре, характерен

ет быть прямоугольной и становится скругленной

для материалов с высокой концентрацией центров

(см. график на рис. 4). Понижение температуры до

пиннинга

[8, 19]. Продвижение острия зародив-

10 К приводит к такому измельчению доменов, что в

шегося на краю образца клиновидного домена

оптике процесс перемагничивания удается фиксиро-

определяется концентрацией вблизи него сильного

вать лишь по изменению яркости изображения кра-

магнитостатического поля B_ms, определяемого

ев образца.

встречным направлением намагниченности в клине

В качестве контрольного эксперимента были

и домене перед ним (B_ms ∼ 4πM_s ∼ 10 кГс). Если

проведены наблюдения на аналогично изготовлен-

это поле превосходит локальные центры пиннинга,

ных однослойных пленках пермаллоя. Во всем ис-

то острие движется надбарьерно и его скорость

следованном диапазоне температур (от 7 до 300 К)

продвижения может быть очень высока, как это

перемагничивание в таких образцах осуществлялось

и наблюдается в монослойной пленке пермаллоя.

путем формирования на краю пленки и быстрого

Давление на стороны клина определяется углом θ

прорастания клиновидных доменов, коэрцитивность

между направлением намагниченности в домене

однослойных пленок была на порядки ниже (рис. 5),

и стороной клина. Пропорциональное B_ms sinθ

а скорость доменных границ (около 400 м/с при

давление значительно слабее, поэтому сторона

733

Л. С. Успенская, О. А. Тихомиров

ЖЭТФ, том 155, вып. 4, 2019

AFM

сутствии магнитного поля, и антиферромагнитный

слой FeMn напылялся на ферромагнитный пермал-

лой. При таком изготовлении магнитные моменты

антиферромагнетика подстраиваются под намагни-

ченность ферромагнитного слоя (рис. 6а), что и яв-

ляется причиной появления однонаправленной ани-

зотропии и смещения петли гистерезиса. Но ферро-

магнитная пленка не является атомно-гладкой. Ис-

следования с помощью атомно-силового микроско-

па показали, что шероховатость поверхности плен-

ки ферромагнетика не превышает 1 нм, что не ис-

ключает наличия ступенек в один-два параметра

решетки FeNi. При наличии ступенек формирую-

щийся слой антиферромагнетика должен быть мно-

годоменным (рис. 6а). Как показано в работе [20],

в насыщающем ферромагнитный слой поле, ориен-

тированном против оси легкого намагничивания, на

интерфейсе формируется доменная граница, лока-

Рис. 6. Схема распределения магнитных моментов в дву-

слойной пленке: AFM — антиферромагнитный слой; FM —

лизованная в случае структуры FeNi/FeMn, в ан-

ферромагнитный слой. Стрелки показывают направления

тиферромагнетике (рис. 6г). При перемагничивании

моментов. Толстые линии — доменные границы в слоях и

движущаяся в ферромагнитном слое доменная гра-

на интерфейсе

ница, во-первых, затрачивает энергию на формиро-

вание этой границы. Формирование обменной пру-

жины на интерфейсе при намагничивании против

клина движется, термоактивировано преодолевая

легкой оси и ее раскручивание при перемагничи-

барьеры. Происходит ли отрыв острия клина от

вании и определяют разницу активационных объе-

основного домена, зависит от соотношения энергии

мов, определенных на основе графиков зависимости

доменной границы и высоты барьера. Оптимизация

V (H), приведенных выше на рис. 2. Во-вторых, на

суммы энергии границы (пропорциональной ее

ступеньках формируется 90-градусная граница, ко-

поверхности) и энергии полей рассеяния (умень-

торую граница ферромагнетика чувствует за счет

шающейся с ростом этой поверхности) определяет

обменного взаимодействия и взаимодействия с по-

целостность границ клиновидного домена. В нашем

лями рассеяния от этой границы. Таким образом,

случае при комнатной температуре разрыва гра-

вдоль интерфейса формируется неоднородная об-

ницы не происходит: клин расширяется как целое.

менная пружина, определяющая потенциальный ре-

При понижении температуры от 300 до 235 К мате-

льеф и энергетические барьеры для доменной гра-

риальные констаты пермаллоя, обменная энергия,

ницы (рис. 6б).

анизотропия, магнитострикция и намагниченность

Искажение конфигурации магнитных моментов

изменяются слабо (как и в диапазоне температур

в ферромагнетике, вплоть до образования доменов

7-300 К, так как эта область находится доста-

или вихрей, из-за наличия ступенек на интерфей-

точно далеко от температуры Кюри), но первые

се рассмотрено во многих работах [1, 21-27]. Но, к

признаки изменения процесса перемагничивания

сожалению, температура при расчете процесса пе-

уже видны: появление локальных, перпендику-

ремагничивания в них не учитывалась, и получен-

лярных плоскости модуляций намагниченности в

ные расчетные данные не соответствуют экспери-

«невыгодном» домене, намагниченном против оси

ментальным. Тем не менее из этих работ можно сде-

легкого намагничивания направлении (см. рис. 3).

