Журнал прикладной химии. 2021. Т. 94. Вып. 9

УДК 544.723.54

НАНОТЕХНОЛОГИЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ

В ПРОИЗВОДСТВЕ НЕОРГАНИЧЕСКИХ И ГИБРИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ

РАЗЛИЧНОГО ФУНКЦИОНАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ (обзор).

II. ТЕХНОЛОГИЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ

И ПЕРСПЕКТИВЫ ЕЕ КОММЕРЦИАЛИЗАЦИИ И РАЗВИТИЯ В XXI ВЕКЕ

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет),

190013, г. Санкт-Петербург, Московский пр., д. 26

Е-mail: sosnov@lti-gti.ru

Поступила в Редакцию 30 июля 2021 г.

После доработки 3 октября 2021 г.

Принята к публикации 3 октября 2021 г.

Вторая часть обзора посвящена анализу областей и результатов применения нанотехнологии на ос-

нове молекулярного наслаивания в различных отраслях промышленности в последние 20 лет, а также

оценке перспектив дальнейшего развития и коммерциализации указанного процесса. Представлены

достижения отечественных и зарубежных исследователей и промышленников по созданию метода

молекулярного наслаивания и коммерциализации твердофазных материалов различного функциональ-

ного назначения с улучшенными эксплуатационными характеристиками: подзатворные диэлектрики

и другие виды покрытий в электронике и смежных областях; тонкопленочные структуры для эле-

ментов солнечных батарей, суперконденсаторов, мемристоров; сорбционно-каталитические, в том

числе мембранные материалы; полимерные и гибридные материалы с регулируемыми гидрофильными

и электретными свойствами, пониженной горючестью; «умные» материалы для сенсорного при-

боростроения; керновые пигменты и наполнители; электролюминесцентные покрытия и модифи-

цированные люминофоры, керамические композиции и др. Обоснованы наиболее перспективные

направления практического применения нанотехнологии молекулярного наслаивания в ближайшее

десятилетие.

Ключевые слова: молекулярное наслаивание; нанотехнология; твердое тело; поверхность;

неорганические наноматериалы; гибридные наноматериалы; функциональные свойства; коммерци-

ализация

DOI: 10.31857/S0044461821090024

Введение

созданного более полувека назад советскими учены-

ми С. И. Кольцовым под руководством В. Б. Алес-

Исследования в области молекулярного наслаи-

ковского (в настоящее время чаще используется

вания (МН) — метода направленного синтеза твер-

наименование процесса как «атомно-слоевое осаж-

дых веществ с заданным составом и строением,

дение», АСО), — в XXI веке получили международ-

1104

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1105

ное признание, стали активно развиваться во многих

— создано оборудование, включающее узлы акти-

странах. В последние 20 лет появилось беспреце-

вации как поверхности модифицируемых материалов,

дентное количество (более 120) обзоров, частич-

так и применяемых низкомолекулярных реагентов

но представленных в первой части данного обзора

[27, 28].

[1], описывающих организацию процесса синтеза

В последние годы получила развитие химическая

МН-АСО с использованием различных реагентов

сборка по технологии молекулярного наслаивания

и их сочетаний на разных по химической природе,

тонкослойных покрытий из многокомпонентных ма-

геометрическим размерам и формам матрицах. В эти

териалов с использованием нескольких прекурсоров.

годы с применением МН-АСО был получен целый

При этом показана возможность создания (рис. 1)

ряд новых материалов и изделий различного функ-

наноматериалов (в том числе гибридных органо-не-

ционального назначения.

органических) как с периодической (наноламинаты)

Цель второй части обзора — рассмотрение ос-

[29-31], так и градиентной структурой (многокомпо-

новных результатов, опубликованных за последние

нентной [32-34] или однокомпонентной с градиентом

20 лет, по созданию методом молекулярного наслаи-

плотности [35]); твердых растворов [36-38]; матери-

вания твердофазных материалов различного функ-

алов, легированных вторым компонентом [39-42].

ционального назначения и прогноз дальнейшего

Таким путем собирают тонкопленочные структуры не

развития и коммерциализации нанотехнологии, ба-

только халькогенидных полупроводников, использу-

зирующейся на принципах нового прецизионного

емых в фотопреобразователях солнечного излучения

процесса синтеза.

[43, 44], но и сегнетоэлектриков [45], ферромагне-

тиков [46, 47], материалов, проявляющих свойства

сверхпроводников (CuO [48], TiN [49]), органо-неор-

Общие направления прикладных разработок

ганических гибридных [50] и др. [51].

по молекулярному наслаиванию в XXI веке

Следует отметить, что активно продвигаемые в

Анализ всей совокупности доступной научно-тех-

последние 20 лет технологии MLD (Molecular Layer

нической информации позволил установить, что в по-

Deposition — молекулярно-слоевое осаждение) [53-

следние 20 лет на базе технологии молекулярного на-

56], ALEt (Atomic Layer Etching — атомно-слоевое

слаивания активно развивались как технологические

травление) [57-60] и ионного наслаивания (Layer-by-

приемы проведения процесса с использованием физи-

Layer) [61-63] как самостоятельные методы прецизи-

ко-химических методов воздействия (активация или

онного создания наноматериалов по сути являются

увеличение плотности функциональных группировок

элементами технологии молекулярного наслаивания.

на поверхности матрицы за счет плазмохимической

Согласно работам С. И. Кольцова [64, 65], изменение

обработки [2, 3], активация электронным пучком

состава функциональных центров на поверхности

[4-6], локальная сорбция активного окислителя [7],

твердого тела может осуществляться за счет не толь-

обработка коронным разрядом [8]; активация исполь-

ко реакций замещения [1], но и реакций включения

зуемых реагентов (чаще — перевод в радикальную

и присоединения (основа ионного наслаивания). Во

форму, т. е. радикало-стимулированное наслаивание)

всех рассматриваемых реакциях реагент, взаимодей-

плазмохимической обработкой низкомолекулярного

ствующий с функциональными группами матрицы,

реагента [9-11] или воздействием на газовый поток

может быть любым, в том числе макромолекулярным

электронным пучком [12]), так и оборудование для

(например, коллоидная частица в процессе ионно-

ускорения проведения процесса синтеза:

го наслаивания) или органической природы (MLD).

— на базе конструкции, реализованной еще в

Поэтому какие бы особенности технологии не выде-

1985 г. В. П. Толстым [13], разработаны установки

ляли авторы, вышеперечисленные процессы мы рас-

с газовой завесой из газа-носителя, разделяющей

сматриваем в одном ряду как элементы технологии

потоки реагентов [14-18];

молекулярного наслаивания.

— созданы установки для обработки рулонных

Благодаря работам Steven M. George под назва-

материалов [19, 20], в том числе барабанного типа

нием «атомно-слоевое травление» (Atomic Layer

[21, 22];

Etching, ALEt) [58, 59, 66-69] получила развитие еще

— изготовлен и испытан реактор колонного типа

одна возможность технологии молекулярного на-

с пространственным разделением партий обрабаты-

слаивания. В основе этого процесса лежат реакции

ваемого дисперсного материала [23];

диссоциации функциональных группировок [1] в ус-

— сконструированы реакторы с взвешенным сло-

ловиях, когда энергия связи между элементами остова

ем, в том числе барабанного типа [24-26];

матрицы ниже, чем связь элемента остова с функци-

1106

Соснов Е. А. и др.

Рис. 1. Схематическое изображение получения по технологии молекулярного наслаивания: однородной двухком-

понентной пленки (а), слоистой структуры (б) и легированного материала (в) [52].*

ональной группировкой (E_A-A < E_A-B). Указанное на-

организации промышленного производства большого

правление технологии позволяет с точностью до од-

числа металлорганических соединений [79-81].**

ного атомарного слоя управлять рельефом матрицы,

Особо следует отметить появление первых работ

что представляет несомненный интерес для развития

по кинетическому описанию процесса молекулярно-

технологий наноэлектроники [70].

го наслаивания [82], а также квантово-химическому

Кроме того, на базе комбинации технологий мо-

моделированию строения формирующихся в ходе

лекулярного наслаивания и ALEt разрабатываются

молекулярного наслаивания группировок и термоди-

технологии пространственно-ограниченного синтеза,

намике процесса синтеза [83-93].

для которых предлагается собственное наименование

«осаждение на выбранной площадке» (Area-Selective

Применение нанотехнологии молекулярного

Deposition, ASD) [67, 71, 72].

наслаивания в электронике и смежных областях

Самостоятельное название «молекулярно-слоевое

осаждение» (Molecular Layer Deposition, MLD) пред-

Микро- и наноэлектроника. Наиболее масштабное

ложено и для технологии молекулярного наслаивания

внедрение технологии молекулярного наслаивания

органических и органо-неорганических гибридных

происходит в микроэлектронике и смежных областях:

нанопокрытий [53-56, 73-78].

— создание high-k тонких диэлектрических слоев

Существенно расширилась номенклатура прекур-

(в том числе легированных и нестехиометрических);

соров, используемых для нанесения покрытий раз-

личного химического состава, за счет разработки и

** Перечень предлагаемых прекурсоров можно найти,

например, в каталогах: MOCVD, CVD & ALD Precursors.

* Перепечатано с разрешения American Chemical

Newburyport, MA, USA: Strem Chemicals, Inc., 2018. 70 p.

City Chemical LLC. Chemical Products Catalogue. West

Society.

Haven, CT, USA: City Chemical LLC, 2020. 768 p.

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1107

— нанесение металлических тонкопленочных

соединений, для использования в OxReRAM требу-

структур;

ется создавать диэлектрические оксидные слои с кон-

— формирование конформных нитридных по-

тролируемым содержанием дефектов (кислородных

крытий.

вакансий) за счет легирования покрытий элементами

Переход в микроэлектронике на топологические

с более низкой степенью окисления (HfO₂:La [145,

размеры менее 50 нм потребовал не только умень-

146], HfO₂:Gd [147], ZrO₂:Y [130]).

шения толщины диэлектрических слоев (в первую

Другим перспективным направлением считается

очередь — подзатворных диэлектриков комплемен-

создание запоминающих устройств на основе сегне-

тарных металл-оксид-полупроводник транзисторов

тоэлектриков — Ferroelectric Random Access Memory

(КМОП-транзисторов) логических устройств), ранее

(FeRAM), базирующееся на изменении направления

формировавшихся на основе SiO₂, но и использова-

остаточной поляризации материала [45, 105, 111, 148-

ния для этих целей материалов с более высокой ди-

153]. Некоторые исследователи сообщают о получе-

электрической проницаемостью [94, 95]. Наибольший

нии методом молекулярного наслаивания полностью

интерес представляют достаточно просто получаемые

готовых запоминающих устройств [151, 154-158].

диэлектрические слои на основе ZrO₂ [96-99], HfO₂

Одним из важных направлений использования мо-

[100-107] и Ta₂O₅ [108-110], а также различные ком-

лекулярного наслаивания в микроэлектронике явля-

бинированные соединения на их основе: двухкомпо-

ется создание наноразмерных тонких металлических

нентные (HfO₂-ZrO₂ [111], HfO₂-Al₂O₃ [112-116],

пленок, используемых как в качестве контактных

ZrO₂-Al₂O₃ [114, 117-119], TiO₂-Al₂O₃ [120], HfO₂-

площадок для создания КМОП-структур, так и для

TiO₂ [121-123], ZrO₂-Ta₂O₅ [124, 125]), трехкомпо-

организации проводящих каналов между компонента-

нентные HfO₂-TiO₂-Al₂O₃ [126].

ми микросхем. Несмотря на то что в настоящее время

Важным преимуществом метода молекулярного

отработаны процессы получения покрытий из более

наслаивания является конформность нанесенных сло-

20 различных металлов,^* для микроэлектроники ис-

ев на поверхности с высоким аспектным соотноше-

пользуют в основном металлы платиновой подгруппы

нием [91, 127]. Это обусловило еще одно применение

[80, 159, 160], Cu [80, 161, 162], Co [163], Ni [164],

молекулярного наслаивания в микроэлектронике —

полиметаллические сплавы [165].

нанесение high-k оксидов для трехмерных конден-

Активная разработка процессов молекулярного

саторов основной памяти Dynamic Random Access

наслаивания для нанесения конформных нитридных

Memory (DRAM) [128-134], в которых аспектное

покрытий обусловливается не столько их диэлектри-

соотношение превышает величину 10:1.

ческими (Si₃N₄, AlN), полупроводниковыми (TiN) или

Тонкие конформные диэлектрические покрытия

проводящими (VN) свойствами, сколько возможно-

с высокой диэлектрической проницаемостью также

стью использовать нитридные материалы как барьер-

могут найти применение при создании энергоемких

ные слои, существенно замедляющие диффузионные

малоразмерных конденсаторов (так называемых «су-

процессы между тонкослойными элементами микро-

перконденсаторов») [135-141].

электроники. В настоящий момент процессы моле-

Особо следует остановиться на подходах к полу-

кулярного наслаивания используются для получения

чению наноразмерных аморфных гомогенных ди-

нитридов кремния [101, 166-168], алюминия [169],

электрических покрытий на основе оксидной (TiO₂-

титана [170-172], ванадия [173], а также нитридов

V₂O₅) [142] или оксокарбидной (AlSiCOH) [143, 144]

смешанного состава [174].

керамики. Химическая сборка и последующая сшивка

Электролюминесцентные устройства. Развитие

привитых элементорганических структур препятству-

успешно проведенной в 1980-х годах финскими

ют появлению центров кристаллизации, в результате

специалистами коммерциализации технологии моле-

чего отжиг органосодержащих компонентов приводит

кулярного наслаивания для создания тонкопленочных

к формированию аморфного покрытия.

электролюминесцентных дисплеев в последние 15-

Развитие устройств энергонезависимой памяти в

20 лет существенно затормозилось. В первоначально

настоящий момент связывают с созданием оксидной

разработанной конструкции использовали тонкопле-

резистивной памяти произвольного доступа — Oxide

ночную слоистую структуру, где слой люминофора

Resistive Random Access Memory (OxReRAM), осно-

ванной на эффекте изменения проводимости за счет

* Plasma & Materials Processing group at Eindhoven

образования проводящего канала из кислородных

University of Technology (Netherlands), ALD Database, 2021.

вакансий. Поскольку технология молекулярного на-

URL: https://www.atomiclimits.com/alddatabase (дата обра-

слаивания приводит к получению стехиометричных

щения: 02.06.2021).

1108

Соснов Е. А. и др.

(ZnS:Mn желто-оранжевого цвета свечения) толщи-

В настоящее время методом молекулярного на-

ной 500-1000 нм отделяли от оптически прозрачных

слаивания с использованием хлоридов или алкокси-

электродов тонкими (~200 нм) диэлектрическими

дов металлов и H₂S (H₂Se) синтезированы люмино-

слоями на основе Al₂O₃ или Ta₂O₅. Дальнейшие раз-

форы различного назначения не только на базе ZnS с

работки позволили повысить пороговое напряжение,

различным набором активаторов (например, ZnS:Cu,

после которого наступает электрический пробой изо-

ZnS:Mn, ZnS:Er³⁺) [40] или CdS [184], но и тонкие

лирующих слоев, за счет использования в качестве

люминесцентные слои на основе SrS, BaS, CaS и

диэлектрика слоистых систем Al₂O₃-TiO₂. В насто-

др. (перечни синтезированных сульфидов и люми-

ящий момент на замену указанной системе разраба-

нофоров на их основе можно найти в обзорах [43,

тываются более электропрочные диэлектрические

185, 186]), а также на основе смешанных сульфидов

слои на основе HfO₂, ZrO₂ и слоистых (nanolaminate)

(Cd_xZn1-xS), селенидов (ZnSe) и сульфидов-селенидов

материалов на их основе [119, 125, 175, 176].

(SrS1-xSe_x, ZnS1-xSe_x) переменного состава.

Для расширения спектра цветов люминесценции

Технологию молекулярного наслаивания исполь-

была исследована возможность создания тонкопле-

зуют для нанесения тонких защитных слоев на осно-

ночных электролюминесцентных структур с высо-

ве SiO₂ [187], Al₂O₃ [188, 189] или TiO₂ [190], предот-

кой яркостью и энергоэффективностью на основе

вращающих деградацию поверхности люминофоров

различных халькогенидов (ZnS, CaS, SrS, BaS, ZnSe)

в процессе их эксплуатации и не снижающих при

и тиогаллатов (SrGa₂S₄), активированных РЗЭ (Ce³⁺,

этом яркости люминофора.

Eu²⁺, Sm³⁺, Tb³⁺, Tm³⁺ и др.) [37, 43, 177-180], что

Кроме того, существует работа, где показана воз-

позволило создать трехцветный (зелено-желто-крас-

можность формирования фосфора активационным

ный) дисплей на основе ZnS:Tb (цветовые коорди-

методом путем введения методом химической сборки

наты X = 0.30, Y = 0.60) или SrS:Ce (X = 0.3, Y = 0.5),

в его приповерхностный слой дополнительного соак-

ZnS:Mn (X = 0.45, Y = 0.55) и ZnS:Sm (X = 0.68,

тиватора, что приводит к значительному повышению

Y = 0.31). Появились сообщения о создании тон-

яркости люминофора [191]. Однако в настоящий мо-

кослойных электролюминесцентных дисплеев на ос-

мент масштабное коммерческое применение техно-

нове Y₂O₃:Eu-люминофора красного цвета свечения

логии молекулярного наслаивания в данной области

[181]. Создание же полноцветных дисплеев затрудня-

прогнозируется только для обеспечения защиты по-

ется отсутствием технологии молекулярного наслаи-

верхности люминесцентных материалов от воздей-

вания «синего» люминофора, излучающего в области

ствия внешней среды в ходе эксплуатации [192].

450-480 нм [182] (разработанный люминесцентный

Фотовольтаика. Для создания фотоэлектриче-

дисплей с люминофором «синего» цвета свечения на

ских преобразователей солнечной энергии необхо-

основе SrS:Cu [183] обладает максимумом в диапа-

димо использовать полупроводниковый материал с

зоне 470-530 нм, т. е. голубовато-салатного цвета).

