Письма в ЖЭТФ, том 109, вып. 2, с. 112 - 117

Строение сегнетоэлектрических пленок Hf_0.9La_0.1O₂, полученных

методом атомно-слоевого осаждения

Т. В. Перевалов^+∗1), В. А. Гриценко^+∗×, А. К. Гутаковский⁺, И. П. Просвирин^◦

⁺Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия

^∗Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

^×Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия

^◦Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Поступила в редакцию 21 ноября 2018 г.

После переработки 21 ноября 2018 г.

Принята к публикации 23 ноября 2018 г.

В работе изучаются тонкие пленки оксида гафния, легированные La, синтезированные методом

плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения с последующим быстрым отжигом. Установлено,

что исследуемые пленки имеют орторомбическую нецентросимметричную структуру с пространствен-

ной группой Pmn21. Показано, что пленки обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Определено

отношение атомных концентраций элементов в пленке и показано, что пленка состоит из смеси фаз HfO2

и La2O3. Показано, что травление ионами аргона приводит к генерации кислородных вакансий в концен-

трации около 1 ат.% в приповерхностной области пленки, причем вакансии образуются преимущественно

за счет выбивания атомов кислорода в междоузельные позиции, с образованием пары Френкеля.

DOI: 10.1134/S0370274X19020097

Cегнетоэлектрический эффект в тонких (∼ 10 нм)

зации в орторомбическую фазу с пространственной

пленках оксида гафния делает их перспективными

группой Pca2₁ [3-5].

для использования в качестве активной среды эле-

HfO₂, легированный лантаном (HfO₂:La), имеет

мента энергонезависимой сегнетоэлектрической па-

высокое значение спонтанной поляризации (P_r

мяти (Ferroelectric Random Access Memory - FRAM)

> 30 Кл/см²) [10], большое число циклов перепро-

[1]. Установлено, что легирование тонких пленок

граммирования (∼ 10⁹ циклов) [5] и широкое окно

HfO₂ различными элементами (La, Al, Y, Sc, Sr,

процесса по отношению к концентрации примеси

Gd) может привести к стабилизации при нормаль-

(≈ 12 %) [4]. Установлено, что уровень легирования

ных условиях нецентросимметричной (полярной) ор-

около 10 % приводит к наибольшей спонтанной по-

торомбической фазы HfO₂, для которой возможна

ляризации [4]. Такая концентрация примеси отвечает

спонтанная поляризация среды, сохраняющаяся по-

стехиометрии Hf_0.9La_0.1O₂. Несмотря на обилие ра-

сле отключения внешнего электрического поля (се-

бот, посвященных изучению электрофизики элемен-

гнетоэлектрический эффект) [3-7]. Обнаружение се-

тов FRAM на основе HfO₂: La, атомная структура

гнетоэлектрических свойств в пленках субмикрон-

HfO₂:La остается неизученной. В свою очередь, пони-

ного масштаба материала на основе HfO₂, который

мание строения HfO₂:La является важным для реше-

уже используется в технологической линейке крем-

ния задачи эффективного управления его свойства-

ниевого производства, открывает реальную перспек-

ми. HfO₂:La может представлять собой либо смесь

тиву замены традиционных перовскитных пленоч-

фаз оксида гафния и оксида лантана, либо систему

ных структур в FRAM [1]. По данным рентгеновской

типа твердого раствора замещения. Знание структу-

дифракции и квантово-химического моделирования

ры HfO₂:La необходимо для изучения электронной

HfO₂ имеет две полярные орторомбические фазы вы-

структуры вакансий кислорода в материале, кото-

сокого давления (Pca2₁ и Pmn2₁) [8, 9]. Как пра-

рые, по косвенным данным, образуются при деграда-

вило, отжиг легированных пленок HfO₂, синтезиро-

ции диэлектрика [11, 12]. Вакансии кислорода оказы-

ванных методом атомно-слоевого осаждения (atomic

вают влияние на такие свойства FRAM, как стабили-

layer deposition - ALD), приводит к их кристалли-

зация орторомбической фазы, напряжение переклю-

чения поляризации, число переключаемых доменов

¹⁾e-mail: timson@isp.nsc.ru

и напряжение пробоя [4, 13, 14].

