Письма в ЖЭТФ, том 110, вып. 6, с. 400 - 406
© 2019 г. 25 сентября
Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого
квазиодномерного полупроводника TiS3
И.Г.Горлова+1), А.В.Фролов+, А.П.Орлов+, В.Я.Покровский+, Воей Ву Пай∗2)
+Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
∗Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, 106 Taipei, Taiwan
Поступила в редакцию 7 августа 2019 г.
После переработки 13 августа 2019 г.
Принята к публикации 13 августа 2019 г.
Изготовлены структуры типа полевого транзистора на основе вискеров слоистого квазиодномерно-
го полупроводника TiS3. На этих структурах в диапазоне температур 4.2-300 К измерены зависимости
проводимости σ от напряжения на затворе Vg, а также вольт-амперные характеристики вискеров (“исток-
сток”) при различных значениях Vg. C понижением температуры от 300 до 80 К чувствительность прово-
димости к напряжению на затворе, α ≡ 1/σ dσ/dVg, возрастает, а ниже 80 К - резко уменьшается. Ниже
70 K нелинейная проводимость начинает зависеть от Vg. Результаты можно объяснить образованием
электронного кристалла при низких температурах.
DOI: 10.1134/S0370274X19180097
Введение. В последнее время интерес к исследо-
тронов при понижении температуры [6, 11]. Однако
ванию слоистого квазиодномерного полупроводника
вопрос о природе максимума σ(T) до сих пор диску-
TiS3 возрос в связи с возможным практическим при-
тируется [2, 11]. Так, авторы [2] предположили, что
менением слоистых трихалькогенидов в наноэлек-
переход “металл-диэлектрик” связан с флуктуация-
тронике [1]. В частности, на основе вискеров TiS3
ми, предшествующими возникновению ВЗП.
толщиной в несколько элементарных слоев были со-
В моноклинной структуре TiS3 проводящие це-
зданы полевые транзисторы [1, 2]. Кроме того, це-
почки атомов титана параллельны оси b и изолирова-
лый ряд аномальных свойств этого низкоразмерно-
ны друг от друга атомами серы. Цепочки образуют
го соединения указывает на переход в коллективное
проводящие слои в плоскости ab, которые связаны
состояние, возможно, - волну зарядовой плотности
между собой вандерваальсовским взаимодействием
(ВЗП) [2-7], хотя концентрация носителей в TiS3 при
вдоль оси c [12]. Анизотропия удельной проводимо-
300 К составляет n ∼ 1018 см-1 [6,8], что на 3 поряд-
сти при 300 K составляет σb : σa : σc ≈ 20 : 4 : 1
ка ниже, чем в известных проводниках с ВЗП [9].
и сильно возрастает с понижением температуры, до-
TiS3 является прямозонным полупроводником с
стигая к 50 K значения σb : σa : σc ∼ 105 : 103 : 1 [5].
запрещенной зоной ∼ 1 эВ [1]. Уровень Ферми при
При T0 ≈ 50 К магнетосопротивление меняет знак
комнатной температуре находится примерно на 1 эВ
[7], наблюдаются особенности на температурных за-
выше края валентной зоны [10], т.е. вблизи края зо-
висимостях проводимости [3-5] и термоэлектродви-
ны проводимости. Характерной особенностью TiS3
жущей силы [13], а также пик эффекта Холла [6].
является максимум на температурной зависимо-
Ниже 50 К появляется заметный нелинейный вклад
сти проводимости, σ(T), - так называемый переход
в проводимость [2, 3, 5]. Хотя причина аномалий в
“металл-диэлектрик”, который наблюдается при тем-
области T0 окончательно не выяснена, все они мо-
пературах Tm = 150-250 K [2-6], а иногда - и выше
гут быть объяснены фазовым переходом в коллек-
комнатной температуры [8]. Исследования эффекта
тивное электронное состояние [3-7]. Коллективное
Холла показали, что TiS3 находится в диэлектриче-
состояние, образующееся из полупроводниковой фа-
ском состоянии и при T > Tm [6, 8], а максимум σ(T ),
зы, может отличаться от обычной ВЗП, возникаю-
скорее всего, возникает в результате роста подвижно-
щей при пайерлсовском переходе [9]. Причиной ано-
сти и одновременного снижения концентрации элек-
малий может быть [4], например, переход Келдыша-
Копаева [14] с образованием экситонного диэлектри-
1)e-mail: gorl@cplire.ru
ка [15]. Возможно также [5], что в TiS3, происходит
2)Woei Wu Pai.
