Письма в ЖЭТФ, том 112, вып. 11, с. 743 - 748

Магнитосопротивление микромостиков

ферромагнетик/сверхпроводник/ферромагнетик на основе сильно

разбавленного сплава PdFe

Л.Н.Карелина⁺¹⁾, В.В.Больгинов⁺, Ш.А.Эркенов^+∗, С.В.Егоров⁺, И.А.Головчанский^∗×, В.И.Чичков^×,

Я.Бен Хамида^×◦2), В.В.Рязанов^+∗×

⁺Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия

^∗Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия

^×Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049 Москва, Россия

^◦Leiden Institute of Physics, Leiden University, Niels Bohrweg 2, 2333 CA Leiden - The Netherlands

Поступила в редакцию 16 сентября 2020 г.

После переработки 26 октября 2020 г.

Принята к публикации 5 ноября 2020 г.

Обнаружен отрицательный магниторезистивный эффект в микромостиках ферромагнетик-

сверхпроводник-ферромагнетик (FSF-микромостиках) на основе сильно разбавленного ферромагнитно-

го сплава PdFe, содержащего всего 1 % магнитных атомов. Эффект представляет собой резкое уменьше-

ние сопротивления микромостика в магнитных полях, противоположных по направлению к изначальной

намагниченности. Микроструктурирование не подавляет эффект: наиболее выраженные кривые были

получены для микромостиков наименьших размеров шириной 6-8 мкм и длиной 10-15 мкм. Отрицатель-

ные пики магнитосопротивления наблюдались при температурах в пределах сверхпроводящего перехода

и достигали 1.3 % сопротивления мостика в нормальном состоянии.

DOI: 10.31857/S1234567820230056

В настоящее время разработка и внедрение спин-

состояние) воздействия F-слоев частично компенси-

тронных устройств на основе гигантского магнито-

руют друг друга и подавление T_c слабеет [2-6]. По-

сопротивления (GMR) является важной областью

хожий эффект наблюдается в случае расположения

науки и технологии (см., например,

[1]). GMR-

ферромагнитных слоев по одну сторону сверхпрово-

устройства на основе сверхпроводящего слоя (S), рас-

дящей пленки (SFF-структуры) [7]. В работах [8, 9]

положенного между двумя ферромагнитными ме-

показано, что в зависимости от толщины ферромаг-

таллами (F) вместо нормального металла, были

нитных слоев может наблюдаться как положитель-

предложены еще в 1999 г. [2, 3]. Эффект спиново-

ный магниторезистивный эффект (с более сильным

го клапана (“spin-valve effect”) в трехслойных FSF-

подавлением T_c в AP-состоянии), так и отрицатель-

гетероструктурах позволяет управлять сверхпрово-

ный (более сильное подавление T_c в Р-состоянии). В

димостью в S-слое с помощью изменения взаимной

FSF и SFF-структурах также наблюдается триплет-

ориентации намагниченностей ферромагнитных сло-

ный spin-valve эффект, предсказанный в [9-11] и об-

ев M₁ и M₂ [4-6]. В литературе обсуждались различ-

наруженный в [12-19] в случае неколлинеарных на-

ные проявления spin-valve эффекта. Наиболее оче-

правлений M₁ и M₂. Величина уменьшения критиче-

видным является подавление сверхпроводимости в

ской температуры T_c вследствие триплетного эффек-

гибридных F₁SF₂ структурах за счет спинового ан-

та спинового клапана варьируется от 0.01 до 1.5 К

тагонизма ферромагнетизма и сверхпроводимости. В

в зависимости от геометрии spin-valve устройства,

случае сонаправленных намагниченностей M₁ и M₂

а также материалов сверхпроводящего и ферромаг-

(P-состояние) критическая температура сверхпрово-

нитного слоев.

дящего слоя T_c сильно подавляется за счет эффекта

Обычно эффект спинового клапана проявляет-

близости, тогда как в противоположном случае (AP-

ся в виде пиков или провалов магнитосопротивле-

ния в коэрцитивных полях, в которых изменяется

¹⁾e-mail: lkarelina@issp.ac.ru

взаимная ориентация намагниченностей ферромаг-

²⁾A. Ben Hamida.

