Письма в ЖЭТФ, том 109, вып. 7, с. 466 - 472

Насыщение поглощения экситонов в нанопластинках CdSe/CdS

при их нестационарном возбуждении

А. М. Смирнов^+∗1), А. Д. Голинская^+∗, Е. В. Жаркова^∗, М. В. Козлова^∗, Б. М. Саиджонов^×, Р. Б. Васильев^×,

В.С.Днепровский^∗

⁺Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия

^∗МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники,

119991 Москва, Россия

^×МГУ им. М. В. Ломоносова, Факультет наук о материалах, 119991 Москва, Россия

Поступила в редакцию 30 января 2019 г.

После переработки 30 января 2019 г.

Принята к публикации 6 февраля 2019 г.

Определены особенности нелинейного поглощения коллоидных нанопластинок селенида кадмия

CdSe с оболочкой из сульфида кадмия CdS в случае однофотонного нестационарного возбуждения эк-

ситонов. При изменении толщины оболочки нанопластинок удалось осуществить как резонансное воз-

буждение экситонов, связанных с легкими и тяжелыми дырками, так и нерезонансное возбуждение. Об-

наружено насыщение поглощения коллоидных растворов нанопластинок, которое объяснено эффектом

заполнения фазового пространства экситонов. Отличие величин интенсивностей насыщения нанопла-

стинок CdSe с различной толщиной оболочки CdS объяснены особенностями возбуждения и релаксации

экситонов. Увеличение поглощения в случае интенсивности возбуждения, существенно превышающей

интенсивность насыщения, объяснено процессами экситон-экситонного взаимодействия и обмена энер-

гией между экситонами, связанными с тяжелыми и легкими дырками.

DOI: 10.1134/S0370274X19070063

Введение. Исследование нелинейно-оптических

их использования при создании и повышения эффек-

свойств коллоидных нанокристаллов ведется на про-

тивности современных оптоэлектронных устройств

тяжении последних 30 лет. Модельным объектом

на их основе (лазеров, солнечных элементов, свето-

стали квантовые точки CdSe и CdS - нульмерные

диодов, фотодатчиков и т.д.).

полупроводниковые нанокристаллы, свойства кото-

Растущее количество работ, посвященных изу-

рых были описаны теоретически [1-6] и подтвер-

чению оптических характеристик коллоидных на-

ждены экспериментально [6-11]. Сравнительно но-

нопластинок [12-18], открывает новые вопросы о

выми и менее изученными наноструктурами являют-

природе нелинейно-оптических свойств данных объ-

ся полупроводниковые коллоидные нанокристаллы

ектов, которые представляют несомненный инте-

планарной геометрии (CdSe, CdS, CdTe, CdSe/CdS,

рес для дальнейших исследований. В данной рабо-

CdSe/CdZnS), так называемые нанопластинки [12].

те представлены результаты экспериментального ис-

Они представляют собой одиночные квантовые ямы

следования нелинейного поглощения нанопластинок

с ограниченными латеральными размерами. В дан-

селенида кадмия CdSe с оболочкой CdS при однофо-

ных двумерных системах, толщина которых не пре-

тонном нестационарном возбуждении экситонов пи-

вышает нескольких атомных слоев, а латеральные

косекундными лазерными импульсами.

размеры составляют 10-200 нм, реализуется эффект

Синтез коллоидных нанопластинок и опи-

размерного квантования в одном направлении. При

сание эксперимента. Для синтеза нанопласти-

этом нанопластинки имеют узкую полосу люминес-

нок ядро-оболочка CdSe/CdS, коллоидным методом

ценции (10-20 нм) [13], меньшие, по сравнению с

[17, 19] сначала были получены однофазные нанопла-

квантовыми точками, времена затухания люминес-

стинки CdSe толшиной 1.5 нм. Длина волны погло-

ценции (∼ 1 нс) [12, 14, 15]. Изучение свойств данных

щения, соответствующая экситонному переходу из

низкоразмерных структур представляет интерес для

подзоны тяжелых дырок в подзону проводимости

(1hh-1e), составляла 463 нм (рис. 1a). Далее рост обо-

¹⁾e-mail: alsmir1988@mail.ru

лочки CdS проводился методом низкотемператур-

466

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 7 - 8

2019

Насыщение поглощения экситонов в нанопластинках CdSe/CdS...