зарядовое упорядочение вигнеровского типа [16] или
400
Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6
2019
Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3 401
моттовская диэлектризация [17], обусловленные 2D
переноса производился отбор вискеров в оптическом
кулоновским взаимодействием в проводящих слоях.
микроскопе Carl Zeiss Axio Imager в режиме “на от-
Однако прямых доказательств зарядового или маг-
ражение”. Выбирались наиболее тонкие кристаллы,
нитного упорядочения в TiS3 пока не получено.
плотно прилегающие к подложке самой широкой
Можно ожидать, что изменение механизма про-
гранью, параллельной слоям (ab). На выбранные
водимости вблизи T0 будет проявляться и в эффек-
вискеры методом лазерного напыления золота
те поля (ЭП). Так, для некоторых соединений с
через маску наносились электрические контакты
ВЗП экспериментально установлены особенности ЭП
(“исток и сток”). Маска представляла собой более
при формировании ВЗП и при ее скольжении [18].
широкий вискер BSCCO, который размещался
Теоретический анализ электронной структуры TiS3,
на центральной части образца перпендикулярно
проведенный для одного или нескольких моносло-
направлению его роста (оси b). После напыления
ев, предсказывает, что инжекция электронов ЭП мо-
Au маска удалялась, и получались контакты, поз-
жет стимулировать пайерлсовскую неустойчивость в
воляющие пропускать через образец ток вдоль оси
этом соединении [19].
b (рис. 1). Дополнительные детали изготовления
Первые исследования ЭП при низких температу-
рах, до 10 K, для TiS3 были представлены в работе
[20]. Было обнаружено, что ЭП резко падает вблизи
T0, подобно тому, как это происходит в соединениях
с ВЗП вблизи температуры пайерлсовского перехо-
да TP [18]. ЭП при 4.2 < T < 300 K изучался также
на нановискерах TiS3 толщиной 8-9 элементарных
слоев (7-8 нм) [2]. Было показано, что Tm зависит от
n. При T ≈ Tm наблюдался максимум подвижности
эффекта поля. Особенностей ЭП, указывающих на
образование коррелированного состояния, в [2] заме-
чено не было.
В настоящей работе представлены результаты ис-
следования эффекта поля на монокристаллических
вискерах TiS3 толщиной 400-50 нм. Изучено влияние
индуцированных носителей на линейную и нелиней-
ную проводимость. Наблюдались аномалии эффекта
поля вблизи T0.
Эксперимент. Монокристаллические виске-
Рис. 1. (Цветной онлайн) (a) - Схема эксперимента.
ры TiS3 были синтезированы в ИФМ УрО РАН
(b) - Изображение микроструктуры в РЭМ
(г. Екатеринбург) в группе А. Н. Титова методом
газотранспортных реакций
[21]. Исследования с
контактов приведены в [5]. Размеры изготовленных
помощью электронной микроскопии [22] и рентге-
образцов составляли: длина (расстояние между
новской дифракции [12] показали высокое качество
токовыми контактами) L
= 9.5-2.9 мкм, ширина
кристаллов. В данной работе исследовались вис-
w
= 1.5-0.39 мкм, толщина t
= 0.4-0.05 мкм.
керы с удельным сопротивлением вдоль цепочек
На рисунке 1 представлены схема (a) и изображение
ρ300
= 0.1-0.2 Омсм. На основе вискеров были
(b) изготовленной микроструктуры - вискера TiS3
изготовлены структуры типа полевого транзистора.