112

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 1 - 2

2019

Строение сегнетоэлектрических пленок Hf_0.9La_0.1O₂, полученных методом атомно-слоевого осаждения 113

Данное исследование посвящено характеризации

зоне анализа (на глубине ∼ 6 нм) осуществлялось по

атомной структуры сегнетоэлектрических пленок

интегральным интенсивностям основных линий Hf,

Hf_0.9La_0.1O₂, синтезированных методом плазма-

La и O с учетом коэффициентов атомной чувстви-

стимулированного атомно-слоевого осаждения с

тельности элементов [15]. Для очистки поверхности

последующим быстрым отжигом.

пленки проводилось ее травление ионами Ar⁺ с

Пленки HfO₂: La толщиной 10 нм синтезирова-

энергией 1.1 кэВ, плотностью тока 8 мкА/см², в те-

лись методом плазма-стимулированного атомно-

чение 5 минут с помощью ионной пушки IQE 11/35.

слоевого осаждения (Plasma Enhanced Atomic Layer

Кроме того, ионное травление использовалось, как

Deposition - PEALD). В качестве реагентов исполь-

способ возможной генерации вакансий кислорода в

зовались Hf(NC₂H₅CH₃)₄ при 100^◦C, La(iPrCp)₃ при

структуре оксида [16, 17].

170^◦C и плазма O₂+Ar. Для синтеза Hf_0.9La_0.1O₂ от-

Квантово-химическое моделирование осуществ-

ношение числа циклов TEMAH-плазма/La(iPrCp)₃-

лялось в программном пакете Quantum-ESPRESSO

плазма составляло

12:1. Температура подложки

в рамках теории функционала плотности (ТФП)

235^◦C. После синтеза пленки отжигались в течение

в модели периодических ячеек [18]. Использовал-

30 с при 400^◦C в атмосфере азота N₂ (rapid thermal

ся гибридный обменно-корреляционный функционал

annealing - RTA). Пленки синтезировались на Si

Беке-Ли-Янга-Парра “B3LYP”. Волновые функции

(001) подложке. Процедура получения структур

валентных электронов раскладывались по базису из

FRAM-элемента памяти TiN/HfO₂:La/TiN, а также

плоских волн с энергией отсечки 880 эВ, остов учи-

измерение и обсуждение его сегнетоэлектрических

тывался через сохраняющие норму псевдопотенциа-

характеристик описаны в работе [5].

лы. Структура Hf_0.9La_0.1O₂ была получена замеще-

Для определения структурных параметров

нием двух атомов Hf на La в 72-х атомной суперячей-

Hf_0.9La_0.1O₂ использовалась высокоразрешающая

ке, полученной трансляцией 2 × 2 × 3 примитивной

электронная микроскопия (ВРЭМ). Структура

ячейки орторомбичекской Pmn2₁ фазы HfO₂ [8]. Ва-

выращенных образцов исследовалась на попереч-

кансии кислорода создавались удалением атома кис-

ных срезах (1 1 0) с использованием электронного

лорода из суперячейки с последующей релаксацией

микроскопа JEOL-4000EX при ускоряющем напря-

всех атомов. Пространственное положение атомов La

жении 400 кВ. ВРЭМ-изображения получались в

и вакансии кислорода в суперячейке осуществлялось

оптимальных условиях (дефокусировка Шерцера

по принципу минимума полной энергии, с анализом

ξSch = -45 нм). Поперечный срез (1 1 0) подготав-

всех неэквивалентных положений. Методика модели-

ливался стандартным способом с использованием

рования РФЭС валентной зоны описана в работе [19].

травления ионами Ar⁺. Анализ ВРЭМ-изображений

По данным ВРЭМ, исследуемая пленка имеет по-

и модели кристаллической структуры проводил-

ликристаллическую структуру с крупными кристал-

ся с помощью программного обеспечения Gatan

лическими зернами: размер отдельных зерен более

Microscopy Suite и CaRIne Crystallography соответ-

100 нм. Два фрагмента ВРЭМ-изображения пленки

ственно.

