ЖЭТФ, 2021, том 159, вып. 1, стр. 35-55
© 2021
ЭЛЕМЕНТАРНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ НА ГРАНИЦЕ
ПЛОСКОСЛОИСТОЙ СТРУКТУРЫ
А. Б. Петрин*
Объединенный институт высоких температур Российской академии наук
125412, Москва, Россия
Поступила в редакцию 13 июля 2020 г.,
после переработки 30 июля 2020 г.
Принята к публикации 2 августа 2020 г.
Рассмотрена строгая теория излучения элементарного диполя, расположенного на границе или внутри
плоскослоистой структуры. Для частного случая излучения диполя, расположенного на свободной грани-
це одной пленки, продемонстрирован метод аналитического упрощения решения. Предложенный метод
позволил привести выражения для излучаемых полей к одномерным интегралам, что существенно упро-
стило анализ задачи и ускорило численные расчеты. В качестве конкретного технического приложения
теории были получены диаграммы направленности точечных излучателей (молекул, наноструктур), рас-
положенных на свободной поверхности металлической пленки в схеме Кречмана и имеющих индуциро-
ванный дипольный момент, направленный перпендикулярно поверхности пленки. Обсуждается влияние
поверхностной волны на направленные свойства поверхностных излучателей.
DOI: 10.31857/S004445102101003X
1. ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время сохраняется значительный
интерес к физическим явлениям, которые сопро-
вождают возбуждение поверхностной плазмонной
волны на поверхности металлической пленки по схе-
ме Кречмана [1] (см. рис. 1). Поверхностная плаз-
монная волна распространяется вдоль поверхнос-
ти металла и локализуется вблизи его поверхности
Рис. 1. Возбуждение поверхностной плазмонной волны
1
[2,3], поэтому даже ничтожные изменение показате-
на поверхности металлической пленки 2 по схеме Кречма-
ля преломления в приповерхностной области сильно
на. Падающая поляризованная волна 3 со стороны призмы
влияют на характер ее распространения. На этом
4 порождает на свободной границе поверхностную плаз-
основывается широкое использование схемы Креч-
монную 1 и отраженную 5 волны
мана для создания различного рода высокочувстви-
тельных датчиков, реагирующих на изменение по-
казателя преломления тонкого (олиго- или мономо-
щая на свободную поверхность наночастицы или от-
лекулярного) поверхностного слоя [4].
дельные молекулы, наблюдать именно их излуче-
Исследования показали [5], что амплитуда по-
ние, направленное в сторону свободного полупрост-
верхностной волны на свободной границе пленки в
ранства. Это излучение порождается наведенны-
схеме Кречмана более чем на порядок выше амп-
ми электрическими дипольными моментами наноча-
литуды падающей волны. Поскольку в свободном
стиц, которые индуцируются поверхностной волной.
пространстве над пленкой не возбуждаются распро-
Важно, что только точечные объекты будут излу-
страняющиеся волны, это дает возможность, поме-
чать распространяющиеся волны в свободное про-
странство и исключительно это излучение можно
* E-mail: a_petrin@mail.ru
будет наблюдать с помощью микроскопа, при этом
35
3*
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
можно полностью быть уверенным, что наблюдае-
мый в микроскоп свет исходит именно из точечных
источников на поверхности. В связи с этим возника-
ет фундаментальный вопрос о том, как влияет ме-
таллическая пленка (или в общем случае многопле-
ночная структура) в схеме Кречмана на простран-
ственное излучение в свободное пространство над
пленкой от точечного излучателя, расположенного
на поверхности.
Теоретические методы нахождения излучения от
элементарного точечного электрического диполя,
расположенного на плоской границе двух сред, бы-
ли развиты на заре эры использования электромаг-
нитных волн для передачи сигналов вдоль земной
поверхности [6]. В дальнейшем эти методы получи-
Рис. 2. Геометрия плоскослоистой структуры, состоящей
ли развитие в связи с возникающими новыми зада-
из трех пленок
чами радиосвязи [7, 8]. Развитие антенной техники
привело к развитию теории излучения элементарно-
го диполя, расположенного на границе плоскослои-
2. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ. ИЗЛУЧЕНИЕ
стой среды, и теории излучения микрополосковых
ЭЛЕМЕНТАРНОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ,
антенн [9-11], которые являются наилучшими кон-
РАСПОЛОЖЕННОГО ВНУТРИ
струкциями с точки зрения их совместимости с мик-
ПЛОСКОСЛОИСТОЙ СТРУКТУРЫ
рополосковыми интегральными схемами. Такие ан-
тенны играют особую роль в современной технике,
Рассмотрим задачу излучения электромагнит-
так как они могут быть изготовлены из фольгиро-
ной волны точечным источником тока единичной
ванных материалов высокопроизводительными ме-
амплитуды, изменяющимся во времени гармониче-
тодами печати и травления.
ски с циклической частотой ω. Пусть этот источник
расположен в плоской слоистой структуре, состоя-
щей из нескольких пленок и из окружающих слоис-
Существующие теоретические методы расчета
тую структуру двух полупространств. Для опреде-
излучения антенн, расположенных на границе сло-
ленности сначала будем считать, что источник рас-
истых структур, сложны и описываются, например,
положен в одной из пленок, а затем обобщим эту
в терминах диадных функций Грина [12]. Кроме то-
задачу на случай, когда источник расположен на их
го, сама теория распространения волн в слоистых
границе.
структурах содержит много тонких моментов, та-
Пусть общее число пленок равно Nf , толщина
ких как необходимость правильного выбора ветвей
m-й пленки равна dm и полная толщина слоистой
аналитических функций при записи волн в слоях,
структуры dtot =
dm. Общее число границ меж-
которые могут приводить к чудесам вроде суперраз-
m=1
решения [13]. Поэтому в данной работе предложен
ду пленками обозначим как N = Nf +1. Пронумеру-
вариант строгой электромагнитной теории излуче-
ем области пространства j = 1, . . ., N + 1 (на рис. 2
ния элементарного диполя, расположенного на гра-
показана для примера задача с N = 4 и Nf = 3).
нице или внутри плоскослоистой структуры. Для
Предположим, что пленки имеют абсолютные ком-
случая излучения диполя, расположенного на сво-
плексные диэлектрические и магнитные проницае-
бодной границе одной пленки, ниже продемонстри-
мости равные εj и μj на рассматриваемой частоте
рован метод аналитического упрощения решения,
ω, а перед и за слоистой структурой находятся од-
имеющий, как кажется, потенциально общетеоре-
нородные полупространства с проницаемостями ε1,
тическое значение. Этот метод позволил привести
μ1 и εN+1, μN+1 (свободное пространство). Обозна-
формулы для излучаемых полей к одномерным ин-
чим также через zj координаты N границ пленок по
тегралам, что существенно упростило анализ задачи
оси z следующим образом: z1 = 0, zj =
dm при
и ускорило численные расчеты.
m=1
36
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
пленке равны соответственно εj и μj . Тогда, учи-
тывая, что в этой области справедливо уравнение
div Dj = 0, из уравнений (1) и (2) получаем уравне-
ния для электромагнитных полей в виде
rotrotEj - ω2εjμjEj = 0,
(3)
rotrotBj - ω2εjμjBj = 0.
(4)
В рассматриваемой области div Ej = 0 и div Bj =
= 0. Учитывая векторное тождество rotrotF
=
= graddivF-ΔF, где Δ =2xx+2yy +2zz — оператор
Лапласа, из (3) и (4) получим
ΔEj + ω2εj μj Ej = 0,
(5)
ΔBj + ω2εj μj Bj = 0.
(6)
Подставим в полученные выше уравнения ком-
поненты полей в виде фурье-разложений. Напри-
мер, представление для x-компоненты электричес-
кого поля примет вид
1
Ej,x (x, y, z) =
×
(2π)2
×
Ej,x (ξ, η, z) ei(ξx+ηy) dξ dη,
Рис. 3. Пленка с номером j, расположенная между грани-
-∞ -∞
цами zj-1 и zj
где фурье-образы определяются выражением
j = 2,...,N. Уравнения Максвелла для области с
Ej,x (ξ, η, z) =
Ej,x (x, y, z) e-i(ξx+ηy) dxdy.
номером j можно записать в виде
-∞ -∞
rotEj =Bj,
(1)
Для остальных компонент полей будем исполь-
rotBj = μj (-iωεjEj + Jj),
(2)
зовать аналогичные представления и соответствую-
где Ej , Bj и Jj — векторы напряженности элек-
щие символы.
трического поля, индукция магнитного поля и плот-
В компонентах полей уравнения (5) и (6) имеют
ность стороннего (известного) тока в области с но-
вид
мером j (если источник тока отсутствует в области
2xxEj,x +2yyEj,x +2zzEj,x + ω2μjεjEj,x = 0,
j, то Jj = 0). Предполагается комплексное времен-
ное представление в виде e-iωt.
и аналогичные уравнения для Ej,y, Ej,z и состав-
Решая уравнения Максвелла в каждой области с
ляющих магнитного поля, которые выписывать не
учетом граничных условий, найдем электромагнит-
будем. Переходя к фурье-образам, получаем из (5)
ное поле во всех областях. Рассмотрим сначала сле-
уравнения
дующую вспомогательную задачу.