с контактами. Образец служил одной из обкладок
Для этого вискеры TiS3 сначала приклеивались к
конденсатора, второй обкладкой которого была
стеклянной подложке эпоксидным клеем [23], затем
хорошо проводящая подложка n-Si, отделенная от
с помощью скотча от них отслаивались тонкие фраг-
образца диэлектрическим слоем SiO2 толщиной
менты, которые переносились на рабочую подложку
300 нм. К конденсатору прикладывалось постоянное
методом микромеханического расщепления [24]. Та-
напряжение, величину и знак которого можно было
кой способ позволяет удалить верхние слои вискера
изменять (рис. 1a). Контактное сопротивление было
и использовать для изготовления структур свежие
на 3-4 порядка меньше сопротивления вискеров и
сколы кристаллов с чистой поверхностью. В каче-
не зависело от напряжения на затворе Vg. Низкие
стве подложки использовался высоколегированный
значения контактного сопротивления позволили
кремний с тонким поверхностным слоем SiO2. После
использовать для измерения проводимости вискеров
8
Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6
2019
402
И.Г.Горлова, А.В.Фролов, А.П.Орлов, В.Я.Покровский, Воей Ву Пай
300 К соответствует электронной проводимости TiS3,
что согласуется с результатами исследования эффек-
та Холла [6, 8]. С понижением температуры наклон
σ(Vg), т.е. чувствительность проводимости к напря-
жению на затворе α ≡ 1/σ dσ/dVg, увеличивается,
достигает максимума при 70-80 К, затем уменьшает-
ся. При T < 70 K проводимость зависит от тока и
при I < 100 нА может быть существенно ниже при-
веденных на рис.2 значений. Однако характер зави-
симостей σ(Vg) остается таким же. На некоторых об-
разцах ниже 70 К на зависимостях σ(Vg) видны пере-
ключения между метастабильными состояниями (см.
кривую при T = 60 K на рис. 2). При понижении T
переключения, как правило, становятся необратимы-
ми, т.е. появляется гистерезис.
На рисунке 3 зависимость α(T) приведена вместе
с температурной зависимостью холловского сопро-
Рис. 2. (Цветной онлайн) Зависимости σ(Vg) при раз-
ных T , указанных на рисунке. При T = 60 K и ниже
видны переключения между метастабильными состоя-
ниями. I = 100 нА. L × w × t = 2.85 × 1.37 × 0.09 мкм3
двухзондовый метод. Измерения проводились при
пропускании постоянного тока I вдоль длины виске-
ра (вдоль оси b). Одновременно контролировались
Рис. 3. (Цветной онлайн) Температурные зависимости
токи утечки, которые во всех случаях были, по
чувствительности проводимости к эффекту поля α (◦)
крайней мере, на 2 порядка меньше измеритель-
и холловского сопротивления -Rxy (∗) для вискеров
ных токов. Точный анализ геометрии образцов, в
TiS3. Зависимость α(T ) построена для образца с разме-
том числе определение толщины исследованных
рами 2.85 × 1.37 × 0.09 мкм3. Зависимость Rxy(T ) изме-
вискеров, был выполнен в растровом электронном
рена на образце толщиной 1 мкм и взята из работы [6]
микроскопе (РЭМ) с фокусированным ионным
пучком Carl Zeiss Neon 40 EsB (CrossBeam).
тивления, Rxy. Эффект Холла был измерен на об-
ЭП был исследован на 6 образцах. На рисунках 2-
разце толщиной ∼ 1 мкм из той же ростовой партии
5 все результаты приведены для образца TiS3 с раз-
(рис. 5 из работы [6]). С понижением температуры
мерами L×w×t = 2.85×1.37×0.09 мкм3, на котором
наблюдается одновременный рост α и Rxy, а затем
проведены наиболее детальные исследования. Это -
оба коэффициента резко падают, снижаясь более чем
самый короткий из всех изученных образцов и один
на порядок к 30-40 К. При этом, если падение Rxy на-
из самых тонких. Отдельно будут указаны некото-
блюдается ниже 60 К, падение α начинается заметно
рые особенности, связанные с размерами образцов.