нитных слоев. Положительное магнитосопротивле-

Письма в ЖЭТФ том 112 вып. 11 - 12

2020

743

744

Л.Н.Карелина, В.В.Больгинов, Ш.А.Эркенов и др.

Рис. 1. (Цветной онлайн) Схематическое поперечное сечение (а) и микрофотография структуры с размером FSF-

мостика 8 × 15 мкм² (b). Стрелки указывают направление приложенного магнитного поля

ние наблюдается в SF₁F₂-структурах вследствие ухо-

слойных FSF-гетероструктур не подавляет магнито-

да триплетных сверхпроводящих носителей из сверх-

резистивный эффект. Наоборот, наиболее выражен-

проводника в ферромагнетик при неколлинеарной

ные кривые получаются для структур наименьших

намагниченности последних [14]. В структурах FSF-

размеров. Это позволяет масштабировать такие spin-

типа обычно наблюдается отрицательное магнитосо-

valve структуры до микронных и, возможно, субмик-

противление [4, 6, 12]. Положительное магнитосопро-

ронных размеров.

тивление в FSF-структурах может быть вызвано по-

В случае объемных образцов сплав Pd_1-xFe_x

лями рассеяния границ доменов, которые возника-

является ферромагнитным материалом с дальним

ют в коэрцитивном поле в случае больших образцов

порядком в интервале концентраций железа x

[20-22]. Для подавления этого эффекта необходимо

= 0.001-1 [24, 25]. Сильно разбавленные составы

зафиксировать намагниченность одного из F-слоев

с x = 10-6-10-2 демонстрируют переход в фер-

при помощи “якорного” слоя антиферромагнетика

ромагнитное состояние с температурой Кюри от

(см., например, [6]). Авторы большинства предыду-

10^-4 до 35 K [26, 27]. Поликристаллические образцы

щих работ использовали в качестве F-слоев сильные

Pd_1-xFe_x остаются ферромагнитными при уменьше-

ферромагнетики с планарной (“in-plane”) намагни-

нии размеров зерен до 10 нм [28]. Тонкие пленки из

ченностью, такие как железо (Fe), никель (Ni), перм-

сплава Pd_0.99Fe_0.01 при толщине менее 100 нм прояв-

аллой (Py³⁾), кобальт (Co) и т.д. Также для наблюде-

ляют свойства нанокластерного магнетика со слабым

ния эффекта спинового клапана использовались ред-

взаимодействием между кластерами [29, 30]. При

коземельные магнетики (Ho, Dy) [23] и полуметал-

толщине ниже 25 нм взаимодействие между класте-

лический оксид хрома CrO₂ [17]. Наиболее слабым

рами существенно ослабевает, поскольку распределе-

классом ферромагнетиков были сплавы Cu_1-xNi_x

ние магнитных кластеров, возникающих вокруг при-

(x ≈ 50 %) с температурой Кюри 40-70 К, использо-

месных атомов, превращается из трехмерного в дву-

ванные в составе SF, SFF и SFS структур [5, 14, 19].

мерное [31, 32]. При таких толщинах отклик пленки

В настоящей работе мы демонстрируем значи-

на воздействие внешнего магнитного поля начинает

тельный магниторезистивный эффект при использо-

описываться моделью спинового стекла (“spin-glass”)

вании очень разбавленного ферромагнитного сплава

[31, 33]. Переход из ферромагнитного в парамаг-

Pd_0.99Fe_0.01, содержащего всего 1 % магнитных ато-

нитное состояние происходит при толщинах порядка

мов. Наши образцы были изготовлены в виде микро-

10 нм [32]. Для практических приложений важно, что

мостиков различной длины и ширины (рис. 1). Как

тонкие пленки Pd_0.99Fe_0.01 обладают уникальными

будет показано ниже, микроструктурирование трех-

свойствами магнитно-мягкого материала с малой ве-

личиной намагниченности, в котором процесс разво-

³⁾Py обозначает сплав Fe_0.2Ni_0.8 или другой сплав близкой

рота намагниченности происходит через независимое

концентрации.