шириной запрещенной зоны в пределах 0.9-1.7 эВ.

Вследствие этого электролюминесцентные панели

Для этих целей подходит не только кристаллический

практически полностью вытеснены с рынка более

кремний, но и ряд халькогенидов со структурой халь-

дешевыми полноцветными жидкокристаллическими

копирита [CuInSe₂, Cu(In,Ga)Se₂, Cu(In,Ga)(S,Se)₂,

дисплеями (в различных модификациях) и дисплеями

Cu(Zn,Sn)(S,Se)₂], а также соединения ABX₃ со струк-

на основе органических светодиодов [182].

турой перовскита (в том числе и органо-неоргани-

Люминесцентные композиции. Использование

ческие системы, например CH₃NH₃PbX₃ (X = Br, I,

молекулярного наслаивания для создания люми-

I_0.67Cl_0.33) [44]). При этом от качества интерфейса

несцентных материалов включает следующие про-

(сплошности, бездефектности) на границе гетеропе-

цессы:

реходов (как полупроводник/полупроводник, так и

— формирование тонких люминесцентных покры-

полупроводник/изолятор) в ячейке зависит величина

тий на поверхности инертной матрицы;

скорости рекомбинации носителей заряда и в итоге

— создание на поверхности дисперсных люми-

эффективность преобразователя энергии.

нофоров различного назначения тонких радиацион-

Применение технологии молекулярного наслаи-

но-стойких оптически прозрачных защитных покры-

вания для нанесения на поверхность фотопреобразо-

тий, обладающих высокой электропроводностью;

вателя на основе p-Si пассивирующей алюмооксид-

— изменение концентрации и состава активаторов

ной пленки существенно повысило эффективность

(соактиваторов) люминесценции в тонком приповерх-

устройства (с 19-20 до 23.2%) [193]. А нанесение

ностном слое полупроводникового люминесцирую-

путем обработки парами CuCl, InCl₃ и H₂S тонкой

щего материала.

конформной пленки CuInS₂ внутри нанопористого

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1109

каркаса TiO₂ позволило повысить эффективность

ляет перейти к направленной сборке тонкопленочных

фотопреобразователя на 4% по сравнению с исход-

панелей солнечных преобразователей, в том числе на

ным TiO₂ [194]. Сопоставление качества интерфейса

гибкой основе [207-209].

Al₂O₃/p-Si, полученного по технологии молекуляр-

ного наслаивания и с использованием других техно-

Применение молекулярного наслаивания

логий нанесения покрытий (рис. 2), свидетельствует

для создания неорганических

о значительно (в 5-20 раз) более низкой скорости

и гибридных материалов

рекомбинации носителей заряда на границах, полу-

ченных по технологии молекулярного наслаивания

Керновые пигменты и наполнители. Многие часто

[195].

используемые в технологии молекулярного наслаи-

Учитывая все большее внимание к получению

вания соединения (например, Al₂O₃, SiO₂, ZnO) в

энергии из альтернативных возобновляемых источ-

составе покрытий толщиной в несколько нанометров

ников, следует ожидать активного внедрения техно-

оптически прозрачны и не изменяют оптических ха-

логии молекулярного наслаивания в производство

рактеристик нижележащей матрицы. Это позволяет

солнечных фотопреобразователей. По данной техно-

использовать такие материалы в виде пассивирую-

логии активно разрабатываются не только способы

щих покрытий, нанесение которых на поверхность

нанесения различных изолирующих или пассивиру-

различных пигментов препятствует деградации

ющих оксидных покрытий (интерес в последние годы

матрицы в условиях эксплуатации [192, 210-216].

вызывают такие оксиды металлов, как, например,

Однако формирование из тех же материалов доста-

MoO_x [196-198], WO_x [198], V₂O₅ [198], NiO_x [199,

точно толстых покрытий, полностью перекрывающих

200] и TiO_x [201]) на любые материалы, включая ор-

матрицу, либо нанесение оптически окрашенных

ганические [202], но и получение тонкопленочных

слоев (например, ZnO, Fe₃O₄, TiO₂, Cr₂O₃) позволяет

полупроводников с необходимой кристаллической

на базе дешевого матричного материала создать кер-

структурой: халькопиритов [203] и перовскитов [204],

новые пигменты и наполнители с характеристиками,

а также оптически прозрачных проводников с низким

аналогичными традиционным объемным продуктам

электросопротивлением [205, 206], что в итоге позво-

[192, 217-219]. Перспективность данного направле-

ния обусловлена возможностью увеличения объемов

производства указанных пигментов и наполнителей

без расширения сырьевой базы [220, 221]. Однако

следует отметить, что в силу неисчерпанности ма-

териальных ресурсов, используемых в качестве пиг-

ментов в лакокрасочной промышленности, вопрос

активного развития производства керновых пигмен-

тов пока не стоит.

Неорганические и гибридные материалы со стро-

го заданным строением. Активно развивающимся на-

правлением использования технологии молекулярно-

го наслаивания является нанесение тонкопленочных

или структурированных покрытий на поверхности

высокопористых материалов различного генезиса и

строения. При этом матрица может как включаться

в состав получаемого композита (в том числе ги-

бридного органо-неорганического), так и являться

Рис. 2. Сравнение характеристик пассивации поверх-

жертвенным материалом. Такой синтетический прием

ности элемента на основе Si p-типа, пассивированного

получил название «темплатный синтез».

Al₂O₃, нанесенного методами МН-АСО, PECVD и ре-

В последние годы активно развиваются следую-

активным распылением до и после отжига при ~800°C

щие направления применения полученных гибрид-

[скорость поверхностной рекомбинации (SRV) S_max

ных материалов:

измерена при уровне инжекции n = 10¹⁵ см^-3) [195].*

1. Использование волокнистой матрицы органиче-

ского происхождения в качестве жертвенного матери-

* Перепечатано с разрешения WIP Renewable Energies

ала позволяет получить тонкостеночные трубчатые

(European Photovoltaic Solar Energy Conf.).

металлоксидные наноматериалы [222, 223] с высокой

1110

Соснов Е. А. и др.

удельной поверхностью, представляющие интерес в

но в последнее время все чаще появляются работы по

качестве высокочувствительных сенсоров [224, 225].

созданию сенсорных устройств на основе ZrO₂ [254],

2. Аналогичный процесс с использованием ма-

Fe₂O₃ [255], Cr₂O₃ [256], NiO [257]. Анализируют

трицы, характеризующейся упорядоченной перио-

обычно содержания O₂, CO, CH₄, H₂, NH₃, причем

дической (опалоподобной) структурой, позволяет

селективность покрытий к разным аналитам может

сформировать материал со структурой инвертирован-

различаться на порядки. При этом чувствительность

ного опала, в которой к низкой плотности и высоким

тонкослойных сенсоров к аналитам носит нелиней-

функциональным свойствам добавляются еще и не-

ный характер (рис. 3) [258].

обычные физико-химические и оптические характе-

Разрабатываются и оптические сенсоры на ос-

ристики фотонных кристаллов [226-233].

нове материалов ядро-нанооболочка, получен-

Следует, однако, учитывать, что вещество в на-

ных по технологии молекулярного наслаивания.

норазмерном состоянии (а толщина стенок таких

Чувствительный слой, нанесенный на одномодовое

материалов определяется количеством нанесенных

оптическое волокно, при адсорбции аналита изменя-

монослоев соответствующего оксида) может суще-

ет показатель преломления, что позволяет получить

ственно изменять свои физико-химические (напри-

высокочувствительные датчики, способные контро-

мер, температуру плавления [232]) и электрофизиче-

лировать параметры процессов, протекающих в опас-

ские свойства [234].

ных и химически агрессивных средах [249, 259-264].

3. Формирование во внутрипоровом пространстве

Показано, что для повышения чувствительности оп-

мембранного материала наноразмерных покрытий

тических сенсоров требуется нанесение более тол-

позволяет тонко регулировать эффективный диаметр

стых, чем для резистивных сенсоров, покрытий. При

пор и тем самым регулировать поток элюента че-

этом оптимальная толщина чувствительного слоя

рез мембрану либо (в случае наноразмерных пор)

оптического сенсора определяется оптическими свой-

осуществлять сепарацию компонентов газовой или

ствами наносимого покрытия и длиной волны ис-

жидкостной смеси продуктов [235-240].

пользуемого для измерений источника когерентного

4. Если же на внутреннюю поверхность пор мем-

излучения (рис. 4) [259, 265].

браны методом молекулярного наслаивания нанести

Неорганические сорбенты и катализаторы.

каталитически-активные наноструктуры, то возмож-

Адаптация технологии молекулярного наслаивания

но создание энергоэффективных каталитических

для создания активных каталитических систем про-

мембранных реакторов, позволяющих в один проход

текает в двух направлениях.

сепарировать и каталитически преобразовывать ком-

С использованием «эффекта монослоя» [221] (ког-

поненты газовых смесей [238, 241, 242].

да прививка первого монослоя инородных атомов

При нанесении на поверхность матрицы биологи-

чески-активных материалов (например, ZnO) полу-

ченные нанопористые мембраны можно использовать

для очистки воды от патогенов (например, распро-

страняющихся в воде Escherichia coli и Staphylococcus

aureus [243]).

Неорганические материалы для сенсоров. В по-

следние годы молекулярное наслаивание активно

используется для создания адсорбционно-резистив-

ных газовых сенсоров, содержащих адсорбцион-

но-чувствительный слой (на основе поликристал-

лических оксидов переходных металлов, а также

твердых растворов на их основе), нанесенный на

подложку, снабженную электродами и нагревателем.

Сенсор обычно работает при нагревании в пределах

200-400°C. В этих условиях сорбция на поверхности

Рис. 3. Реакция сенсора на основе SnO₂ на присутствие

чувствительного слоя аналита приводит к изменению

11 мТорр CO при 300°C в зависимости от толщины на-

его электрофизических свойств.

несенной пленки [258].*

В качестве чувствительного слоя чаще всего нано-

сят тонкие слои или наноструктуры на основе SnO₂

* Перепечатано с разрешения Elsevier от 23.07.2021.

[244-248], ZnO [246, 248-250], TiO₂ [245, 251-254],

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1111

эксплуатационными характеристиками. Достаточно

обширный, но не исчерпывающий перечень ката-

литических реакций, промотируемых с помощью

элементоксидных покрытий, нанесенных на поверх-

ность дисперсного носителя, представлен в работе

[279].

Методом молекулярного наслаивания получа-

ют активные сорбционные материалы, способные

к селективному поглощению ряда газов [285-288]

или ионов тяжелых металлов (Fe, Cu, Zn, Ni) из рас-

творов [289]. Следует отметить, что для ускорения

синтеза сорбентов типа ядро-оболочка предлагается

использовать гибридную технологию, включающую

газо- или жидкофазное молекулярное наслаивание

тонкого переходного слоя с последующим осажде-

Рис. 4. Влияние толщины титаноксидного покрытия на

нием металлорганических соединений из растворов

величину отраженной от торца волокна мощности Q

по технологии Layer-by-Layer [290]. Сорбенты на

лазера (λ = 1310 нм) [265].*

основе γ-Mg(BH₄)₂ с нанесенным алюмооксидным

n — число циклов молекулярного наслаивания.

слоем предлагается использовать как накопитель во-

дорода [291].

приводит к существенному увеличению функцио-

Неорганические материалы для медицины. В хи-

нальных свойств композита по сравнению с матри-

рургической ортопедии для замены костных эле-

цей [266]) и собственной высокой каталитической

ментов обычно используют металлические имплан-

активности прививаемых структур на базе известных

ты, чаще всего на основе металлического титана.

каталитических систем на основе металлов платино-

Технология молекулярного наслаивания позволяет

вой группы (Pt, Pd, Ir, Rh, Ru) [267-275] и соединений

повысить биосовместимость таких имплантов без

некоторых металлов (Co, Ni, Cu, Nb) [276-279] на

изменения их строения за счет нанесения тонких

поверхности инертных матриц создан большой ряд

слоев на основе материалов, не отторгаемых организ-

катализаторов с активным центром в виде отдельных

мом (например, TiO₂ [292-296] либо гидроксиапатит

атомов или наноразмерных кластеров [273, 280, 281].

[297, 298] для костных имплантов или CaCO₃ [299]

Пользуясь возможностями технологии регулировать

для зубных).

количество и распределение функциональных групп

Разрабатываются также приемы, позволяющие

на поверхности исходного носителя (полностью или

ускорить заживление окружающих имплант тканей

частично гидроксилированная поверхность) [282-

за счет придания нанесенному покрытию дополни-

284], можно управлять плотностью распределения и

тельных антибактериальных свойств (например, ле-

строением прививаемых группировок, а количеством

гирование тонкопленочного покрытия на основе TiO₂

циклов обработки регулировать размеры формиру-

углеродом или азотом — TiO₂:С и TiO₂:N [300, 301]).

ющихся на поверхности наноструктур [280, 281].

Другое применение технологии молекулярного

Таким образом, метод молекулярного наслаивания

наслаивания, активно развивающееся в XXI веке, —

позволяет регулировать активность и селективность

биосенсорика. Чтобы биосенсор мог выработать

катализатора. Например, нанесение наночастиц Pt

сигнал, который может быть сопоставлен с присут-

привело к повышению выхода метанола и этанола в

ствием и концентрацией определенного аналита,

ходе конверсии синтез-газа [272].

необходима определенная морфология сенсорного

Нанесение достаточно толстого (полностью пе-

элемента с оптимальными химическими, электри-

рекрывающего поверхность матрицы) слоя катали-

ческими, оптическими и структурными свойствами

тически-активного соединения (обычно оксиды или

[302, 303], что может быть достигнуто применением

сульфиды переходных металлов) на высокодисперс-

технологии молекулярного наслаивания — нанесе-

ную или высокопористую матрицу позволяет полу-

нием изолирующих покрытий [304-308] или хими-

чить катализаторы типа ядро-оболочка с высокими

чески активных сенсорных наноструктур [309, 310].

В бесферментных сенсорах на поверхности электрода

* Перепечатано с разрешения Журнала прикладной

формируются проводящие наноструктуры из мате-

химии.

риалов с высокой электрохимической активностью

1112

Соснов Е. А. и др.

Рис. 5. Строение ферментсодержащего электрохимического сенсора.

(наночастицы Pt, Au, CdS, оксидов металлов) [302].

— активных центров катализаторов, сорбентов

В ферментсодержащих электрохимических сенсо-

или сенсоров [231, 312, 313, 333];

рах (рис. 5) поверх проводящего слоя (медиатора),

— готовых изделий — от сложных технических

обеспечивающего эффективный перенос заряда на

устройств [265, 334-336] до коллекционных монет

электрод, иммобилизуется чувствительный слой на

[337].

основе ферментов, а для защиты сенсора от воздей-

При этом защитные характеристики покрытий

ствия нежелательных компонентов анализируемых

превосходят свойства аналогичных, получаемых с

растворов и повышения селективности наносится по-

использованием других технологий при значительно

лупроницаемая мембрана [311]. В некоторых случаях

меньших толщинах [336].

технология молекулярного наслаивания используется

Интересный способ формирования покрытия на

также для защиты активных компонентов сенсора

поверхности полимерного материала за счет исполь-

от деградации путем нанесения тонкого защитного

зования двух различных методик молекулярного на-

покрытия на готовое изделие [231, 312, 313].

слаивания: осаждения наночастиц TiO₂ и SiO₂ по

Одно из интересных применений технологии мо-

технологии Layer-by-Layer с последующей сшивкой

лекулярного наслаивания в биосенсорике возникло

последних газофазным осаждением алюмооксидно-

в эпоху разработки технологии секвенирования био-

го покрытия в порах кремний-титаноксидного слоя

полимеров (белков и нуклеиновых кислот — ДНК и

(рис. 6) — был предложен в работе [338]. Такой под-

РНК). Для организации отделения нуклеотидов вос-

ход позволил нанести на полимерную пленку покры-

пользовались трековыми мембранами, регулируя их

тия, по прочности превосходящие получаемые путем

диаметр путем нанесения инертных неорганических

спекания (рис. 7), но без термического воздействия на

покрытий [235, 314-316].

защищаемый материал.

Возможно использование технологии молекуляр-

Во многих случаях нанесение защитного покрытия

ного наслаивания и для создания носителей лекар-

сопровождается упрочнением поверхностного слоя за-

ственных средств, позволяющих реализовывать тар-

щищаемого материала на наноразмерном уровне [339]

гетную доставку действующего вещества. Для этих

за счет «залечивания» дефектов строения поверхност-

целей хорошо подходят наноразмерные дисперсные

ного слоя (наноразмерные трещины, поры и т. п.),

матрицы на основе Fe₃O₄, перемещение которых в

что позволяет не только повысить эксплуатационные

организме может легко регулировать внешним маг-

характеристики стеклянных матриц [340], но и уве-

нитным полем [317, 318]. Однако для закрепления

личить прочностные характеристики металлических

(иммобилизации) лекарственных препаратов поверх-

изделий, например шарикоподшипников [341, 342].

ность такой матрицы часто нуждается в защите или

В последние годы в процессе расширения но-

изменении физико-химических свойств.

менклатуры реагентов, используемых для нанесения

Тонкопленочные неорганические нанопокрытия

покрытий, появляются работы по нанесению на раз-

различного функционального назначения. Наиболее

личные материалы и изделия термостойких слоистых

часто покрытия используют для обеспечения защи-

материалов (MoS₂, WS₂), придающих матрице анти-

ты различных материалов и изделий от воздействия

фрикционные свойства [343-346].

окружающей или рабочей среды. С такой целью на-

Интерференция света, наблюдаемая в тонких плен-

носят покрытия различного состава (Al₂O₃,TiO₂, ZnO,

ках, позволяет окрашивать поверхность защищаемых

ZrO₂, HfO₂ и др., в том числе органо-неорганические)

материалов в широкую гамму оттенков [347-349], что

для защиты:

с учетом возможностей фотолитографии позволяет

— конструктивных элементов химических источ-

создавать защитные хроматические покрытия, под-

ников или накопителей тока [43, 77, 319-325];

тверждающие подлинность защищаемого объекта.