Ej,x
d2
+γ2jEj,x = 0,
dz2
3. РАСПРОСТРАНЕНИЕ
Ej,y
d2
ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ В СЛОЕ,
+ γ2j Ej,y = 0,
(7)
dz2
СВОБОДНОЙ ОТ СТОРОННИХ ТОКОВ
d2
˜j,z
+ γ2j Ej,z = 0,
Пусть в области с номером j нет сторонних то-
dz2
ков между границами zj-1 и zj (см. рис. 3). Диэлек-
трическая и магнитная проницаемости среды в этой
где γj = k2j - ξ2 - η2, kj = ω√μj εj.
37
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Решения уравнений (7) для направлений распро-
Если взять вместо (11) другую аналитическую
странения волн вдоль (+) и против (-) оси z, можно
ветвь, с отрицательной мнимой зависимостью, то
записать в виде
волны с большими λ будут экспоненциально возрас-
тать с увеличением z при удалении от источников
E±j (x, y, z) =
полей, что противоречит принципу причинности.
Более строго, в случае поглощающей среды су-
ʱ
j,x
ществует две
точки ветвления функции γj (λ): точ-
1
=
ʱ
e±iγjzei(ξx+ηy) dξ dη.
(8)
j,y
ка kj,1 = ω
j| |μj | exp (i (arg (εj) + arg (μj ))/2) и
(2π)2
−∞ -∞
ʱ
j,z
точка kj,2 = ekj,1. Аналитическую ветвь функции
(λ), пригодную в том числе для описания мате-
γj
В рассматриваемом случае div Ej = 0 и, следова-
риалов с отрицательным преломлением [14] и пере-
ʱ
тельно, ξE±j,x + η
±γjE±j,z = 0. Тогда (8) можно
j,y
ходящую в (11) при бесконечно малом поглощении
переписать как
среды, можно определить как
1
0
(iarg(kj,1 - λ))
1
γj (λ) =
|kj,1 - λ| exp
×
E±j (x, y, z) =
0
1
×
2
(2π)2
−∞ -∞
∓ξ/γj
∓η/γj
(
)
±
(iarg(λ - kj,2))
Ê
j,x
×
|kj,2 - λ| exp
,
(12)
×
e±iγjzei(ξx+ηy) dξ dη.
(9)
2
ʱ
j,y
где функции |ξ| и arg(ξ) — модуль и аргумент комп-
Поэтому общее решение уравнений (7) в области
лексной переменной ξ.
[zj-1, zj] можно записать в виде
Кроме того, в представлении полей (10) при лю-
бых z и правильном выборе аналитической ветви
1
0
(12) будет обеспечена сходимость интегралов. При
1
этом не будут возникать экспоненциально усилива-
Ej (x, y, z) =
0
1
×
(2π)2
ющиеся гармоники при больших значениях ξ и η.
-∞ -∞
/γj
/γj
Из уравнения rotEj =Bj найдем x- и y-ком-
(
)
E+j,x
поненты магнитного поля. Для соответствующих
×
ej(z-zj-1)ei(ξx+ηy) dξ dη +
фурье-компонент имеем
E+
j,y
1
0
)
)
1
(η
γj
(ξ
γj
B+
Ê+
Ê+
Ê+
Ê+
=ex
-
-ey
-
+
+
0
1
×
j
j,z
j,y
j,z
j,x
ω
ω
ω
ω
(2π)2
−∞ -∞
ξ/γj η/γj
(
)
)
Ê-
(ξ
+
η
Ê
Ê+
j,x
+ez
j,y
-
j,x
,
×
e-iγj(z-zj)ei(ξx+ηy) dξ dη.
(10)
ω
ω
Ê-
j,y
где ex, ey и ez — единичные орты координатных
Ê+
Обратим внимание на отличие в форме запи-
осей. Из выражения div Ej
= 0 следует
=
j,z
си (9) и (10). Формально эти уравнения перехо-
Ê+
Ê+
=
j,x
γj - η
j,y
γj, тогда
дят одно в другое, они описывают волны, распро-
страняющиеся в противоположных направлениях
(
)
ξη
γ2j + η2
по оси z. Однако формулы содержат функции γj =
B+
Ê+
=ex
-
E+j,x -
+
j
j,y
= k2j - ξ2 - η2. Для однозначного определения ви-
ωγj
ωγj
да записи решений необходимо выбрать аналити-
(
)
ческую ветвь функции комплексного переменного
γ2j + ξ2
ξη
+ey
Ê+
+
Ê+
+
γj (λ), где λ2 = ξ2 + η2.
j,x
j,y
ωγj
ωγj
Обычно для сред без поглощения используют
ветвь [8]
)
(ξ
η
Ê+
Ê+
+ez
j,y
-
j,x
,
k2j - λ2, λ2 ≤ k2j,
ω
ω
γj (λ) =
(11)
i λ2 -k2j, λ2 ≥k2j.
или в матричном виде —
38
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
B+
Тогда общее решение для магнитного поля в рас-
j,x
B+
сматриваемой области с номером j (пленке с номе-
=
j,y
ром j - 1) можно записать в виде
B+
j,z
(
)∕
-ξη/ωγj
-
γ2j + η2
ωγj
1
(
)∕
Bj (x, y, z) =
×
=
γ2j + ξ2
ωγj
ξη/ωγj
×
(2π)2
(
)∕
/ω
ξ/ω
-ξη/ωγj
-
γ2j + η2
ωγj
(
)
(
)∕
+
×
γ2j + ξ2
ωγj
ξη/ωγj
×
E
j,x
×
−∞ -∞
/ω
ξ/ω
E+
j,y
(
)
+
Ê
1
B-
j,x
Аналогично, для
найдем
×
ej(z-zj-1)ei(ξx+ηy) dξ dη +
×
j
Ê+
(2π)2
j,y
(
)∕
B-
j,x
ξη/ωγj
γ2j + η2
ωγj
(
)∕
B-
=
×
-
γ2j + ξ2
ωγj
-ξη/ωγj
×
j,y
B-
−∞ -∞
/ω
ξ/ω
j,z
(
)∕
(
)
ξη/ωγj
γ2j + η2
ωγj
Ê-
j,x
(
)∕
×
e-iγj(z-zj)ei(ξx+ηy) dξ dη.
(13)
=
-
γ2j + ξ2
ωγj
-ξη/ωγj
×
Ê-
j,y
−η/ω
ξ/ω
(
)
Из (10) и (13) найдем тангенциальные составля-
Ê-
j,x
ющие фурье-образов полей на границах области j в
×
Ê-
виде
j,y
⎞
1
0
ejdj-1
0
Ej,x
Ê
+
0
1
0
ejdj-1
j,x
⎟
⎟⎜
Ej,y
⎟
Ê+
γ2j + η2
γ2j + η2
⎟⎜
⎟
ξη
j,y
⎟⎜
⎟
=
ξηωμ
-
ejdj-1
ejdj-1
,
⎟⎜
Bj,x μj
⎟
jγj
ωμjγj
ωμjγj
ωμjγj
Ê-
⎟⎝
j,x
⎠
γ2j +ξ2
γ2j + ξ2
Ê-
Bj,y μj
ξη
ξη
j,y
z=zj-1
-
ejdj-1
-
ejdj-1
ωμjγj
ωμjγj
ωμjγj
ωμjγj
⎞
ejdj-1
0
1
0
+
Ej,x
Ê
0
ejdj-1
0
1
j,x
⎟
⎟⎜
Ej,y
⎟
⎟⎜
Ê+
⎟
ξη
γ2j + η2
ξη
γ2j + η2
j,y
⎟⎜
⎟
=
ejdj-1
-
ejdj-1
,
⎟⎜
Ê-
Bj,x μj
⎟
ωμjγj
ωμjγj
ωμjγj
ωμjγj
⎟⎝
⎠
j,x
Ê-
Bj,y μj
γ2j +ξ2
ξη
γ2j + ξ2
ξη
j,y
z=zj
ejdj-1
ejdj-1
-
-
ωμjγj
ωμjγj
ωμjγj
ωμjγj
(
)T
где dj-1 = zj - zj-1.
Ê+
Ê+
Ê-
Вводя вектор-столбец
j =
;
; E-j,x;
,
j,x
j,y
j,y
запишем полученные выражения в матричном виде:
⎞
Ej,x
⎟
(
)
Ej,y
⎟
⎟
I
ejdj-1 I
⎟
=
j,
(14)
Bj,x μj
⎟
Gj
-ejdj-1 Gj
⎠
Bj,y μj
z=zj-1
39
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
⎞
Ej,x
Записывая граничные условия (17)-(20) с помо-
⎟
Ej,y
⎟
щью выражений (14) и (15), получим матричное
⎟
⎟
=
уравнение на границе z = zj:
Bj,x μj
⎟
⎠
Bj,y μj
z=zj
(
)
ejdj-1 I
I
e
j dj-1 I
I
=
j,
(15)
j =
ejdj-1 Gj
-Gj
ejdj-1 Gj
-Gj
где I — единичная 2×2-матрица, а матрица Gj пред-
ставляется как
I
ej+1dj I
=
j+1,
(21)
ξη
γ2j + η2
Gj+1
-ej+1dj Gj+1
-
-ωμjγj
ωμjγj
Gj =
(16)
γ2j +ξ2
ξη
ωμjγj
ωμjγj
где dj-1 = zj - zj-1, dj = zj+1 - zj .