467

Рис. 1. (a) - Спектр поглощения коллоидного раствора нанопластинок CdSe без оболочки. Просвечивающая электрон-

ная микроскопия (ПЭМ) нанопластинок CdSe/1CdS (b), CdSe/2CdS (c) и CdSe/3CdS (d)

ного послойного осаждения материала оболочки на

ны λ = 532 нм) осуществлялось возбуждение эк-

поверхности ранее синтезированных нанопластинок

ситонных переходов в нанопластинках (коллоидный

CdSe в полярной среде [20].Таким образом, были вы-

раствор). Было реализовано резонансное возбужде-

ращены гетероструктуры с одним (CdSe/1CdS), дву-

ние экситонного перехода 1hh-1e в нанопластинках

мя (CdSe/2CdS) и тремя (CdSe/3CdS) монослоями

CdSe/1CdS и экситонного перехода из подзоны лег-

оболочки и с длиной волны поглощения, соответ-

ких дырок в подзону проводимости (1lh-1e) в нано-

ствующей экситонному переходу 1hh-1e - 540, 582

пластиках CdSe/2CdS; возбуждение нанопластинок

и 603 нм соответственно. Изображения просвечиваю-

CdSe/3CdS осуществлялось в коротковолновый край

щей электронной микроскопии (ПЭМ) исследуемых

экситонного перехода 1lh-1e (рис. 2). Излучение ла-

нанопластинок представлены на рис. 1b, c, d. Спек-

зера представляло собой цуг импульсов с интерва-

тры линейного поглощения образцов представлены

лом между импульсами 7 нс. Длительность импуль-

на рис. 2. Концентрация нанопластинок в растворе

сов была измерена стрик-камерой Hamamatsu C979

N-метилформамида n ∼ 10¹⁵.

и составляла около 35 пс. Таким образом, при вре-

Импульсами второй гармоники Nd³⁺:YAG лазе-

мени излучательной рекомбинации исследуемых на-

ра с пассивной синхронизацией мод (длина вол- нопластинок (при комнатной температуре 0.5-2 нс

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 7 - 8

2019

3^∗

468

А. М. Смирнов, А. Д. Голинская, Е. В. Жаркова и др.

указана излучательная рекомбинация c участием эк-

ситона связанного с тяжелой дыркой. Цифрой 1 на

рис. 3b обозначен процесс дефазировки экситонов,

осуществляющийся посредством взаимодействия эк-

ситонов с акустическими и оптическими фононами.

Релаксация экситонов в состояние с минимальной

энергией происходит с субпикосекундными времена-

ми [15, 29], что много меньше длительности возбуж-

дающих лазерных импульсов. Для данного процесса

релаксации возбуждение пикосекундными импульса-

ми носит стационарный характер.

При воздействии на коллоидную нанопластинку

CdSe/1CdS излучением с энергией фотона, равной

энергии экситонного перехода 1hh-1e, образуется эк-

ситон с энергией связи более 200 мэВ. С увеличени-

ем интенсивности возбуждения количество эксито-

нов в каждой нанопластинке возрастает, что приво-

дит к заполнению фазового пространства экситонов

Рис. 2. (Цветной онлайн) Спектры поглощения иссле-

и уменьшению поглощения коллоидного раствора на-

дуемых коллоидных растворов нанопластинок. Стрел-

нопластинок. Для определения концентрации экси-

ками указана энергия и длина волны фотона второй

тонов, соответствующей насыщению, вводится пара-

гармоники лазера

метр насыщения N_S (плотность или концентрация

насыщения) [30]:

[12, 14, 15]) много больше длительности лазерных им-

пульсов было реализовано нестационарное возбужде-

ние экситонов.