— металлов и сплавов от контакта с окружающей

Технология молекулярного наслаивания может

средой [326-332];

быть использована и для изменения хроматического

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1113

Рис. 6. Схематическое изображение пленки TiO₂/SiO₂, полученной по технологии Layer-by-Layer, до (слева) и после

осаждения атомного слоя по технологии молекулярного наслаивания (справа) [338].*

ряда полудрагоценных камней. Так, нанесение на

Керамические материалы и композиты. Техноло-

поверхность опалов элементоксидных нанопокрытий

гия молекулярного наслаивания используется для

различного химического состава позволяет в широ-

создания керамических материалов с улучшенными

ких пределах изменять цветовую гамму материала

эксплуатационными свойствами:

(см. таблицу).

— получения вакуумплотной керамики с низкой

температурой спекания (нанесение на поверхность

предкерамических материалов элементоксидного

монослоя на основе V₂O₅, TiO₂ или Cr₂O₃ позволяет

снизить температуру спекания материала на ~100°С

[350]);

— повышения термоокислительной стойкости

керамики на основе SiC [351];

— повышения теплопроводности композитов

[352];

— снижения пористости керамических материа-

лов [353];

— формирования трехмерных наноструктуриро-

ванных (армированных) керамических материалов

[354].

Химически модифицированные по технологии

молекулярного наслаивания дисперсные материалы

используют при создании органо-неорганических

композитов различного функционального назначения

Рис. 7. Модуль упругости (значения плато) и твердость

[25, 355].

композитной пленки TiO₂ (МН-АСО)/SiO₂ (Layer-by-

Layer) на пластинах монокристаллического кремния

Полимерные и гибридные материалы. Технология

в зависимости от количества циклов молекулярного

молекулярного наслаивания активно используется в

наслаивания.

процессе создания полимерных материалов с регули-

Каждая точка — статистическое среднее значение для

руемыми свойствами (повышенной устойчивостью к

36 испытаний измерения жесткости при глубине вдавли-

термоокислению, смачиваемостью, газо- и влагопро-

вания 9.5-10.5% от толщины пленки [338].**

ницаемостью и т. д.).

Так, для снижения горючести полимерных матери-

* Перепечатано с разрешения American Chemical

алов, натуральных волокон и изделий из них перспек-

Society.

тивной является поверхностная обработка, которая

** Там же.

обеспечивает блокировку центров, ответственных

1114

Соснов Е. А. и др.

Цветовые характеристики опалов с модифицированной поверхностью

Число циклов

Заряд катиона

Цвет образца

Реагент

обработки

в покрытии

в отраженном свете

на просвет

VOCl₃ , H₂O

V(+5)

Темно-зеленый

Горчичный

VOCl₃, H₂O

V(+5)

Голубой

Желто-розовый

Зеленый

CrO₂Cl₂

Cr(+6)

Красный

Непрозрачный

Оранжевый

CrO₂Cl₂, C₂H₅OH

Cr(+3)

Оранжевый

Зеленый

CrO₂Cl₂, C₂H₅OH

Cr(+3)

Красный

Коричневый

Зеленый

Фиолетовый

VOCl₃, H₂O, POCl₃

V(+5), P(+5)

Салатный

Желто-зеленый

за разрушение материала [356]. Здесь вместо физи-

ного типа [19-22] такой способ модифицирования

ко-химических и колллоидно-химических методов

полимерных пленок является экономически привле-

защиты (адсорбция наночастиц, золь-гель покрытия,

кательным.

осаждение биомакромолекул [357]) можно исполь-

Следует отметить, что полимерные материалы,

зовать два подхода, базирующиеся на технологии

будучи по природе волокнистыми, обладают прони-

молекулярного наслаивания.

цаемостью по отношению к различным низкомолеку-

Во-первых, обработка готовых изделий реагента-

лярным веществам. Поэтому химическая обработка

ми, содержащими элементы-ингибиторы окисления

поверхности полимеров по технологии молекулярно-

(например, фосфор), которые принимают активное

го наслаивания приводит к формированию привитых

участие в замедлении деструкции полимера как в

структур не только на поверхности материала, но и по

газовой (дезактивация свободных радикалов), так и в

всему объему полимера, что позволяет регулировать

конденсированной (рекомбинация активных центров

газо- и влагопроницаемость соответствующего мате-

на границе раздела газ-твердое тело) фазах [358].

риала [367-370]. Аналогичных результатов можно до-

Во-вторых, нанесение с использованием методики

ионного наслаивания на поверхность горючих матриц

гибридных или чисто неорганических композиций,

препятствующих доступу кислорода к защищаемому

материалу [359-362].

Важным направлением использования техноло-

гии молекулярного наслаивания является изменение

химической природы поверхности полимерных ма-

териалов, обеспечение смачиваемости или, наобо-

рот, несмачиваемости поверхности полярными или

неполярными средами (рис. 8) [240, 363-366]. Для

изменения гидро(лио)фильных свойств исходного

материала бывает достаточно однократной обработки

матрицы соответствующим низкомолекулярным реа-

гентом (для гидрофобных материалов — низкомоле-

Рис. 8. Изменение контактного угла смачивания водой

кулярным соединением с гидрофильными свойствами

углеродных нанотрубок с цинкоксидным покрытием в

(например, VOCl₃, PCl₃), для гидрофильных — эле-

зависимости от числа циклов молекулярного наслаива-

менторганическими соединениями с метильными

ния [364].*

группами) [363]. С учетом возможности обработки

по технологии молекулярного наслаивания рулонных

* Перепечатано с разрешения Elsevier от 23.07.2021.

материалов на разработанном оборудовании барабан-

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1115

биться путем изготовления композитов с химически

синтезе синергических наносистем, а также много-

модифицированными по технологии молекулярного

функциональных нанопокрытий;

наслаивания наноразмерными слоями [335, 371] или

— будут совершенствоваться приемы кванто-

наполнителями [355].

во-химического и других вариантов моделирования

В последние годы сформировалось направление

процесса МН-АСО, результаты которых могут быть

использования молекулярного наслаивания для мо-

положены в основу оптимизации и прогнозирования

дифицирования полимеров — путем химической

режимов синтеза, состава и строения, а следователь-

прививки к активным центрам полимерной матрицы

но, и свойств целевых продуктов;

на ее поверхности создаются активные неорганиче-

— активизируется развитие гибридной нано-

ские структуры, способные накапливать и длительно

технологии с использованием технологий туннель-

удерживать электрический заряд [372-374]. В случае

но-зондовой нанолитографии как способа функци-

же формирования сложных двух- (и более) компо-

онализации поверхности для проведения процесса

нентных привитых группировок возможен синерги-

молекулярного наслаивания.

ческий эффект, существенно (вплоть до температур

Нанотехнология молекулярного наслаивания мо-

перехода матрицы в вязкотекучее состояние или ее

жет быть востребована во многих областях твер-

термодеструкции) повышающий термическую стой-

дофазного материаловедения при создании ма-

кость полимерного электрета [375].

териалов и изделий различного функционального

назначения:

— модифицированных сорбентов на основе про-

Заключение

мышленных пористых носителей (силикагель, уголь,

Представленные в обзоре основные достиже-

цеолит, оксид алюминия и др.), обладающих повы-

ния в области создания материалов различного

шенными сорбционными характеристиками;

функционального назначения с применением ме-

— гетерогенных катализаторов окисления, деги-

тода молекулярного наслаивания, разработанного

дрирования и других процессов с высокими удель-

С. И. Кольцовым на основе «остовной» гипотезы

ными характеристиками;

В. Б. Алесковского, динамично развивающегося во

— керновых пигментов и наполнителей компози-

многих странах мира в последние двадцать лет, сви-

ционных материалов, обладающих высокими адге-

детельствуют о высокой востребованности таких раз-

зионными свойствами, заданными цветовыми харак-

работок в первую очередь для высокотехнологичных

теристиками;

направлений техники и технологии.

— защитных нанопокрытий и поверхностных на-

Анализ основных результатов исследований и

нодобавок, обеспечивающих повышение коррозион-

коммерциализации нанотехнологии молекулярного

ной стойкости к химическим и другим атмосферным

наслаивания в последние два десятилетия позволяет

воздействиям, радиационным излучениям, высоким

выделить ряд перспективных направлений разви-

температурам, пламени, вибро- и ударным нагрузкам

тия работ в области МН-АСО в ближайшем десяти-

и другим механическим воздействиям;

летии.

— декоративных покрытий в ювелирной промыш-

В области расширения синтетических возможно-

ленности;

стей молекулярного наслаивания и появления новых

— различных видов носителей для сенсорных и

фундаментальных разработок:

других датчиков контроля и индикации газовых и

— продолжится развитие методик тонкого органи-

жидких сред, в том числе для эксплуатации в экс-

ческого синтеза прекурсоров для рассматриваемого

тремальных условиях, с повышенными функцио-

процесса;

нальными характеристиками по чувствительности,

— получат дальнейшее развитие процессы

селективности, надежности;

МН-АСО, совмещенные с различными технология-

— новых преобразователей энергии с высокими

ми воздействия на матрицу и реагенты (воздействие

удельными параметрами (элементов, в том числе

УФ-излучения, плазмы, электромагнитных полей и

гибких, солнечных батарей, твердотельных суперкон-

др.), особенно при синтезе металлических нанострук-

денсаторов, литиевых источников тока, электретных

тур и нанослоев;

материалов);

— наибольший интерес будет представлять хи-

— мембранных материалов и изделий с заданными

мическая сборка многокомпонентных наноструктур

транспортными характеристиками, селективностью,

разного состава и строения, что особенно важно при

каталитической и сорбционной активностью;

1116

Соснов Е. А. и др.

— нанолегированных керамических материалов

Поэтому именно в ближайшее десятилетие следует

(оксидная и бескислородная керамика) с понижен-

ожидать наиболее широкое внедрение нанотехно-

ной температурой компактирования, повышенными

логии молекулярного наслаивания, в первую оче-

функциональными свойствами;

редь в микро- и наноэлектронике, альтернативной

— градиентных нанопокрытий, обеспечивающих

энергетике, сорбции и катализе. Успешное решение

закономерное изменение функциональных (опти-

указанной задачи в России, особенно с учетом про-

ческих, комплексных) характеристик материалов и

блем, связанных с импортозамещением, потребует

изделий;

в кратчайшие сроки организации промышленного

— тонких покрытий из высокотемпературных

производства установок молекулярного наслаивания,

сверхпроводников;

а также развития малотоннажной химии для син-

— биосовместимых покрытий и имплантов;

теза необходимых элементорганических реагентов.

— электролюминесцентных дисплеев (не меша-

Одним из эффективных подходов для достижения

ющих обзору) на лобовых и боковых стеклах транс-

поставленной цели и коммерциализации результа-

портных средств.

тов исследований является частно-государственное

Появление новых твердофазных носителей, та-

партнерство, реализуемое, например, через создание

ких как фуллерены, углеродные и неорганические

инжиниринговых центров на базе ведущих вузов или

нанотрубки, графен, представляет не только фунда-

научных организаций. Примером такого партнерства

ментальный, но и практический интерес для исполь-

может быть создание в 2021 г. в Санкт-Петербургском

зования их в качестве носителей при создании новых

государственном технологическом институте (техни-

материалов вида ядро-нанооболочка.

ческом университете) при поддержке Правительства

Не вызывает сомнений ускоренное развитие работ

Санкт-Петербурга и Минобрнауки РФ (соглашение

по созданию промышленного технологического обо-

№ 075-15-2021-028) Первого всероссийского инжи-

рудования для реализации процесса молекулярного

нирингового центра технологии молекулярного на-

наслаивания как при атмосферном давлении, так и в

слаивания.

вакууме. При этом важное значение должны приоб-

рести автоматизация процесса синтеза (в том числе

Финансирование работы

разработка программного обеспечения установок), а

также организация процесса молекулярного наслаи-

Подготовка обзора поддержана Российским

вания, обеспечивающая повышение скорости фор-

фондом фундаментальных исследований (грант

мирования функциональных нанопокрытий. В уста-

№ 20-13-50088).

новках ускоренного молекулярного наслаивания в

отличие от традиционных устройств, в которых в

Конфликт интересов

реактор с подложкой поочередно в заданной последо-

вательности подаются потоки реагентов и инертных

А.А. Малыгин является заместителем главного

газов, будет осуществляться перемещение подложки

редактора Журнала прикладной химии. Остальные

в потоки реагентов, разделенных барьерами из осу-

авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов,

шенного инертного газа.

требующего раскрытия в данной статье.

Появления каких-либо принципиально новых

методов идентификации систем ядро-оболочка в

Информация об авторах

предстоящее десятилетие не ожидается. Основное

внимание будет уделено развитию неразрушающих

Соснов Евгений Алексеевич, к.х.н., доцент,

методов контроля и проведению исследований в ре-

ORCID: http://orcid.org/0000-0003-1639-9514

жиме in situ.

Малков Анатолий Алексеевич, к.х.н., доцент,

Следует отметить, что сформулированные пер-

ORCID: https://orcid.org/0000-0002-9219-4759

спективные направления коммерциализации нано-

Малыгин Анатолий Алексеевич, д.х.н., проф.,

технологии молекулярного наслаивания согласуются

ORCID: http://orcid.org/0000-0002-1818-7761

с подготовленными в последние годы прогнозами

научно-технологического развития России до 2030 г.*

03.01.2014) и Прогноз научно-технологического развития

* Прогноз научно-технологического развития Россий-

России: 2030. Новые материалы и нанотехнологии / Под

ской Федерации на период до 2030 г. Минобрнауки России.

ред. Л. М. Гохберга, А. Б. Ярославцева. М.: Минобрнауки

М., декабрь 2013 г. № ДМ-П8-5 (утв. Правительством РФ

России, НИУ ВШЭ, 2014. 52 с.

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1117

Список литературы

applied by Atomic Layer Deposition onto polymer-

coated paperboard // Appl. Surf. Sci. 2010. V. 257.

[1]

Соснов Е. А., Малков А. А., Малыгин А. А. Нано-

N 3. P. 736-740.

технология молекулярного наслаивания в произ-

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.07.051

водстве неорганических и гибридных материалов

[9]

King S. W. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition

различного функционального назначения (обзор).

of SiN_x:H and SiO₂ // J. Vac. Sci. Technol. A. 2011.

I. История создания и развития метода молекулярно-

V. 29. N 4. ID 041501.

го наслаивания // ЖПХ. 2021. Т. 94. № 8. С. 967-986.

https://doi.org/10.1116/1.3584790

https://doi.org/10.31857/S0044461821080028

[10]

Potts S. E., Kessels W. M. M. Energy-enhanced Atomic

[Sosnov E. A., Malkov A. A., Malygin A. A. The

Layer Deposition for more process and precursor

nanotechnology of Molecular Layering in the

versatility // Coord. Chem. Rev. 2013. V. 257. N 23-

production of inorganic and hybrid materials for various

24. P. 3254-3270.

functional purposes (A review). I. History of creation

https://doi.org/10.1016/j.ccr.2013.06.015

and development of the Molecular Layering method //

[11]

Suh S., Ryu S. W., Cho S., Kim J. R., Kim S.,

Russ. J. Appl. Chem. 2021. V. 94. N 8. P. 1022-1037.

Hwang C. S., Kim H. J. Low-temperature SiON

https://doi.org/10.1134/S1070427221080024].

films deposited by Plasma-Enhanced Atomic Layer

[2]

Chen H., Lin Q., Xu Q., Yang Y., Shao Z., Wang Y.

Deposition method using activated silicon precursor //

Plasma activation and Atomic Layer Deposition of

J. Vac. Sci. Technol. A. 2016. V. 34. N 1. ID 01A136.

TiO₂ on polypropylene membranes for improved

https://doi.org/10.1116/1.4937734

performances of lithium-ion batteries // J. Membr. Sci.

[12]

Lien C., Konh M., Chen B., Teplyakov A.V., Zaera F.

2014. V. 458. P. 217-224.

Gas-phase electron-impact activation of Atomic Layer

https://doi.org/10.1016/j.memsci.2014.02.004

Deposition (ALD) precursors: MeCpPtMe₃ // J. Phys.

[3]

Mameli A., Kuang Y., Aghaee M., Ande C. K.,

Chem. Lett. 2018. V. 9. N 16. P. 4602-4606.

Karasulu B., Creatore M., Mackus A. J. M.,

https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.8b02125

Kessels W. M. M., Roozeboom F. Area-selective Atomic

[13]

А. с. SU 1359261 A1 (опубл. 1987). Устройство для

Layer Deposition of In₂O₃:H using a μ-plasma printer

синтеза оксидных покрытий.

for local area activation // Chem. Mater. 2017. V. 29.

[14]

Poodt P., Lankhorst A., Roozeboom F., Spee K., Maas

N 3. P. 921-925.

D., Vermeer A. High-speed Spatial Atomic-Layer

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b04469

Deposition of aluminum oxide layers for solar cell

[4]

Sprenger J. K., Cavanagh A. S., Sun H., Wahl K. J.,

passivation // Adv. Mater. 2010. V. 22. N 32. P. 3564-

Roshko A., George S. M. Electron enhanced growth of

3567. https://doi.org/10.1002/adma.201000766

crystalline gallium nitride thin films at room temperature

[15]

Munoz-Rojas D., MacManus-Driscoll J. Spatial

and 100°C using sequential surface reactions // Chem.

atmospheric Atomic Layer Deposition: A new

Mater. 2016. V. 28. N 15. P. 5282-5294.

laboratory and industrial tool for low-cost

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b00676

photovoltaics // Mater. Horiz. 2014. V. 1. N 3. P. 314-

[5]

Sprenger J. K., Sun H., Cavanagh A. S., Roshko A.,

320. https://doi.org/10.1039/C3MH00136A

Blanchard P. T., George S. M. Electron-Enhanced

[16]

Maydannik P. S., Kääriäinen T. O., Lahtinen K.,

Atomic Layer Deposition (EE-ALD) of boron nitride

Cameron D. C., Söderlund M., Soininen P.,

thin films at room temperature and 100°C // J. Phys.