лать вывод о том, что наличие ступенек на интер-

И никаких изменений в процессе перемагничивания

фейсе формирует энергетические барьеры для до-

в монопленке пермаллоя при этой температуре

менной границы.

нет. Поэтому изменения, появляющиеся в бислой-

При достаточно высоких температурах термоак-

ной пленке, естественно связать со свойствами

тивационные процессы помогают преодолевать ба-

интерфейса ферромагнетик-антиферромагнетик.

рьеры. Понижение температуры приводит к тому,

Как уже говорилось выше, пленки изготавли-

что на этом рельефе остаются медленно релакси-

вались методом магнетронного распыления в при-

рующие возмущения намагниченности, видные на

734

ЖЭТФ, том 155, вып. 4, 2019

Особенности низкотемпературного перемагничивания.. .

рис. 3а,б,в в доменах, намагниченных против оси

ничиванием. Тем не менее выравнивающее действие

легкого намагничивания. По-видимому, при этой

термофлуктуаций обеспечивает корреляцию движе-

температуре проявляются только наиболее крупные

ния границ и в этом случае. При понижении тем-

ступеньки, где и обменное поле, и магнитостатичес-

пературы корреляция между различными областя-

кое дают существенный вклад во взаимодействие.

ми начинает ухудшаться, отдельные участки домен-

Дальнейшее понижение температуры приводит к то-

ной границы тормозятся относительно других, воз-

му, что термоактивация оказывается уже недоста-

никает «рябь» намагниченности. Дальнейшее раз-

точной для преодоления барьеров, связанных с од-

витие этих процессов приводит к полному распаду

нослойными ступеньками на интерфейсе. Эффек-

намагниченности ферромагнитного слоя на отдель-

тивная плотность центров пиннинга увеличивает-

ные мелкие домены при низких температурах. Нам

ся. Поэтому оказывается выгодным не ее продвиже-

представляется, что такая картина дает удовлетво-

ние, а формирование новых доменов перед медлен-

рительное качественное объяснение наблюдающих-

но продвигающейся границей (рис. 6в). Такого же

ся процессов.

типа переход от перемагничивания за счет смеще-

В заключение следует отметить, что по мере

ния границ к «закипанию намагниченности» перед

понижения температуры процесс перемагничива-

движущейся границей при понижении температуры

ния бислойной структуры FeNi/FeMn определяется

наблюдался в работе [28].

неоднородностями все более мелкого масштаба,

Шероховатость поверхности магнетронно-напы-

что может создать препятствия для использования

ленных пленок влияет на процесс перемагничива-

подобных пленок в микроструктурах при низких

ния и подвижность границ в ферромагнетике и из-за

температурах, например, сверхпроводник/антифер-

возникновения добавочной перпендикулярной ани-

ромагнетик/ферромагнетик.

зотропии за счет ступенек на интерфейсе, т. е. ани-

зотропии, связанной с возникновением магнитоста-

Благодарности. Авторы выражают благодар-

тических зарядов от горизонтальной намагничен-

ность С. И. Божко за помощь в исследовании по-

ности, увеличивающей ее энергию по сравнению с

верхности образцов методом атомно-силовой микро-

вертикальной компонентой [16, 29]. В этом случае

скопии и А. И. Морозову за обсуждение результатов

ступеньки могут порождать локальное вертикаль-

исследования.

ное размагничивающее поле, способное возмущать

Финансирование работы. Работа выполнена

движение основной стенки в ферромагнитном слое.

в Институте физики твердого тела Российской ака-

Однако этот механизм должен действовать сходным

демии наук при частичной поддержке програм-

образом и в обычных пленках с шероховатой поверх-

мой Президиума Российской академии наук «Ак-

ностью. Например, в пленках пермаллоя, напылен-

туальные проблемы физики низких температур» и

ных на шероховатый слой ниобия, шероховатость

Российского фонда фундаментальных исследований

влияет на тип доменных границ и увеличивает ко-

(грант № 17-02-01270).

эрцитивность (см. рис. 5, кривые 1 и 2), но не при-

водит к смене кинетики перемагничивания с темпе-

ратурой.