вращение магнитных нанокластеров с характерным

Письма в ЖЭТФ том 112 вып. 11 - 12

2020

Магнитосопротивление микромостиков. . .

745

временем 3-5 нс согласно измерениям при помощи

метода ферромагнитного резонанса [30].

Процесс изготовления образцов начинался с оса-

ждения трехслойной заготовки PdFe-Nb-PdFe на

подложку из оксидированного кремния Si/SiO₂ пу-

тем ВЧ-распыления слоев Pd_0.99Fe_0.01 и магнетрон-

ного осаждения ниобия (Nb). Толщина ниобия со-

ставляла 15 нм и его критическая температура силь-

но подавлялась из-за эффекта близости с прилега-

ющими слоями PdFe. Точнее говоря, критическая

температура уменьшалась от 7 K для отдельной Nb

пленки толщиной 15 нм до 2.3-2.6 K для трехслойных

мостиков PdFe-Nb-PdFe, причем измеренная шири-

на сверхпроводящего перехода в последнем случае

была около 0.05 K. Затем на подложке формировал-

ся массив FSF-прямоугольников различных разме-

ров при помощи фотолитографии и ионного травле-

ния в атмосфере аргона. Их ширина на одном чипе

варьировалась от 4 мкм до 25 мкм, а длина - от 14

до 108 мкм. На последнем этапе формировались кон-

тактные площадки (КП) - “берега” мостиков - при

помощи магнетронного осаждения ниобия и взрыв-

ной фотолитографии (“lift-off”). Толщина ниобия со-

ставляла 120 нм, поэтому контактные площадки бы-

Рис. 2. (Цветной онлайн) Магнитосопротивление FSF-

ли сверхпроводящими при всех температурах ни-

мостиков с одинаковой шириной 6 мкм и разной длиной

же 8 К. Для обеспечения хорошего сверхпроводяще-

в диапазоне от 6 до 100 мкм. Толщина верхнего слоя

го контакта между КП и средним сверхпроводящим

PdFe равна 45 нм, а нижнего - 25 нм. Ток смещения

слоем верхний слой PdFe полностью стравливался в

20 мкА

ходе ионной очистки путем ионного травления перед

осаждением контактной площадки. Поэтому верх-

ний слой PdFe был на 8 мкм короче из-за наложения

где ΔR = R(H) - R(0), R_N - сопротивление образ-

контактной площадки и мостика (см. рис. 1). Длина

ца выше T_c, магнитное поле H приложено в плос-

верхнего ферромагнитного слоя далее принимается

кости образца параллельно длинной стороне мости-

за длину мостика L. Мы исследовали серию образ-

ка (см. рис. 1) при помощи сверхпроводящего соле-

цов, в которой толщины верхнего и нижнего фер-

ноида. Мы стартовали с большого положительного

ромагнетиков варьировались в пределах 40-45 нм и

поля H, заведомо превышающего поля насыщения

20-30 нм соответственно. Для получения разных тол-

обоих ферромагнитных слоев, и разворачивали H до

щин слоев в ходе единого вакуумного цикла исполь-

больших отрицательных значений и обратно. Мож-

зовался “метод клина” (см., например, работу [14] и

но легко видеть резкое уменьшение магнитосопро-

ссылки в ней). Однако никакого заметного влияния

тивления в двух магнитных полях ±H₀, противо-

толщин слоев не было обнаружено. Некоторые от-

положных по направлению намагниченности исход-

личия в магнитосопротивлении различных образцов

ного насыщенного состояния. Наиболее выраженные

связаны, в основном, с планарными размерами мо-

провалы наблюдались для самых маленьких образ-

стиков (см. рис.2 и обсуждение ниже).