Уравнение
(21) можно записать для j
=
4. РАСПРОСТРАНЕНИЕ
= 2, . . ., N - 1, где N + 1 — общее число областей,
ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ В
N — число границ, т.е. для всех границ, исключая
МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЕ,
первую (j = 1) и последнюю (j = N) границы. То
СВОБОДНОЙ ОТ СТОРОННИХ ТОКОВ
есть исключаются границы
Рассмотрим теперь многослойную структуру,
внутри которой нет сторонних токов. Рассмотрим
границу z = zj между областями с номерами j и
z1 = 0, zN = dtot =
dm,
j+1. Непрерывность тангенциальных компонент на-
m=1
пряженностей электрического и магнитного полей
на этой границе можно записать в виде
Ej,x (x, y, zj) - Ej+1,x (x, y, zj) = 0,
где dtot — общая толщина слоистой структуры (сум-
ма толщин пленок, составляющих рассматриваемую
Ej,y (x, y, zj) - Ej+1,y (x, y, zj) = 0,
структуру).
Bj,x (x, y, zj)
Bj+1,x (x, y, zj)
-
= 0,
Общее решение для электрического и магнитно-
μj
μj+1
го полей в области j = 1, т. е. в интервале (-∞, z1],
Bj,y (x, y, zj)
Bj+1,y (x, y, zj)
где z1 = 0, запишем в виде
-
= 0,
μj
μj+1
где электрические и магнитные поля в области j + 1
выражаются формулами (10) и (13), в которых про-
1
0
ведена замена индексов j → j + 1. Так как уравне-
1
E1 (x, y, z) =
0
1
×
ния Максвелла являются линейными, то граничные
(2π)2
−∞ -∞
/γ1
/γ1
условия должны выполняться для каждого члена
фурье-разложения, т. е. граничные условия выпол-
(
)
няются для фурье-образов полей:
Ê+
1,x
×
e1zei(ξx+ηy) dξ dη +
Ê+
1,y
Ej,x (ξ, η, zj) -
Ej+1,x (ξ, η, zj) = 0,
(17)
Ej,y (ξ, η, zj) -
Ej+1,y (ξ, η, zj) = 0,
(18)
(
)
1
0
Ê-
1
1,x
+
0
1
×
Bj,x (ξ, η, zj)
Bj+1,x (ξ, η, zj)
-
= 0,
(19)
(2π)2
E-
1,y
μj
μj+1
-∞ -∞
ξ/γ1
η/γ1
Bj,y (ξ, η, zj)
B
j+1,y (ξ, η, zj)
-
= 0.
(20)
× e-iγ1zei(ξx+ηy) dξ dη,
(22)
μj
μj+1
40
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
1
Тогда, записывая условия на границе z1 = 0, полу-
B1 (x, y, z) =
×
(2π)2
чим
(
)∕
+
-ξη/ωγ1
-
γ21 + η2
ωγ1
(
)
(
)∕
I
I
×
γ21 + ξ2
ωγ1
ξη/ωγ1
×
1 =
G1
-G1
−∞ -∞
/ω
ξ/ω
(
)
(
)
+
I
e2d1 I
E
1
=
2.
(24)
1,x
×
e1zei(ξx+ηy) dξ dη +
×
G2
-e2d1 G2
Ê+
1,y
(2π)2
(
)∕
Аналогично, общее решение для электрического
+
ξη/ωγ1
γ21 + η2
ωγ1
(
)∕
и магнитного полей в области j = N + 1, т. е. в ин-
×
-
γ21 + ξ2
ωγ1
-ξη/ωγ1
×
тервале [zN, +), запишем в виде
−∞ -∞
/ω
ξ/ω
(
)
-
E
1,x
×
e-iγ1zei(ξx+ηy) dξ dη.
(23)
Ê-
1,y
1
0
(
)
Ê+
1
N +1,x
EN+1 (x, y, z) =
0
1
eN+1(z-zN )ei(ξx+ηy) dξ dη +
(2π)2
E+
N +1,y
-∞ -∞
/γN+1
/γN+1
(
)
1
0
1
Ê-
N +1,x
+
0
1
e-iγN+1(z-zN ) ei(ξx+ηy) dξ dη,
(25)
(2π)2
Ê-
N +1,y
-∞ -∞
ξ/γN+1
η/γN+1
1
BN+1 (x, y, z) =
×
(2π)2
(
)∕
(
)
+
-ξη/ωγN+1
-
γ2N+1 + η2
ωγN+1
(
)∕
Ê+
N +1,x
×
γ2N+1 + ξ2
ωγN+1
ξη/ωγN+1
eN+1(z-zN )ei(ξx+ηy)dξdη +
Ê+
N +1,y
−∞ -∞
/ω
ξ/ω
(
)∕
(
)
ξη/ωγN+1
γ2N+1 + η2
ωγN+1
(
)∕
Ê-
1
N +1,x
+
-
γ2N+1 + ξ2
ωγN+1
-ξη/ωγN+1
×
Ê-
(2π)2
N +1,y
−∞ -∞
/ω
ξ/ω
× e-iγN+1(z-zN)ei(ξx+ηy) dξ dη.
(26)
(
)-1 (
)
Тогда получим граничные условия на границе zN в
I
I
I
e2d1 I
1 =
×
виде
G1
-G1
G2
-e2d1 G
2
(
)
(
)-1
eN dN-1I
I
e2d1 I
I
N =
×
×...
eN dN-1GN
-GN
e2d1 G2
-G2
(
)
(
)
I
I
I
eN dN-1 I
=
N+1.
(27)
×
×
GN+1
-GN+1
GN
-eN dN-1GN
(
)-1
eN dN-1 I
I
Граничные условия (21), (24) и (27) позволяют
×
×
связать вектор-столбцы электрического поля в пер-
eN dN-1GN
-GN
(
)
вой и последней областях задачи (т.е. в полупро-
I
I
странствах, вне плоскослоистой структуры):
×
N+1,
GN+1
-GN+1
41
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
компоненты
Ê+
и Ê+N+1,y вектор-столбца
N+1 и
N +1,x
прошедшую волну по формулам (25), (26). Подроб-
ности решения таких задач для пространственно-ог-
раниченных падающих пучков можно найти, напри-
мер, в работах [15-17].
5. РАСПРОСТРАНЕНИЕ
ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ В
МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЕ, ОТ
ЭЛЕМЕНТАРНОГО ИСТОЧНИКА
СТОРОННЕГО ТОКА
Пусть имеется точечный излучатель, располо-
женный в точке (0, 0, zd) в области с номером s (см.
рис. 4). Пусть этот излучатель определяется плот-
ностью стороннего тока (в комплексном представле-
нии e-iωt):
J(x, y, z) = (nxex+nyey+nzez)δ (x) δ (y)δ (z-zd),
где nx, ny, nz — направляющие косинусы вектора
тока вдоль осей координат, причем n2x +n2y +n2z = 1,
δ (x) — дельта-функция Дирака. Тогда фурье-обра-
зы составляющих этого тока определятся следую-
Рис. 4. Точечный излучатель, расположенный в точке
щими выражениями:
(0, 0, zd) в области с номером s
Js,x (ξ, η, z) =
или
1 = M ×
N+1.
(28)
(
)
=nx
δ (x) δ (y) δ (z - zd) e-i(ξx+ηy) dx dy =
Матрица M имеет вид M = T1 ×
Tm ×TN+1,
-∞ -∞
m=2
где
(
-1
)
= nxδ (z - zd),
I
I
T1 =
,
G1
-G1
и аналогично
(
)
Js,y (ξ, η, z) = nyδ (z - zd),
I
emdm-1 I
Tm =
×
Js,z (ξ, η, z) = nzδ (z - zd).
Gm
-emdm-1 Gm
(
)-1
Пусть этот элементарный источник тока на-
emdm-1 I
I
×
,
ходится в бесконечно тонком слое (zd - Δz/2,
emdm-1 Gm
-Gm
zdz/2). Тогда уравнения Максвелла (1) и (2) для
(
)
фурье-образов полей можно записать (при Δz → 0)
I
I
в виде
TN+1 =
GN+1
-GN+1
Es,z -ΔEs,y
=
Bs,x,
Δz
Если нам известна, например, падающая на
Es,x
(29)
плоскослоистую структуру волна, а значит, компо-
- iξ
Es,z =
Bs,y,
ненты
Ê+
и Ê+1,y вектор-столбца
1, то из уравне-
Δz
1,x
Ê-
Es,y - iη
Es,x =
Bs,z,
ния (28) можно найти компоненты
1,x
и Ê-1,y и саму
отраженную волну по формулам (22), (23), а также
42
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
(
)
Bs,z-ΔBj,y
=μs
-iωεs
Es,x+nxδ (z-zd) ,
Δz
(
)
ΔBs,x
(30)
-iξ
Bs,z = μs -iωεs
Es,y+nyδ (z-zd) ,
Δz
(
)
Bs,y-iη
Bs,x = μs -iωεs
Es,z+nzδ (z-zd)
ξ
η
1
Поскольку z-компоненты полей из уравнений
Es,z = -
Bs,y +
Bs,x +
Js,z,
(29) и (30) можно выразить через x- и y-компоненты
ωεsμs
ωεsμs
iωεs
по формулам
для x- и y-компонент напряженностей электричес-
ξ
η
Bs,z =
Es,y -
Es,x,
кого и магнитного полей получим
ω
ω
(
(
)
)
iξη
ξ2
ξ
Es,x =
Bs,x + i ω -
Bs,y +
nzδ (z - zd) Δz,
ωεsμs
ωεsμs
ωεs
(
(
)
)
η2
iξη
η
Es,y = i
Bs,x -
Bs,y +
nzδ (z - zd) Δz,
ωεsμs
ωεsμs
ωεs
(
(
)
)
ΔBs,x
iξη
ξ2
=
-
Es,x + i
− ωεs
Es,y + nyδ (z - zd) Δz,
μs
ωμs
ωμs
( (
)
)
ΔBs,y
η2
iξη
= i ωεs -
Es,x +
Es,y - nxδ (z - zd) Δz.
