Письма в ЖЭТФ, том 110, вып. 5, с. 297 - 302

Стимулированное излучение на длине волны 2.86 мкм

из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям

в условиях оптической накачки

В.А.Соловьев⁺¹⁾, М.Ю.Чернов⁺, С.В.Морозов^∗, К.Е.Кудрявцев^∗, А.А.Ситникова⁺, С.В.Иванов⁺

⁺Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН,

194021 С.-Петербург, Россия

^∗Институт физики микроструктур РАН, 603087 Н. Новгород, Россия

Поступила в редакцию 2 августа 2019 г.

После переработки 2 августа 2019 г.

Принята к публикации 5 августа 2019 г.

Метаморфные лазерные гетероструктуры In(Sb,As)/In0.81Ga0.19As/In0.75Al0.25As с составными кван-

товыми ямами InSb/InAs/InGaAs на основе субмонослойных вставок InSb в 10 нм-InAs были выращены

методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). В таких структурах без оптиче-

ского резонатора продемонстрировано стимулированное излучение на длине волны λ ∼ 2.86 мкм при

температурах 10-60 К в условиях оптической накачки. Пороговая плотность мощности накачки соста-

вила ∼ 5 кВт/см² при температуре 10 К.

DOI: 10.1134/S0370274X19170028

Одним из подходов к созданию лазеров средне-

зываемой обратной ступени с целью достижения

го инфракрасного (ИК) диапазона с длиной волны

баланса упругих напряжений в данных структу-

λ = 2-5мкм, обладающих широким спектром ком-

рах, в которых отдельные слои содержат напряже-

мерческих применений в различных областях (ИК

ния разного знака (растяжения или сжатия), поз-

спектроскопия, химическая промышленность, эколо-

волили существенно улучшить интенсивность фото-

гия, медицина и др.), является рост лазерных струк-

люминесценции (ФЛ) метаморфных гетероструктур

тур на рассогласованных подложках GaAs с ис-

InSb/InAs/In_0.63Ga_0.37As/In_0.75Al_0.25As с λ = 3.5 мкм

пользованием метаморфного буферного слоя (МБС)

при комнатной температуре [6]. Следует отметить,

переменного состава, что позволяет за счет луч-

что эксперименты по выращиванию 10-периодных

шей теплопроводности широкозонных подложек по

структур с субмонослойными вставками InSb в “объ-

сравнению с узкозонными (InAs, GaSb) повысить

емном” InAs на подложках GaAs с использованием в

мощность оптического излучения и характеристиче-

качестве МБС толстых слоев InAs позволили наблю-

скую температуру (T₀) [1-3]. Еще одним достоин-

дать сигналы как фото-, так и электролюминесцен-

ством такого подхода является относительно низ-

ции с λ ∼ 3.6 мкм, правда, при относительно низких

кая стоимость и высокая технологичность подло-

температурах, не превышающих 180 K [3].

жек GaAs. Недавно нами были предложены гете-

Данная работа посвящена первым попыткам

роструктуры InSb/InAs/InGaAs/InAlAs, полученные

получения стимулированного излучения при оп-

методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на

тической накачке метаморфных гетероструктур

подложках GaAs с использованием МБС InAlAs с

InSb/InAs/In_0.81Ga_0.19As/In_0.75Al_0.25As с расширен-

корневым профилем изменения содержания In по

ным волноводом и активной областью на основе

толщине [4]. В качестве активного слоя в них ис-

составных КЯ InSb/InAs/InGaAs.

пользовались уникальные составные квантовые ямы

Экспериментальные образцы были выращены ме-

(КЯ) W-типа InSb/InAs/InGaAs на основе субмоно-

тодом МПЭ на нелегированных подложках GaAs

слойных вставок InSb в InAs (КЯ типа II) [5], рас-

(001) с использованием установки RIBER 32P и

положенных внутри КЯ типа I InAs/InGaAs. Оп-

содержали последовательно, начиная от подлож-

тимизация конструкции и условий роста МБС, а

ки, буферный слой GaAs толщиной 200 нм, МБС

также определение оптимальной величины так на-

In_xAl_1-xAs толщиной 1.3 мкм с корневым профилем

изменения содержания In (x = 0.05-0.87) по тол-

¹⁾e-mail: vasol@beam.ioffe.ru

щине структуры [6] и активную область, конструк-

Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6

2019

297

298

В.А.Соловьев, М.Ю.Чернов, С.В.Морозов и др.