Johansson P., Kuusipalo J., Moro L., Zeng X. Roll-

Chem. C. 2018. V. 122. N 17. P. 9455-9464.

to-roll Atomic Layer Deposition process for flexible

https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b00796

electronics encapsulation applications // J. Vac. Sci.

[6]

Mameli A., Karasulu B., Verheijen M. A., Barcones B.,

Technol. A. 2014. V. 32. N 5. ID 051603.

Macco B., Mackus A. J. M., Kessels W. M. M. E.,

https://doi.org/10.1116/1.4893428

Roozeboom F. Area-selective Atomic Layer Deposition

[17]

Sharma K., Hall R. A., George S. M. Spatial Atomic

of ZnO by area activation using Electron Beam-Induced

Layer Deposition on flexible substrates using a

Deposition // Chem. Mater. 2019. V. 31. N 4. P. 1250-

modular rotating cylinder reactor // J. Vac. Sci.

1257. https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b03165

Technol. A. 2015. V. 33. N 1. ID 01A132.

[7]

Singh J. A., Thissen N. F. W., Kim W.-H., Johnson H.,

https://doi.org/10.1116/1.4902086

Kessels W. M. M., Bol A. A., Bent S. F., Mackus A. J. M.

[18]

Hoye R. L., Muñoz-Rojas D., Nelson S. F., Illiberi A.,

Area-selective Atomic Layer Deposition of metal oxides

Poodt P., Roozeboom F., MacManus-Driscoll J. L.

on noble metals through catalytic oxygen activation //

Research update: Atmospheric pressure Spatial Atomic

Chem. Mater. 2018. V. 30. N 3. P. 663-670.

Layer Deposition of ZnO thin films: Reactors, doping,

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.7b03818

and devices // APL Mater. 2015. V. 3. N 4. ID 040701.

[8]

Hirvikorpi T., Vähä-Nissi M., Harlin A., Marles J.,

https://doi.org/10.1063/1.4916525

Miikkulainen V., Karppinen M. Effect of corona pre-

[19]

Dickey E., Barrow W. A. High rate roll to roll Atomic

treatment on the performance of gas barrier layers

Layer Deposition, and its application to moisture

1118

Соснов Е. А. и др.

barriers on polymer films // J. Vac. Sci. Technol. A.

[30]

Huang J., Lucero A. T., Cheng L., Hwang H. J.,

2012. V. 30. N 2. ID 021502.

Ha M.-W., Kim J. Hydroquinone-ZnO nano-laminate

https://doi.org/10.1116/1.3678486

deposited by Molecular-Atomic Layer Deposition

[20]

Hirvikorpi T., Laine R., Vähä-Nissi M., Kilpi V.,

// Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. N 12. ID 123101.

Salo E., Li W.-M., Lindfors S., Vartiainen J., Kenttä E.,

https://doi.org/10.1063/1.4916510

Nikkola J., Harlin A., Kostamo J. Barrier properties of

[31]

Buchkov K., Galluzzi A., Blagoev B., Paskaleva A.,

plastic films coated with an Al₂O₃ layer by roll-to-toll

Terziyska P., Stanchev T., Mehandzhiev V., Tzvetkov P.,

Atomic Layer Deposition // Thin Solid Films. 2014.

Kovacheva D., Avramova I., Nazarova E., Polichetti M.

V. 550. P. 164-169.

Magneto-optical characterization of ZnO/Ni nano-

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.148

laminate obtained via Atomic Layer Deposition //

[21]

Maydannik P. S., Kääriäinen T. O., Cameron D. C. An

J. Phys.: Conf. Ser. 2021. V. 1762. N 1. ID 012041.

Atomic Layer Deposition process for moving flexible

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1762/1/012041

substrates // Chem. Eng. J. 2011. V. 171. N 1. P. 345-

[32]

Marin E., Guzman L., Lanzutti A., Ensinger W.,

349. https://doi.org/10.1016/j.cej.2011.03.097

Fedrizzi L. Multilayer Al₂O₃/TiO₂ Atomic Layer

[22]

Poodt P., Knaapen R., Illiberi A., Roozeboom F., van

Deposition coatings for the corrosion protection

Asten A. Low temperature and roll-to-roll Spatial

of stainless steel // Thin Solid Films. 2012. V. 522.

Atomic Layer Deposition for flexible electronics //

P. 283-288. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.08.023

J. Vac. Sci. Technol. A. 2012. V. 30. N 1. ID 01A142.

[33]

Ahn C. H., Kim S. H., Yun M. G., Cho H. K. Design of

https://doi.org/10.1116/1.3667113

step composition gradient thin film transistor channel

[23]

Малыгин А. А. Метод молекулярного наслаивания:

layers grown by Atomic Layer Deposition // Appl.

от фундаментальных исследований к коммерци-

Phys. Lett. 2014. V. 105. N 22. ID 223513.

ализации // Рос. хим. журн. 2013. Т. LVII. № 6.

https://doi.org/10.1063/1.4901732

С. 7-20.

[34]

Jogiaas T., Zabels R., Tarre A., Tamm A. Hardness

[24]

McCormick J. A., Cloutier B. L., Weimer A. W.,

and modulus of elasticity of Atomic Layer Deposited

George S. M. Rotary reactor for Atomic Layer

Al₂O₃-ZrO₂ nanolaminates and mixtures // Mater.

Deposition on large quantities of nanoparticles //

Chem. Phys. 2020. V. 240. ID 122270.

J. Vac. Sci. Technol. A. 2007. V. 25. N 1. P. 67-74.

https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2019.122270

https://doi.org/10.1116/1.2393299

[35]

Park H., Shin S., Choi H., Lee N., Choi Y., Kim K.,

[25]

Liang X., Hakim L. F., Zhan G.-D., McCormick J. A.,

Jeon H. Thin-film encapsulation of Al₂O₃ multidensity

George S. M., Weimer A. W., Spencer J. A. II,

layer structure prepared by Spatial Atomic Layer

Buechler K. J., Blackson J., Wood C. J., Dorgan J. R.

Deposition // J. Vac. Sci. Technol. A. 2020. V. 38.

Novel processing to produce polymer/ceramic

N 6. ID 062403. https://doi.org/10.1116/6.0000485

nanocomposites by Atomic Layer Deposition // J.

[36]

Terai Y., Kuroda S., Takita K. Growth of self-organized

Am. Ceram. Soc. 2007. V. 90. N 1. P. 57-63.

dots of Cd1-xMn_xTe on ZnTe by Atomic Layer Epitaxy

https://doi.org/10.1111/j.1551-2916.2006.01359.x

// J. Cryst. Growth. 2000. V. 214-215. P. 178-182.

[26]

Adhikari S., Selvaraj S., Kim D.-H. Progress in powder

https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00067-1

coating technology using Atomic Layer Deposition //

[37]

Ihanus J., Lambers E., Holloway P. H., Ritala M.,

Adv. Mater. Interfaces. 2018. V. 5. N 16. ID 1800581.

Leskelä M. XPS and electroluminescence studies

https://doi.org/10.1002/admi.201800581

on SrS1-xSe_x and ZnS1-xSe_x thin films deposited

[27]

Heil S. B. S., Van Hemmen J. L., Hodson C. J.,

by Atomic Layer Deposition technique // J. Cryst.

Singh N., Klootwijk J. H., Roozeboom F., Van de

Growth. 2004. V. 260. N 3-4. P. 440-446.

Sanden M. C. M., Kessels W. M. M. Deposition of TiN

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.08.046

and HfO₂ in a commercial 200 mm remote Plasma

[38]

Bakke J. R., Tanskanen J. T., Jung H. J., Sinclair R.,

Atomic Layer Deposition reactor // J. Vac. Sci.

Bent S. F. Atomic Layer Deposition of Cd_xZn1-xS

Technol. A. 2007. V. 25. N 5. P. 1357-1366.

films // J. Mater. Chem. 2011. V. 21. N 3. P. 743-751.

https://doi.org/10.1116/1.2753846

https://doi.org/10.1039/C0JM02786C

[28]

Knoops H. C. M., Faraz T., Arts K., Kessels W. M. M.

[39]

Yun S. J., Kim Y. S., Park S.-H. K. Fabrication of

Status and prospects of plasma-assisted Atomic Layer

CaS:Pb blue phosphor by incorporating dimeric Pb²⁺

Deposition // J. Vac. Sci. Technol. A. 2019. V. 37. N 3.

luminescent centers // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78.

ID 030902. https://doi.org/10.1116/1.5088582

N 6. P. 721-723. https://doi.org/10.1063/1.1343478

[29]

Sammelselg V., Tarre A., Lu J., Aarik J., Niilisk A.,

[40]

Hikavyy A., Neyts K., Stuyven G., Poelman D., De

Uustare T., Netšipailo I., Rammula R., Pärna R.,

Visschere P. Photoluminescent ZnS:Cu phosphor films

Rosental A. Structural characterization of TiO₂-Cr₂O₃

made with Atomic-Layer Chemical Vapor Deposition

nanolaminates grown by Atomic Layer Deposition //

and thermal evaporation // J. Soc. Inf. Disp. 2002.

Surf. Coat. Technol. 2010. V. 204. N 12-13. P. 2015-

V. 10. N 3. P. 255-258.

2018. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2009.11.039

https://doi.org/10.1889/1.1827876

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1119

[41]

Hoang J., Van T. T., Sawkar-Mathur M., Hoex B., Van

modification of superconductivity in epitaxial

de Sanden M. C. M., Kessels W. M. M., Ostroumov R.,

atomic layer-organic molecule heterostructures

Wang K. L., Bargar J. R., Chang J. P. Optical properties

// Nano Lett. 2017. V. 17. N 4. P. 2287-2293.

of Y₂O₃ thin films doped with spatially controlled Er³⁺

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b05010

by Atomic Layer Deposition // J. Appl. Phys. 2007.

[51]

Proslier T., Klug J., Becker N. C., Elam J. W., Pellin M.

V. 101. N 12. ID 123116.

Atomic Layer Deposition of superconductors // ECS

https://doi.org/10.1063/1.2748629

Trans. 2011. V. 41. N 2. P. 237-245.

[42]

Hendriks W. A., Chang L., Van Emmerik C. I., Mu J.,

https://doi.org/10.1149/1.3633673

De Goede M., Dijkstra M., Garcia-Blanco S. M. Rare-

[52]

Mackus A. J., Schneider J. R., MacIsaac C.,

earth ion doped Al₂O₃ for active integrated photonics

Baker J. G., Bent S. F. Synthesis of doped, ternary,

// Adv. Phys.: X. 2021. V. 6. N 1. ID 1833753.

and quaternary materials by Atomic Layer Deposition:

https://doi.org/10.1080/23746149.2020.1833753

A review // Chem. Mater. 2018. V. 31. N 4. P. 1142-

[43]

Dasgupta N. P., Meng X., Elam J. W., Martinson A. B.

1183. https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b02878

Atomic Layer Deposition of metal sulfide materials //

[53]

Zhou H., Bent S. F. Fabrication of organic interfacial

Acc. Chem. Res. 2015. V. 48. N 2. P. 341-348.

layers by Molecular Layer Deposition: Present status

https://doi.org/10.1021/ar500360d

and future opportunities // J. Vac. Sci. Technol. A.

[44]

Park N.-G. Perovskite solar cells: An emerging

2013. V. 31. N 4. ID 040801.

photovoltaic technology // Mater. Today. 2015. V. 18.

https://doi.org/10.1116/1.4804609

N 2. P. 65-72.

[54]

Cameron D. C., Ivanova T. V. Molecular Layer

https://doi.org/10.1016/j.mattod.2014.07.007

Deposition // ECS Tran. 2013. V. 58. N 10. P. 263-

[45]

Перевалов Т. В., Гриценко В. А., Гутаковский А. К.,

275. https://doi.org/10.1149/05810.0263ecst

Просвирин И. П. Строение сегнетоэлектрических

[55]

Sundberg P., Karppinen M. Organic and inorganic-

пленок Hf_0.9La_0.1O₂, полученных методом атом-

organic thin film structures by Molecular Layer

но-слоевого осаждения // Письма в ЖЭТФ. 2019.

Deposition: A review // Beilstein J. Nanotechnol.

Т. 109. № 1-2. С. 112-117.

2014. V. 5. N 1. P. 1104-1136.

https://doi.org/10.1134/S0370274X19020097

https://doi.org/10.3762/bjnano.5.123

[Perevalov T. V., Gritsenko V. A., Gutakovskii A. K.,

[56]

Meng X. An overview of Molecular Layer Deposition

Prosvirin I. P. Structure of Hf_0.9La_0.1O₂ ferroelectric

for organic and organic-inorganic hybrid materials:

films obtained by the Atomic Layer Deposition // JETP

mechanisms, growth characteristics, and promising

Lett. 2019. V. 109. N 2. P. 116-120.

applications // J. Mater. Chem. A. 2017. V. 5. N 35.

https://doi.org/10.1134/S0021364019020115 ].

P. 18326-18378. https://doi.org/10.1039/C7TA04449F

[46]

Uusi-Esko K., Rautama E. L., Laitinen M.,

[57]

Kanarik K. J., Lill T., Hudson E. A., Sriraman S.,

Sajavaara T., Karppinen M. Control of oxygen

Tan S., Marks J., Vahedi V., Gottscho R. A. Overeview

nonstoichiometry and magnetic property of MnCo₂O₄

of Atomic Layer Etching in the semiconductor

thin films grown by Atomic Layer Deposition // Chem.

industry // J. Vac. Sci. Technol. A. 2015. V. 33. N 2.

Mater. 2010. V. 22. N 23. P. 6297-6300.

ID 020802. https://doi.org/10.1116/1.4913379

https://doi.org/10.1021/cm102003y

[58]

Lee Y., DuMont J. W., George S. M. Atomic Layer

[47]

Zhang Y., Ren W., Niu G., Li C., Wang C., Jiang Z.-D.,

Etching using thermal reactions: Atomic Layer

Liu M., Ye Z.-G. Atomic Layer Deposition of void-free

Deposition in reverse // ECS Trans. 2015. V. 69. N 7.

ZnFe₂O₄ thin films and their magnetic properties //

P. 233-241. https://doi.org/10.1149/06907.0233ecst

Thin Solid Films. 2020. V. 709. ID 138206.

[59]

George S. M. Mechanisms of thermal Atomic Layer

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138206

Etching // Acc. Chem. Res. 2020. V. 53. N 6. P. 1151-

[48]

Tamm A., Tarre A., Verchenko V., Seemen H., Stern R.

1160. https://doi.org/10.1021/acs.accounts.0c00084

Atomic Layer Deposition of superconducting CuO

[60]

Fischer A., Routzahn A., George S. M., Lill T. Thermal

thin films on three-dimensional substrates // Crystals.

Atomic Layer Etching: A review // J. Vac. Sci.

2020. V. 10. N 8. ID 650.

Technol. A. 2021. V. 39. N 3. ID 030801.

https://doi.org/10.3390/cryst10080650

https://doi.org/10.1116/6.0000894

[49]

Coumou P. C. J. J., Zuiddam M. R., Driessen E. F. C.,

[61]

Толстой В. П. Синтез тонкослойных структур

de Visser P. J., Baselmans J. J. A., Klapwijk T. M.

методом ионного наслаивания // Успехи хи-

Microwave properties of superconducting Atomic-

мии. 1993. Т. 62. № 3. С. 260-266 [Tolstoi V. P.

Layer Deposited TiN films // IEEE Trans. Appl.

Synthesis of thin-layer structures by the Ionic Layer

Supercond. 2012. V. 23. N 3. ID 7500404.

Deposition method // Russ. Chem. Rev. 1993.

https://doi.org/10.1109/TASC.2012.2236603

V. 62. N 3. P. 237-242. https://doi.org/10.1070/

[50]

Yoshizawa S., Minamitani E., Vijayaraghavan S., Mishra

RC1993v062n03ABEH000015 ].

P., Takagi Y., Yokoyama T., Oba H., Nitta J., Sakamoto

[62]

Толстой В. П. Реакции ионного наслаивания.

K., Watanabe S., Nakayama T., Uchihashi T. Controlled

Применение в нанотехнологии // Успехи химии.

1120

Соснов Е. А. и др.

2006. Т. 75. № 2. С. 183-199 [Tolstoy V. P. Successive

[75] Ivanova T. V., Maydannik P. S., Cameron D. C.

Ionic Layer Deposition. The use in nanotechnology //

Molecular Layer Deposition of polyethylene

Russ. Chem. Rev. 2006. V. 75. N 2. P. 161-175. https://

terephthalate thin films // J. Vac. Sci. Technol. A. 2012.

doi.org/10.1070/RC2006v075n02ABEH001197 ].

V. 30. N 1. ID 01A121.

[63]

Толстой В. П. Основы нанотехнологии ионного

https://doi.org/10.1116/1.3662846

наслаивания. СПб: ATOM Publ., 2020. 142 с.

[76] Lee B. H., Yoon B., Abdulagatov A. I., Hall R. A.,

[64]

Кольцов С. И. Состав и химическое строение твер-

George S. M. Growth and properties of hybrid organic-

дых веществ. Л.: ЛТИ им. Ленсовета, 1987. 84 с.

inorganic metalcone films using Molecular Layer

[65]

Кольцов С. И. Реакции молекулярного наслаивания.

Deposition techniques // Adv. Funct. Mater. 2013.

СПб: СПбТИ, 1992. 63 с.

V. 23. N 5. P. 532-546.

[66]

Agarwal A., Kushner M. J. Plasma Atomic Layer

https://doi.org/10.1002/adfm.201200370

Etching using conventional plasma equipment // J.

[77]

Ban C., George S. M. Molecular Layer Deposition

Vac. Sci. Technol. A. 2009. V. 27. N 1. P. 37-50.

for surface modification of Lithium-Ion battery

https://doi.org/10.1116/1.3021361

electrodes // Adv. Mater. Interfaces. 2016. V. 3.

[67]

Faraz T., Roozeboom F., Knoops H. C. M.,

N 21. ID 1600762.