μs
ωμs
ωμs
Тогда в пределе Δz → 0 скачок тангенциальных
Особо отметим, что скачок электрических по-
компонент напряженностей электрического и маг-
лей при переходе через рассматриваемый бесконеч-
нитного полей при переходе через бесконечно тон-
но тонкий слой (при Δz → 0), вообще говоря, зави-
кий слой с током имеет вид
сит от диэлектрической проницаемости среды εs, в
которой расположен рассматриваемый источник то-
ка. Но излучение источников, у которых есть толь-
Es,x → nzξ/ωεs,
ко составляющие тока вдоль границы, не зависит в
Es,y → nzη/ωεs,
явном виде от диэлектрических свойств среды, в ко-
ΔBs,x μs → ny,
торой они расположены.
ΔBs,y μs → -nx.
Выразим теперь левую часть граничного усло-
вия (31) через вектор-столбцы
1 и
N+1 полупро-
странств снаружи плоскослоистой структуры. Для
В матричном виде уравнения, связывающие тан-
этого разобьем область с номером s на две области и
генциальные компоненты полей с двух сторон беско-
обозначим их индексами l и r (левая и правая, если
нечно тонкого слоя с током, можно записать в сле-
смотреть на рис. 4). Введем вектор-столбцы
l и
r
дующем виде:
в этих областях. Тогда тангенциальные компоненты
напряженностей полей в (31) можно выразить как
⎞
⎞
Es,x
Es,x
⎞
⎟
⎟
Es,y
⎟
⎟
Es,x
⎟
Es,y
⎟
⎟
⎟
-
⎟
=
Es,y
⎟
Bs,x μs
⎟
Bs,x μs
⎟
⎟
⎠
⎠
⎟
=
Bs,x μs
⎟
Bs,y μs
Bs,y μs
⎠
z=zd+0
z=zd-0
Bs,y μs
nzξ/ωεs
z=z
d-0
(
)
nzη/ωεs
es(zd-zs-1)I
I
=
(31)
=
l,
(32)
ny
es(zd-zs-1)Gs
-Gs
−nx
43
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
⎞
(
)T
Es,x
где V
= nzξ/ωεs; nzη/ωεs; ny;
-nx
⎟
Es,y
⎟
⎟
вектор-столбец, характеризующий возбуждающее
⎟
=
Bs,x μs
⎟
воздействие на систему стороннего элементарного
⎠
тока, а матрицы HR и HL характеризуют отклик
Bs,y μs
z=zd+0
на внешнее возбуждение слоистой структуры спра-
(
)
ва и слева излучателя и выражаются следующим
I
es(zs-zd)I
=
r.
(33)
образом:
Gs
-es(zs-zd)Gs
(
)
I
es(zs-zd)I
Кроме того, из (28) следует, что
HR =
QR =
Gs
-es(zs-zd)Gs
(
)
1 = QLl,
(34)
=TR ×
Tm
×TN+1,
m=s+1
где
(
)
(
)-1 (
)
es(zd-zs-1)I
I
HL =
(QL)-1
=
I
I
I
e2d1 I
es(zd-zs-1)Gs
-Gs
QL =
×
(
(
)
)-1
G1
-G1
G2
-e2d1 G2
(
)-1
= T1 ×
Tm
×TL
e2d1 I
I
m=2
×
×...
e2d1 G2
-G2
Здесь матрицы Tm при m = s имеют вид
(
)
(
)
I
es-1ds-2I
I
emdm-1 I
×
×
×
Tm =
Gs-1
-es-1ds-2 Gs-1
Gm
-emdm-1 Gm
(
)-1
(
)-1
emdm-1 I
I
es-1ds-2 I
I
×
,
×
×
emdm-1 Gm
-Gm
es-1ds-2Gs-1
-Gs-1
(
)
I
eiγs(zd-zs-1)I
а матрицы TL и TR
×
,
(
)
Gs
-eiγs(zd-zs-1)
Gs
I
es(zd-zs-1)I
TL =
×
а также
Gs
-es(zd-zs-1)Gs
(
)-1
r = QRN+1,
(35)
es(zd-zs-1)I
I
×
,
где
es(zd-zs-1)Gs
-Gs
(
)-1
(
)
es(zs-zd)I
I
I
es(zs-zd)I
QR =
×
TR =
×
es(zs-zd)Gs
-Gs
Gs
-es(zs-zd)Gs
(
)
(
)-1
I
es+1ds I
es(zs-zd)I
I
×
×
×
Gs+1
-es+1ds Gs+1
es(zs-zd)Gs
-Gs
(
)-1
В приведенных выше формулах матрицы Gs вы-
es+1ds I
I
×
×...
ражаются по формуле (16).
es+1ds Gs+1
-Gs+1
Далее, в рассматриваемой задаче источники по-
(
)
I
eN dN-1I
лей находятся исключительно внутри плоскослои-
×
×
стой структуры. Поэтому в столбцах
1 и
N+1 есть
GN
-eN dN-1GN
(
)-1 (
)
только компоненты волн, идущие от плоскослоистой
eN dN-1 I
I
I
I
структуры. Эти столбцы имеют вид
×
eN dN-1 GN
-GN
GN+1
-GN+1.
(
)T
1 =
0;
0;
Ê-
;
Ê-
,
1,x
1,y
(
)T
Подставляя (34), (35) в (32), (33) и затем полу-
Ê+
Ê+
N+1 =
N +1,x
;
N +1,y
;
0;
0
ченные выражения в (31), получаем
Чтобы получить оставшиеся, отличные от нуля,
HR ×
N+1 = HL ×
1 + V,
(36)
компоненты
1 и
N+1, разобьем каждую из матриц
44
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
HR и HL на четыре 2 × 2-подматрицы HRA, HRB,
Полученные уравнения можно снова объединить
HRC, HRD и HLA, HLB, HLC, HLD следующим об-
в одно матричное 4 × 4-уравнение:
разом:
(
)
(
)
HRA HRB
-HLB HRA
HR =
,
out = V,
(38)
HRC HRD
HLD HRC
и
(
)
где введен вектор-столбец
HLA HLB
HL =
(
HLC HLD
out =
Ê-
;
Ê-
;
Ê+
;
Ê+
)T .
1,x
1,y
N +1,x
N +1,y
Тогда уравнение (36) примет вид
Решая это уравнение, найдем
Ê-
,
Ê-
и
E+N+1,x,
1,x
1,y
+
EN
(
)
+1,x
E+N+1,y, а значит, уходящую из плоскослоистой
HRA HRB
E+N+1,y
структуры влево волну (в направлении z → -∞)
×
=
HRC HRD
0
по формулам
0
1
0
0
1
(
)
E1 (x, y, z) =
0
1
×
HLA HLB
0
(2π)2
=
×
+ V.
(37)
−∞ -∞
ξ/γ1
η/γ1
HLC HLD
E-1,x
(
)
E-1,x
Ê-
1,y
×
e-iγ1zei(ξx+ηy) dξ dη,
(39)
E
1,y
Если еще разбить вектор
(
)T
V= V1; V2; V3; V4
1
B1 (x, y, z) =
×
(2π)2
(
)∕
на VA = (V1, V2)T и VB = (V3, V4)T , то уравне-
ξη/ωγ1
γ21 + η2
ωγ1
ние (37) можно представить следующей системой из
(
)∕
×
-
γ21 + ξ2
ωγ1
-ξη/ωγ1
×
двух матричных уравнений:
−∞ -∞
/ω
ξ/ω
(
)
(
)
+
(
)
E
Ê-
N +1,x
1,x
E-1,x
HRA
=HLB
+VA,
Ê+
Ê-
×
e-iγ1zei(ξx+ηy) dξ dη
(40)
N +1,y
1,y
E-
1,y
(
)
(
)
+
Ê-
E
N +1,x
1,x
и волну, уходящую вправо от плоскослоистой струк-
HRC
=HLD
+VB.
E+N+1,y
Ê-
туры (в направлении z → +):
1,y
1
0
(
)
Ê+
1
N +1,x
EN+1 (x, y, z) =
0
1
×
(2π)2
E+
N +1,y
-∞ -∞
/γN+1
/γN+1
× eN+1(z-zN)ei(ξx+ηy) dξ dη,
(41)
(
)∕
-ξη/ωγN+1
-
γ2N+1 + η2
ωγN+1
1
(
)∕
BN+1 (x, y, z) =
γ2N+1 + ξ2
ωγN+1
ξη/ωγN+1
×
(2π)2
−∞ -∞
/ω
ξ/ω
(
)
+
Ê
N +1,x
×
eN+1(z-zN )ei(ξx+ηy) dξ dη.