цов длиной 4-20 мкм и шириной 6-8 мкм (см., на-

В настоящей работе мы изучали магнитосопро-

пример, рис. 2a, b). С увеличением размеров мостика

тивление FSF-мостиков различных размеров при

провалы становились шире и постепенно вырожда-

температурах в пределах сверхпроводящего перехо-

лись в слабое искажение магниторезистивной кривой

да. Эксперименты проводились в криостате⁴He, обо-

(рис. 2c, d). Это согласуется с нашими предыдущи-

рудованном мембранным стабилизатором давления,

ми исследованиями [34], в которых наблюдался пере-

позволяющим фиксировать температуру в ходе экс-

ход от квазиоднородного к магнитно-неоднородному

перимента с точностью лучше 0.01 К. На рисунке 2

состоянию квадратных джозефсоновских контактов

представлены типичные зависимости ΔR(H)/R_N ,

Nb-PdFe-Nb при увеличении размера от 10 до 30 мкм.

Письма в ЖЭТФ том 112 вып. 11 - 12

2020

746

Л.Н.Карелина, В.В.Больгинов, Ш.А.Эркенов и др.

Глубина провалов возрастает по мере уменьше-

стью примерно 0.85 мОм/мК. Максимальная величи-

ния температуры в пределах сверхпроводящего пере-

на эффекта 90 мОм (1.3 % нормального сопротивле-

хода мостика. На рисунке 3 представлена серия маг-

ния) достигается при T = 2.49 K, т.е. T ≈

. При

этой температуре глубина провала составляет око-

ло 70 % сопротивления в нулевом магнитном поле.

В работах [4-6, 8, 12-17] эффект спинового вентиля

оценивался в терминах изменения критической тем-

пературы. Мы оценили, что провал на магниторе-

зистивной кривой при T = 2.49 K эквивалентен из-

менению

c на величину около 1 мК. Столь малое

изменение сложно заметить в ходе измерения тем-

пературной зависимости сопротивления R(T ), одна-

ко нам удалось его обнаружить на кривых R(H) в

нашей экспериментальной ситуации. Обнаруженная

температурная зависимость указывает, что данный

магниторезистивный эффект связан именно с усиле-

нием сверхпроводимости в тонком слое ниобия, а не

вызван, например, эффектом анизотропного магни-

тосопротивления в слоях PdFe.

К своему удивлению, мы обнаружили все-

го несколько работ, посвященных исследованию

SF-микромостиков

[20,

21,

35], в которых, од-

нако, обнаруживался

эффект положительного

магнитосопротивления. Наблюдавшиеся пики маг-

нитосопротивления в гибридных SF структурах

были связаны с магнитостатическим взаимодей-

ствием между слоями в ходе их перемагничивания.

В работах [6, 8, 12-14] было показано, что для на-

блюдения отрицательного магнитосопротивления

при использовании обычных ферромагнетиков (на-

пример, Py) необходимо использование якорного

антиферромагнитного подслоя. Кластерная приро-

да ферромагнетизма в PdFe позволяет замыкать

магнитные линии внутри ферромагнитной пленки,

Рис. 3. (Цветной онлайн) (a) - Резистивный переход

уменьшая поля рассеяния и ослабляя магнитоста-

в сверхпроводящее состояние FSF-мостика размером

тическое взаимодействие между слоями в целом.

6 × 15мкм². (b)-(d) - Магнитосопротивление данно-

Поэтому в трехслойных структурах на основе слоев

го мостика при различных температурах в пределах

PdFe эффект отрицательного магнитосопротивления

сверхпроводящего перехода. Приведена зависимость

обнаруживается и без наличия якорного подслоя,

разности сопротивления R(H) и сопротивления при

что делает возможным их применение, например,

H = 0, нормированная на сопротивление в нормаль-

ном состоянии. Ток смещения 20 мкА

в качестве джозефсоновского барьера в переходах

типа S-(F₁sF₂)-S, обсуждаемых в

[36]. Важным

преимуществом сплава Pd_0.99Fe_0.01 для использо-

ниторезистивных кривых, полученных для мостика

вания в таких устройствах является его высокая

(6 × 15) мкм² при различных температурах в преде-

прозрачность для протекания сверхпроводящего

лах сверхпроводящего перехода

< T <

⁴⁾.