Hf_0.9La_0.1O₂ с различной ориентацией относительно

Состав Hf_0.9La_0.1O₂ анализировался методом

подложки Si, а также их цифровое быстрое Фурье-

рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии

преобразование (БФП) показаны на рис. 1a, b. Для

(РФЭС) на приборе фирмы SPECS’s XPS, с

лучшей визуализации отдельных рефлексов изоб-

использованием полусферического анализатора

ражения БФП показаны в негативе. На представ-

PHOIBOS-150-MCD-9 и монохроматора FOCUS-

ленных изображениях хорошо различимы два сор-

500

(излучение AlKα,

1486.74 эВ,

200 Вт). Для

та атомных плоскостей с межплоскостными рас-

калибровки положения

фотоэлектронных линий

стояниями ≈ 0.29 и ≈ 0.38 нм (рис.1a), и ≈0.23 и

использовался метод внутреннего стандарта, в ка-

≈0.29 нм (рис.1b). Значения (0.29; 0.29 и 0.38 нм) и

честве которого использовалась линия углерода C

ортогональное расположение атомных плоскостей на

1s - 285 эВ, появляющаяся от слоя углеводородов,

ВРЭМ-изображении указывают на то, что фрагмент

присутствующих на поверхности образца. После

имеет орторомбическую кристаллическую структу-

вычитания фона по методу Ширли, эксперимен-

ру HfO₂ [9]. Модель кристаллической решетки, со-

тальные кривые остовных уровней раскладывались

ответствующая ВРЭМ-изображению на рис.1a, по-

на ряд линий в виде свертки функций Лоренца и

строенная с использованием координат атомов для

Гаусса, соответствующих фотоэмиссии электронов

Pmn2₁ фазы HfO₂ из работы [9], представлена на

из атомов в различном химическом окружении.

рис. 1с, d. Для данной (предполагаемой) структуры

Определение атомных соотношений элементов в

также рассчитана геометрия дифракционной кар-

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 1 - 2

2019

114

Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин

но, что структура кристаллизуется в некоторую

орторомбическую фазу, поскольку существует ряд

других возможностей: напряженные тетрагональная

и кубическая фазы или их смесь, напряженные

неполярные орторомбические фазы, и полярные

фазы Pca2₁ и Pmn2₁. Факт того, что структу-

ра действительно полярная (Pca2₁ или Pmn2₁),

косвенным образом подтверждается наличием ги-

стерезиса спонтанной поляризации МДП-структуры

TiN/Hf_0.9La_0.1O₂/TiN, измеренный при различных

амплитудах развертки напряжения (рис. 2). Данный

Рис. 2. Гистерезис спонтанной поляризации структуры

TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN с различной амплитудой напря-

жения развертки

результат, указывает на то, что пленка Hf_0.9La_0.1O₂,

Рис. 1. (Цветной онлайн) (а), (b) - ВРЭМ-изображения

зажатая между TiN электродами, также имеет

Hf0.9La0.1O2 с различной ориентацией относительно

полярную (орторомбическую) структуру. Одна-

подложки Si и их цифровое Фурье-преобразование.

ко, трудно сказать точно, какую именно из двух

(с) - Фрагмент изображения (а) и модель кристалличе-

возможных (Pca2₁ или Pmn2₁), поскольку отжиг

ской структуры. (d), (e) - Модель кристаллических ре-

после напыления электродов приводит к некоторой

шеток Pmn21-HfO2 и Si (0 0 1) и соответствующая рас-

деформации тонкой диэлектрической пленки.

считанная дифракционная картина. Цифры - индексы

Величина спонтанной поляризации (или окна па-

Миллера и межплоскостные расстояния

мяти 2P_r) заметно возрастает с увеличением ампли-

туды развертки напряжения с 3.5 до 4.5 В (рис. 2).