(42)
Ê+
N +1,y
45
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
(
)
Наконец, при необходимости, зная
1 и
N+1,
I
I
T3 =
,
можно найти вектор-столбцы поля в любой внут-
G3
-G3
ренней области
j, так как они однозначно опреде-
а вектор-столбец стороннего тока равен V
=
ляются граничными условиями. После этого элект-
(
ромагнитные поля в любой из этих областей могут
=
0;
0;
0;
-1
)T .
быть найдены по формулам (10), (13). Таким обра-
Учитывая, что (T1 × T2)-1 = T-12 × T-11, полу-
зом, электромагнитные поля будут определены во
чим
всем пространстве.
HL = (T1 × T2)-1 = T-12 × T-11 =
6. ИЗЛУЧЕНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО
(
)(
)-1
ГОРИЗОНТАЛЬНОГО ДИПОЛЯ,
e2dI
I
I
e2dI
РАСПОЛОЖЕННОГО НА ГРАНИЦЕ
=
×
e2dG2
-G2
G2
-e2dG2
МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ,
(
)
НАНЕСЕННОЙ НА ПОВЕРХНОСТЬ
I
I
ПРИЗМЫ
×
G1
-G
1
Рассмотрим теперь задачу излучения элементар-
(
Ê-
Ê+
ного горизонтального источника, расположенного
Вводя вектор-столбец
out
=
E-1,x;
1,y
;
3,x
;
на свободной границе пленки (см. рис. 5a) в схеме
)T
E+3,y
, уравнение (38) для данной задачи можно
Кречмана. Поляризация источника — вдоль оси x
записать в виде
(nx = 1, ny = 0, nz = 0). Толщина пленки равна d.
Индекс 1 соответствует полупространству материа-
(
)
-HLB I
ла призмы, 2 — пленке, 3 — свободному полупро-
×
out = V.
(44)
странству над пленкой. Тогда N = 2, zd = z2 = d,
HLD G3
HR = T3, HL = (T1 × T2)-1 и уравнение (36) при-
Ê-
Решая линейное уравнение (44), найдем
,
мет вид
1,x
E-1,y и
Ê+
,
Ê+
, и затем по формулам (39)-(42) при
T3 ×
3 = (T1 × T2)-1 ×
1 + V,
(43)
3,x
3,y
N = 2 получим уходящую волну из плоскослоистой
где матрицы выражаются следующими формулами:
структуры в призму (в область 1) и свободное про-
(
)-1
странство (область 3) над пленкой (в направлениях
I
I
z → ±∞ от границ пленки).
T1 =
,
G1
-G1
Снова будем считать, что среды немагнитные и
(
)(
)-1
μ1 = μ2 = μ3 = μ0. Тогда, учитывая k2j = εjμ0ω2,
I
e2dI
e2dI
I
выражения для подматриц HLB и HLD можно по-
T2 =
,
G2
-e2dG2
e2dG2
-G2
лучить в явном виде:
(ε1
2
ξ2
) sin(γ2d)
ε1 - ε2 sin(γ2d)
1
iξη
cos(γ2d)+i
ε2
γ1
γ2
ε2
γ1γ2
HLB =
,
ε1 - ε2 sin(γ2d)
(ε12 η2
) sin(γ2d)
iξη
cos(γ2d) + i
1
ε2
γ1γ2
ε2
γ1
γ2
)
ξη
(cos(γ2d)
sin(γ2d)
γ21 + η2
γ22 + η2
-i
cos(γ2d) - i
sin(γ2d)
μ0ω
γ1
γ2
γ1μ0ω
γ2μ0ω
HLD =
)
γ21 + ξ2
γ22 + ξ2
ξη
(cos(γ2d)
sin(γ2d)
-
cos(γ2d) + i
sin(γ2d)
-
-i
γ1μ0ω
γ2μ0ω
μ0ω
γ1
γ2
ξη
Решив уравнение (44), найдем следующие анали-
Ê-
1,y
=
(a1y cos (γ2d) + ib1y sin (γ2d)) ,
(46)
Ê-
Ê-
ωμ0D
тические выражения для
1,x
,
1,y
,
E-1,z:
2
a1x + d1xη
Ê-
=
cos(γ2d) +
1,x
ωμ0D
b1x + e1xη
2
Ê-
=ξE-1,x γ1 + ηE-
γ1,
(47)
1,z
1,y
+i
sin(γ2d),
(45)
ωμ0D
46
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
и выражения для
Ê+
,
Ê+
,
Ê+
:
Естественно, что полученные выражения
3,x
3,y
3,z
(45)-(50) переходят в соответствующие выражения
2
a3x + d3xη
для диполя на границе двух полупространств, ко-
Ê+
3,x
=
cos2 (γ2d) +
ωμ0D
гда толщина пленки d стремится к нулю, при этом
2
b3x + e3xη
c3x + f3xη2
полученные выражения можно точно свести к из-
+
sin2 (γ2d) + i
×
ωμ0D
ωμ0D
вестным формулам [8].
× cos(γ2d)sin(γ2d),
(48)
Аналитические выражения (45)-(50) имеют пер-
востепенное значение, так как позволяют получить
выражения для электрических полей в полупро-
ξη
(
Ê+
=
a3y cos2 (γ2d) + b3y sin2 (γ2d) +
странствах через одномерные интегралы, что значи-
3,y
ωμ0D
)
тельно ускоряет счет и повышает точность вычисле-
+ ic3y cos(γ2d)sin(γ2d)
,
(49)
ний. Действительно, если перейти к полярным коор-
динатам в плоскостях (x, y) и (ξ, η) по формулам
Ê+
Ê+
Ê+
3,z
=
3,x
γ3 - η
3,y
γ3.
(50)
В формулах (45)-(50) коэффициенты a, b, c, d,
x = ρcosϕ, y = ρsinϕ,
(51)
e, f являются функциями γ1, γ2 и γ3. Выраже-
ξ = λcosϑ, η = λsinϑ
ния для этих коэффициентов представлены в При-
ложении A. Кроме того, функция D (ξ, η) есть де-
получим, что величины γ1
=
k21 - λ2, γ2
=
терминант матрицы уравнения (44). Оказалось, что
=
k22 - λ2, γ3 =
k23 - λ2, зависящие от них мно-
D (ξ, η) = D (λ) есть функция λ =
ξ2 + η2 и запи-
жители и детерминант D (λ) = D (λ cos ϑ, λ sin ϑ) яв-
сывается в виде аналитического выражения:
ляются функциями только λ и не зависят от ϑ. По-
этому выражения для соответствующих полей, как
D (λ) = Δ1 cos2 (γ2d) + Δ2 sin2 (γ2d) +
будет показано ниже, можно привести к одномер-
+ Δ3 cos(γ2d)sin(γ2d),
ным интегралам.
где
Рассмотрим электрические поля в полупростран-
(
)
1
(γ1 + γ3)2
γ1γ3 + λ2
ствах (в областях с номерами j = 1 и j = 3). Снача-
Δ1 =
,
ω2μ2
0
γ1γ3
ла рассмотрим (см. представление (39)) в полупро-
странстве с j = 1:
(
)2
1
γ1γ3 + γ2
Δ2 = -
×
1
ω2μ2
γ1γ3γ22k2
0
2
E1,x (x, y, z) =
×
(
)
2
(2π)2
γ22 (γ1 + γ3)
× λ4 +
λ2 + γ1γ2γ3
,
2
γ1γ3 + γ2
2
Ê-
×
e-iγ1zei(ξx+ηy) dξ dη.
1,x
-∞ -∞
i (γ1+γ3)
{
(
)(
)
Δ3 = -
2
γ1γ3+γ22
γ1γ3γ22+λ4
+
ω2μ20γ1γ2γ3k2
Ê-
2
Подставим выражение (45) для
1,x
, перейдем к по-
(
)
}
+
γ21γ23 + γ21γ22 + 4γ1γ3γ22 + γ23γ22 + γ42
λ2
лярным координатам (51) и получим
1
(
)
E1,x (ρ, ϕ, z) =
Q1x (γ) + R1x (γ)λ2 sin
2ϑ
e-iγ1zeiρλcos(ϕ-ϑ)λdλ =
(2π)2
0
0
1
(
)
=
Q1x (γ) + R1x
(γ)λ2
λe-iγ1z eiρλcos(ϕ-ϑ) dλ -
(2π)2
0
0
1
-
R1x
(γ) λ3e-iγ1z cos2 ϑeiρλcos(ϕ-ϑ) dλ,
(52)
(2π)2
0
0
47
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
где введены следующие (зависящие только от λ)
Аналогичное рассмотрение проведем для y-ком-
функции:
поненты. Из (39) и (46) получим
1
Q1x (γ) =
(a1x cos(γ2d) + ib1x sin(γ2d)),
1
ωμ0D (λ)
E1,y (x, y, z) =
E-1,ye-iγ1zei(ξx+ηy) dξ dη.