раньше, при T = 71 К. Для более толстых образцов,
Результаты. На рисунке 2 представлены зави-
с t = 0.4 и 0.2мкм, максимум α(T) наблюдался при
симости проводимости вискеров от смещения на за-
еще более высокой температуре, около 80 K [20]. Для
творе при различных температурах. Положитель-
образцов с t < 0.2 мкм температура, при которой на-
ный наклон зависимостей σ(Vg) в диапазоне 4.2-
блюдается максимум α, понижается с уменьшением
Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6
2019
Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3 403
Рис. 4. (Цветной онлайн) Зависимости σd(V ) при T = 79 K (верхние панели) и T = 30 K (нижние панели). На каждом
графике показаны кривые, снятые при Vg = -100 В (нижние кривые), Vg = 100 В (верхние кривые) и Vg = 0 (между
ними). На панели (a) пунктиром также показаны кривые σd(V ) при Vg = -100 В и при Vg = 100 В, смещенные по вер-
тикали на 5.74 МОм-1 и -6.29 МОм-1, соответственно (см. пояснение в тексте). Размеры образца 2.85×1.37×0.09 мкм3
t. Для самого тонкого образца, с t = 0.05 мкм, мак-
пунктирные линии на рис. 4а). В логарифмическом
симум α(T ) наблюдался при T = 42 К.
же масштабе (рис. 4b) расстояние между кривыми
На рисунке 4 показаны зависимости дифференци-
при Vg = -100 В и Vg = 100 В уменьшается с ростом
альной проводимости, σd ≡ dI/dV , от V при темпе-
|V |. Это означает, что чувствительность σ к Vg
ратурах выше (a), (b) и ниже T0 (c), (d). Измерения
(при заданном V ), которую можно оценить как
проводились при разных фиксированных значениях
α∗ = ln[σd(Vg = 100 В)/σd(Vg = -100 В)]/(δVg), где
Vg. На панелях (a) и (c) проводимость показана в
δVg = 200 В, снижается с ростом V .
линейном масштабе, а на панелях (b) и (d) - в лога-
рифмическом.
Ниже T0 (рис. 4c, d) видна обратная тенденция:
Как видно из рис.4, выше и ниже T0 измене-
Vg существенно влияет на нелинейную проводимость,
ние Vg по-разному влияет на вид вольт-амперных
причем рост Vg приводит не только к росту σd, но и
характеристик (ВАХ). Выше T0 нелинейная про-
к увеличению наклона зависимостей ln(σd) от V при
водимость, σd(V ) - σd(0), не изменяется с Vg. В
|V | > 0.2 В (рис. 4d), т.е. величина α∗ растет с ростом
линейном масштабе (рис. 4a) изменение Vg приводит
V . Абсолютное значение α∗ при V = 0.25В достига-
к вертикальному сдвигу зависимостей σd(V ) на
ет 2.5 × 10-3, что существенно превышает значение
практически постоянную величину, т.е. кривые
α(30 K), измеренное при заданном токе I = 100 нА
хорошо совмещаются сдвигом по вертикали (см.
(рис. 3).
Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6
2019
8∗
404
И.Г.Горлова, А.В.Фролов, А.П.Орлов, В.Я.Покровский, Воей Ву Пай
Рис. 5. (Цветной онлайн) (a) - Зависимости σ(T ) в области Tm при разных значениях Vg. Значения σ при Vg = -100 В
умножены на 1.667. (b) - Зависимости -d ln σ/d(1/T ) от T в области T0 при разных значениях Vg. Размеры образца
2.85 × 1.37 × 0.09 мкм3
Температура перехода “металл-диэлектрик” Tm
Перейдем к более низким температурам. Как и
понижается с увеличением n (рис. 5a), как и на на-
Tm, температура T0 снижается с ростом n (рис.5b).