N_S =

(1)

32 πa²

Экспериментальная схема позволяла одновремен-

но измерять распределение энергии по импульсам в

падающем и прошедшем через образец цуге импуль-

Для определения вклада эффекта заполнения фа-

сов, что позволило определить изменение пропуска-

зового пространства в возникновение нелинейно-

ния образцов в зависимости от интенсивности воз-

го уменьшения поглощения с увеличением интен-

буждающих импульсов. Изменение амплитуды цу-

сивности возбуждения было оценено число экси-

гов импульсов и, соответственно, интенсивности воз-

тонов в каждой нанопластинке, соответствующее

буждения дополнительно осуществлялось с помо-

концентрации насыщения. Увеличение электронно-

щью нейтральных оптических фильтров. Для исклю-

дырочной кулоновской связи за счет эффекта раз-

чения влияния эффекта фотозатемнения [21-23] бы-

мерного квантования и диэлектрического усиления

ло проведено измерение пропускания всех образцов

экситонов [31, 32] уменьшает радиус двумерного эк-

нанопластинок до и после воздействия на них воз-

ситона примерно вдвое по сравнению с радиусом эк-

буждающего излучения высокой интенсивности. Из-

ситона в объемном полупроводнике, что было пока-

мерения проводились при комнатной температуре.

зано экспериментально и теоретически в одномерных

Экспериментальные результаты и их об-

[33-35] и двухмерных полупроводниковых нанокри-

суждение. Зависимость поглощения от интенсив-

сталлах CdSe [12, 36, 37]. Радиус экситона в объемном

ности накачки коллоидного раствора нанопласти-

CdSe составляет 56Å [38, 39], радиус a_2D двумерно-

нок CdSe/1CdS представлена на рис. 3a. На рисун-

го экситона в нанопластинках CdSe составляет около

ке 3b представлена схема возбуждения и релаксации

30Å [40]. Таким образом, при латеральных размерах

экситонов в нанопластинках. Темно-зеленой стрел-

нанопластинок около 25 × 100 нм, максимальное чис-

кой указано возбуждение образца излучением вто-

ло экситонов в одной нанопластинке может дости-

рой гармоники лазера (λ = 532 нм). Возбуждение

гать значений: η = S_NPLN_S ≈ 20, где S_NPL - площадь

образца CdSe/1CdS осуществляется резонансным об-

нанопластинки.

разом с учетом однородного уширения, связанного с

Далее была оценена интенсивность лазерного им-

взаимодействием экситонов с акустическими и опти-

пульса, необходимая для достижения плотности на-

ческими фононами [24-28]. Светло-зеленой стрелкой

сыщения N_S объема коллоидного раствора с концен-

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 7 - 8

2019

Насыщение поглощения экситонов в нанопластинках CdSe/CdS...

469

Рис. 3. (Цветной онлайн) (a) - Зависимость поглощения коллоидного раствора нанопластинок CdSe/1CdS (черные

треугольники - эксперимент, черная и красная линии - расчет при учете и без учета экситон-экситонного взаимо-

действия соответственно). (b) - Схема возбуждения и релаксации экситонов в нанопластинках CdSe/1CdS. Цифрой 1

обозначен процесс дефазировки экситонов с участием фононов, цифрой 2 обозначен процесс обмена энергией между

экситонами, связанными с тяжелыми и легкими дырками

трацией нанопластинок n ∼ 10¹⁵, ограниченного гео-

жет быть найден с помощью простой модели насы-

метрическими размерами лазерного луча S_las:

щения [41]:

α₀

α(N) =

(4)

1 + N/N

ηℏω_pumpnl

IS =

≈ 35 МВт/см²,

(2)

τ_las(1 - T₀)

Для определения интенсивности насыщения при

сравнении экспериментальных результатов с расче-

где l = 0.1 см - толщина кюветы с коллоидным рас-

том удобно использовать полуэмпирическую зависи-

твором нанопластинок, T₀ ≈ 0.4 - линейное пропус-

мость насыщения [42]:

кание образца, τ_las ≈ 35 пс - длительность импульса,

α₀ - α₁

ℏω_pump - энергия фотона накачки (N_ph =W(1-T0) -_ℏω

α(I) =

+α₁,

(5)

pump

1 + I/I_S

число фотонов, поглощающихся нанопластинками в

коллоидном растворе, W = I_S τ_las S_las - энергии оди-

где α1 - коэффициент поглощения при I

≫ I_S.