Kessels W. M. M. Atomic Layer Etching: What can we

https://doi.org/10.1002/admi.201600762

learn from Atomic Layer Deposition? // ECS J. Solid

[78]

Yang Z., Zhang L., Liu J., Adair K., Zhao F., Sun Y.,

State Sci. Technol. 2015. V. 4. N 6. P. N5023-N5032.

Wu T., Bi X., Amine K., Lu J., Sun X. Atomic/Molecular

https://doi.org/10.1149/2.0051506jss

Layer Deposition for energy storage and conversion //

[68]

Kanarik K. J., Tan S., Yang W., Kim T., Lill T.,

Chem. Soc. Rev. 2021. V. 50. N 6. P. 3889-3956.

Kabansky A., Hudson E.A., Ohba T., Nojiri K., Yu J.,

https://doi.org/10.1039/D0CS00156B

Wise R., Berry I. L., Pan Y., Marks J., Gottscho R. A.

[79]

Putkonen M., Niinistö L. Organometallic precursors

Predicting synergy in Atomic Layer Etching // J. Vac.

for Atomic Layer Deposition // Precursor Chemistry

Sci. Technol. A. 2017. V. 35. N 5. ID 05C302.

of Advanced Materials. CVD, ALD and Nanoparticles

https://doi.org/10.1116/1.4979019

/ Ed. by R. A. Fischer. Berlin, Heidelberg: Springer-

[69]

Kanarik K. J., Tan S., Gottscho R. A. Atomic Layer

Verlag, 2005. P. 125-145.

Etching: Rethinking the art of etch // J. Phys. Chem.

https://doi.org/10.1007/b136145

Lett. 2018. V. 9. N 16. P. 4814-4821.

[80]

Knisley T. J., Kalutarage L. C., Winter C. H. Precursors

https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.8b00997

and chemistry for the Atomic Layer Deposition of

[70]

Lu W., Lee Y., Murdzek J., Gertsch J., Vardi A.,

metallic first row transition metal films // Coord.

Kong L., George S. M., del Alamo J. A. First transistor

Chem. Rev. 2013. V. 257. N 23-24. P. 3222-3231.

demonstration of thermal Atomic Layer Etching:

https://doi.org/10.1016/j.ccr.2013.03.019

InGaAs FinFETs with sub-5 nm Fin-width Featuring

[81]

Gordon R. G. ALD Precursors and Reaction

in situ ALE-ALD // 2018 IEEE Int. Electron Devices

Mechanisms // Atomic Layer Deposition for

Meeting (IEDM). 2018. P. 39.1.1-39.1.4.

Semiconductors / Ed. by C. S. Hwang. Boston, MA:

https://doi.org/10.1109/IEDM.2018.8614536

Springer, 2014. P. 15-46.

[71]

Song S. K., Saare H., Parsons G. N. Integrated

https://doi.org/10.1007/978-1-4614-8054-9_2

isothermal Atomic Layer Deposition/Atomic Layer

[82]

Parsons G. N. Functional model for analysis of

Etching supercycles for area-selective deposition of

ALD nucleation and quantification of area-selective

TiO₂ // Chem. Mater. 2019. V. 31. N 13. P. 4793-4804.

deposition // J. Vac. Sci. Technol. A. 2019. V. 37. N 2.

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.9b01143

ID 020911. https://doi.org/10.1116/1.5054285

[72]

Parsons G. N., Clark R. D. Area-Selective Deposition:

[83]

Lu H. L., Chen W., Ding S. J., Xu M., Zhang D. W.,

Fundamentals, applications, and Future Outlook //

Wang L. K. Quantum chemical study of the initial

Chem. Mater. 2020. V. 32. N 12. P. 4920-4953.

surface reactions in Atomic Layer Deposition of TiN

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.0c00722

on the SiO₂ surface // J. Phys.: Condens. Matter. 2006.

[73]

George S. M., Yoon B., Dameron A. A. Surface

V. 18. N 26. P. 5937-5944.

chemistry for Molecular Layer Deposition of organic

https://doi.org/10.1088/0953-8984/18/26/013

and hybrid organic-inorganic polymers // Acc. Chem.

[84]

Lee W., Dasgupta N. P., Trejo O., Lee J. R., Hwang J.,

Res. 2009. V. 42. N 4. P. 498-508.

Usui T., Prinz F. B. Area-selective Atomic Layer

https://doi.org/10.1021/ar800105q

Deposition of lead sulfide: Nanoscale patterning

[74]

Yoon B., Seghete D., Cavanagh A. S., George S. M.

and DFT simulations // Langmuir. 2010. V. 26. N 9.

Molecular Layer Deposition of hybrid organic-

P. 6845-6852. https://doi.org/10.1021/la904122e

inorganic Alucone polymer films using a three-step

[85]

Elliott S. D. ALD Simulations // Atomic Layer

ABC reaction sequence // Chem. Mater. 2009. V. 21.

Deposition for Semiconductors / Ed. by C. S. Hwang.

N 22. P. 5365-5374.

Boston, MA: Springer, 2014. P. 47-69.

https://doi.org/10.1021/cm9013267

https://doi.org/10.1007/978-1-4614-8054-9_3

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1121

[86]

Dey G., Elliott S. D. Quantum chemical study of the

[94]

Robertson J. High dielectric constant gate oxides for

effect of precursor stereochemistry on dissociative

metal oxide Si transistors // Rep. Prog. Phys. 2005.

chemisorption and surface redox reactions during

V. 69. N 2. P. 327-396.

the Atomic Layer Deposition of the transition metal

https://doi.org/10.1088/0034-4885/69/2/r02

copper // J. Phys. Chem. C. 2015. V. 119. N 11.

[95]

Kittl J. A., Opsomer K., Popovici M., Menou N.,

P. 5914-5927. https://doi.org/10.1021/jp509334u

Kaczer B., Wang X. P., Adelmann C., Pawlak M. A.,

[87]

Mustard T. J. L., Kwak H. S., Goldberg A., Gavartin J.,

Tomida K., Rothschild A., Govoreanu B. High-k

Morisato T., Yoshidome D., Halls M. D. Quantum

dielectrics for future generation memory devices //

mechanical simulation for the analysis, optimization

Microelectron. Eng. 2009. V. 86. N 7-9. P. 1789-

and accelerated development of precursors and

1795. https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.045

processes for Atomic Layer Deposition (ALD) // J.

[96]

Lamperti A., Lamagna L., Congedo G., Spiga S.

Korean Ceram. Soc. 2016. V. 53. N 3. P. 317-324.

Cubic/tetragonal phase stabilization in high-k ZrO₂

https://doi.org/10.4191/kcers.2016.53.3.317

thin films grown using O₃-based Atomic Layer

[88]

Дроздов Е. О., Дубровенский С. Д., Малыгин А. А.

Deposition // J. Electrochem. Soc. 2011. V. 158. N 10.

Применение квантово-химических подходов для

P. G221-G226. https://doi.org/10.1149/1.3625254

оптимизации режимов синтеза двухкомпонентных

[97]

Ye G., Wang H., Arulkumaran S., Ng G. I.,

фосфор-титаноксидных структур на поверхности

Hofstetter R., Li Y., Anand M. J., Ang K. S.,

кремнезема // ЖОХ. 2016. Т. 86. № 10. С. 1613-1623

Maung Y. K. T., Foo S. C. Atomic Layer Deposition

[Drozdov E. O., Dubrovenskii S. D., Malygin A. A.

of ZrO₂ as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-

Quantum-chemical approach to optimization of the

insulator-semiconductor high electron mobility

synthesis conditions of two-component phosphorus-

transistors on silicon // Appl. Phys. Lett. 2013.

titanium oxide structures on silica surface // Russ. J.

V. 103. N 14. ID 142109.

Gen. Chem. 2016. V. 86. N 10. P. 2263-2272.

https://doi.org/10.1063/1.4824445

https://doi.org/10.1134/S1070363216100042 ].

[98]

Anderson T. J., Wheeler V. D., Shahin D. I.,

[89]

Elliott S. D., Dey G., Maimaiti Y., Ablat H.,

Tadjer M. J., Koehler A. D., Hobart K. D.,

Filatova E. A., Fomengia G. N. Modeling mechanism

Christou A., Kub F. J., Eddy Jr. C. R. Enhancement

and growth reactions for new nanofabrication

mode AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility

processes by Atomic Layer Deposition // Adv. Mater.

transistors with ZrO₂ gate dielectric deposited by

2016. V. 28. N 27. P. 5367-5380.

Atomic Layer Deposition // Appl. Phys. Express.

https://doi.org/10.1002/adma.201504043

2016. V. 9. N 7. ID 071003.

[90]

Ngoc Van T. T., Ansari A. S., Shong B. Surface chemical

https://doi.org/10.7567/APEX.9.071003

reactions during Atomic Layer Deposition of ZnO,

[99]

Wang X., Ghosh S.K., Afshar-Mohajer M., Zhou H.,

ZnS, and Zn (O, S) // J. Vac. Sci. Technol. A. 2019.

Liu Y., Han X., Cai J., Zou M., Meng X. Atomic

V. 37. N 2. ID 020909.

Layer Deposition of zirconium oxide thin films // J.

https://doi.org/10.1116/1.5079247

Mater. Res. 2020. V. 35. N 7. P. 804-812.

[91]

Cremers V., Puurunen R.L., Dendooven J.

https://doi.org/10.1557/jmr.2019.338

Conformality in Atomic Layer Deposition: Current

[100]

Cheng Y. L., Hsieh C. Y., Chang Y. L. Deposition cycle

status overview of analysis and modelling // Appl.

of Atomic Layer Deposition HfO₂ film: Effects on

Phys. Rev. 2019. V. 6. N 2. ID 021302.

electrical performance and reliability // Thin Solid

https://doi.org/10.1063/1.5060967

Films. 2013. V. 528. P. 77-81.

[92]

Дроздов Е. О., Дубровенский С. Д., Малыгин А. А.

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.09.089

Квантово-химический анализ процессов синтеза

[101]

Yota J., Shen H., Ramanathan R. Characterization of

ванадийоксидных структур на поверхности крем-

Atomic Layer Deposition HfO₂, Al₂O₃, and Plasma-

незема // ЖОХ. 2020. Т. 90. № 5. С. 795-805.

Enhanced Chemical Vapor Deposition Si₃N₄ as

https://doi.org/10.31857/S0044460X20050212

metal-insulator-metal capacitor dielectric for GaAs

[Drozdov E. O., Dubrovenskii S. D., Malygin A. A.

HBT technology // J. Vac. Sci. Technol. A. 2013.

Quantum chemical analysis of the processes of

V. 31. N 1. ID 01A134.

synthesis of vanadium oxide structures on the

https://doi.org/10.1116/1.4769207

silica surface // Russ. J. Gen. Chem. 2020. V. 90. N 5.

[102]

Cheng Y. L., Kao K. C., Huang C. J., Chen G. S.,

P. 880-888.

Fang J. S. Atomic Layer Deposition HfO₂ capping

https://doi.org/10.1134/S1070363220050217 ].

layer effect on porous low dielectric constant

[93]

Park J., Yu N. K., Jang D., Jung E., Noh H., Moon J.,

materials // Appl. Surf. Sci. 2015. V. 354. Pt A.

Kil D., Shong B. Adsorption of titanium halides

P. 115-119.

on nitride and oxide surfaces during Atomic Layer

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.02.070

Deposition: A DFT study // Coatings. 2020. V. 10. N 8.

[103]

Corrêa S.A., Brizzi S., Schmeisser D. Spectroscopic

ID 712. https://doi.org/10.3390/coatings10080712

investigation of the electronic structure of thin

1122

Соснов Е. А. и др.

Atomic Layer Deposition HfO₂ films // J. Vac. Sci.

in ternary Hf_xAl1-xO_y oxide with graded Al depth

Technol. A. 2016. V. 34. N 1. ID 01A117.

profile // Microelectron. Eng. 2013. V. 109. P. 342-

https://doi.org/10.1116/1.4935338

345. https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.084

[104]

Rahman M., Kim J. G., Kim D. H., Kim T. W.

[113]

Wang C., Xu M., Gu J., Zhang D. W., Peide D. Y.

Characterization of Al incorporation into

GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors with

HfO₂ dielectric by Atomic Layer Deposition //

Atomic-Layer-Deposited HfAlO as gate dielectric

Micromachines. 2019. V. 10. N 6. ID 361.

// Electrochem. Solid-State Lett. 2011. V. 15. N 3.

https://doi.org/10.3390/mi10060361

P. H51-H54. https://doi.org/10.1149/2.001203esl

[105]

Choi S. N., Moon S. E., Yoon S. M. Film thickness-

[114]

Yoo Y. W., Jeon W., Lee W., An C. H., Kim S. K.,

dependent ferroelectric polarization switching

Hwang C. S. Structure and electrical properties of

dynamics of undoped HfO₂ thin films prepared by

Al-doped HfO₂ and ZrO₂ films grown via Atomic

Atomic Layer Deposition // Ceram. Int. 2019. V. 45.

Layer Deposition on Mo electrodes // ACS Appl.

N 17. P. 22642-22648.

Mater. Interfaces. 2014. V. 6. N 24. P. 22474-22482.

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.07.297

https://doi.org/10.1021/am506525s

[106]

Nigro R.L., Schilirò E., Mannino G., Di Franco S.,

[115]

Liu L., Hou Y., Zhang W., Han D., Wang Y. Ozone

Roccaforte F. Comparison between thermal and

treatment improved the resistive switching

plasma enhanced Atomic Layer Deposition processes

uniformity of HfAlO₂ based RRAM devices // Adv.

for the growth of HfO₂ dielectric layers // J. Cryst.

Condens. Matter Phys. 2015. V. 2015. ID 714097.

Growth. 2020. V. 539. ID 125624.

https://doi.org/10.1155/2015/714097

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125624

[116]

Lu B., Lv H., Zhang Y., Zhang Y., Liu C. Comparison

[107]

Chen P. Y., He Z. Y., Cha M. Y., Liu H., Zhu H.,

of HfAlO, HfO₂/Al₂O₃, and HfO₂ on n-type GaAs

Chen L., Sun Q. Q., Ding S. J., Zhang D. W. Hafnium

using Atomic Layer Deposition // Superlattices

oxide-based ferroelectric devices for Computing-in-

Microstruct. 2016. V. 99. P. 54-57.

Memory applications // Phys. Status Solidi A. 2021.

https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.07.032

V. 218. N 9. ID 2000635.

[117]

Lamagna L., Molle A., Wiemer C., Spiga S.,

https://doi.org/10.1002/pssa.202000635

Grazianetti C., Congedo G., Fanciulli M. Atomic

[108]

Egorov K. V., Lebedinskii Yu. Yu., Markeev A. M.,

Layer Deposition of Al-doped ZrO₂ thin films as gate

Orlov O. M. Full ALD Ta₂O₅-based stacks for

dielectric for In_0.53Ga_0.47As // J. Electrochem. Soc.

resistive random access memory grown with in

2011. V. 159. N 3. P. H220-H224.

vacuo XPS monitoring // Appl. Surf. Sci. 2015.

https://doi.org/10.1149/2.034203jes

V. 356. P. 454-459.

[118]

Lee S., Choi H., Shin S., Park J., Ham G., Jung H.,

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.07.217

Jeon H. Permeation barrier properties of an Al₂O₃/

[109]

Егоров К. В., Кузьмичев Д. С., Лебединский Ю. Ю.,

ZrO₂ multilayer deposited by Remote Plasma Atomic

Маркеев А. М. Атомно-слоевое осаждение оксида

Layer Deposition // Current Appl. Phys. 2014. V. 14.

тантала с управляемым дефицитом кислорода для

N 4. P. 552-557.

создания структур резистивной памяти // ЖПХ.

https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.11.053

2016. Т. 89. № 11. С. 1459-1464 [Egorov K. V.,

[119]

Kukli K., Kemell M., Castán H., Dueñas S.,

Kuzʹmichev D. S., Lebedinskii Yu. Yu., Markeev A. M.

Seemen H., Rähn M., Link J., Stern R., Heikkilä M. J.,

Atomic Layer Deposition of tantalum oxide with

Ritala M., Leskelä M. Atomic Layer Deposition and

controlled oxygen deficiency for making resistive

performance of ZrO₂-Al₂O₃ thin films // ECS J.

memory structures // Russ. J. Appl. Chem. 2016.

Solid State Sci. Technol. 2018. V. 7. N 5. P. P287-

V. 89. N 11. P. 1825-1830.

P294. https://doi.org/10.1149/2.0021806jss

https://doi.org/10.1134/S1070427216110136 ].

[120]

Alekhin A. P., Chouprik A. A., Gudkova S. A.,

[110]

Vallat R., Gassilloud R., Eychenne B., Vallée C.

Markeev A. M., Lebedinskii Yu. Yu., Matveyev Yu. A.,

Selective deposition of Ta₂O₅ by adding plasma

Zenkevich A. V. Structural and electrical properties

etching super-cycles in Pasma Enhanced Atomic

of Ti_xAl1-xO_y thin films grown by Atomic

Layer Deposition steps // J. Vac. Sci. Technol. A.

Layer Deposition // J. Vac. Sci. Technol. B. 2011.

2017. V. 35. N 1. ID 01B104.

V. 29. N 1. ID 01A302.

https://doi.org/10.1116/1.4965966

https://doi.org/10.1116/1.3533763

[111]

Chernikova A. G., Kozodaev M. G., Markeev A. M.,

[121]

Cisneros-Morales M.C., Aita C.R. Phase selection

Matveyev Y. A., Negrov D. V., Orlov O. M.

and transition in Hf-rich hafnia-titania nanolaminates

Confinement-free annealing induced ferroelectricity

// J. Appl. Phys. 2011. V. 109. N 12. ID 123523.

in Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films // Microelectron. Eng.

https://doi.org/10.1063/1.3597321

2015. V. 147. P. 15-18.

[122]

Pokhriyal S., Biswas S. Doping dependent high-frequency

https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.024

dielectric properties of Hf1-xTi_xO₂ nanoparticles

[112]

Markeev A., Chouprik A., Egorov K., Lebedinskii Yu.,

// Mater. Today: Proc. 2016. V. 3. N 6. P. 1311-

Zenkevich A., Orlov O. Multilevel resistive switching

1319. https://doi.org/10.1016/j.matpr.2016.04.009

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1123

[123]

Hernández-Arriaga H., López-Luna E., Martínez-

Semicond. Technol. Int. Conf. (CSTIC). 2019. P. 1-3.