Рис. 1. (Цветной онлайн) Схематическое изображение зонной диаграммы образца A

ция которой представляла собой модификацию тра-

ние тонких (2 нм) вставок InAlAs в волноводном слое

диционной лазерной гетероструктуры с раздельным

позволяет сохранить шероховатость поверхности на

оптическим и электронным ограничением (рис. 1).

приемлемом уровне. В данной работе волноводный

Активная область включала в себя нижний и верх-

слой в лазерных структурах представлял собой 50-

ний широкозонные ограничительные слои 200 нм -

периодные сверхрешетки (СР) 10 нм-InGaAs/2 нм-

In_0.75Al_0.25As, между которыми размещался волно-

In_0.75Al_0.25As, с очевидностью не препятствующие

водный слой InGaAs толщиной 600 нм с расположен-

транспорту неравновесных носителей в КЯ. Состав

ной в середине него составной КЯ InSb/InAs. Форми-

волноводного слоя выбирался с целью минимизации

рование ультратонкой (∼ 1 монослоя) вставки InSb в

в нем упругих напряжений относительно равновес-

слое InAs, суммарной толщиной 10 нм, осуществля-

ного параметра решетки МБС In_xAl_1-xAs, что, как

лось путем выдержки поверхности InAs под потоком

ранее нами было показано, соответствует величине

сурьмы при температуре 400^◦C [5], в то время как

обратной ступени ∼ 6 мол.% [6]. В нашем случае, это-

остальные слои активной области выращивались при

му условию отвечает содержание In в волноводном

490^◦C. В остальном условия МПЭ роста структур

слое ∼ 81 мол. %.

были аналогичны приведенным в работах [4, 6].

Была

получена

серия

структур

Состав ограничительных слоев InAlAs выбирал-

In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs, отличающихся меж-

ся исходя из ранее полученных результатов оптими-

ду собой только конструкцией волноводного слоя

зации высоты обратной ступени с целью улучшения

и области в непосредственной близости к КЯ.

люминесцентных свойств подобных гетероструктур,

Короткопериодные СР

10 нм-In_0.81Ga_0.19As/2 нм-

но с тонкими (8 нм) слоями InGaAs [6], а толщина

In_0.75Al_0.25As

10 нм-In_0.82Ga_0.18As/2 нм-

волноводного слоя - из условия необходимости обес-

In_0.75Al_0.25As были использованы для формиро-

печения приемлемого оптического ограничения вол-

вания волноводной области в образце A и образцах

новодной моды для λ ∼ 3-3.5 мкм. Предваритель-

B и C, соответственно. Таким образом, в образцах

ные эксперименты по выращиванию методом МПЭ

B и C условие ненапряженного слоя выполнялось

структур, содержащих слои InGaAs столь большой

по отношению ко всей волноводной области в це-

толщины, при указанной выше температуре, опти-

лом, среднее содержание In в которой с учетом

мальной с точки зрения минимизации плотности то-

2 нм-In_0.75Al_0.25As вставок составляло ∼ 81 мол. %, в

чечных дефектов в активной области, показали, что

отличие от образца A, где это условие соблюдалось

в результате происходит резкое ухудшение морфоло-

только для слоев InGaAs. Кроме того, в образцах A

гии поверхности и возрастание величины шерохова-

и B составная КЯ InSb/InAs была дополнительно

тости RMS от ∼ 2 до ∼ 7 нм (10 × 10 мкм²) по дан-

ограничена с обеих сторон тонкими барьерными

ным атомно-силовой микроскопии. Это обусловлено,

слоями 3 нм-In_0.68Ga_0.32As с целью более аккурат-

по-видимому, повышенной подвижностью адатомов

ной компенсации напряжений сжатия, вводимых в

In по сравнению с адатомами Ga при используемой

структуру сильно рассогласованными по параметру

температуре в условиях поперечно-полосатого (ан-

решетки слоями InAs и InSb. При этом состав и

гл. cross-hatch) рельефа поверхности, наследуемого

толщина компенсирующих слоев InGaAs выбиралась

от МБС. Было также установлено, что использова-

таким образом, чтобы, с одной стороны, внести необ-

Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6

2019

Стимулированное излучение на длине волны 2.86 мкм. . .