новискерах TiS3 [2]. Оказалось, что температура пе-
T0 также снижается с ростом n, если сравнивать об-
рехода T0, определяемая по максимуму производ-
разцы с разной концентрацией вакансий серы. В низ-
ной dlog σ/d(1/T ) [3], также понижается с ростом Vg
коомных вискерах, c ρ300 ≈ 0.2 Омсм, T0 = 40 K
(рис. 5b). При этом на всех образцах заметна тенден-
(см. вставку к рис. 4 из [6]), примерно на 20 К ниже,
ция к размытию особенности в области T0 с пониже-
чем в высокоомных, с ρ300 ≈ 2 Ом см [3, 4]. Значе-
нием Vg, т.е. с уменьшением n.
ния n(300 К) в них отличаются и составляют 1018 и
(2-5) · 1017 см-3, соответственно, как установлено из
Значение подвижности ЭП при комнатной темпе-
исследования эффекта Холла. Электронно-зондовый
ратуре, µFE(300 K) ≈ 20 см2/Вс, и ее температурная
рентгеноспектральный микроанализ (Electron Probe
зависимость согласуются с данными по эффекту по-
Microanalysis - EPMA) показал, что состав вы-
ля на нановискерах TiS3 [2]. При этом, µFE(300 K) в
сокоомных образцов близок к стехиометрическому
2 раза меньше значения холловской подвижности µH
(S : Ti = 2.9), а в низкоомных образцах наблюдается
[6, 8], и это расхождение возрастает в несколько раз
существенный дефицит серы (S:Ti= 2.77).
с понижением T до 100 K [11].
Другим эффектом, очевидным из рис. 5b, явля-
Обсуждение. Начнем с анализа воздействия Vg
ется сужение области перехода с ростом Vg, в со-
на проводимость выше T0. В диапазоне примерно 80-
гласии с предсказанием стимуляции пайерлсовской
100 K зависимости σ(T) преимущественно определя-
неустойчивости в этом соединении при допировании
ются активацией электронов в зону проводимости:
или инжекции электронов [19]. Отметим также, что
энергия активации σ близка к энергии активации
чем выше n, тем быстрее растет сопротивление при
Rxy, которая, в свою очередь, определяется зависи-
понижении T , т.е. степень диэлектризации TiS3. Это
мостью n(T ) [6]. Как видно из рис. 5b, увеличение n
относится как к образцам с различным дефицитом
сопровождается уменьшением |dln(σ)/d(1/T)| в об-
серы [3,6], так и к образцам, в которых n модулиру-
ласти T = 80-100 K, что логично объяснить при-
ется эффектом поля [25].
ближением уровня Ферми к зоне проводимости при
возрастании концентрации электронов. Уменьшение
Как видно из рис.3, зависимости α(T) и Rxy(T)
наклона n(T ) объясняет снижение Tm с ростом Vg
качественно похожи в широком диапазоне темпера-
(рис. 5a), поскольку значение Tm определяется кон-
тур. Рост α и Rxy с понижением температуры от
куренцией температурных зависимостей n и µ [11].
300 до 80 К отражает уменьшение n в зоне проводи-
Заметим, что в [2] было предложено другое объясне-
мости. К снижению обеих характеристик ниже 60 К
ние максимума σ(T ). Подробнее этот вопрос обсуж-
могут приводить локализационные эффекты или по-
дается в [11].
явление носителей p-типа при открытии новой ди-
Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6
2019
Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3 405
электрической щели в области T0. Однако опережаю-
выводов о природе метастабильных состояний TiS3
щее снижение ЭП можно объяснить началом перехо-
требуются дальнейшие исследования.
да электронов в коллективное состояние [11, 20, 25].
Наконец, отдельно отметим особенности ЭП,
Более того, флуктуации, предшествующие переходу,
характерные для наиболее тонких образцов TiS3.