тины: Pmn2₁-HfO₂ поперечного сечения (1 1 0) - Si

Напряжения развертки выше 4.5 В приводят к про-

(001) (рис. 1e). Ось дифракционной картины парал-

бою диэлектрика. Окно памяти 2P_r = 23 Кл/см² при

лельна направлениям [1 1 0] HfO₂/[1 1 0] Si. ВРЭМ-

напряжении развертки 4.5 В близко к максимально-

изображение полностью соответствует построенной

му значению, которое ранее было получено для ана-

модели (рис. 1c), как по геометрии, так и по межплос-

логичных структур, но с концентрацией La ∼ 1 % [5].

костным расстояниям. Таким образом, можно заклю-

Таким образом, можно сделать вывод, что исследуе-

чить, что исследуемая пленка имеет орторомбиче-

мая пленка с ∼ 10 % содержанием La хорошо подхо-

скую структуру с пространственной группой Pmn2₁

дит для сегнетоэлектрической памяти.

и постоянными решетки: a = 0.341 нм, b = 0.518 нм,

Спектр РФЭС Hf

4f исходной пленки

c = 0.383нм.

Hf_0.9La_0.1O₂/Si хорошо описывается одним дуб-

Интересно отметить, что, как правило, се-

летом с положением Hf 4f_7/2 при энергии 17.1 эВ

гнетоэлектрическим пленкам HfO₂ приписывают

(рис. 3). Этот дублет соответствует Hf в состоянии

пространственную группу Pca2₁ [3-5]. Возможным

Hf⁴⁺ и обусловлен связью Hf-O в стехиометри-

объяснением обнаружения иной симметрии кристал-

ческом HfO₂

[20, 21]. Это указывает на то, что

ла является высокая концентрация La в исследуемой

атомы Hf в Hf_0.9La_0.1O₂ входят в состав Hf-O(7)

пленке. Строго говоря, сложно сказать однознач-

и/или Hf-O(8) структурных единиц, образующих

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 1 - 2

2019

Строение сегнетоэлектрических пленок Hf_0.9La_0.1O₂, полученных методом атомно-слоевого осаждения 115

В результате травления ионами Ar⁺ наблюда-

ется уширение пиков Hf 4f и La 3d_5/2 в сторону

низких энергий связи (рис. 3). Это свидетельству-

ет о частичном разупорядочении приповерхностной

области пленки (образовании структурных дефек-

тов). Деконволюция спектров с той же полушири-

ной на полувысоте (ПШПВ), что и для исходных,

выявляет дополнительный Hf 4f дублет с пиком Hf

4f7/2 при 16.3 эВ и для La 3d5/2 дополнительный

пик при 833.0 эВ. Данный химический сдвиг указы-

вает на присутствие в оксиде атомов Hf и La с мень-

шей степенью окисления [25]. Можно сделать вывод,

что травление ионами Ar⁺ приводит к образованию

кислородных вакансий в приповерхностной области

Hf_0.9La_0.1O₂. Данный результат ожидаем, поскольку

подтверждается для многих оксидных high-κ диэлек-

триков и, в частности, для HfO₂ [16].

Последний вывод подтверждается сравнени-

ем экспериментального РФЭС валентной зоны с

Рис. 3. (Цветной онлайн) РФЭС уровней Hf 4f и La

расчетным для модельной структуры кристалла

3d_5/2 исходной пленки Hf0.9La0.1O2, после травления

Hf_0.9La_0.1O₂ с кислородными вакансиями (рис. 4).

ионами Ar⁺ и после отжига при 700^◦. Символы - экспе-

риментальные данные; линии - разложение на отдель-

Расчетные спектры хорошо описывают ширину и

ные компоненты, красные линии - сумма компонентов

разложения

стехиометрический HfO₂. Спектр РФЭС La 3d_5/2

состоит из основного пика фотоэмиссии в диапазоне

энергий связи 833.8-834.2 эВ и сателлита в области

больших энергий, в соответствии с литературными

данными для La₂O₃ [22, 24] (рис. 3). Этот сателлит

обычно приписывают процессу, в котором элек-

тронная плотность смещается от заполненного O^2-

2p к пустым уровням La3+ 4f (так называемый

“ shake-up” сателлит) [24]. Спектр РФЭС La 3d5/2

указывает на то, что атомы La в Hf_0.9La_0.1O)₂

находятся преимущественно в составе La₂O₃. Таким

образом, можно сделать вывод, что исследуемая

пленка Hf_0.9La_0.1O₂ состоит из смеси HfO₂ и La₂O₃.