тока.

При T = 2.55 K (T ≈

) глубина провала состав-

Природа обнаруженного магниторезистивного

ляет около 35 мОм, т.е. около 0.5 % от нормально-

эффекта на данный момент не вполне ясна, и может

го сопротивления образца (рис.3b). При уменьше-

быть предложено несколько возможных механиз-

нии температуры эффект увеличивается со скоро-

мов. Обычно отрицательный магниторезистивный

⁴⁾Здесь

= 2.55 K и

= 2.49 K обозначают темпера-

пик в сверхпроводящих структурах связывают с

туры начала и конца сверхпроводящего перехода.

образованием антипараллельной конфигурации

Письма в ЖЭТФ том 112 вып. 11 - 12

2020

Магнитосопротивление микромостиков. . .

747

намагниченностей F-слоев, в которой частично

J. Y. Gu, C. Y. You, J. S. Jiang, J. Pearson,

компенсируется их обменное воздействие на S-слой

Ya. B. Bazaliy, and S. D. Bader, Phys. Rev. Lett.

(см., например,

[2,

37]). При перемагничивании

89, 267001 (2002).

образца антипараллельное состояние достигается в

I. C. Moraru, W. P. Pratt, and N.O. Birge, Phys. Rev.

магнитных полях, промежуточных по отношению к

Lett. 96, 037004 (2006).

коэрцитивным полям двух ферромагнетиков. Дру-

S. Oh, D. Youm, and M. R. Beasley, Appl. Phys. Lett.

гая возможность состоит в компенсации обменного

71, 2376 (1997).

воздействия [38-40] или просто в исчезновении полей

P. V. Leksin, N. N. Garif’yanov, I. A. Garifullin,

рассеяния при размагничивании ферромагнетиков

J. Schumann, V. Kataev, O. G. Schmidt, and

B. Buchner, Phys. Rev. B 85, 024502 (2012).

[41]. Возможность альтернативных интерпретаций

Ya. V. Fominov, A. A. Golubov, T. Yu. Karminskaya,

обнаруженного нами эффекта подтверждается ре-

M. Yu. Kupriyanov, R. G. Deminov, and L. R. Tagirov,

зультатами численного моделирования [42], согласно

Pis’ma v ZhETF 91, 329 (2010) [JETP Lett. 91, 308

которым разворот намагниченности мезоскопи-

(2010)].

ческого образца PdFe может происходить через

10.

Ya. V. Fominov, A. A. Golubov, and M. Yu. Kupriyanov,

образование разупорядоченного завихренного состо-

Pis’ma v ZhETF 77, 609 (2003) [JETP Lett. 77, 510

яния. Указанные альтернативные механизмы могут

(2003)].

также работать в более простых SF-структурах с

11.

T. Yu.

Karminskaya,

A. A.

Golubov,

and

одним ферромагнитным слоем.

M. Yu. Kupriyanov, Phys. Rev. B 84, 064531 (2011).

Таким образом, в данной статье был обнаружен

12.

J. Zhu, I. N. Krivorotov, K. Halterman, and O. T. Valls,

отрицательный магниторезистивный эффект в трех-

Phys. Rev. Lett. 105, 207002 (2010).

слойных FSF-мостиках Pd_0.99Fe_0.01-Nb-Pd_0.99Fe_0.01.

13.

P. V. Leksin, N. N. Garif’yanov, I. A. Garifullin,

Несмотря на очень низкое содержание магнитных

Ya. V. Fominov, J. Schumann, Y. Krupskaya, V. Kataev,

атомов в Pd_0.99Fe_0.01, приводящее к низкой темпера-

O. G. Schmidt, and B. Buchner, Phys. Rev. Lett. 109,

туре Кюри, мы обнаружили значительный эффект

057005 (2012).

для прямоугольных мостиков микронных размеров.