299

Рис. 2. Светлопольные ПЭМ-изображения активной области в геометрии поперечного сечения структуры (a), (b) и

изображения поверхности в оптическом микроскопе (c), (d) образцов A (a), (c), B (b) и C (d)

ходимые по величине напряжения растяжения, а с

тельность импульса ∼ 10 нс). Накачка и сбор излуче-

другой стороны, не препятствовать эффективному

ния осуществлялись через ZnSe окно. Излучение ла-

сбору неравновесных носителей в КЯ. В образце C

зера накачки отсекалось на входе спектрометра Ge

такие компенсирующие слои отсутствовали.

фильтром. Для детектирования сигнала использова-

Структурные исследования проводились методом

лись фотоприемник HgCdTe (MCT) и светоделитель

просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ)

KBr.

с использованием микроскопа Philips EM-420. Спек-

Хорошее кристаллографическое качество гете-

тры спонтанной ФЛ с поверхности были измерены

роструктур, планарность отдельных слоев, низкая

при накачке структур диодным лазером (λ = 809 нм)

плотность прорастающих дислокаций в области со-

с мощностью 100 мВт. В качестве детектора был ис-

ставных КЯ, а также полное соответствие внутрен-

пользован охлаждаемый жидким азотом InSb фото-

ней геометрии исследованных образцов заданным

диод (Hamamatsu). Измерения стимулированного из-

параметрам было продемонстрировано при изучении

лучения проводились с торца и поверхности структу-

их методом ПЭМ (рис. 2a, b). Однако при исследова-

ры на Фурье-спектрометре Vertex80v (Bruker) в ре-

нии поверхности образцов в оптическом микроскопе,

жиме пошагового сканирования. Образцы размеща-

на полученных изображениях помимо характерного

лись в гелиевом криостате замкнутого цикла (мини-

для структур с МБС слабо контрастного cross-hatch

мальная температура ∼ 10 K). Для накачки образ-

рельефа поверхности, ориентированного в двух вза-

цов применялся импульсный лазер Nd:YAG (λ =

имно перпендикулярных направлениях [011] и [01-1],

= 1.064 мкм, длительность импульса ∼ 10 нс), либо

наблюдались протяженные дефекты в форме кана-

параметрический генератор света видимого и ближ-

вок глубиной более 100 нм и длиной 1-50 мкм, вытя-

него ИК диапазонов LP601 (Solar Laser Systems,

нутые вдоль направления [01-1] (рис. 2c, d). Их плот-

Минск, диапазон перестройки λ = 0.42-2.1 мкм, дли-

ность достаточно сильно различалась в исследован-

Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6

2019

300

В.А.Соловьев, М.Ю.Чернов, С.В.Морозов и др.

ных образцах. При этом их наименьшая ∼ 5·10⁵ см^-2

ставную КЯ. Следует отметить, что в образце C,

и наибольшая ∼ 3 · 10⁶ см^-2 плотность была обна-

где эти барьеры отсутствовали, интенсивность линии

ружена в образцах A (рис. 2c) и C (рис. 2d), соот-

ФЛ была в ∼ 2.5 раза большей по сравнению с образ-

ветственно. Похожие дефекты на поверхности (deep

цом A. Как видно из рис. 3, форма линий ФЛ для об-

grooves), также вытянутые вдоль направления [01-1],

разцов A и B сильно неоднородна и свидетельствует

наблюдались в метаморфных гетероструктурах с КЯ

о наличии в ней нескольких близко расположенных

In_0.72Ga_0.28As/In_0.72Al_0.28As, но только при наличии

пиков ФЛ.

упругих напряжений растяжения в области КЯ [7].

Для оценки положения этих пиков, была прове-

Соответствующее в этом случае резкое ухудшение

дена подгонка спектров ФЛ с использованием двух

транспортных свойств данных КЯ при низких тем-

пиков, форма которых задавалась функцией Гаусса.

пературах связывалось с присутствием упомянутых

Энергии максимумов этих пиков для каждого образ-

выше дефектов. Следует отметить, что в структурах,

ца приведены в табл. 1. Отметим, что наиболее длин-

выращенных по аналогии с образцом C, но не содер-

новолновый пик с E₁ наблюдается во всех образцах,

жащих составную КЯ InSb/InAs, эти дефекты пол-

в то время как пик c E₂ - только в образцах A и B.