ночного лазерного импульса, N_NPL = nS_lasl - коли-

При аппроксимации экспериментальных данных с

чество возбуждаемых нанопластинок).

помощью формулы (5) (рис. 3a, черная линия) бы-

С другой стороны,для количественного описа-

ла определена интенсивность насыщения I_S = 32 ±

ния измеренной зависимости нелинейного поглоще-

± 5МВт/см², значение которой совпало со значени-

ния лазерных импульсов в случае однофотонного

ем, оцененным по формуле (2). Совпадение экспери-

нестационарного возбуждения экситонов в нанопла-

ментальных результатов с расчетами подтверждает

стинках приближенно может быть использовано ско-

предположение о доминирующей роли эффекта за-

ростное уравнение [41]:

полнения фазового пространства экситонов в нели-

нейном уменьшении поглощения коллоидного рас-

α₀I

твора нанопластинок при увеличении интенсивности

(3)

ℏω_pump

τ_ex

возбуждающих импульсов.

При возбуждении экситонов с плотностью, зна-

где I - поток фотонов, τ_ex - время жизни экситона,

чительно превышающей плотность насыщения N_S ,

α₀ - коэффициент линейного поглощения на длине

выявлено, что зависимость поглощения от интен-

волны возбуждения. При этом параметр насыщения,

сивности изменяется. При интенсивности возбуж-

соответствующий экспериментальным данным, мо-

дения образца CdSe/1CdS более 150 МВт/см² об-

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 7 - 8

2019

470

А. М. Смирнов, А. Д. Голинская, Е. В. Жаркова и др.

Рис. 4. (Цветной онлайн) (а) - Зависимость пропускания коллоидного раствора нанопластинок CdSe/2CdS (черные

квадраты - эксперимент, черная линия - расчет), CdSe/3CdS (красные круги - эксперимент, красная линия - рас-

чет) от интенсивности падающего излучения. (b) - Схема возбуждения и релаксации экситонов в нанопластинках

CdSe/2CdS и CdSe/3CdS. Цифрой 1 обозначен процесс дефазировки экситонов с участием фононов, цифрой 2 обозна-

чен процесс обмена энергией между экситонами, связанными с тяжелыми и легкими дырками

наружено увеличение поглощения (рис. 3a, крас-

мых в резонанс и в коротковолновый край экситон-

ная линия), когда существенную роль начинает иг-

ного перехода 1lh-1e соответственно (рис. 4a). Схе-

рать экситон-экситонное взаимодействие [43]. По-

ма возбуждения и релаксации экситонов в нанопла-

другому данный процесс в нанопластинках назы-

стинках CdSe/2CdS и CdSe/3CdS представлена на

вают двух-экситонной Оже-рекомбинацией [40,44].

рис. 4b (обозначения соответствуют рис. 3b). Для об-

Взаимодействие экситонов приводит к их ускоренной

разцов CdSe/2CdS и CdSe/3CdS при аппроксимации

релаксации и появлению электронно-дырочной плаз-

экспериментальных данных с помощью формулы (5)

мы. Характерные времена релаксации при экситон-

были получены значения интенсивности насыщения

экситонном взаимодействии в нанопластинках CdSe

IS = 50 ± 7 МВт/см² и IS = 100 ± 10 МВт/см², соот-

составляют около 10 пс [44], что меньше длительно-

ветственно (рис.4а).

сти возбуждающих импульсов.