14.

V. I. Zdravkov, J. Kehrle, G. Obermeier, D. Lenk,

Эффект наблюдается в пределах сверхпроводящего

H.-A. Krug von Nidda, C. Müller, M. Yu. Kupriyanov,

перехода и увеличивается с понижением температу-

A. S. Sidorenko, S. Horn, R. Tidecks, and L. R. Tagirov,

ры. Величина эффекта достигает нескольких про-

Phys. Rev. B 87, 144507 (2013).

центов нормального сопротивления образца.

15.

X. L. Wang, A. Di Bernardo, N. Banerjee, A. Wells,

Л.Н.Карелина и В.В.Рязанов благодарят за фи-

F. S. Bergeret, M. G. Blamire, and J. W. A. Robinson,

нансовую поддержку Российский фонд фундамен-

Phys. Rev. B 89, 140508 (2014).

тальных исследований (проект # 19-32-90162). В тех-

16.

A. A. Jara, C. Safranski, I. N. Krivorotov, Ch.-T. Wu,

нологических работах и обсуждении результатов

A. N. Malmi-Kakkada, O. T. Valls, and K. Halterman,

Phys. Rev. B 89, 184502 (2014).

принимали участие сотрудники НИТУ “МИСиС”

И.А.Головчанский и В.И.Чичков в рамках Госзада-

17.

A. Singh, S. Voltan, K. Lahabi, and J. Aarts, Phys. Rev.

X 5, 021019 (2015).

ния # 0718-2020-0025.

Авторы выражают благодарность сотрудни-

18.

M. G. Flokstra, T. C. Cunningham, J. Kim, N. Satchell,

G. Burnell, P. J. Curran, S. J. Bending, C. J. Kinane,

кам ИФТТ РАН Н. С. Степакову, В. Н. Шилову и

J. F. K. Cooper, S. Langridge, A. Isidori, N. Pugach,

Н.С.Шуравину за помощь в проведении экспери-

M. Eschrig, and S. L. Lee, Phys. Rev. B 91, 060501

ментов и подготовке публикации.

(2015).

19.

D. Lenk, R. Morari, V. I. Zdravkov, A. Ullrich,

Yu. Khaydukov, G. Obermeier, C. Müller,

1. E. Y. Tsymbal and D. G. Pettifor, Perspectives of

A. S. Sidorenko, H.-A. Krug von Nidda, S. Horn,

giant magnetoresistance, ed. by H. Ehrenreich and

L. R. Tagirov, and R. Tidecks, Phys. Rev. B 96, 184521

F. Spaepen, in Solid State Physics - Advances in

(2017).

Research and Applications, Academic Press, N.Y.

20.

V. V. Ryazanov, V. A. Oboznov, A.S. Prokof’ev, and

(2001), v. 56, p. 113.

S. V. Dubonos, Pis’ma v ZhETF 77, 43 (2003) [JETP

2. L. R. Tagirov, Phys. Rev. Lett. 83, 2058 (1999).

Lett. 77, 39 (2003)].

3. A. I. Buzdin, A. V. Vedyayev, and N. V. Ryzhanova,

21.

A. Yu. Rusanov, M. Hesselberth, J. Aarts, and

Europhys. Lett. 48, 686 (1999).

A. I. Buzdin, Phys. Rev. Lett. 93, 057002 (2004).

4. G. Deutscher and F. Meunier, Phys. Rev. Lett. 22(9),

22.

T.-J. Hwang and D. H. Kim, J. Korean Phys. Soc. 61,

395 (1969).

1628 (2012).

Письма в ЖЭТФ том 112 вып. 11 - 12

2020

748

Л.Н.Карелина, В.В.Больгинов, Ш.А.Эркенов и др.

23.

Y. Gu, G. Halász, J. W. A. Robinson, and

33. L. S. Uspenskaya and I. N. Khlyustikov, ZhETF 125,

M. G. Blamire, Phys. Rev. Lett. 115, 067201 (2015).

1029 (2017) [JETP 125, 875 (2017)].