ностью отсутствовали. Это свидетельствует о том,

Следует также отметить, что вклад коротковолново-

что конструкция исследованных структур с расши-

го пика в ФЛ заметно меньше в образце B с более

ренной волноводной областью не является оптималь-

высокими барьерами 3 нм-In_0.68Ga_0.32As по сравне-

ной с точки зрения компенсации разнонаправленных

нию с образцом A.

упругих напряжений.

Для объяснения наблюдаемых особенностей в

На рисунке 3 представлены спектры ФЛ исследо-

спектрах ФЛ была проведена теоретическая оценка

ванных структур, измеренные при температуре 80 K

положения уровней в составной КЯ исследуемых ме-

таморфных гетероструктур. Сдвиги дна зоны прово-

димости, а также положения подзон тяжелых и лег-

ких дырок, обусловленные напряжениями растяже-

ния в слоях In_0.68Ga_0.32As и напряжениями сжатия

в InSb и InAs, рассчитывались по модели [8], учиты-

вая, что величина обратной ступени ∼ 6 мол.% со-

ответствует полностью ненапряженной виртуальной

подложке. Расчет уровней размерного квантования в

ультратонкой вставке InSb и КЯ InAs/InGaAs произ-

водился путем численного решения уравнения Шре-

дингера. Проведенные расчеты показали, что для об-

разцов A и B в КЯ существует 2 электронных уровня

(e₁ и e₂) и 2 дырочных уровня: hh₁ - уровень тяже-

лой дырки, локализованной в InSb вставке и hh₂ -

дырочный уровень, расположенный в валентной зоне

InAs (вставка рис. 1). В отличие от этого, в КЯ образ-

Рис. 3. (Цветной онлайн) Спектры ФЛ исследованных

ца C есть только один электронный уровень (e₁). Со-

структур, измеренные при температуре 80 K

поставляя данные расчета с экспериментом (табл. 1),

мы полагаем, что наблюдаемый в спектрах ФЛ пик

в условиях слабой непрерывной накачки. Во всех об-

с максимумом E₁ соответствует переходам e₁-hh₁,

разцах наблюдается линия спонтанного излучения

а пик с максимумом E₂ в образцах A и B обуслов-

с максимумом на длине волны ∼ 3.26 мкм, которая,

лен переходами e₂-hh₁, которые становятся разре-

как было показано нами ранее [4-6], соответствует

шенными в данных структурах вследствие наруше-

пространственно непрямым излучательным перехо-

ния правил отбора в ассиметричной КЯ InAs(Sb) (см.

дам с электронных уровней размерного квантования

ниже).

в КЯ InAs/InGaAs на дырочные уровни в субмоно-

Использование мощной импульсной накачки при

слойной вставке InSb. Небольшое снижение интен-

исследовании образцов A и B привело к существен-

сивности линии ФЛ в образце B по сравнению с об-

ной трансформации их спектров ФЛ, в которых на-

разцом A обусловлено, по-видимому, большей отно-

блюдалась всего одна узкая линия в интересуемой

сительной высотой барьеров 3 нм-In_0.68Ga_0.32As, пре-

области спектра с энергией 433 мэВ в случае образ-

пятствующих сбору неравновесных носителей в со-

ца A (рис. 4) и 438 мэВ (образец B). Отметим, что

Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6

2019

Стимулированное излучение на длине волны 2.86 мкм. . .

301

Таблица 1. Параметры энергетического спектра образцов

тенсивности излучения с накачкой, ярко выражен-

(E_i), полученные подгонкой спектров ФЛ (80 K) на рис. 3

ный пороговый характер зависимости интегральной

несколькими пиками в виде I_i × exp(-(E - E_i)²

/2σ²), и рас-

четные значения энергий оптических переходов e₁-hh₁ (E_c1)

ФЛ от плотности мощности возбуждения (вставка на

и e₂-hh₁ (E_c2)

рис. 4a), а также резкое сужение спектра излучения

по сравнению со случаем слабой накачки, позволяют

Образец E₁, мэВ

E_c1, мэВ

E₂, мэВ

E_c2, мэВ

утверждать о реализации стимулированного излуче-

380

384

390

406

ния в данных структурах в условиях импульсной на-

379

384

388

405

качки. Несмотря на то, что наибольшая интенсив-

380

384

ность спонтанной ФЛ при слабом уровне возбужде-

ния была получена в образце C (рис. 3), нам не уда-

лось получить стимулированное излучение из этой

структуры. При использованных значениях мощно-

сти импульсной засветки происходило лишь ушире-

ние спектра ФЛ с увеличением накачки, возможно,

из-за очень большой плотности протяженных дефек-

тов (рис.2d).