Иными словами, атомная структура Hf_0.9La_0.1O₂

может быть описана моделью смеси фаз HfO₂ и

La₂O₃, исключающей образование Hf-La связей,

которые предполагаются моделью случайной связи.

Рис. 4. (Цветной онлайн) РФЭС валентной зоны исход-

Отметим, что формированию Pmn2₁ фазы спо-

ной пленки Hf0.9La0.1O2, после травления ионами Ar⁺

собствует легирование пленки лантаном, в данном

и после отжига при 700^◦. Символы - эксперименталь-

случае, весьма сильное, так что меняется стехиомет-

ные данные, синие кривые - расчетный спектр для мо-

дельного кристалла, красная - для того же кристалла

рия пленки. В результате такого легирования, поми-

с вакансиями кислорода

мо образования оксида гафния, вполне возможно об-

разование оксида лантана. На ВРЭМ-изображениях

кристаллическая фаза оксида лантана не видна, что,

количество основных пиков экспериментального

вероятнее всего, указывает на присутствие оксида

спектра. Асимметрия пиков теоретического спектра

лантана в аморфном состоянии.

объясняется простотой расчетной модели. Строго

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 1 - 2

2019

8^∗

116

Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин

говоря, используемая в расчетах кристаллическая

щего эффекта от поверхностного углерода, который

структура Hf_0.9La_0.1O₂ является некорректной,

для фотоэлектронов La в процентном отношении

поскольку не отвечает модели смеси фаз HfO₂

больше, чем для фотоэлектронов Hf, поскольку плен-

и La₂O₃. Представленное сопоставление расчета

ка изначально содержит малую долю La. В пределах

и эксперимента оправдывается тем, что РФЭС

точности РФЭС можно заключить, что отжиг образ-

валентной зоны формируется фотоэлектронами

ца при 700^◦ в вакууме не изменяет элементный со-

от всех атомов в зоне анализа и слабо зависит от

став. Атомное отношение [La]/[Hf] ≈ 0.1 подтвержда-

строения пленки. Травление ионами Ar⁺ приводит

ет ожидаемую стехиометрию пленки Hf_0.9La_0.1O₂.

к тому, что основные пики РФЭС валентной зоны

Кроме того, поскольку структура исследуемой плен-

становятся неразличимы, вследствие чего его форма

ки описывается моделью смеси фаз, можно сказать,

становится аналогичной форме спектра аморфного

что пленка состоит примерно на 90 % из HfO₂ и на

HfO₂ [25]. Кроме того, наблюдается формирование

10 % из La₂O₃. После травления ионами Ar⁺ атомное

пика низкой интенсивности в диапазоне энергий вы-

отношение [O]/[Hf+La] незначительно уменьшается,

ше потолка валентной зоны (E_V ). Расчетный спектр

что свидетельствует об удалении кислорода из зоны

Hf_0.9La_0.1O₂ с вакансиями кислорода также демон-

анализа. По всей видимости, [O]/[Hf+La] уменьша-

стрирует пик при той же энергии и интенсивности.

ется за счет ухода атомов кислорода, связанных с

Поскольку данный теоретический пик получен

поверхностным углеродом.

для кристалла Hf_0.9La_0.1O₂ с одной вакансией на

Итак, в работе исследована атомная и элек-

атома, можно заключить, что концентрация

тронная структура пленки Hf_0.9La_0.1O₂ толщиной

кислородных вакансий в исследуемой пленке после

10 нм, синтезированной методом PEALD со по-

травления ионами Ar⁺ составляет около 1 ат. %.