ЛИТЕРАТУРА

Таким образом, способность доменной границы

преодолевать обусловленные ступеньками на интер-

1. A. P. Malozemoff, Phys. Rev. B 35, 3679 (1987).

фейсе энергетические барьеры с помощью термиче-

ских флуктуаций определяет, какой сценарий пе-

2. V. I. Nikitenko, V. S. Gornakov, A. J. Shapiro,

ремагничивания будет реализовываться в бислой-

R. D. Shull, K. Liu, S. M. Zhou, and C. L. Chien,

ной системе ферромагнетик-антиферромагнетик с

Phys. Rev. Lett. 84, 765 (2000).

нескомпенсированной границей. В случае высокой

3. X. Portier, A. K. Petford-Long, A. de Morais,

температуры тепловые флуктуации обеспечивают

N. W. Owen, H. Laidler, and K. O’Grady, J. Appl.

эффективную корреляцию соседних участков, по-

Phys. 87, 6412 (2000).

этому доменная стенка продвигается как единое це-

лое, несмотря на различную силу пиннинга в разных

4. M. D. Stiles and R. D. McMichael, Phys. Rev. B 63,

местах образца. При обратном перемагничивании

064405 (2001).

тормозящие и ускоряющие участки меняются места-

ми, поэтому зарождение новых доменов происходит

5. S.-B. Choe and S.-C. Shin, Appl. Phys. Lett. 80, 1791

в новых местах по сравнению с прямым перемаг-

(2002).

735

Л. С. Успенская, О. А. Тихомиров

ЖЭТФ, том 155, вып. 4, 2019

C. L. Chien, V. S. Gornakov, V. I. Nikitenko,

16.

L. S. Uspenskaya, O. A. Tikhomirov, S. I. Bozhko,

A. J. Shapiro, and R. D. Shull, Phys. Rev. B 68,

S. V. Egorov, and A. A. Chugunov, J. Appl. Phys.

014418 (2003).

113, 163907 (2013).

Л. С. Успенская, Изв. РАН, сер. физ. 74, 744

17.

V. S. Gornakov, Yu. P. Kabanov, O. A. Tikhomirov,

(2010).

V. I. Nikitenko, S. V. Urazhdin, F. Y. Yang,

C. L. Chien, A. J. Shapiro, and R. D. Shull, Phys.

X. P. Xie, X. W. Zhao, J. W. Knepper, F. Y. Yang,

Rev. B 73, 184428 (2006).

and R. Sooryakumar, Phys. Rev. B 76,

184433

(2007).

18.

Л. С. Успенская, ФТТ 52, 2131 (2010).

19.

H. Kronmuller, J. Magn. Magn. Mater. 24,

159

C. K. Lim, J. N. Chapman, M. Rahman, A. B. John-

(1981).

son, and D. O. O’Donnell, J. Appl. Phys. 95, 1510

(2004).

20.

D. Maury, H. C. Siegmann, P. S. Bagus, and E. Kay,

J. Appl. Phys. 62, 3047 (1987).

10.

M. D. Stiles and R. D. McMichael, Phys. Rev. B 59,

3722 (1999).

21.

N. C. Koon, Phys. Rev. Lett. 78, 4865 (1997).

11.

M. Gloanec, S. Rioual, B. Lescop, R. Zuberek,

22.

T. C. Schulthess and W. H. Butler, Phys. Rev. Lett.

R. Szymczak, P. Aleshkevych, and B. Rouvellou,

81, 4516 (1998).

Phys. Rev. B 82, 144433 (2010).

23.

M. D. Stiles and R. D. McMichael, Phys. Rev. B 59,

3723 (1999).

12.

Z. Hussain and V. Raghavendra Reddy, J. Appl.

Phys. 122, 103903 (2017).

24.

А. И. Морозов, А. С. Сигов, ФТТ 44, 128 (2002).

13.

W.-T. Lee, S. G. E. te Velthuis, G. P. Felcher, F. Klo-

25.

А. И. Морозов, А. С. Сигов, ФТТ 46, 385 (2004).

se, T. Gredig, and E. D. Dahlberg, Phys. Rev. B 65,

224417 (2002).

26.

А. Ковалев, М. Панкратова, ФНТ 37, 1085 (2011).

27.

A. Kovalev and M. Pankratova, Superlatt. and Mic-

14.

Р. Р. Гайфуллин, Р. Г. Деминов, Л. Р. Тагиров,

rostruct. 73, 275 (2014).

М. Ю. Куприянов, А. А. Голубов, ФТТ 59, 2095

(2017).

28.

L. S. Uspenskaya, O. A. Tikhomirov, and T. Nurga-

liev, J. Appl. Phys. 109, 113901 (2011).

15.

H. Sang, Y. W. Du, and C. L. Chien, J. Appl. Phys.

85, 4931 (1999).

29.

P. Bruno, J. Appl. Phys. 64, 3153 (1988).

736