2
(2π)
-∞ -∞
1
R1x (γ) =
(d1x cos (γ2d) + ie1x sin (γ2d)) .
ωμ0D (λ)
Подставляя выражение (46) для
Ê-
, после перехо-
1,y
да к полярным координатам (51), получим
Интегралы в скобках в (52) могут быть выражены
через функции Бесселя, если использовать их интег-
ральное представление,
1
E1,y (ρ, ϕ, z) =
Q1y (γ)λ2 cosϑsinϑ ×
2
(2π)
0
0
-n
i
Jn (ρλ) =
eiρλcosθeinθdθ.
(53)
2π
0
× e-iγ1zeiρλcos(ϕ-ϑ) λdλ =
В частности, нетрудно показать, что из (53) следует
1
следующий ряд тождеств:
=
λ3Q1y (γ)e-iγ1z ×
2
(2π)
0
eiρλcos(ϕ-ϑ) = 2πJ0 (ρλ),
× cosϑsinϑeiρλcos(ϕ-ϑ)dλ,
0
0
cosϑeiρλcos(ϕ-ϑ) = 2πi cosϕJ1 (ρλ),
где введена функция от λ:
0
1
Q1y (γ) =
(a1y cos (γ2d) + ib1y sin (γ2d)) .
cos2 ϑeiρλcos(ϕ-ϑ) = π (J0 (ρλ) -
ωμ0D (λ)
0
Учитывая соответствующее интегральное представ-
- J2 (ρλ)cos2ϕ),
(54)
ление (54) интеграла по ϑ, получим для E1,y выра-
жение
sinϑ cosϑeiρλcos(ϕ-ϑ) =
0
(
)
sin2ϕ
2
E1,y (ρ, ϕ, z) =
λ3Q1y (γ) ×
= π sin2ϕ J0 (ρλ) -
J1 (ρλ)
,
4π
ρλ
0
(
)
2
× J0 (ρλ) -
J1 (ρλ) e-iγ1zdλ.
(56)
cosϑ sin2 ϑeiρλcos(ϕ-ϑ) = i2π ×
ρλ
0
(
)
(
) J2 (ρλ)
Оставшуюся компоненту E1,z в первом полупро-
× cosϕ sin2 ϕJ1 (ρλ)+
1-4 sin2 ϕ
ρλ
странстве из (39) запишем в виде
Подставляя соответствующие выражения (54) инте-
1
E1,z (x, y, z) =
×
гралов по ϑ в (52), получим
(2π)2
)
∫ (
ξÊ-1,x
ηÊ-1,y
1
(
)
×
+
e-iγ1zei(ξx+ηy)dξ dη,
E1,x (ρ, ϕ, z) =
2Q1x (γ) + R1x (γ)λ2
×
γ1
γ1
4π
-∞ -∞
0
× λe-iγ1zJ0 (ρλ) +
Ê-
и, подставляя выражения для
и Ê-1,y по форму-
1,x
лам (45) и (46), после перехода к полярным коорди-
cos2ϕ
+
R1x (γ)λ3J2 (ρλ)e-iγ1zdλ.
(55)
натам получим
4π
0
48
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
1
Q1x (γ)λ2e1z
(R1x (γ) + Q1y (γ)) λ4J1 (ρλ)
E1,z (ρ, ϕ, z) =
×
×
e-iγ1z+
(2π)2
γ1
γ1
0
0
(
)
i cosϕ
1 - 4sin2 ϕ
+
×
× cosϑeiρλcos(ϕ-ϑ)+
2π
0
(R1x (γ) + Q1y (γ)) λ3J2 (ρλ)
×
e-iγ1zdλ.
(57)
1
(R1x (γ) + Q1y (γ))λ4
ργ1
+
e1z ×
0
(2π)2
γ1
0
Теперь рассмотрим электрическое поле в полу-
пространстве (с номером j = 3). Составляющую по
× cosϑ sin2 ϑeiρλcos(ϕ-ϑ)dλ.
оси x получим из (41) в виде
0
1
Используя соответствующие интегральные пред-
E3,x (x, y, z) =
×
ставления (54) для интегралов по ϑ, получим
(2π)2
×
E+3,xe3(z-d)ei(ξx+ηy)dξ dη.
i cosϕ
Q1x (γ)λ2e-iγ1z
E1,z (ρ, ϕ, z) =
J1 (ρλ)+
-∞ -∞
2π
γ1
0
Преобразуя выражение (48) и переходя к полярным
i cosϕsin2
ϕ
+
×
координатам (51), E3,x можно представить в виде
2π
1
(
)
E3,x (ρ, ϕ, z) =
Q3x (γ) + R3x (γ)λ2 sin2 ϑ
e3(z-d)eiρλcos(ϕ-ϑ) λdλ =
(2π)2
0
0
1
(
)
=
Q3x (γ) + λ2R3x
(γ)
e3(z-d) eiρλcos(ϕ-ϑ)λdλ-
(2π)2
0
0
1
-
λ2R3x
(γ) e3(z-d) cos2 ϑeiρλcos(ϕ-ϑ) λ dλ,
(2π)2
0
0
где введены следующие зависящие только от λ
1
(
)
функции:
E3,x (ρ, ϕ, z) =
2Q3x (γ) + λ2R3x (γ)
×
4π
0
cos2ϕ
1
(
× J0 (ρλ)e3(z-d)λdλ +
×
Q3x (γ) =
a3x cos2 (γ2d) + b3x sin2 (γ2d) +
4π
ωμ0D (λ)
)
× λ3R3x (γ)J2 (ρλ)e3(z-d)dλ.
(58)
+ ic3x cos(γ2d)sin(γ2d)
,
0
Аналогично, в представлении
1
(
E3,y (x, y, z) =
R3x (γ) =
d3x cos2 (γ2d) +
ωμ0D (λ)
)
-2
= (2π)
E+3,ye3(z-d)ei(ξx+ηy)dξ dη
+ e3x sin2 (γ2d) + if3x cos(γ2d)sin(γ2d)
-∞ -∞
Ê+
Используя соответствующие интегральные пред-
запишем
3,y
в виде (49) и перейдем к полярным
ставления (54) для интегралов по ϑ, получим
координатам:
49
4
ЖЭТФ, вып. 1
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
1
E3,y (ρ, ϕ, z) =
×
(2π)2
+
×
Q3y (γ)λ2 cosϑsinϑe3(z-d) ×
0
0
× eiρλcos(ϕ-ϑ) λdλ =
1
=
λ3Q3y (γ)e3(z-d) ×
(2π)2
0
Рис. 5. Геометрия задачи излучения элементарного источ-
× cosϑ sinϑeiρλcos(ϕ-ϑ) dλ,
ника тока, расположенного на свободной границе пленки в
0
схеме Кречмана при ориентации дипольного момента па-
где
раллельно (а) и перпендикулярно (б) границе
1
(
Q3y (γ) =
a3y cos2 (γ2d) +
ωμ0D (λ)
Учитывая (54), получим
)
+ b3y sin2 (γ2d) + ic3y cos(γ2d)sin(γ2d)
i cosϕ
E3,z (ρ, ϕ, z) = -
×
Учитывая соответствующее интегральное представ-
2π
ление (54), получим
Q3x (γ)λ2J1 (ρλ)
×
e3(z-d)dλ-
γ3
sin2ϕ
0
E3,y (ρ, ϕ, z) =
λ3Q3y (γ) ×
4π
i cosϕsin2 ϕ
0
-
×
(
)
2π
2
× J0 (ρλ) -
J1 (ρλ) e3(z-d)dλ.
(59)
ρλ
(R3x (γ) + Q3y (γ))λ4J1 (ρλ)
×
e3(z-d)dλ-
γ3
Наконец, для составляющей E3,z, учитывая (50),
0
получим аналогично
(
)
i cosϕ
1 - 4sin2 ϕ
×
)
∫ (
2π
1
E+3,x
ηÊ+3,y
E3,z (x, y, z) = -
+
×
(R3x (γ) + Q3y (γ)) λ3J2 (ρλ)
(2π)2
γ3
γ3
×
e3(z-d)dλ.
(60)
−∞ -∞
ργ3
0
× e3(z-d)ei(ξx+ηy)dξ dη.
Таким образом, мы получили точные аналити-
Переходя к полярным координатам, запишем следу-
ческие выражения для электрических полей в полу-
ющее выражение:
пространствах, окружающих пленку.
1
Q3x (γ)λ2e3(z-d)
E3,z (ρ, ϕ, z) = -
×
(2π)2
γ3
7. ИЗЛУЧЕНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО
0
ВЕРТИКАЛЬНОГО ДИПОЛЯ,
РАСПОЛОЖЕННОГО НА ГРАНИЦЕ
× cosϑeiρλcos(ϕ-ϑ)dλ-
МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ,
0
НАНЕСЕННОЙ НА ПОВЕРХНОСТЬ
ПРИЗМЫ
1
(R3x (γ) + Q3y (γ))λ4
-
e3(z-d) ×
(2π)2
γ3
Рассмотрим задачу излучения элементарного
0
вертикального излучателя, расположенного на
свободной границе пленки (см. рис. 5б) в схеме
× cosϑ sin2 ϑeiρλcos(ϕ-ϑ)dλ.