Guerra E., Turrubiartes M. M., Rodríguez A. G.,

https://doi.org/10.1109/CSTIC.2019.8755629

Vidal M. A. Growth of HfO₂/TiO₂ nanolaminates

[133]

Lau W. S. Surface smoothing and roughening

by Atomic Layer Deposition and HfO₂-TiO₂ by

effects of high-k dielectric materials deposited by

Atomic Partial Layer Deposition // J. Appl. Phys.

Atomic Layer Deposition and their significance

2017. V. 121. N 6. ID 064302.

for MIM capacitors used in DRAM technology.

https://doi.org/10.1063/1.4975676

Part II // 2020 China Semicond. Technol. Int. Conf.

[124]

Jõgi I., Kukli K., Ritala M., Leskelä M., Aarik J.,

(CSTIC). 2020. P. 1-3. https://doi.org/10.1109/

Aidla A., Lu J. Atomic Layer Deposition of high

CSTIC49141.2020.9282429

capacitance density Ta₂O₅-ZrO₂ based dielectrics

[134]

Jeon W. Recent advances in the understanding of

for metal-insulator-metal structures // Microelectron.

high-k dielectric materials deposited by Atomic

Eng. 2010. V. 87. N 2. P. 144-149.

Layer Deposition for dynamic random-access

https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.06.032

memory capacitor applications // J. Mater. Res. 2020.

[125]

Kukli K., Kemell M., Vehkamäki M., Heikkilä M. J.,

V. 35. N 7. P. 775-794.

Mizohata K., Kalam K., Ritala M., Leskelä M.,

https://doi.org/10.1557/jmr.2019.335

Kundrata I., Fröhlich K. Atomic Layer Deposition

[135]

Галперин В. А., Громов Д. Г., Кицюк Е. П., Мар-

and properties of mixed Ta₂O₅ and ZrO₂ films // AIP

кеев А. М., Лебедев Е. А., Черникова А. Г., Дуб-

Adv. 2017. V. 7. N 2. ID 025001.

ков С. В. Суперконденсатор на основе УНТ с

https://doi.org/10.1063/1.4975928

использованием псевдоемкости тонких слоев ок-

[126]

Alekhin A. P., Chouprik A. A., Grigal I. P.,

сидов металлов // Нано- и микросистемная тех-

Gudkova S. A., Lebedinskii Yu. Yu., Markeev A. M.,

ника. 2014. № 6 (167). С. 33-36.

Zaitsev S. A. Electrical properties of quaternary

[136]

Пат. RU 2521083 C2 (опубл. 2014). Нанострук-

HfAlTiO thin films grown by Atomic Layer

турный электрод для псевдоемкостного накопле-

Deposition // Thin Solid Films. 2012. V. 520. N 14.

ния энергии.

P. 4547-4550.

[137]

Пат. RU 2528010 C2 (опубл. 2014). Твердотельный

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.10.186

суперконденсатор на основе многокомпонентных

[127]

Васильев В. Ю. О методологии оценки конфор-

оксидов.

мности атомно-слоевого осаждения тонких

[138]

Пат. RU 2572816 C2 (опубл. 2016). Многослойный

пленок в высокоаспектных наноструктурах //

нанокомпозит для двухобкладочных конденсато-

Наноиндустрия. 2019. Т. 12. № 3-4 (90). С. 194-

ров и способ его изготовления.

205. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2019.12.3-

[139]

Zhong Y., Xia X., Zhan J., Wang Y., Wang X., Tu J.

4.194.204

Monolayer titanium carbide hollow sphere arrays

[128]

Jeon W., Chung H. S., Joo D., Kang S. W.

formed via an Atomic Layer Deposition assisted

TiO₂∕Al₂O₃∕TiO₂ nanolaminated thin films for

method and their excellent high-temperature

DRAM capacitor deposited by Plasma-Enhanced

supercapacitor performance // J. Mater. Chem. A.

Atomic Layer Deposition // Electrochem. Solid-State

2016. V. 4. N 48. P. 18717-18722.

Lett. 2007. V. 11. N 2. P. H19-H21.

https://doi.org/10.1039/C6TA08179G

https://doi.org/10.1149/1.2813881

[140]

Du K., Lu P., Liu G., Chen X., Wang K. Atomic

[129]

Niinistö J., Kukli K., Heikkilä M., Ritala M.,

Layer Deposition of TiN layer on TiO₂ nanotubes

Leskelä M. Atomic Layer Deposition of high-k

for enhanced supercapacitor performance //

oxides of the group 4 metals for memory applications

2017 19th Int. Conf. on Solid-State Sensors,

// Adv. Eng. Mater. 2009. V. 11. N 4. P. 223-234.

Actuators and Microsystems (TRANSDUCERS).

https://doi.org/10.1002/adem.200800316

2017.

P. 710-713. https://doi.org/10.1109/

[130]

Park B. E., Oh I. K., Mahata C., Lee C. W.,

TRANSDUCERS.2017.7994147

Thompson D., Maeng W. J., Kim H. Atomic Layer

[141]

Majumdar D., Mandal M., Bhattacharya S. K.

Deposition of Y-stabilized ZrO₂ for advanced DRAM

V₂O₅ and its carbon-based nanocomposites for

capacitors // J. Alloys Compd. 2017. V. 722. P. 307-

supercapacitor applications // ChemElectroChem.

312. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.06.036

2019. V. 6. N 6. P. 1623-1648.

[131]

Lee K., Jang W., Kim H., Lim H., Kim B., Seo H.,

https://doi.org/10.1002/celc.201801761

Jeon H. Leakage current suppression in spatially

[142]

Абдулагатов А. И., Ашурбекова Кр. Н., Ашур-

controlled Si-doped ZrO₂ for capacitors using Atomic

бекова Ка. Н., Амашаев Р. Р., Рабаданов М. Х.,

Layer Deposition // Thin Solid Films. 2018. V. 657.

Абдулагатов И. М. Молекулярно-слоевое осажде-

P. 1-7. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.04.033

ние и термические превращения титан(алюминий)-

[132]

Lau W. S. Surface smoothing and roughening effects

ванадиевых органо-оксидных пленок // ЖПХ.

of high-k dielectric materials deposited by Atomic

2018. Т. 91. № 3. С. 305-318 [Abdulagatov A. I.,

Layer Deposition and their significance for MIM

Ashurbekova K. N., Ashurbekova K. N.,

capacitors used in DRAM technology // 2019 China

Amashaev R. R., Rabadanov M. K., Abdulagatov

1124

Соснов Е. А. и др.

I. M. Molecular Layer Deposition and thermal

Ferroelectric properties of full Plasma-Enhanced

transformations of titanium (aluminum)-vanadium

ALD TiN/La:HfO₂/TiN stacks // Appl. Phys. Lett.

hybrid organic-inorganic films // Russ. J. Appl. Chem.

2016. V. 108. N 24. ID 242905.

2018. V. 91. N 3. P. 347-359.

https://doi.org/10.1063/1.4953787

https://doi.org/10.1134/S1070427218030011 ].

[152]

Kozodaev M. G., Lebedinskii Yu. Yu., Chernikova A. G.,

[143]

Ashurbekova K., Ashurbekova K., Saric I., Gobbi M.,

Polyakov S. N., Markeev A. M. Low temperature

Modin E., Chuvilin A., Petravic M., Abdulagatov I.,

Plasma-Enhanced ALD TiN ultrathin films for

Knez M. Ultrathin hybrid SiAlCOH dielectric films

Hf_0.5Zr_0.5O₂-based ferroelectric MIM structures //

through ring-opening Molecular Layer Deposition of

Phys. Status Solidi A. 2017. V. 214. N 6. ID 1700056.

cyclic tetrasiloxane // Chem. Mater. 2021. V. 33. N 3.

https://doi.org/10.1002/pssa.201700056

P. 1022-1030.

[153]

Chen Y., Wang L., Liu L., Tang L., Yuan X., Chen H.,

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.0c04408

Zhou K., Zhang D. Thickness-dependent ferroelectric

[144]

Ashurbekova K., Ashurbekova K., Saric I., Modin E.,

properties of HfO₂/ZrO₂ nanolaminates using Atomic

Petravic M., Abdulagatov I., Abdulagatov A.,

Layer Deposition // J. Mater. Sci. 2021. V. 56. N 10.

Knez M. Radical-triggered cross-linking for

P. 6064-6072.

molecular layer deposition of SiAlCOH hybrid thin

https://doi.org/10.1007/s10853-020-05680-6

films // Chem. Commun. 2021. V. 57. N 17. P. 2160-

[154]

Kil D. S., Song H. S., Lee K. J., Hong K., Kim J. H.,

2163. https://doi.org/10.1039/D0CC07858A

Park K. S., Yeom S. J., Roh J. S., Kwak N. J.,

[145]

Oh I. K., Kim M. K., Lee J. S., Lee C. W., Lansalot-

Sohn H. C., Kim J. W. Development of new TiN/

Matras C., Noh W., Park J., Noori A., Thompson D.,

ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂/TiN capacitors extendable to

Chu S., Maeng W. J. The effect of La₂O₃-incorporation

45 nm generation DRAMs replacing HfO₂ based

in HfO₂ dielectrics on Ge substrate by Atomic Layer

dielectrics // 2006 Symp. on VLSI Technol. Digest

Deposition // Appl. Surf. Sci. 2013. V. 287. P. 349-354.

of Technical Papers. 2006. P. 38-39.

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.09.153

https://doi.org/10.1109/VLSIT.2006.1705205

[146]

Kozodaev M. G., Chernikova A. G., Korostylev E. V.,

[155]

Пат. RU 2524415 C1 (опубл. 2014). Мемристор на

Park M. H., Schroeder U., Hwang C. S.,

основе смешанного оксида металла.

Markeev A. M. Ferroelectric properties of lightly

[156]

Matveyev Y., Egorov K., Markeev A., Zenkevich A.

doped La:HfO₂ thin films grown by plasma-assisted

Resistive switching and synaptic properties of

Atomic Layer Deposition // Appl. Phys. Lett. 2017.

fully Atomic Layer Deposition grown TiN/HfO₂/

V. 111. N 13. ID 132903.

TiN devices // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. N 4.

https://doi.org/10.1063/1.4999291

ID 044901. https://doi.org/10.1063/1.4905792

[147]

Adelmann C., Tielens H., Dewulf D., Hardy A.,

[157]

Egorov K. V., Kirtaev R. V., Lebedinskii Yu. Yu.,

Pierreux D., Swerts J., Rosseel E., Shi X., Van

Markeev A. M., Matveyev Y. A., Orlov O. M.,

Bael M. K., Kittl J. A., Van Elshocht S. Atomic

Zablotskiy A. V., Zenkevich A. V. Complementary and

Layer Deposition of Gd-doped HfO₂ thin films // J.

bipolar regimes of resistive switching in TiN/HfO₂/

Electrochem. Soc. 2010. V. 157. N 4. P. G105-G110.

TiN stacks grown by Atomic-Layer Deposition //

https://doi.org/10.1149/1.3301663

Phys. Status Solidi A. 2015. V. 212. N 4. P. 809-816.

[148]

Østreng E., Sønsteby H.H., Sajavaara T.,

https://doi.org/10.1002/pssa.201431674

Nilsen O., Fjellvåg H. Atomic Layer Deposition of

[158]

Jain B., Huang C. S., Misra D., Tapily K., Clark R. D.,

ferroelectric LiNbO₃ // J. Mater. Chem. C. 2013. V. 1.

Consiglio S., Wajda C. S., Leusink G. J. Multilevel

N 27. P. 4283-4290.

resistive switching in Hf-based RRAM // ECS Trans.

https://doi.org/10.1039/C3TC30271G

2019. V. 89. N 3. P. 39-44.

[149]

Onaya T., Nabatame T., Sawamoto N., Ohi A.,

https://doi.org/10.1149/08903.0039ecst

Ikeda N., Nagata T., Ogura A. Ferroelectricity of

[159]

Hämäläinen J., Ritala M., Leskelä M. Atomic Layer

Hf_xZr1-xO₂ thin films fabricated by 300°C low

Deposition of noble metals and their oxides // Chem.

temperature process with Plasma-Enhanced Atomic

Mater. 2014. V. 26. N 1. P. 786-801.

Layer Deposition // Microelectron. Eng. 2019.

https://doi.org/10.1021/cm402221y

V. 215. ID 111013.

[160]

Васильев В. Ю. Сверхтонкие пленки металлов

https://doi.org/10.1016/j.mee.2019.111013

платиновой группы для применения в нано- и ми-

[150]

Chang S., Selvaraj S. K., Choi Y. Y., Hong S.,

кротехнологиях // Нано- и микросистемная тех-

Nakhmanson S. M., Takoudis C. G. Atomic Layer

ника. 2016. Т. 18. № 7. С. 454-460 [Vasilyev V. Yu .

Deposition of environmentally benign SnTiO_x as a

Ultra-thin metal films of the platinum group for

potential ferroelectric material // J. Vac. Sci. Technol.

application in nanoand micro-technologies // Nano-

A. 2016. V. 34. N 1. ID 01A119.

and Microsystems Technology. 2016. V. 18. N 7.

https://doi.org/10.1116/1.4935650

P. 461-464].

[151]

Chernikova A. G., Kuzmichev D. S., Negrov D. V.,

[161]

Knisley T. J., Ariyasena T. C., Sajavaara T.,

Kozodaev M. G., Polyakov S. N., Markeev A. M.

Saly M. J., Winter C. H. Low temperature growth of

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1125

high purity, low resistivity copper films by Atomic

metalorganic precursor // J. Vac. Sci. Technol. A.

Layer Deposition // Chem. Mater. 2011. V. 23. N 20.

2018. V. 36. N 5. ID 051505.

P. 4417-4419. https://doi.org/10.1021/cm202475e

https://doi.org/10.1116/1.5035422

[162]

Tripathi T. S., Karppinen M. Efficient process for

[172]

Yeon C., Jung J., Byun H., Tan K. C., Song T., Kim S.,

direct Atomic Layer Deposition of metallic Cu thin

Kim J. H., Lee S. J., Park Y. S. Tertiary alkyl halides

films based on an organic reductant // Chem. Mater.

as growth activator and inhibitor for novel Atomic

2017. V. 29. N 3. P. 1230-1235.

Layer Deposition of low resistive titanium nitride //

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b04597

AIP Adv. 2021. V. 11. N 1. ID 015218.

[163]

Klesko J. P., Kerrigan M. M., Winter C. H. Low

https://doi.org/10.1063/5.0031127

temperature thermal Atomic Layer Deposition of

[173]

Kozen A. C., Sowa M. J., Ju L., Strandwitz N. C.,

cobalt metal films // Chem. Mater. 2016. V. 28. N 3.

Zeng G., Babuska T. F., Hsain Z., Krick B. A. Plasma-

P. 700-703.

Enhanced Atomic Layer Deposition of vanadium

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.5b03504

nitride // J. Vac. Sci. Technol. A. 2019. V. 37. N 6.

[164]

Yuan G., Shimizu H., Momose T., Shimogaki Y.

ID 061505. https://doi.org/10.1116/1.5109671

Kinetic study on hot-wire-assisted Atomic Layer

[174]

Sowa M. J., Ju L., Kozen A. C., Strandwitz N. C.,

Deposition of nickel thin films // J. Vac. Sci. Technol.

Zeng G., Babuska T. F., Hsain Z., Krick B. A. Plasma-

A. 2014. V. 32. N 1. ID 01A104.

Enhanced Atomic Layer Deposition of titanium

https://doi.org/10.1116/1.4829361

vanadium nitride // J. Vac. Sci. Technol. A. 2018.

[165]

Blanquet E., Mantoux A., Pons M., Vahlas C.

V. 36. N 6. ID 06A103.

Chemical Vapour Deposition and Atomic Layer

https://doi.org/10.1116/1.5037463

Deposition of amorphous and nanocrystalline

[175]

Kukli K., Kemell M., Castán H., Dueñas S.,

metallic coatings: Towards deposition of

Seemen H., Rähn M., Link J., Stern R., Ritala M.,

multimetallic films // J. Alloys Compd. 2010. V. 504.

Leskelä M. Atomic Layer Deposition and properties

Supl. 1. P. S422-S424.

of HfO₂-Al₂O₃ nanolaminates // ECS J. Solid State

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2010.03.205

Sci. Technol. 2018. V. 7. N 9. P. P501-P508.

[166]

Knoops H. C., Braeken E. M., de Peuter K.,

https://doi.org/10.1149/2.0261809jss

Potts S. E., Haukka S., Pore V., Kessels W. M. M.

[176]

Jõgiaas T., Kull M., Seemen H., Ritslaid P., Kukli K.,

Atomic Layer Deposition of silicon nitride from

Tamm A. Optical and mechanical properties of

bis(tert-butylamino)silane and N₂ plasma // ACS

nanolaminates of zirconium and hafnium oxides

Appl. Mater. Interfaces. 2015. V. 7. N 35. P. 19857-

grown by Atomic Layer Deposition // J. Vac. Sci.

19862. https://doi.org/10.1021/acsami.5b06833

Technol. A. 2020. V. 38. N 2. ID 022406.

[167]

Meng X., Byun Y. C., Kim H. S., Lee J. S., Lucero A. T.,

https://doi.org/10.1116/1.5131563

Cheng L., Kim J. Atomic Layer Deposition of silicon

[177]

Ihanus J., Ritala M., Leskelä M., Soininen E.,

nitride thin films: А review of recent progress,

Park W., Kaloyeros A. E., Harris W., Barth K. W.,

challenges, and outlooks // Materials.

2016.