следующим быстрым отжигом. Согласно ВРЭМ,

Отжиг после травления ионами Ar⁺ при тем-

Hf_0.9La_0.1O₂ имеет орторомбическую структуру

пературе 700^◦C в вакууме уменьшает ПШПВ для

с пространственной группой симметрии Pmn2₁.

Hf 4f_7/2 и La 3d_5/2 РФЭС до значений, получен-

Гистерезис спонтанной поляризации для структуры

ных для исходного образца. Кроме того, восстанав-

TiN/Hf_0.9La_0.1O₂/TiN демонстрирует окно памяти

ливается форма спектра валентной зоны и пик вы-

больше 23 Кл/см². Анализ РФЭС показывает, что

ше E_V исчезает. Следовательно, в результате отжи-

атомы Hf и La в Hf_0.9La_0.1O₂ находятся преимуще-

га вакансии кислорода “залечиваются” и кристалли-

ственно в составах стехиометрических HfO₂ и La₂O₃

ческая структура исследуемой пленки восстанавли-

соответственно, то есть структура пленки описыва-

вается. Поскольку генерация кислородной вакансии

ется моделью смеси фаз. Показано, что травление

методом травления ионами Ar⁺ является обратимым

ионами Ar⁺ приводит к генерации вакансии кисло-

процессом, можно заключить, что ионы Ar⁺ выбива-

рода в пленке Hf_0.9La_0.1O₂ с концентрацией около

ют атомы кислорода из узлов решетки в междоузель-

1 ат.%. Последующий отжиг при 700^◦ в вакууме

ные позиции, образуя дефекты по Френкелю. Отжиг

в течение 1 ч приводит к исчезновению кислород-

в вакууме приводит к аннигиляции пар вакансия -

ных вакансий в образце. Делается вывод, что при

междоузлие (пар Френкеля).

травлении ионами Ar⁺ образуются пары Френкеля

(кислородная вакансия и междоузельный кислород),

Таблица 1. Рассчитанное по данным РФЭС атомное соотно-

которые аннигилируют в результате отжига.

шение элементов в пленке Hf_0.9La_0.1O₂

Работа выполнена при поддержке Российского

Образец

C, ат. %

La+Hf

научного фонда, грант # 14-19-00192. Моделирова-

Исходный

0.05

1.9

ние осуществлялось на кластере НКС-1П центра

Ar⁺

0.10

1.8

коллективного пользования “Сибирский суперком-

700^◦C

0.11

1.8

пьютерный центр СО РАН”. Авторы благодарят

А.М. Маркеева за предоставленные образцы.

Соотношения атомных концентраций элементов в

поверхностной области исходной пленки Hf_0.9La_0.1O₂

1. T. S. Boescke, J. Muller, D. Brauhaus, U. Schroder and

после травления ионами Ar⁺ и отжига при 700^◦C

U. Bottger, Appl. Phys. Lett. 99, 102903 (2011).

приведены в табл. 1. Концентрация углерода зна-

2. S. Mueller, J. Mueller, A. Singh, S. Riedel, J. Sundqvist,

чительно снижается после ионного травления, что

U. Schroeder, and T. Mikolajick, Adv. Funct. Mater. 22,

указывает на локализацию углерода на поверхности

2412 (2012).

пленки. Удаление углерода увеличивает отношение

3. M. H. Park, Y. H. Lee, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon,

[La]/[Hf]. Это обусловлено уменьшением экранирую-

K. Do Kim, J. Muller, A. Kersch, U. Schroeder,

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 1 - 2

2019

Строение сегнетоэлектрических пленок Hf_0.9La_0.1O₂, полученных методом атомно-слоевого осаждения 117

T. Mikolajick, and C. S. Hwang, Adv. Mater. 27, 1811

T. Mikolajick, J. Appl. Phys. 118, 072006 (2015).

(2015).

14.

Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев,

U. Schroeder, C. Richter, M. H. Park, T. Schenk,

А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, and

M. Pesic, M. Hoffmann, F. P. G. Fengler, D. Pohl,

О. М. Орлов, Письма в ЖЭТФ 102, 610 (2015).