Следует отметить, что спектры стимулированно-

го излучения регистрировались при сборе излуче-

ния как с торца структур, так и с поверхности. При

этом, в геометрии сбора ФЛ с торца была обнару-

жена сильная неоднородность сигнала, препятству-

ющая получению надежных данных и обусловлен-

ная, по-видимому, присутствием протяженных де-

фектов в исследованных структурах, наблюдаемых

в оптическом микроскопе (рис.2c,d). В пользу дан-

ного предположения свидетельствует и тот факт, что

спонтанная ФЛ (как интенсивность, так и вид спек-

тров излучения) с хорошей точностью была неизмен-

на при сканировании по поверхности образцов. По-

этому на рис.4 приведены спектры стимулирован-

ного излучения, полученные в геометрии сбора из-

лучения с поверхности образца. Поскольку никако-

го структурирования эпитаксиальных структур с це-

лью изготовления лазерных резонаторов не прово-

дилось, строго говоря, нами наблюдалась суперлю-

минесценция из области засветки (∼ 10 мм²) на об-

разце. С повышением температуры стимулированное

излучение сохранялось вплоть до 60 K при мощно-

сти накачки 75 кВт/см² (рис.4b). Помимо линии, со-

Рис. 4. (Цветной онлайн) Спектры стимулированного

ответствующей излучению из составной КЯ, в спек-

излучения образца A, измеренные при импульсной на-

трах присутствовала более интенсивная коротковол-

качке лазером с λ = 1.064 мкм: (a) - при разных плот-

новая линия (λ ∼ 1.95 мкм) с энергией ∼ 635 мэВ

ностях мощности накачки и температуре 10 K; (b) - при

(не показанная на рис. 4), которая обусловлена излу-

разных температурах и плотности мощности накачки

70 кВт/см^-2. На вставке приведены зависимости инте-

чением из волноводного слоя. Это свидетельствует

гральной интенсивности полосы излучения с энергией

о недостаточной эффективности сбора неравновес-

0.428-0.438 эВ от плотности мощности накачки, полу-

ных носителей из волноводного слоя в КЯ в иссле-

ченные при накачке структуры лазером с разной дли-

дованных структурах. Величина пороговой плотно-

ной волны 1.064 и 1.5 мкм

сти мощности при накачке структуры светом с дли-

ной волны 1.064 мкм, который поглощается в основ-

интенсивность этого излучения в образце B была за-

ном в верхнем широкозонном слое In_0.75Al_0.25As, со-

метно ниже по сравнению с образцом A при равной

ставляла величину ∼ 20 кВт/см² и уменьшалась до

мощности накачки. Ряд признаков: резкий рост ин-

значений ∼ 5 кВт/см² при использовании накачки с

Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6

2019

302

В.А.Соловьев, М.Ю.Чернов, С.В.Морозов и др.

λ = 1.5мкм, т.е. в случае прямой накачки волновод-

лазерами на КЯ GaAs/AlGaAs); 3) сдвига длины

ного слоя (вставка на рис. 4a).

волны в область более 3 мкм и получения стиму-

Сравнение спектров спонтанной ФЛ и стимулиро-

лированного излучения из InSb вставок, а не из

ванного излучения показывает, что последнее про-

ассиметричной InAs(Sb) КЯ (за счет увеличения

исходит при энергиях, существенно превышающих

количества InSb во вставке, применения большего

энергии пиков E₁ и E₂. В рассматриваемой системе

числа вставок InSb в InAs, а также подавления в них

ответственными за стимулированное излучение мог-

эффекта сегрегации Sb). Ожидается, что реализа-

ли бы быть переходы e₂-hh₂ в КЯ InAs. Однако

ция перечисленных подходов позволит значительно

расчеты показывают, что энергия таких переходов

снизить пороговую плотность мощности накачки,

в зависимости от состава волноводных слоев состав-

увеличить выходную мощность и достичь в мета-

ляет величину 520-525 мэВ, значительно превосходя-

морфных структурах In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs

щую экспериментальные данные. Кроме того, близ-

лазерной генерации с λ > 3 мкм при более высоких

кие значения энергии ∼ 500-510 мэВ были экспери-

температурах, вплоть до комнатной.