Кречмана. Будем считать, что излучатель нахо-
0
дится в свободном полупространстве, в области 3,
50
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
бесконечно близко к границе. Поляризация ис-
В формулах (61)-(66) коэффициенты u, v, w яв-
точника — вдоль оси z (nx = 0, ny = 0, nz = 1).
ляются функциями γ1, γ2 и γ3. Выражения для этих
Применяя те же рассуждения, что и для горизон-
коэффициентов представлены в Приложении B.
тального диполя, получим для фурье-образов полей
Найдем теперь поля в полупространствах.
Ê-
Ê+
E-1,x,
1,y
и
3,x
,
E+3,y уравнение (44), в котором
Полупространство j = 1. Составляющая E1,x
вектор-столбец правой части равен
определяется формулой
(
V = ξ/ωε3; η/ωε3;
0;
0
)T .
1
E1,x (x, y, z) =
E-1,xe-iγ1zei(ξx+ηy)dξ dη.
2
(2π)
-∞ -∞
Решая уравнение (44), найдем
Ê-
,
Ê-
и Ê+3,x,
1,x
1,y
E+3,y и далее по формулам (39)-(42) при N = 2, zd =
Ê-
Подставим выражение (61) для
1,x
и перейдем к
= z2 = d получим уходящую волну из плоскослои-
полярным координатам. Учитывая тождества (54),
стой структуры в призму (в область 1) и свободное
получим
пространство (область 3) над пленкой (в направле-
ниях z → ±∞ от границ пленки).
1
Снова будем считать, что среды немагнитные и
E1,x (ρ, ϕ, z) =
λS1,x (λ) e-iγ1z ×
(2π)2
μ1 = μ2 = μ3 = μ0. Выражения для подматриц HLB
0
и HLD те же, что и приведенные выше выражения
для горизонтального диполя.
× cosϑeiρλcos(ϕ-ϑ) λdλ =
Решив уравнение (44) для вертикального дипо-
0
ля и учитывая, что k23 = ε3μ0ω2, найдем следующие
Ê-
Ê-
аналитические выражения для
E-1,x,
1,y
,
1,z
:
i cosϕ
=
S1,x (λ) J1 (ρλ) e-iγ1zλ2dλ,
(67)
2π
ξ
0
E-1,x =
(u1x cos (γ2d) + iv1x sin (γ2d)) ,
(61)
ωμ0D
где
η
1
Ê-
=
(u1y cos (γ2d) + iv1y sin (γ2d)) ,
(62)
S1,x (λ) =
(u1x cos (γ2d) + iv1x sin (γ2d))
1,y
ωμ0D
ωμ0D (λ)
— функция только от λ.
E-1,x
ηÊ-1,y
Аналогично для составляющей E1,y, учитывая
Ê-
1,z
=
+
=
γ1
γ1
тождества (54), получим
2
ξ2 + η
=
(u1z cos (γ2d) + iv1z sin (γ2d)) .
(63)
ωμ0D
1
E1,y (ρ, ϕ, z) =
λS1,y (λ) e-iγ1z ×
2
(2π)
Аналогично найдем
Ê+
,
Ê+
и Ê+3,z:
3,x
3,y
0
ξ
(
Ê+
× sinϑeiρλcos(ϕ-ϑ)λdλ =
3,x
=
u3x cos2 (γ2d) + v3x sin2 (γ2d) +
ωμ0D
0
)
+ iw3x sin(γ2d) cos(γ2d)
,
(64)
i sinϕ
=
S1,y (λ) J1 (ρλ) e-iγ1zλ2dλ,
(68)
2π
0
η
(
Ê+
=
u3y cos2 (γ2d) + v3y sin2 (γ2d) +
3,y
где
ωμ0D
)
+ iw3y sin(γ2d) cos(γ2d)
,
(65)
1
S1,y (λ) =
(u1y cos (γ2d) + iv1y sin (γ2d))
ωμ0D (λ)
2
— также функция только от λ.
ξÊ+3,x
E+3,y
ξ2 + η
Ê+
=-
-
=
×
3,z
Отметим, что из (67) и (68) следует, что в ци-
γ3
γ3
ωμ0D
(
линдрических координатах E1 (ρ, z) = E1,x cos ϕ +
×
u3z cos2 (γ2d) + v3z sin2 (γ2d) +
)
+ E1,y sinϕ не зависит от ϕ, что соответствует сим-
+ iw3z sin(γ2d) cos(γ2d)
(66)
метрии задачи. Из симметрии также следует, что
51
4*
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
E1,z не зависит от ϕ. Действительно, учитывая (54),
где
получим
1
(
S3,y (λ) =
u3y cos2 (γ2d) +
ωμ0D (λ)
1
)
E1,z (ρ, z) =
λ2S1,z (λ) e-iγ1z ×
+ v3y sin2 (γ2d) + iw3y sin(γ2d)cos(γ2d)
(2π)2
0
Наконец,
× eiρλcos(ϕ-ϑ) λdλ =
1
0
E3,z (ρ, z) =
λ2S3,z (λ) e3(z-d) ×
(2π)2
1
0
=
S1,z (λ) J0 (ρλ)e-iγ1zλ3dλ,
(69)
2π
0
где
× eiρλcos(ϕ-ϑ) λdλ =
1
S1,z (λ) =
(u1z cos (γ2d) + iv1z sin (γ2d)) .
0
ωμ0D (λ)
Полупространство j = 3. Приведем аналогич-
1
=
S3,z (λ)J0 (ρλ)e3(z-d)λ3dλ,
(72)
ные выражения для составляющих полей. Состав-
2π
ляющая по оси x представляется в виде
0
где
1
E3,x (x, y, z) =
×
(2π)2
1
(
S3,z (λ) =
u3z cos2 (γ2d) +
+
ωμ0D (λ)
×
E+3,xe3(z-d)ei(ξx+ηy)dξ dη.
)
+ v3z sin2 (γ2d) + iw3z sin(γ2d)cos(γ2d)
-∞ -∞
Переходя к полярным координатам и учитывая (54),
Итак, мы получили выражения для электрического
получим
поля вертикального диполя, расположенного на гра-
нице пленки в окружающих пленку полупростран-
1
E3,x (ρ, ϕ, z) =
λS3,x (λ) e3(z-d) ×
ствах.
(2π)2
0
8. ЭЛЕМЕНТАРНЫЙ ВЕРТИКАЛЬНЫЙ
× cosϑeiρλcos(ϕ-ϑ) λdλ =
ИЗЛУЧАТЕЛЬ НА СВОБОДНОЙ ГРАНИЦЕ
0
ПЛЕНКИ ЗОЛОТА В СХЕМЕ КРЕЧМАНА
i cosϕ
=
S3,x (λ)J1 (ρλ)e3(z-d)λ2dλ,
(70)
2π
Данная статья задумывалась как продолжение
0
работы по изучению явлений, связанных с поверх-
где
ностной плазмонной волной, которая возбуждается
1
(
по схеме Кречмана и распространяется вдоль сво-
S3,x (λ) =
u3x cos2 (γ2d) +
ωμ0D (λ)
бодной поверхности пленки металла (например, зо-
)
лота) определенной толщины, нанесенной на призму
+ v3x sin2 (γ2d) + iw3x sin(γ2d)cos(γ2d)
[18]. На свободной поверхности пленки возбуждает-
— функция только от λ.
ся волна, которая имеет высокую интенсивность на
Аналогично,
границе раздела и убывает экспоненциально в на-
правлении, нормальном к границе. Если поместить
1
E3,y (ρ, ϕ, z) =
λS3,y (λ) e3(z-d) ×
на свободной поверхности молекулу или нанострук-
(2π)2
0
туру, в которой будет индуцироваться поверхност-
ной волной дипольный момент, то можно найти из-
× sinϑeiρλcos(ϕ-ϑ)λdλ =
лучение индуцированного диполя, разложив диполь
0
на параллельную и перпендикулярную границе со-
ставляющие.
i sinϕ
=
S3,y (λ)J1 (ρλ)e3(z-d)λ2dλ,
(71)
Излучение диполя, ориентированного парал-
2π
0
лельно границе, было исследовано в работе [19].
52
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
В данной работе мы рассмотрим элементарный
излучатель, с вертикальным дипольным моментом,
направленным перпендикулярно пленке. Интерес
представляет пространственная направленность
излучения этого диполя в двух случаях: при из-
лучении диполя на границе двух полупространств
без пленки (d → 0) и с металлической пленкой, по
свободной границе которой может распространять-
ся поверхностная плазмонная волна. Это сравнение
поможет понять влияние поверхностной волны на
направленные свойства элементарного излучателя.