могут привести к снижению ЭП существенно выше
На вискерах толщиной менее 0.2 мкм мы наблюдали
T0, что может объяснить заниженные значения µFE
тенденцию к снижению температуры максиму-
[2, 11], в то время как µH остается высокой. Умень-
ма α(T ) с уменьшением t. Для нановискеров [2]
шение ЭП при образовании ВЗП ранее наблюдалось
максимума α не наблюдается вплоть до самых
в пайерлсовских проводниках ромбическом TaS3 (р-
низких температур, ниже 10 К (см. вставку к рис. 2b
TaS3) и NbSe3 [18]. В случае NbSe3 также отмечено
из
[2]). Мы связываем этот размерный эффект
опережающее снижение ЭП по отношению к эффек-
с понижением T0 в тонких образцах. Размерный
ту Холла [18]. Как в р-TaS3, так и в NbSe3 снижение
эффект характерен и для перехода в состояние
ЭП в области TP было объяснено переходом электро-
ВЗП [26,28]. В наиболее тонких вискерах р-TaS3 и
нов в коллективное состояние [18].
NbSe3, сечением менее 10-3 мкм2, пайерлсовского
Влияние наведенных электронов на нелинейную
перехода вообще не наблюдалось, что было связано
с переходом к одномерной проводимости [29].
проводимость TiS3 ниже ≈ 60 К также подтвержда-
ет предположение о возникновении коллективного
Заключение. В данной работе получены следу-
электронного состояния при T0. Экспериментально
ющие основные результаты:
показано [18], что как в р-TaS3, так и в NbSe3, ЭП в
1) При приближении к T0 сверху наблюдается
нелинейной проводимости существенно выше, чем в
снижение ЭП в линейной проводимости. В области
линейной. При этом, как и для TiS3, нелинейная про-
T0 начинается рост ЭП в нелинейной проводимо-
водимость р-TaS3 и NbSe3 увеличивается с ростом
сти. Такие закономерности наблюдались ранее в со-
концентрации основных носителей [18]. Хотя универ-
единениях с ВЗП и подтверждают предположение о
сальной модели, объясняющей влияние ЭП на нели-
конденсации электронов в коллективное состояние в
нейную проводимость пока не предложено, модуля-
TiS3 при T0 ≈ 50 К.
ция проводимости ВЗП эффектом поля, скорее все-
2) Установлено, что чем выше n, тем ниже T0.
го, связана с переходом электронов в коллективное
Рост n приводит к сужению области перехода при
состояние [18].
T0 и к увеличению нелинейной проводимости ниже
В отличие от известных квазиодномерных мате-
T0. Несмотря на пониженное значение T0, образцы
риалов с ВЗП, на ВАХ TiS3 не наблюдается поро-
с высокой концентрацией электронов по своим свой-
гового поля начала нелинейной проводимости [4-6],
ствам ближе к проводникам с “классической” ВЗП.
что можно объяснить флуктуационными эффекта-
Vg > 0 стимулирует возникновение коллективного
ми и коллективными возбуждениями электронного
состояния, а Vg < 0 подавляет переход. Переходом
кристалла [5, 6, 26]. Вкладом коллективных возбуж-
при T0 можно управлять, изменяя n не только при
дений в проводимость TiS3 можно объяснить неко-
помощи ЭП, но и варьируя условия роста кристал-
торый рост α при T < 30 K [20].
лов.
3) Полученные результаты указывают на суще-
Наблюдаемые ниже T0 на зависимостях σ(Vg) ря-
да образцов TiS3 гистерезис и переключения (рис. 2)
ствование размерного эффекта в образцах TiS3 тол-
щиной менее 0.2 мкм. Чем тоньше образец, тем ни-
также согласуются с известными представлениями о
ВЗП. Гистерезис наблюдался на ВАХ многих соеди-
же температура максимума α. Это означает, что в
тонких образцах T0 ниже, а флуктуации - силь-
нений с ВЗП [9], а также на зависимостях σ(Vg) для
нее. Флуктуационные эффекты проявляются, по-
NbSe3 ниже 20 К [18], и может быть связан с пре-
видимому, также в появлении переключений при T <
одолением барьера для проскальзывания фазы ВЗП.