ментально измерены для наблюдаемого одиночного

Работа выполнена при частичной поддержке

пика ФЛ в подобных метаморфных гетерострукту-

Российского фонда фундаментальных исследований

рах с КЯ 10 нм-InAs без вставки InSb. Ранее нами

(проект

#18-02-00950) с использованием обору-

было показано, что эффект сегрегации Sb приво-

дования ЦКП

“Материаловедение и диагностика

дит к образованию слоя тройного твердого раствора

в передовых технологиях”, поддержанного Мини-

вблизи InSb вставки [9], толщина которого при ис-

стерством образования и науки РФ (Соглашение

пользуемой температуре формирования InSb встав-

о предоставлении субсидии

#14.621.21.0007 id

ки ∼ 400^◦C составляет 4-5 нм. Наличие этого слоя

RFMEFI62114X0007).

приводило к появлению пика ФЛ (пик B₂ в рабо-

те [10]) в структурах InSb/InAs на подложках InAs,

C. J. K. Richardson, L. He, P. Apiratikul, N. P. Siwak,

располагающегося выше по энергии на 30-35 мэВ от

and R. P. Leavitt, Appl. Phys. Lett. 106, 101108 (2015).

пика излучения B₁, обусловленного переходами меж-

P. Apiratikul, L. He, and C. J. K. Richardson, Appl.

ду электронами в InAs и дырками, локализованны-

Phys. Lett. 102, 231101 (2013).

ми в InSb вставке. Учитывая эти данные, мы пола-

Q. Lu, Q. Zhuang, A. Marshall, M. Kesaria,

гаем, что в нашем случае стимулированное излуче-

R. Beanland, and A. Krier, Semicond. Sci. Technol. 29,

ние обусловлено переходами e₂-hh₂ в ассиметрич-

075011 (2014).

ной КЯ InAs(Sb), формирующейся вместо КЯ InAs

В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, Б. Я. Мельцер,

вследствие сегрегации Sb из InSb вставки.

А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Д.Д. Фирсов,

О. С. Комков, С. В. Иванов, Письма в ЖТФ 42(20),

Таким образом, в данной работе продемон-

33 (2016).

стрировано стимулированное излучение с энергией

V. A. Solov’ev, O. G. Lyublinskaya, A. N. Semenov,

фотонов 433-438 мэВ (λ

∼ 2.86 мкм) при низких

B. Ya. Meltser, D. D. Solnyshkov, Ya. V. Terent’ev,

температурах вплоть до 60 К в условиях оптической

L. A. Prokopova, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, and

накачки метаморфных лазерных гетероструктур

P. S. Kop’ev, Appl. Phys. Lett. 86, 011109 (2005).

In(Sb,As)/In_0.81Ga_0.19As/In_0.75Al_0.25As с составными

M. Yu. Chernov, V. A. Solov’ev, O. S. Komkov,

КЯ InSb/InAs/InGaAs на основе субмонослойных

D. D. Firsov, B. Ya. Meltser, M. A. Yagovkina,

вставок InSb в 10 нм-InAs, выращенных методом

M. V. Baidakova, P. S. Kop’ev, and S. V. Ivanov, Appl.

молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках

Phys. Express 10, 121201 (2017).

GaAs (001). Проведенные исследования показали,

F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo,

что необходима дальнейшая оптимизация конструк-

E. Carlino, F. Romanato, and L. Sorba, Thin Solid

ции данных структур для решения следующих

Films 484, 400 (2005).

задач: 1) более тщательной компенсации упругих

C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 39(3), 1871 (1989).

A. N. Semenov, O.G. Lyublinskaya, V. A. Solov’ev,

напряжений разного знака с целью полного ис-

B. Ya. Meltser, and S. V. Ivanov, J. Crystal Growth

ключения в них протяженных дефектов (канавок),

301-302, 58 (2007).

препятствующих эффективной лазерной генерации

10.

O. G. Lyublinskaya, V.A. Solov’ev, A. N. Semenov,

с торца лазерной структуры; 2) улучшения сбора

B. Ya. Meltser, Ya. V. Terent’ev, L. A. Prokopova,

неравновесных носителей из области волноводных

A. A. Toropov, A.A. Sitnikova, O. V. Rykhova,

слоев в составную КЯ (например, за счет исполь-

S. V. Ivanov, K. Thonke, and R. Sauer, J. Appl. Phys.

зования волноводных слоев с градиентом ширины

99, 093517 (2006).

запрещенной зоны по аналогии с традиционными

Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6

2019