Итак, выберем частоту излучения диполя ω, со-
ответствующую длине волны в вакууме, равной
λ0
= 633 нм, показатель преломления полупро-
странства призмы на этой частоте выберем равным
np = 1.6 (ε1 = 2.56ε0, где ε0 — диэлектрическая
проницаемость вакуума), показатель преломления
свободного полупространства над пленкой — n1 =
= 1 (ε3 = ε0). Диэлектрическую проницаемость зо-
лотой пленки на заданной частоте примем равной
ε2
= (-11.6 + i1.2)ε0 [12], а ее толщину — d =
= 48.6 нм. Как было показано [18], при таких па-
Рис. 6. Нормированные диаграммы направленности по ам-
раметрах в пленке наилучшим образом возбужда-
плитуде поля, вычисленные для элементарного вертикаль-
ется поверхностная плазмонная волна при падении
ного диполя, расположенного на границе двух полупро-
плоской волны p-поляризации со стороны призмы
странств (кривые 1) и на границе золотой пленки опти-
под углом αopt = 40.98 к нормали. Для того чтобы
мальной толщины, нанесенной на призму (кривые 2), в
сторону призмы (а) и в сторону свободного пространст-
оценить влияние такой пленки на излучение дипо-
ва (б)
ля в полупространство призмы и свободное полу-
пространство, были вычислены диаграммы направ-
ленности вертикального диполя, т. е. в плоскостях,
нормальных границе, проходящих через центр ди-
Rs = 158λ0, т. е. поля вычислялись в дальней зоне
поля. Диаграммы вычислялись по амплитуде поля
излучения диполя.
и нормировались на максимум излучения.
На рис. 6а показаны диаграммы направленнос-
Из рис. 6a видно, что в отсутствие металличе-
ти элементарного вертикального диполя в полупро-
ской пленки максимум излучения в призму пример-
странство призмы для двух случаев. Первый слу-
но соответствует углу полного внутреннего отраже-
чай — пленка отсутствует (кривая 1 ), при этом ди-
ния призмы (кривая 1), который равен 38.7. Когда
поль расположен на границе двух полупространств
появляется металлическая пленка, возникает резкий
с диэлектрическими проницаемостями ε1 и ε3 со сто-
пик излучения (кривая 2) при угле примерно 41,
роны полупространства с ε3. Второй случай — с
однако однозначно связать этот пик на диаграмме
пленкой (кривая 2 ), когда диполь расположен на
с возбуждением поверхностной волны, как кажет-
свободной границе золотой пленки (см. рис. 5б) (на
ся, нельзя. Интерференционные биения на кривых,
границе областей с проницаемостями ε2 и ε3 со сто-
как показали расчеты, определяются конечностью
роны полупространства с ε3). Диаграммы направ-
радиуса Rs и в пределе бесконечного радиуса ис-
ленности представляют собой графики амплитуды
чезают. На рис. 6б представлены такие же, как на
вектора электрического поля Ea в точках на линии
рис. 6а, диаграммы направленности, но в сторону
пересечения плоскости, проходящей через диполь, и
свободного полупространства (в область с проница-
сферы большого радиуса Rs в зависимости от по-
емостью ε3). Из рисунка видно, что наличие метал-
лярного угла θ. Центр сферы находился в начале
лической пленки качественно не меняет направлен-
координат. Угол θ отсчитывался от оси z. В чис-
ных свойств излучения диполя в сторону свободного
ленных расчетах радиус сферы принимался равным
полупространства.
53
А. Б. Петрин
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
γ3
((
)(
)
)
9. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
c3x =
γ22 + γ21
k23 - γ23
+ 2γ21γ22
+
2
γ1γ2k
2
Итак, предложено теоретическое рассмотрение
1
(
(
))
+
γ42 + γ21γ22 + 2γ22
k22 - γ22
,
электромагнитного излучения элементарного ди-
γ2k2
2
польного источника, расположенного в плоскосло-
истой среде. Предложен аналитический метод све-
1
(
(
)
дения электромагнитных полей к одномерным ин-
f3x =
k23
γ22 + γ21
+ 2γ21γ22 -
тегралам для задачи излучения точечного диполя,
γ1γ2γ3k2
2
(
))
1
(
)
расположенного на границе одной пленки. Показа-
- γ23
γ22 + γ21
+
2k22 + γ21 - γ22
на общность метода. Рассмотрена прикладная зада-
γ2k2
2
ча - нахождение направленных характеристик из-
Коэффициенты в формуле (49):
лучения нанообъектов, находящихся на свободной
поверхности пленки золота оптимальной толщины
γ1 + γ3
в схеме Кречмана. Показано, что, при ориентации
a3y =
,
γ1γ3
излучающего диполя перпендикулярно границе, на-
(
)
личие металлической пленки, в которой может воз-
ε1 - ε2 γ1
k23 - γ23
22γ3
γ1 (γ1 + γ3)
b3y =
-
,
буждаться поверхностная волна, существенно влия-
ε2
γ1γ22γ3
γ22γ3
ет на диаграмму направленности излучателя в полу-
пространство призмы, а в свободное полупростран-
ε1 - ε2 k23 - γ3 (γ1 + γ3)
2 (γ1 + γ3)
c3y =
-
ство практически не влияет.
ε2
γ1γ2γ3
γ2γ3
ПРИЛОЖЕНИЕ B
ПРИЛОЖЕНИЕ A
Приведем выражения для коэффициентов u, v,
Приведем выражения для коэффициентов a, b, c,
w.
d, e, f.
Коэффициенты в формуле (61):
Коэффициенты в формуле (45):
γ1 + γ3
γ3 + γ1
γ1γ3 + γ22
a1x = - (γ1 + γ3), d1x = -
,
u1x = -
,
v1x =
γ1γ3
γ3
γ2γ3
Коэффициенты в формуле (62):
γ1γ3 + γ22
b1x =
,
γ2
γ3 + γ1
γ1γ3 + γ22
u1y = -
,
v1y =
γ3
γ2γ3
γ3 + γ1
(ε2 - ε1)k23
e1x =
+
γ2γ3
ε2γ1γ2γ3
Коэффициенты в формуле (63):
Коэффициенты в формуле (46):
γ3 + γ1
γ1γ3 + γ22
u1z = -
,
v1z =
γ1 + γ3
γ1γ3
γ1γ2γ3
a1y =
,
γ1γ3
Коэффициенты в формуле (64):
(
)
)
2
(γ1 + γ3) k
γ22 + γ1γ3
k22
1
1
u3x =
,
v3x = -
,
b1y =
( (ε1 - ε2) k23 - γ1 (γ1 + γ3)
γ1k23
γ22k2
γ1γ2γ3
ε2
3
Коэффициенты в формуле (48):
w3x =
γ1 + γ3
(
)(
)
(
)
a3x = - (γ1 + γ3), d3x = -
,
k2323
γ21+γ22+2γ1γ3
+γ1
γ21γ3+γ22γ3+2γ1γ22
γ1γ3
=-
k23γ1γ
2
1
[
(
)
]
b3x =
γ1γ3
k23 - γ23
+γ3γ31 + γ22k21
,
Коэффициенты в формуле (65):
γ1k2
2
(
)
1
[
(
)
]
(γ1 + γ3) k21
γ22 + γ1γ3
k22
e3x =
γ3γ21
k22 + γ22
3γ42 + k21γ1γ22
,
u3y =
,
v3y = -
,
k22γ1γ22γ3
γ1k23
γ22k2
3
54
ЖЭТФ, том 159, вып. 1, 2021
Элементарный излучатель на границе. ..
w3y =
6. A. Sommerfeld, Ann. Physik. (Leipzig) 81,
1135
(
)(
)
(
)
(1926).
k2323
γ21+γ22+2γ1γ3
+γ1
γ21γ3+γ22γ3+2γ1γ22
=-
γ1γ2k2
3
7. J. R. Wait, IEEE Anten. Propag. Magazine 40(5), 7
(1998).
Коэффициенты в формуле (66):
(
)
8. R. W. P. King and G. S. Smith, Antennas in Matters,
(γ1 + γ3) k21
2
γ2
+γ1γ3
k22
MA: M.I.T. Press, Cambridge (1981).
u3z = -
,
v3z =
,
γ1γ3k23
γ22γ3k2
3
9. T. T. Wu, J. Appl. Phys. 28(3), 299 (1957).
10. R. H. Jansen, IEEE Trans. Microwave Theory Tech.
w3z =
(
)(
)
(
)
33, 1043 (1985).
3
k223
γ21+γ22+2γ1γ3
+γ1
γ21γ3+γ22γ3+2γ1γ2
2
=
11. R. W. P. King, IEEE Trans. Microwave Theory Tech.
γ1γ2γ3k2
3
36, 1080 (1988).
12. Л. Новотный, Б. Хехт, Основы нанооптики, под
ЛИТЕРАТУРА
ред. В. В. Самарцева, Физматлит, Москва (2009).
1. E. Kretschmann and H. Z. Raether, Naturforsch.
13. J. B. Pendry, Phys. Rev. Lett. 85, 3966 (2000).
A 23, 2135 (1968).
14. А. Б. Петрин, ЖЭТФ 134, 436 (2008).
2. H. Raether, Surface Plasmons, Springer-Verlag,
Berlin (1988).
15. А. Б. Петрин, Опт. и спектр. 125, 375 (2018).
3. W. L. Barnes, J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 8, S87
16. А. Б. Петрин, Опт. и спектр. 126, 350 (2019).
(2006).
17. А. Б. Петрин, Опт. и спектр. 127, 654 (2019).
4. R. Garabedian, C. Gonzalez, J. Richards et al.,
Sensors and Actuators A 43, 202 (1994).
18. А. Б. Петрин, Опт. и спектр. 127, 1051 (2019).
5. А. Б. Петрин, Опт. и спектр. 125, 830 (2018).
19. А. Б. Петрин, Опт. и спектр. 128, 1676 (2020).
55