24.

B. Heller, K.-H. Speidel, R. Ernst, A. Gohla,

34. V. V. Bol’ginov, V. S. Stolyarov, D. S. Sobanin,

U. Grabowy, V. Roth, G. Jakob, F. Hagelberg,

A. L. Karpovich, and V.V. Ryazanov, Pis’ma v ZhETF

J. Gerber, S. N. Mishra, and P. N. Tandon, Nucl.

95, 408 (2012) [JETP Lett. 95, 366 (2012)].

Instrum. Methods Phys. Res. B 142, 133 (1998).

35. A. Rusanov, M. Hesselberth, S. Habraken, and J. Aarts,

25.

J. Crangle and W. R. Scott, J. Appl. Phys. 36, 921

Physica C 404, 322 (2004).

(1965).

36. N. Klenov, Yu. Khaydukov, S. Bakurskiy, R. Morari,

26.

C. Büscher, T. Auerswald, E. Scheer, A. Schröder,

I. Soloviev, V. Boian, T. Keller, M. Kupriyanov,

H.V. Löhneysen, and H. Claus, Phys. Rev. B 46, 983

A. Sidorenko, and B. Keimer, Beilstein J. Nanotechnol.

(1992).

10, 833 (2019).

27.

R.P. Peters, Ch. Buchal, M. Kubota, R. M. Mueller, and

37. Y. Zhu, A. Pal, M. Blamire, and Z. H. Barber, Nature

F. Pobell, Phys. Rev. Lett. 53(11), 1108 (1984).

Mater 16, 195 (2017).

28.

T. Shinohara, T. Sato, T. Taniyama, and I. Nakatani,

38. Z. Yang, M. Lange, A. Volodin, R. Szymczak, and

J. Magn. Magn. Mater. 196-197, 94 (1999).

V. V. Moshchalkov, Nature Mater. 3, 793 (2004).

29.

L. S. Uspenskaya, A. L. Rakhmanov, L. A. Dorosinskii,

39. A. Y. Aladyshkin, A. I. Buzdin, A. A. Fraerman,

A.A. Chugunov, V. S. Stolyarov, O. V. Skryabina, and

A. S. Mel’nikov, D.A. Ryzhov, and A. V. Sokolov, Phys.

C. V. Egorov, Pis’ma v ZhETF 97, 176 (2013) [JETP

Rev. B 68, 184508 (2003).

Lett. 97, 155 (2013)].

40. A. I. Buzdin and A. S. Mel’nikov, Phys. Rev. B 67,

30.

I. A. Golovchanskiy, V. V. Bolginov, N. N. Abramov,

020503(R) (2003).

V.S. Stolyarov, A. Ben Hamida, V.I. Chichkov,

D. Roditchev, and V. V. Ryazanov, J. Appl. Phys. 120,

41. S. Pagano, N. Martucciello, F. Bobba, G. Carapella,

163902 (2016).

C. Attanasio, C. Cirillo, R. Cristiano, M. Lisitskiy,

31.

V.V. Bol’ginov, O. A. Tikhomirov, and L. S. Uspen-

M. Ejrnaes, G. P. Pepe, and L. Parlato, IEEE Trans.

skaya, Pis’ma v ZhETF 105, 153 (2017) [JETP Lett.

Appl. Supercond. 27, 1801004 (2017).

105, 169 (2017)].

42. I. A. Golovchanskiy, V. V. Bol’ginov, V. S. Stolyarov,

32.

L. S. Uspenskaya, A. L. Rakhmanov, L. A. Dorosinskii,

N. N. Abramov, A. Ben Hamida, O. V. Emelyanova,

S. I. Bozhko, V. S. Stolyarov, and V. V. Bolginov, Mater.

B. S. Stolyarov, M. Yu. Kupriyanov, A. A. Golubov, and

Res. Express 1, 036104 (2014).

V. V. Ryazanov, Phys. Rev. B 94, 214514 (2016).

Письма в ЖЭТФ том 112 вып. 11 - 12

2020