T0 на кривых R(Vg), а в нановискерах [2] приводят к
Чем ниже температура, тем выше барьер и, соответ-
ственно, шире петля гистерезиса. При приближении
полному исчезновению перехода.
T к T0 снизу гистерезис должен исчезать [27]. В слу-
4) С ростом n температура Tm, при которой на-
чае сильных флуктуационных эффектов, например,
блюдается максимум σ, понижается. Это объясняет-
вблизи T0 или в образцах с нанометровыми попереч-
ся уменьшением энергии активации n(T ) с ростом Vg,
ными размерами, переход между метастабильными
поскольку в этой области температур TiS3 являет-
состояниями может происходить в виде обратимых
ся полупроводником n-типа с уровнем Ферми вблизи
переключений [26]. Вместе с тем, для окончательных
края зоны проводимости.
Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6
2019
406
И.Г.Горлова, А.В.Фролов, А.П.Орлов, В.Я.Покровский, Воей Ву Пай
Авторы благодарны С. В. Зайцеву-Зотову за цен-
ные замечания, А. Н. Титову за синтез кристаллов
и В.А.Шахунову за лазерное напыление электриче-
Workshop/work18/%D1%82%D0%B5%D0%B7%D
ских контактов.
0%B8%D1%81%D1%8B2018-
%D0%BA%D0%BE%D1%80.pdf.
Работа выполнена при финансовой поддержке
Российского фонда фундаментальных исследований
14.
Л. В. Келдыш, Ю. В. Копаев, ФТТ 6, 2791 (1964)
[Sov. Phys. Solid State 6, 2219 (1965)].
(проект # 17-02-01343). Исследование влияния ЭП
на нелинейную проводимость проводилось в рамках
15.
W. Kohn, Phys. Rev. Lett. 19, 439 (1967).
проекта Российского научного фонда # 17-12-01519.
16.
Y. Takahide, M. Kimata, K. Hazama, T. Terashima,
S. Uji, T. Konoike, and H.M. Yamamoto, Phys. Rev. B
А. В. Фролов и А. П. Орлов проводили эксперимен-
81, 235110 (2010).
тальные исследования за счет бюджетного финанси-
17.
Y. Takahide, M. Kimata, K. Kodama, T. Terashima,
рования в рамках Госзадания.
S. Uji, M. Kobayashi, and H. M. Yamamoto, Phys. Rev.
B 84, 035129 (2011).
1. J. O. Island, A. J. Molina-Mendoza, M. Barawi, R. Biele,
18.
T. L. Adelman, S. Zaitsev-Zotov, and R. E. Thorne,
E. Flores, J. M. Clamagirand, J. R. Ares, C. Sanchez,
Phys. Rev. Lett. 74, 5264 (1995).
H.S. J. van der Zant, R. D’Agosta, I. J. Ferrer, and
19.
J. A. Silva-Guillen, E. Canadell, P. Ordejon, F. Guinea,
A. Castellanos-Gomez, 2D Mater. 4, 022003 (2017).
and R. Roldan, 2D Mater. 4, 025085 (2017).
2. M. Randle, A. Lipatov, A. Kumar, C.-P. Kwan,
20.
И. Г. Горлова, А. В. Фролов, А. П. Орлов, В. А. Шаху-
J.
Nathawat, B. Barut, S. Yin, K. He,
нов, В. Я. Покровский, Эффект поля в квазиодномер-
N. Arabchigavkani, R. Dixit, T. Komesu, J. Avila,
ном слоистом полупроводнике TiS3, 38-е совещание
M. C. Asensio, P. A. Dowben, A. Sinitskii, U. Singisetti,
по физике низких температур, 17-22.9.18, Москва-
and J. P. Bird, ACS Nano 13, 803 (2019).