Отличие полученных величин интенсивностей на-

Кроме этого, обнаруженное увеличение поглоще-

сыщения от значения I_S нанопластинок CdSe/1CdS

ния, может быть объяснено возрастающей вероят-

может быть объяснено различными режимами воз-

ностью процесса передачи энергии “вверх” от экси-

буждения. Нанопластинки CdSe/2CdS возбуждают-

тонов, связанных с тяжелыми дырками, экситонам,

ся в резонанс с экситонным переходом 1lh-1e, при

связанным с легкими дырками (обозначено цифрой

этом состояния, соответствующие экситонному пе-

2 на рис. 3b). Влияние обмена энергией между экси-

реходу 1hh-1e также возбуждаются (рис. 4b). Таким

тонами, связанными с легкими и тяжелыми дырка-

образом, большее по сравнению с нанопластинка-

ми, на нелинейное поглощение коллоидных раство-

ми CdSe/1CdS значение интенсивности насыщения и

ров нанопластинок CdSe/CdS было эксперименталь-

сравнимое нелинейное уменьшение поглощения объ-

но обнаружено и изучено методом накачки и зон-

ясняется необходимостью заполнения как состояний,

дирования при стационарном возбуждении [45-47].

соответствующих экситонным переходам 1lh-1e, так

Времена обмена энергией между экситонами сравни-

и 1hh-1e. Кроме этого, время передачи энергии “вниз”

мы с длительностью пикосекундных возбуждающих

от экситонов, связанных с легкими дырками, эк-

импульсов.

ситонам, связанным с тяжелыми дырками, мень-

Зависимость поглощения от интенсивности на-

ше, чем обратный процесс [47], что также снижа-

качки была измерена для коллоидных растворов на-

ет темп заполнения фазового пространства эксито-

нопластинок CdSe/2CdS и CdSe/3CdS, возбуждае-

нов 1lh-1e. Наибольшая из трех образцов интенсив-

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 7 - 8

2019

Насыщение поглощения экситонов в нанопластинках CdSe/CdS...

471

ность насыщения была измерена для нанопласти-

A. M. Smirnov, A. D. Golinskaya, K. V. Ezhova,

нок CdSe/3CdS, возбуждение которых осуществля-

V. N. Mantsevich, and V. S. Dneprovskii, JETP Lett.

лось в коротковолновый край экситонного перехо-

104, 674 (2016).

да 1lh-1e, что существенно снижает силу осцилля-

10.

A. S. Kulagina, V. V. Danilov, V. B. Shilov,

тора данного перехода, по сравнению со случаем

K. M. Grigorenko, V. V. Vlasov, and G. M. Ermolaeva,

Optics and Spectroscopy 123, 164 (2017).

резонансного возбуждения. Стоит обратить внима-

ние, что для исследуемого диапазона интенсивно-

11.

E. N. Bodunov, V. V. Danilov, A. S. Panfutova, and

стей возбуждения коллоидных растворов нанопла-

A. L. Simoes Gamboa, Ann. Phys. (Berlin) 528, 272

(2016).

стинок CdSe/2CdS и CdSe/3CdS не было обнаруже-

12.

S. Ithurria, M. D. Tessier, B. Mahler, R. P. S. M. Lobo,

но увеличения поглощения при высоких интенсивно-

B. Dubertret, and Al. L. Efros, Nature Mater. 10, 936

стях, как для коллоидного раствора нанопластинок

(2011).

CdSe/1CdS. Это объяснено не достаточной интенсив-

13.

M. Pelton, S. Ithurria, R. D. Schaller, D. S. Dolzhikov,

ностью возбуждения для достижения концентрации

and D. V. Talapin, Nano Lett. 12, 6158 (2012).

экситонов, при которой существенную роль начинает

14.

F. M. Olutas, B. Guzelturk, Y. Kelestemur, A. Yeltik,

играть экситон-экситонное взаимодействие.

S. Delikanli, and H.V. Demir, ACS Nano 9, 5041 (2015).

Выводы. Определены особенности нелинейного

15.