B. Rellinghaus, C. Z. Zhou, C. C. Chung, J. L. Jones,

15.

J. H. Scofield, Journal of Electron Spectroscopy and

and T. Mikolajick, Inorg. Chem. 57, 2752 (2018).

Related Phenomena 8, 129 (1976).

M. G. Kozodaev, A. G. Chernikova, E. V. Korostylev,

16.

T. V. Perevalov, V. S. Aliev, V. A. Gritsenko,

M. H. Park, U. Schroeder, C. S. Hwang, and

A. A. Saraev, and V. V. Kaichev, Microelectronic

A.M. Markeev, Appl. Phys. Lett.

111,

132903

Engineering 109, 21 (2013).

(2017).

17.

Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов,

R. Materlik, C. Kunneth, M. Falkowski, T. Mikolajick,

И. П. Просвирин, Письма в ЖЭТФ 107, 62 (2018).

and A. Kersch, J. Appl. Phys. 123, 164101 (2018).

18.

P. Giannozzi, O. Andreussi, T. Brumme et al.

P. Buragohain, C. Richter, T. Schenk, H. Lu,

(Collaboration), J. Phys.: Condens. Matter 29, 465901

T. Mikolajick, U. Schroeder, and A. Gruverman, Appl.

(2017).

Phys. Lett. 112, 222901 (2018).

19.

Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, А.А. Сараев, Письма

T. D. Huan, V. Sharma, G. A. Rossetti, and R.

в ЖТФ 42, 97 (2016).

Ramprasad, Phys. Rev. B 90, 064111 (2014).

20.

O. Renault, D. Samour, J. F. Damlencourt, D. Blin,

Q. F. Zeng, A.R. Oganov, A. O. Lyakhov, C. W. Xie,

F. Martin, S. Marthon, N. T. Barrett, and P. Besson,

X.D. Zhang, J. Zhang, Q. Zhu, B. Q. Wei, I. Grigorenko,

Appl. Phys. Lett. 81, 3627 (2002).

L. T. Zhang, and L. F. Cheng, Acta Crystallogr. C 70,

21.

R. Jiang, E. Q. Xie, and Z. F. Wang, Appl. Phys. Lett.

76 (2014).

89, 142907 (2006).

10.

J. Muller, T. S. Boscke, S. Muller et al. (Collaboration),

22.

C. V. Ramana, R. S. Vemuri, V. V. Kaichev,

2013

Ieee International Electron Devices Meeting

V. A. Kochubey, A. A. Saraev, and V.V. Atuchin,

(IEDM) 13-283, 10.18.11 (2013).

ACS Appl. Mater. Inter. 3, 4370 (2011).

11.

M. Pesic, F. P. G. Fengler, L. Larcher, A. Padovani,

23.

Z. Boukha, L. Fitian, M. Lopez-Haro, M. Mora,

T. Schenk, E. D. Grimley, X. H. Sang, J. M. LeBeau,

J. R. Ruiz, C. Jimenez-Sanchidrian, G. Blanco,

S. Slesazeck, U. Schroeder, and T. Mikolajick, Adv.

J. J. Calvino, G. A. Cifredo, S. Trasobares, and

Funct. Mater. 26, 4601 (2016).

S. Bernal, J. Catal. 272, 121 (2010).

12.

D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, and T. V. Perevalov,

24.

M. F. Sunding, K. Hadidi, S. Diplas, O. M. Lovvik,

ECS Transactions 69, 197 (2015).

T. E. Norby, and A. E. Gunnaes, Journal of Electron

Spectroscopy and Related Phenomena 184, 399 (2011).

13.

M. Hoffmann, U. Schroeder, T. Schenk, T. Shimizu,

H. Funakubo, O. Sakata, D. Pohl, M. Drescher,

25.

V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, and D. R. Islamov,

C. Adelmann,

R. Materlik, A. Kersch, and

Phys. Rep. 613, 1 (2016).

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 1 - 2

2019