Topol A. W., Sajavaara T., Keinonen J. Blue-and

V. 9. N 12. ID 1007.

green-emitting SrS:Cu electroluminescent devices

https://doi.org/10.3390/ma9121007

deposited by the Atomic Layer Deposition technique

[168]

Васильев В. Ю. Атомно-слоевое осаждение

// J. Appl. Phys. 2003. V. 94. N 6. P. 3862-3868.

тонких слоев нитрида кремния для микро- и

https://doi.org/10.1063/1.1603349

наноэлектроники // Электрон. техника. Сер. 3.

[178]

Anila E.I., Jayaraj M. K. Low temperature

Микроэлектроника. 2020. № 1 (177). С. 31-41.

deposition of SrS:Cu,F ACTFEL device by electron

https://doi.org/10.7868/S2410993220010042

beam evaporation // J. Lumin. 2010.V. 130. N 11.

[169]

Yun H. J., Kim H., Choi B. J. Growth of aluminum

P. 2180-2183.

nitride thin films by Atomic Layer Deposition and

https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2010.06.016

their applications: A review // Korean J. Mater. Res.

[179]

Mishra S., Kshatri D. S., Khare A., Tiwari S.,

2019. V. 29. N 9. P. 567-577.

Dwivedi P. K. Fabrication, characterization and

https://doi.org/10.3740/MRSK.2019.29.9.567

electroluminescence studies of SrS:Ce³⁺ ACTFEL

[170]

Nahar M., Rocklein N., Andreas M., Funston G.,

device // Mater. Lett. 2017. V. 198. P. 101-105.

Goodner D. Stress modulation of titanium nitride

https://doi.org/10.1016/j.matlet.2017.04.013

thin films deposited using Atomic Layer Deposition //

[180]

Kuhs J., Hens Z., Detavernier C. Plasma enhanced

J. Vac. Sci. Technol. A. 2017. V. 35. N 1. ID 01B144.

Atomic Layer Deposition of gallium sulfide thin

https://doi.org/10.1116/1.4972859

films // J. Vac. Sci. Technol. A. 2019. V. 37. N 2. ID

[171]

Krylov I., Zoubenko E., Weinfeld K., Kauffmann Y.,

020915. https://doi.org/10.1116/1.5079553

Xu X., Ritter D., Eizenberg M. Obtaining low

[181]

Rosa J., Heikkilä M. J., Sirkiä M., Merdes S. Red

resistivity (~100 μΩ cm) TiN films by Plasma

Y₂O₃:Eu-based electroluminescent device prepared

Enhanced Atomic Layer Deposition using a

by Atomic Layer Deposition for transparent display

1126

Соснов Е. А. и др.

applications // Materials. 2021. V. 14. N 6. ID 1505.

efficiency n-type Si solar cells on Al₂O₃-passivated

https://doi.org/10.3390/ma14061505

boron emitters // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. N 25.

[182]

Leskelä M., Mattinen M., Ritala M. Atomic Layer

ID 253504. https://doi.org/10.1063/1.2945287

Deposition of optoelectronic materials // J. Vac. Sci.

[194]

Nanu M., Schoonman J., Goossens A. Solar-energy

Technol. B. 2019. V. 37. N 3. ID 030801.

conversion in TiO₂/CuInS₂ nanocomposites // Adv.

https://doi.org/10.1116/1.5083692

Funct. Mater. 2005. V. 15. N 1. P. 95-100.

[183]

Mitsuhashi E., Yano Y., Susukida M., Hirabayashi J.,

https://doi.org/10.1002/adfm.200400150

Tuenge R., Dickey E. Inorganic TDEL display using

[195]

Schmidt J., Werner F., Veith B., Zielke D., Bock R.,

SrS:Cu blue-emitting phosphor // SID Int. Symp.

Tiba M. V., Poodt P., Roozeboom F., Li A., Cuevas A.,

Dig. Tech. Pap. 2004. V. 35. N 1. P. 1151-1153.

Brendel R. Industrially relevant Al₂O₃ deposition

https://doi.org/10.1889/1.1833130

techniques for the surface passivation of Si solar cells

[184]

Bakke J. R., Jung H. J., Tanskanen J. T., Sinclair R.,

// Proceedings 25th Eur. Photovoltaic Solar Energy

Bent S. F. Atomic layer deposition of CdS films

Conf. (EU PVSEC / WCPEC-5). Valencia, Spain,

// Chem. Mater. 2010. V. 22. N 16. P. 4669-4678.

2010. P. 1130-1133.

https://doi.org/10.1021/cm100874f

https://doi.org/10.4229/25theupvsec2010-2ao.1.6

[185]

Smet P. F., Moreels I., Hens Z., Poelman D.

[196]

Battaglia C., De Nicolas S.M., De Wolf S., Yin X.,

Luminescence in sulfides: A rich history and a bright

Zheng M., Ballif C., Javey A. Silicon heterojunction

future // Materials. 2010. V. 3. N 4. P. 2834-2883.

solar cell with passivated hole selective MoO_x

https://doi.org/10.3390/ma3042834

contact // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. N 11.

[186]

Miikkulainen V., Leskelä M., Ritala M.,

ID 113902. https://doi.org/10.1063/1.4868880

Puurunen R. L. Crystallinity of inorganic films grown

[197]

Macco B., Vos M. F. J., Thissen N. F. W., Bol A. A.,

by Atomic Layer Deposition: Overview and general

Kessels W. M. M. Low-temperature Atomic Layer

trends // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. N 2. ID 021301.

Deposition of MoO_x for silicon heterojunction solar

https://doi.org/10.1063/1.4757907

cells // Phys. Status Solidi RRL. 2015. V. 9. N 7.

[187]

Jing Y., Merkx M. J. M., Cai J., Cao K.,

P. 393-396. https://doi.org/10.1002/pssr.201510117

Kessels W. M. M., Mackus A. J. M., Chen R.

[198]

Gerling L. G., Mahato S., Morales-Vilches A.,

Nanoscale encapsulation of perovskite nanocrystal

Masmitja G., Ortega P., Voz C., Alcubilla R.,

luminescent films via Plasma-Enhanced SiO₂ Atomic

Puigdollers J. Transition metal oxides as hole-

Layer Deposition // ACS Appl. Mater. Interfaces.

selective contacts in silicon heterojunctions solar

2020. V. 12. N 47. P. 53519-53527.

cells // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2016. V. 145.

https://doi.org/10.1021/acsami.0c16082

N 2. P. 109-115.

[188]

Cheng C. Y., Mao M. H. Photo-stability and time-

https://doi.org/10.1016/j.solmat.2015.08.028

resolved photoluminescence study of colloidal CdSe/

[199]

Islam R., Saraswat K. C. Metal/insulator/

ZnS quantum dots passivated in Al₂O₃ using Atomic

semiconductor carrier selective contacts for

Layer Deposition // J. Appl. Phys. 2016. V. 120. N 8.

photovoltaic cells // IEEE 40th Photovoltaic

ID 083103. https://doi.org/10.1063/1.4961425

Specialist Conf. (PVSC): Proceedings. Denver, CO,

[189]

Van Ommen J. R., Goulas A. Atomic Layer

USA, 2014. P. 285-289.

Deposition on particulate materials // Mater. Today

https://doi.org/10.1109/PVSC.2014.6924915

Chem. 2019. V. 14. ID 100183.

[200]

Islam R., Ramesh P., Nam J. H., Saraswat K. C.

https://doi.org/10.1016/j.mtchem.2019.08.002

Nickel oxide carrier selective contacts for silicon

[190]

Yu K., Lin X., Lu G., Wen Z., Yuan C., Chen J.

solar cells // IEEE 42nd Photovoltaic Specialist

Optimized CdS quantum dot-sensitized solar cell

Conference (PVSC): Proceedings. New Orleans,

performance through Atomic Layer Deposition

LA, USA, 2015. 4 p.

of ultrathin TiO₂ coating // RSC Adv. 2012. V. 2. N 20.

https://doi.org/10.1109/PVSC.2015.7355921

P. 7843-7848. https://doi.org/10.1039/C2RA20979A

[201]

Avasthi S., McClain W. E., Man G., Kahn A.,

[191]

Соснов Е. А., Булгакова К. И., Пивнева С. П.

Schwartz J., Sturm J. C. Hole-blocking titanium-

Активационный метод создания низковольт-

oxide/silicon heterojunction and its application to

ных катодолюминофоров // Исследования, син-

photovoltaics // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. N 20.

тез и технология люминофоров: Сб. науч. тр.

ID 203901. https://doi.org/10.1063/1.4803446

ОАО «Люминофор». Вып. 42. Ставрополь: ОАО

[202]

Lin Z., Jiang C., Zhu C., Zhang J. Development of

«Люминофор», 1997. С. 39-44.

inverted organic solar cells with TiO₂ interface layer

[192]

Weimer A. W. Particle Atomic Layer Deposition // J.

by using low-temperature Atomic Layer Deposition

Nanopart. Res. 2019. V. 21. N 1. ID 9.

// ACS Appl. Mater. Interfaces. 2013. V. 5. N 3.

https://doi.org/10.1007/s11051-018-4442-9

P. 713-718. https://doi.org/10.1021/am302252p

[193]

Benick J., Hoex B., Van De Sanden M. C. M.,

[203]

Banga D., Jarayaju N., Sheridan L., Kim Y.-G.,

Kessels W. M. M., Schultz O., Glunz S. W. High

Perdue B., Zhang X., Zhang Q., Stickney J.

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1127

Electrodeposition of CuInSe₂ (CIS) via

Atomic-Layer-Deposited Al₂O₃ coating layer for

Electrochemical Atomic Layer Deposition (E-ALD)

UV-protection applications // Chemistry — A Eur. J.

// Langmuir. 2012. V. 28. N 5. P. 3024-3031.

2016. V. 22. N 34. P. 12022-12026.

https://doi.org/10.1021/la203574y

https://doi.org/10.1002/chem.201600815

[204]

Sutherland B. R., Hoogland S., Adachi M. M.,

[214]

Azizpour H., Talebi M., Tichelaar F.D., Sotudeh-

Kanjanaboos P., Wong C. T. O., McDowell J. J., Xu J.,

Gharebagh R., Guo J., Van Ommen J.R., Mostoufi N.

Voznyy O., Ning Z., Houtepen A. J., Sargent E. H.

Effective coating of titania nanoparticles with

Perovskite thin films via Atomic Layer Deposition //

alumina via Atomic Layer Deposition // Appl. Surf.

Adv. Mater. 2015. V. 27. N 1. P. 53-58.

Sci. 2017. V. 426. P. 480-496.

https://doi.org/10.1002/adma.201403965

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.07.168

[205]

Luka G., Krajewski T. A., Witkowski B. S., Wisz G.,

[215]

Dwivedi V., Hasegawa M., Adomaitis R., Salami H.,

Virt I. S., Guziewicz E., Godlewski M. Aluminum-doped

Uy A. Modification of radiator pigments by

zinc oxide films grown by Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) // 48th Int.

for transparent electrode applications // J. Mater. Sci.:

Conf. on Environmental Systems. July 8-12,

Mater. Electron. 2011. V. 22. N 12. P. 1810-1815.

2018. Albuquerque, New Mexico. ICES-2018-16.

https://doi.org/10.1007/s10854-011-0367-0

URL: http://hdl.handle.net/2346/74034

[206]

Pollock E. B., Lad R. J. Influence of dosing sequence

[216]

Guo J., Benz D., Nguyen T.-T. D., Nguyen P.-H.,

and film thickness on structure and resistivity of Al-

Le T.-L. T., Nguyen H.-H., La Zara D., Liang B.,

ZnO films grown by Atomic Layer Deposition // J.

Hintzen H. T., van Ommen J. R., Bui H. V. Tuning

Vac. Sci. Technol. A. 2014. V. 32. N 4. ID 041516.

the photocatalytic activity of TiO₂ nanoparticles

https://doi.org/10.1116/1.4885063

by ultrathin SiO₂ films grown by low-temperature

[207]

Van Delft J. A., Garcia-Alonso D., Kessels W. M. M.

atmospheric pressure Atomic Layer Deposition //

Atomic Layer Deposition for photovoltaics:

Appl. Surf. Sci. 2020. V. 530. ID 147244.

Applications and prospects for solar cell

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147244

manufacturing // Semicond. Sci. Technol. 2012.

[217]

Ninness B. J., Bousfield D. W., Tripp C. P. Formation

V. 27. N 7. ID 074002.

of a thin TiO₂ layer on the surfaces of silica and

https://doi.org/10.1088/0268-1242/27/7/074002

kaolin pigments through Atomic Layer Deposition //

[208]

Лучинин В. Гибкая электроника // Наноиндустрия.

Colloids Surf. A. 2003. V. 214. N 1-3. P. 195-204.

2013. № 8 (46). С. 26-32.

https://doi.org/10.1016/S0927-7757(02)00390-4

[209]

Di Giacomo F., Zardetto V., DʹEpifanio A.,

[218]

King D. M., Liang X., Carney C. S., Hakim L. F.,

Pescetelli S., Matteocci F., Razza S., Di Carlo A.,

Li P., Weimer A. W. Atomic Layer Deposition of UV-

Licoccia S., Kessels W. M. M., Creatore M.,

absorbing ZnO films on SiO₂ and TiO₂ nanoparticles

Brown T. M. Flexible perovskite photovoltaic

using a fluidized bed reactor // Adv. Func. Mater.

modules and solar cells based on Atomic Layer

2008. V. 18. N 4. P. 607-615.

Deposited compact layers and UV-irradiated TiO₂

https://doi.org/10.1002/adfm.200700705

scaffolds on plastic substrates // Adv. Energy Mater.

[219]

Scheffe J. R., Francés A., King D. M., Liang X.,

2015. V. 5. N 8. ID 1401808.

Branch B. A., Cavanagh A. S., George S. M.,

https://doi.org/10.1002/aenm.201401808

Weimer A. W. Atomic Layer Deposition of iron (III)

[210]

King D. M., Liang X., Burton B. B., Akhtar M. K.,

oxide on zirconia nanoparticles in a fluidized bed

Weimer A. W. Passivation of pigment-grade TiO₂

reactor using ferrocene and oxygen // Thin Solid

particles by nanothick Atomic Layer Deposited

Films. 2009. V. 517. N 6. P. 1874-1879.

SiO₂ films // Nanotechnology. 2008. V. 19. N 25.

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.09.086

ID 255604.

[220]

Малыгин А. A. Технология молекулярного на-

https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/25/255604

слаивания и некоторые области ее примене-

[211]

Liang X., Weimer A. W. Photoactivity passivation of

ния // ЖПХ. 1996. Т. 69. № 10. С. 1585-1593

TiO₂ nanoparticles using Molecular Layer Deposited

[Malygin A. A. Molecular Layering technology and

(MLD) polymer films // J. Nanopart. Res. 2010.

some of its applications // Russ. J. Appl. Chem. 1996.

V. 12. N 1. P. 135-142.

V. 69. N 10. P. 1419-1426].

https://doi.org/10.1007/s11051-009-9587-0

[221]

Малыгин А. А., Малков А. А., Соснов Е. А.

[212]

King D. M., Liang X., Weimer A. W. Functionalization

Структурно-размерные эффекты и их примене-

of fine particles using Atomic and Molecular

ние в системах «ядро-нанооболочка», синтези-

Layer Deposition // Powder Technol. 2012. V. 221.

рованных методом молекулярного наслаивания

P. 13-25.

// Изв. АН. Сер. хим. 2017. № 11. С.1939-1962

https://doi.org/10.1016/j.powtec.2011.12.020

[Malygin А. А., Маlkov А. А., Sosnov E. A. Structural-

[213]

Jang E., Sridharan K., Park Y. M., Park T. J.

dimensional effects and their application in the «core-

Eliminated phototoxicity of TiO₂ particles by an

nanoshell» systems synthesized by the molecular

1128

Соснов Е. А. и др.

layering // Russ. Chem. Bull. 2017. V. 66. N 11.

for biosensing // Nanoscale. 2015. V. 7. N 8. P. 3565-

P. 1939-1962.

3571. https://doi.org/10.1039/C4NR07552H

https://doi.org/10.1007/s11172-017-1971-9 ].

[232]

Furlan K. P., Pasquarelli R. M., Krekeler T.,

[222]

Choi S.-W., Park J. Y., Lee C., Lee J. G., Kim S. S.

Ritter M., Zierold R., Nielsch K., Schneider G. A.,

Synthesis of highly crystalline hollow TiO₂ fibers

Janssen R. Highly porous α-Al₂O₃ ceramics obtained

using Atomic Layer Deposition on polymer templates

by sintering Atomic Layer Deposited inverse

// J. Am. Ceram. Soc. 2011. V. 94. N 7. P. 1974-1977.

opals // Ceram. Int. 2017. V. 43. N 14. P. 11260-

https://doi.org/10.1111/j.1551-2916.2011.04600.x

11264.

[223]

Li F., Yao X., Wang Z., Xing W., Jin W., Huang J.,

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2017.05.176

Wang Y. Highly porous metal oxide networks

[233]

Bakos L. P., Karajz D., Katona A., Hernadi K.,

of interconnected nanotubes by Atomic Layer

Parditka B., Erdélyi Z., Lukács I., Hórvölgyi Z.,

Deposition // Nano Lett. 2012. V. 12. N 9. P. 5033-

Szitási G., Szilágyi I. M. Carbon nanosphere

5038. https://doi.org/10.1021/nl3028312

templates for the preparation of inverse opal titania

[224]

Kim W. S., Lee B. S., Kim D. H., Kim H. C., Yu W. R.,

photonic crystals by Atomic Layer Deposition //

Hong S. H. SnO₂ nanotubes fabricated using

Appl. Surf. Sci. 2020. V. 504. ID 144443.

electrospinning and Atomic Layer Deposition and

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.144443

their gas sensing performance // Nanotechnology.