F. T. Rabouw, J. C. van der Bok, P. Spinicelli,

поглощения нанопластинок CdSe с оболочкой CdS

B. Mahler, M. Nasilowski, S. Pedetti, B. Dubertret, and

в случае однофотонного нестационарного возбужде-

D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 16, 2047 (2016).

ния экситонов пикосекундными лазерными импуль-

16.

А. М. Смирнов, А.Д. Голинская, Б. М. Саиджонов,

сами. В зависимости от толщины оболочки CdS бы-

Р. Б. Васильев, В. Н. Манцевич, В. С. Днепровский,

ло реализовано резонансное возбуждение экситон-

Письма в ЖЭТФ (2019) (принято к публикации).

ных переходов 1lh-1e и 1hh-1e, а также возбужде-

17.

S. Ithurria and B. Dubertret, JACS Communications

ние в коротковолновый край экситонного перехода

130, 16504 (2008).

1lh-1e. Обнаружено увеличение пропускания колло-

18.

R. B. Vasiliev, A. I. Lebedev, E. P. Lazareva,

идных растворов нанопластинок на длине волны ла-

N. N. Shlenskaya, V. B. Zaytsev, A. G. Vitukhnovsky,

зерного возбуждения, которое было объяснено эф-

Y. Yao, and K. Sakoda, Phys. Rev. B 95, 165414

фектом заполнения фазового пространства эксито-

(2017).

нов. Установленные различия в величинах интенсив-

19.

N. N. Schlenskaya, Y. Yao, T. Mano, T. Kuroda,

ностей насыщения при разных режимах возбужде-

A. V. Garshev, V.F. Kozlovskii, A. M. Gaskov,

ния были объяснены конкуренцией процессов воз-

R. B. Vasiliev, and K. Sakoda, Chem. Mater. 29, 579

буждения и релаксации экситонов.

(2017).

Работа выполнена при финансовой поддержке

20.

B. M. Saidzhonov, V. F. Kozlovsky, V. B. Zaytsev,

Российского Научного Фонда (РНФ), грант # 18-72-

and R. B. Vasiliev, J. Lumin, https://doi.org/10.1016/

00075.

j.jlumin.2019.01.052 (just accepted manuscript) (2019).

21.

P. Horan and W. Blau, JOSA B 7, 304 (1990).

22.

C. Flytzanis, D. Ricard, and M. C. Schanne-Klein,

1. Ал. Л. Эфрос, А. Л. Эфрос, ФТП 16, 1209 (1982).

J. Lumin. 70, 212 (1996).

2. D. Boese, W. Hofstetter, and H. Schoeller, Phys. Rev.

23.

P. Roussignol, D. Ricard, J. Lukasik, and C. Flytzanis,

B 66, 125315 (2002).

JOSA B 4, 5 (1987).

3. V. N. Mantsevich, N. S. Maslova, and P. I. Arseyev, Solid

24.

A. Al. Salman, A. Tortschanoff, M. B. Mohamed,

State Commun. 168, 36 (2013).

D. Tonti, F. van Mourik, and M. Cherguic, Appl. Phys.

4. P. I. Arseyev, N. S. Maslova, and V. N. Mantsevich,

Lett. 90, 093104 (2007).

JETP Lett. 95, 521 (2012).

25.

Y. N. Hwang, S. H. Park, and D. Kim, Phys. Rev. B 59,

5. V. N. Mantsevich, N. S. Maslova, and P. I. Arseyev, Solid

7285 (1999).

State Commun. 199, 33 (2014).

26.

F. Gindele, K. Hild, W. Langbein, and U. Woggon,

6. V. I. Klimov, Nanocrystal quantum dots, 2-nd ed, CRC

J. Lumin. 87-89, 381 (2000).

Press, Taylor & Francis Group, Boca Raton, London,

N.Y. (2010), ch. 6.

27.

S. Rudin, T. L. Reinecke, and B. Segall, Phys. Rev. B

42, 11218 (1990).

7. A. M. Smirnov, M. V. Kozlova, and V. S. Dneprovskii,

Optics and Spectroscopy 120, 472 (2016).