Ростов-на-Дону-Шепси. Тезисы докладов, с. 104;
3. И. Г. Горлова, В. Я. Покровский, Письма в ЖЭТФ
90, 320 (2009).
ZK7F5DeT5VtKKS7IJ/view.
4. I. G. Gorlova, S. G. Zybtsev, V. Ya. Pokrovskii,
21.
А. С. Шкварин, Ю. М. Ярмошенко, М. В. Яблонских,
N.B. Bolotina, I. A. Verin, and A. N. Titov, Physica B
А. И. Меренцов, А. Н. Титов, Журнал структурной
407, 1707 (2012).
химии 55, 1095 (2014).
5. И. Г. Горлова, С. Г. Зыбцев, В. Я. Покровский, Пись-
22.
И. Г. Горлова, В. Я. Покровский, С. Г. Зыбцев,
ма в ЖЭТФ 100, 281 (2014).
А. Н. Титов, В. Н. Тимофеев, ЖЭТФ 138, 335 (2010).
6. I. G. Gorlova, S. G. Zybtsev, V. Ya. Pokrovskii,
23.
A. V. Frolov and Y. I. Latyshev, J. Phys.: Conf. Ser. 393,
N.B. Bolotina, S. Yu. Gavrilkin, and A. Yu. Tsvetkov,
12025 (2012).
Physica B 460, 11 (2015).
24.
K. S. Novoselov, Science 306, 666 (2004).
7. И. Г. Горлова, В. Я. Покровский, С. Ю. Гаврилкин,
25.
И. Г. Горлова, А. В. Фролов, А. П. Орлов,
А.Ю. Цветков, Письма в ЖЭТФ 107, 180 (2018).
В. А. Шахунов, В. Я. Покровский, Эффект по-
8. E. Finkman and B. Fisher, Solid State Commun. 50, 25
ля и влияние индуцированных носителей на
(1984).
нелинейную проводимость в квазиодномерном
9. P. Monceau, Adv. Phys. 61, 325 (2012).
слоистом полупроводнике TiS3, XVII Конфе-
10. H. Yi, T. Komesu, S. Gilbert, G. Hao, A. J. Yost,
ренция
“Сильно коррелированные электрон-
A. Lipatov, A. Sinitskii, J. Avila, C. Chen,
ные системы и квантовые критические явле-
M. C. Asensio, and P. A. Dowben, Appl. Phys.
ния”,
6
июня 2019 г., г. Троицк, г. Москва; https:
Lett. 112, 052102 (2018).
//form.jotformeu.com/dasalam/strongcorrelation_2019;
11. I. G. Gorlova, V. Ya. Pokrovskii, A. A. Frolov,
A.P. Orlov, ACS Nano
13(8),
8495
(2019); DOI:
HyqgclOSLXdUTXNqZzNBbVFQaHF0RUlnRF82ekR
10.1021/acsnano.9b04225
2WFFz/view).
12. Н. Б. Болотина, И. Г. Горлова, И. А. Верин, А. Н. Ти-
26.
С. В. Зайцев-Зотов, УФН 174, 585 (2004).
тов, А. В. Аракчеева, Кристаллография
61,
888
27.
V. Ya. Pokrovskii and S. V. Zaitsev-Zotov, Synth. Met.
(2016).
41-43, 3899 (1991).
13. И. Г. Горлова, С. Г. Зыбцев, В. Я. Покровский,
28.
Д. В. Бородин, С. В. Зайцев-Зотов, Ф. Я. Надь,
Аномальное поведение термоЭДС в слоистом
ЖЭТФ 93, 1394 (1987).
квазидвумером полупроводнике TiS3, XVI Кон-
29.
S. V. Zaitsev-Zotov, V. Ya. Pokrovskii, and P. Monceau,
ференция
“Сильно коррелированные электронные
JETP Lett. 73, 25 (2001).
системы
и квантовые критические явления”
7 июня 2018 г., г. Троицк, г. Москва, Тезисы, с. 15,
Письма в ЖЭТФ том 110 вып. 5 - 6
2019