28.

J. P. Zheng and H. S. Kwok, JOSA B 9, 2047 (1992).

8. V. Dneprovskii, E. Zhukov, M. Kozlova, A. Smirnov,

29.

P. Sippel, W. Albrecht, J. C. van der Bok, R. J. A. van

and T. Wumaier, Moscow University Physics Bulletin

Dijk-Moes, T. Hannappel, R. Eichberger, and

67, 201 (2012).

D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 15, 2409 (2015).

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 7 - 8

2019

472

А. М. Смирнов, А. Д. Голинская, Е. В. Жаркова и др.

30. S. Schmitt-Rink, D. S. Chemla, and D. A. B. Miller,

and L. D. A. Siebbeles, J. Phys. Chem. Lett. 4, 3574

Phys. Rev. B 32, 6601 (1985).

(2013).

31. Н. С. Рытова, Докл. АН СССР 163, 1118 (1965).

41. H. M. Gibbs, G. Khitrova, and N. Peyghambarian,

32. L. V. Keldysh, JETP Lett. 29, 658 (1979).

Nonlinear Photonics, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg

(1990).

33. Е. А. Муляров, С. Г. Тиходеев, ЖЭТФ

111,

274

(1997).

42. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, D. J. Eilenberger, and

34. S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, A. L. Yablonskii,

P. W. Smith, Appl. Phys. Lett. 41, 679 (1982).

A.B. Dzyubenko, L. V. Kulik, V.D. Kulakovskii, and

43. G. A. Boiko, V. S. Dneprovskii, M. V. Kraevskii,

A. Forchel, Phys. Status Solidi (A) 164, 179 (1997).

K. Marinova, S.M. Oak, E. K. Silina, and V. S. Fokin,

35. E. A. Muljarov, E. A. Zhukov, V. S. Dneprovskii, and

Phys. Status Solidi b 85, 111 (1978).

Y. Masumoto, Phys. Rev. B 62, 7420 (2000).

44. E. Baghani, S. K. O’Leary, I. Fedin, D. V. Talapin, and

36. N. A. Gippius, A. L. Yablonskii, A. B. Dzyubenko, and

M. Pelton, J. Phys. Chem. Lett. 6, 1032 (2015).

S. G. Tikhodeev, J. Appl. Phys. 83, 5410 (1998).

45. A. M. Smirnov, A. D. Golinskaya, D. V. Przhiyalkovskii,

37. L. V. Kulik, V. D. Kulakovskii, M. Bayer, A. Forchel,

M. V. Kozlova, B. M. Saidzhonov, R. B. Vasiliev, and

N.A. Gippius, and S. G. Tikhodeev, Phys. Rev. B 54,

V. S. Dneprovskii, Semiconductors 52, 1798 (2018).

R2335 (1996).

46. A. M. Smirnov, A. D. Golinskaya, M. V. Kozlova,

38. A. I. Ekimov, F. Hache, M. C. Schanneklein, D. Ricard,

D. V. Przhiyalkovskii, B. M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev,

C. Flytzanis, I. A. Kudryavtsev, T. V. Yazeva,

and V. S. Dneprovskii, Proceedings of SPIE 10684,

A.V. Rodina, and A. L. Efros, JOSA B 10, 100 (1993).

1068421 (2018).

39. Al. L. Efros, M. Rosen, M. Kuno, M. Nirmal, D. Norris,

47. V. N. Mantsevich, D. S. Smirnov, A. M. Smirnov,

and M. Bawendi, Phys. Rev. B 54, 4843 (1996).

A. D. Golinskaya, M. V. Kozlova, B. M. Saidjonov,

40. L. T. Kunneman, M. D. Tessier, H. Heuclin,

V. S. Dneprovskii, and R. B. Vasiliev, arXiv:1807.00697

B. Dubertret, Y. V. Aulin, F. C. Grozema, J. M. Schins,

(2018).

Письма в ЖЭТФ том 109 вып. 7 - 8

2019