[234]

Lee W., Dasgupta N. P., Jung H. J., Lee J. R.,

2010. V. 21. N 24. ID 245605.

Sinclair R., Prinz F. B. Scanning tunneling

https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/24/245605

spectroscopy of lead sulfide quantum wells fabricated

[225]

Guo L., Zhong Z., Wang Y. Atomic Layer Deposition

by Atomic Layer Deposition // Nanotechnology.

on block copolymer membranes with gyroidal

2010.V. 21. N 48. ID 485402.

nanopores toward periodically nanostructured vapor

https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/48/485402

sensors: Nanotubes versus nanorods // Adv. Mater.

[235]

Chen P., Mitsui T., Farmer D. B., Golovchenko J.,

Interfaces. 2016. V. 3. N 16. ID 1600017.

Gordon R. G., Branton D. Atomic Layer Deposition

https://doi.org/10.1002/admi.201600017

to fine-tune the surface properties and diameters of

[226]

King J. S., Neff C. W., Blomquist S., Forsythe E.,

fabricated nanopores // Nano Lett. 2004. V. 4. N 7.

Morton D., Summers C. J. ZnS-based photonic

P. 1333-1337. https://doi.org/10.1021/nl0494001

crystal phosphors fabricated using Atomic Layer

[236]

Кузема А. В., Малыгин А. А., Ермилова М. М.,

Deposition // Phys. Status Solidi B. 2004. V. 241.

Орехова Н. В., Басов Н. Л., Терещенко Г. Ф.

N 3. P. 763-766.

Структурные, химические и динамические ха-

https://doi.org/10.1002/pssb.200304287

рактеристики керамических мембран, модифи-

[227]

King J. S., Heineman D., Graugnard E.,

цированных самоорганизующимися супрамо-

Summers C. J. Atomic Layer Deposition in porous

лекулярными кремнийоксидными системами //

structures: 3D photonic crystals // Appl. Surf. Sci.

ЖПХ 2009. Т. 82. № 3. С. 386-394 [Kuzema A. V.,

2005. V. 244. N 1-4. P. 511-516.

Malygin A. A., Ermilova M. M., Orekhova N. V.,

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.10.110

Basov N. L., Tereshchenko G. F. Structural, chemical,

[228]

Scharrer M., Wu X., Yamilov A., Cao H., Chang R. P.

and dynamic characteristics of ceramic membranes

Fabrication of inverted opal ZnO photonic crystals

modified with self-organized supramolecular silicon

by Atomic Layer Deposition // Appl. Phys. Lett.

oxide systems // Russ. J. Appl. Chem. 2009. V. 82.

2005. V. 86. N 15. ID 151113.

N 3. P. 378-386.

https://doi.org/10.1063/1.1900957

https://doi.org/10.1134/S1070427209030070 ].

[229]

King J. S., Graugnard E., Summers C. J.

[237]

Малыгин А. А., Малков А. А., Михайловский С. В.,

Photoluminescence modification by high-order

Басов Н. Л., Ермилова М. М., Орехова Н. В.,

photonic bandsin TiO₂/ZnS:Mn multilayer

Терещенко Г. Ф. Оптимизация свойств неоргани-

inverse opals // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. N 8.

ческих каталитических мембран с использовани-

ID 081109. https://doi.org/10.1063/1.2177351

ем нанотехнологии молекулярного наслаивания //

[230]

Sechrist Z. A., Schwartz B. T., Lee J. H.,

Рос. нанотехнологии. 2010. Т. 5. № 3-4. С. 5-10

McCormick J. A., Piestun R., Park W., George S. M.

[Malygin A. A., Malkov A. A., Mikhailovskii S. V.,

Modification of opal photonic crystals using Al₂O₃

Basov N. L., Ermilova M. M., Orekhova N. V.,

Atomic Layer Deposition // Chem. Mater. 2006.

Tereshchenko G. F. Optimization of properties of

V. 18. N 15. P. 3562-3570.

inorganic catalytic membranes using molecular

https://doi.org/10.1021/cm060263d

layering nanotechnology // Nanotechnol. Russ. 2010.

[231]

Cha H., Lee J., Jordan L. R., Lee S. H., Oh S. H.,

V. 5. N 3-4. P. 153-159.

Kim H. J., Park J., Hong S., Jeon H. Surface

https://doi.org/10.1134/S1995078010030018 ].

passivation of a photonic crystal band-edge laser by

[238]

Detavernier C., Dendooven J., Sree S. P.,

Atomic Layer Deposition of SiO₂ and its application

Ludwig K. F., Martens J. A. Tailoring nanoporous

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1129

materials by Atomic Layer Deposition // Chem. Soc.

// IEEE Sens. J. 2013. V. 13. N 5. P. 1648-1655.

Rev. 2011. V. 40. N 11. P. 5242-5253.

https://doi.org/10.1109/JSEN.2013.2238227

https://doi.org/10.1039/C1CS15091J

[246]

Marichy C., Pinna N. Atomic Layer Deposition to

[239]

Wang Q., Wang X., Wang Z., Huang J., Wang Y.

materials for gas sensing applications // Adv. Mater.

PVDF membranes with simultaneously enhanced

Interfaces. 2016. V. 3. N 21. ID 1600335.

permeability and selectivity by breaking the tradeoff

https://doi.org/10.1002/admi.201600335

effect via Atomic Layer Deposition of TiO₂ // J.

[247]

Ng S., Prášek J., Zazpe R., Pytlíček Z., Spotz Z.,

Memb. Sci. 2013. V. 442. P. 57-64.

Pereira J. R., Michalička J., Přikryl J., Krbal M.,

https://doi.org/10.1016/j.memsci.2013.04.026

Sopha H., Hubálek J., Macák J. M. Atomic Layer

[240]

Yang H. C., Waldman R. Z., Chen Z., Darling S. B.

Deposition of SnO₂-coated anodic one-dimensional

Atomic Layer Deposition for membrane interface

TiO₂ nanotube layers for low concentration NO₂

engineering // Nanoscale. 2018. V. 10. N 44.

sensing // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2020. V. 12.

P. 20505-20513.

N 29. P. 33386-33396.

https://doi.org/10.1039/C8NR08114J

https://doi.org/10.1021/acsami.0c07791

[241]

Михайловский С. В., Жиляева Н. А., Облецова А. А.,

[248]

Lou C., Yang C., Zheng W., Liu X., Zhang J. Atomic

Ермилова М. М., Орехова Н. В., Малыгин А. А.,

Layer Deposition of ZnO on SnO₂ nanospheres for

Ярославцев А. Б. Влияние состава поверх-

enhanced formaldehyde detection // Sens. Actuators

ностных оксидных структур (Mo, Nb, V, Ti)/

B. 2021. V. 329. ID 129218.

γ-Al₂O₃ на окислительное дегидрирование эта-

https://doi.org/10.1016/j.snb.2020.129218

на в этилен // ЖПХ. 2016. Т. 89. № 1. С. 37-43

[249]

Listewnik P., Hirsch M., Struk P., Weber M.,

[Mikhailovskii S. V., Zhilyaeva N. A., Obletsova A. A.,

Bechelany M., Jędrzejewska-Szczerska M.

Ermilova M. M., Orekhova N. V., Malygin A. A.,

Preparation and characterization of microsphere ZnO

Yaroslavtsev A. B. Effect of the composition of (Mo,

ALD coating dedicated for the fiber-optic refractive

Nb, V, Ti)/γ-Al₂O₃ surface oxide structures on the

index sensor // Nanomaterials. 2019. V. 9. N 2. ID

oxidative dehydrogenation of ethane to ethylene //

306. https://doi.org/10.3390/nano9020306

Russ. J. Appl. Chem. 2016. V. 89. N 1. P. 34-39.

[250]

Listewnik P. Temperature fiber-optic sensor with ZnO

https://doi.org/10.1134/S1070427216010055 ].

ALD coating // Eng. Proc. 2020. V. 2. N 1. P. 99-104.

[242]

Жиляева Н. А., Ермилова М. М., Орехова Н. В.,

https://doi.org/10.3390/engproc2020002099

Басов Н. Л., Михайловский С. В., Малыгин А. А.,

[251]

Kaushik P., Eliáš M., Michalička J., Hegemann D.,

Ярославцев А. Б. Окислительное дегидрирова-

Pytlíček Z., Nečas D., Zajíčková L. Atomic Layer

ние этана на оксидных материалах в импульс-

Deposition of titanium dioxide on multi-walled

ном микрокаталитическом и мембранном реак-

carbon nanotubes for ammonia gas sensing // Surf.

торах // Неорган. материалы. 2018. Т. 54. № 11.

Coat. Technol. 2019. V. 370. P. 235-243.

С. 1202-1209 [Zhilyaeva N. A., Ermilova M. M.,

https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.04.031

Orekhova N. V., Basov N. L., Mikhailovskii S. V.,

[252]

Tarre A., Möldre K., Niilisk A., Mändar H., Aarik J.,

Malygin A. A., Yaroslavtsev A. B. Oxidative

Rosental A. Atomic Layer Deposition of epitaxial

dehydrogenation of ethane on oxide materials in

TiO₂ II on c-sapphire // J. Vac. Sci. Technol. A. 2013.

a pulsed microcatalytic and a membrane reactor

V. 31. N 1. ID 01A118.

// Inorg. Mater. 2018. V. 54. N 11. P. 1136-1143.

https://doi.org/10.1116/1.4764892

https://doi.org/10.1134/S002016851811016X ].

[253]

Mokrushin A. S., Simonenko E. P., Simonenko N. P.,

[243]

Narayan R. J., Adiga S. P., Pellin M. J., Curtiss L. A.,

Akkuleva K. T., Antipov V. V., Zaharova N. V.,

Hryn A. J., Stafslien S., Chisholm B., Shih C. C.,

Malygin A. A., Bukunov K. A., Sevastyanov V. G.,

Shih C. M., Lin S. J., Su Y. Y. Atomic Layer

Kuznetsov N. T. Oxygen detection using

Deposition-based functionalization of materials

nanostructured TiO₂ thin films obtained by the

for medical and environmental health applications

molecular layering method // Appl. Surf. Sci. 2019.

// Philos. Trans. R. Soc. A. 2010. V. 368. N 1917.

V. 463. P. 197-202.

P. 2033-2064. https://doi.org/10.1098/rsta.2010.0011

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.08.208

[244]

Rosental A., Tarre A., Gerst A., Sundqvist J.,

[254]

Арсентьев М. Ю., Калинина М. В., Тихонов П. А.,

Hårsta A., Aidla A., Aarik J., Sammelselg V.,

Морозова Л. В., Егорова Т. Л., Шилова О. А.

Uustare T. Gas sensing properties of epitaxial SnO₂

Формирование и исследование сенсорных тон-

thin films prepared by Atomic Layer Deposition //

ких слоев на основе оксидов циркония, редкозе-

Sens. Actuators B. 2003. V. 93. N 1-3. P. 552-555.

мельных элементов (Ce, Y, Tb) и получение МОП

https://doi.org/10.1016/S0925-4005(03)00236-3

структур на их основе // Физика и химия стек-

[245]

Rosental A., Tarre A., Gerst A., Kasikov A., Lu J.,

ла. 2014. Т. 40. № 6. С. 820-826 [Arsentʹev M. Y.,

Ottosson M., Uustare T. Epitaxial single and double

Kalinina M. V., Tikhonov P. A., Morozova L. V.,

nanolayers of SnO₂ and TiO₂ for resistive gas sensors

Egorova T. L., Shilova O. A. The formation and

1130

Соснов Е. А. и др.

study of sensor thin layers based on zirconium and

Atomic Layer Deposition and electrospinning for

rare earth metal (Ce, Y, and Tb) oxides and the

optical gas sensor applications // Nanotechnology.

preparation of metal-oxide-semiconductor structures

2015. V. 26. N 10. ID 105501.

based on them // Glass Phys. Chem. 2014. V. 40. N 6.

https://doi.org/10.1088/0957-4484/26/10/105501

P. 629-634.

[264]

Karatutlu A. Atomic layer deposition of zirconium

https://doi.org/10.1134/S1087659614060029 ].

oxide thin film on an optical fiber for cladding light

[255]

Chen Y., Yuchi Q., Li T., Yang G., Miao J., Huang C.,

strippers // Turk. J. Phys. 2020. V. 44. N 1. P. 49-56.

Liu J., Li A., Qin Y., Zhang L. Precise engineering

https://doi.org/10.3906/fiz-1908-6

of ultra-thin Fe₂O₃ decorated Pt-based nanozymes

[265]

Малыгин А. А., Антипов В. В., Кочеткова А. С.,

via atomic layer deposition to switch off undesired

Буймистрюк Г. Я. Синтез методом молекуляр-

activity for enhanced sensing performance // Sens.

ного наслаивания и функциональные свойства

Actuators B. 2020. V. 305. ID 127436.

металлоксидных нанопокрытий на поверхности

https://doi.org/10.1016/j.snb.2019.127436

кварцевых оптических волокон // ЖПХ. 2018.

[256]

Tarre A., Aarik J., Mändar H., Niilisk A., Pärna R.,

Т. 91. № 1. С. 17-27 [Malygin A. A., Antipov V. V.,

Rammula R., Uustare T., Rosental A., Sammelselg V.

Kochetkova A. S., Buimistryuk G. Y. Synthesis by

Atomic Layer Deposition of Cr₂O₃ thin films: Effect

the Molecular Layering Method and functional

of crystallization on growth and properties // Appl.

properties of metal-oxide nanocoatings on the surface

Surf. Sci. 2008. V. 254. N 16. P. 5149-5156.

of quartz optical fibers // Russ. J. Appl. Chem. 2018.

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.02.016

V. 91. N 1. P. 12-22.

[257]

Ran G., Xia Y., Liang L., Fu C. Enhanced response

https://doi.org/ 10.1134/S1070427218010032 ].

of sensor on serotonin using nickel-reduced

[266]

Алесковский В. Б. Химия надмолекулярных сое-

graphene oxide by Atomic Layer Deposition //

динений. СПб: СПбГУ, 1996. 252 с.

Bioelectrochemistry. 2021. V. 140. ID 107820.

[267]

Li J., Liang X., King D. M., Jiang Y.-B., Weimer A. W.

https://doi.org/10.1016/j.bioelechem.2021.107820

Highly dispersed Pt nanoparticle catalyst prepared

[258]

Du X., George S. M. Thickness dependence of sensor

by Atomic Layer Deposition // Appl. Catal. B. 2010.

response for CO gas sensing by tin oxide films grown

V. 97. N 1-2. P. 220-226.

using Atomic Layer Deposition // Sens. Actuators B.

https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2010.04.003

2008. V. 135. N 1. P. 152-160.

[268]

Feng H., Lu J., Stair P. C., Elam J. W. Alumina over-

https://doi.org/10.1016/j.snb.2008.08.015

coating on Pd nanoparticle catalysts by Atomic Layer

[259]

Рогов А.М., Павленко Т.С., Малыгин А.А.

Deposition: Enhanced stability and reactivity // Catal.

Оптические кварцевые волокна с функциональ-

Lett. 2011. V. 141. N 4. P. 512-517.

ными титаноксидными нанопокрытиями // Изв.

https://doi.org/10.1007/s10562-011-0548-8

СПбГТИ (ТУ). 2010. № 8 (34). С. 40-43.

[269]

Sun S., Zhang G., Gauquelin N., Chen N., Zhou J.,

[260]

Purniawan A., Pandraud G., Moh T. S. Y., Marthen A.,

Yang S., Chen W., Meng X., Geng D., Banis M. N.,

Vakalopoulos K. A., French P. J., Sarro P. M.

Li R. Single-atom catalysis using Pt/graphene

Fabrication and optical measurements of a TiO₂-

achieved through Atomic Layer Deposition // Sci.

ALD evanescent waveguide sensor // Sens. Actuators

Rep. 2013. V. 3. N 1. P. 1-9.

A. 2012. V. 188. P. 127-132.

https://doi.org/10.1038/srep01775

https://doi.org/10.1016/j.sna.2012.05.037

[270]

Lu J., Elam J. W., Stair P. C. Synthesis and

[261]

Śmietana M., Grochowski J., Myśliwiec M.,

stabilization of supported metal catalysts by Atomic

Wachnicki Ł., Godlewski M., Witkowski B. S.

Layer Deposition // Acc. Chem. Res. 2013. V. 46.

Compact alcohol vapor sensor based on zinc oxide

N 8. P. 1806-1815.

nano-coating deposited by Atomic Layer Deposition

https://doi.org/10.1021/ar300229c

method on optical fiber end-face // Procedia Eng.

[271]

Mackus A. J. M., Weber M. J., Thissen N. F. W., Garcia-

2012. V. 47. P. 1081-1084.

Alonso D., Vervuurt R. H. J., Assali S., Bol A. A.,

https://doi.org/10.1016/j.proeng.2012.09.338

Verheijen M. A., Kessels W. M. M. Atomic Layer

[262]

Yebo N.A., Sree S.P., Levrau E., Detavernier C.,

Deposition of Pd and Pt nanoparticles for catalysis:

Hens Z., Martens J.A., Baets R. Selective and

On the mechanisms of nanoparticle formation

reversible ammonia gas detection with nanoporous

// Nanotechnology. 2015. V. 27. N 3. ID 034001.

film functionalized silicon photonic micro-ring

https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/3/034001

resonator // Opt. Express. 2012. V. 20. N 11.

[272]

Singh J.A., Yang N., Liu X., Tsai C., Stone K.H.,

P. 11855-11862.

Johnson B., Koh A.L., Bent S.F. Understanding the

https://doi.org/10.1364/OE.20.011855

active sites of CO hydrogenation on Pt-Co catalysts

[263]

Viter R., Chaaya A.A., Iatsunskyi I., Nowaczyk G.,

prepared using Atomic Layer Deposition // J. Phys.

Kovalevskis K., Erts D., Miele P., Smyntyna V.,

Chem. C. 2018. V. 122. N 4. P. 2184-2194.

Bechelany M. Tuning of ZnO 1D nanostructures by

https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.7b10541

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1131

[273]

Grillo F., Van Bui H., La Zara D., Aarnink A. A.,

Deposition of supported catalysts: Kinetic modeling

Kovalgin A. Y., Kooyman P., Kreutzer M. T., van

of the size distribution // Catal. Today. 2018. V. 316.

Ommen J. R. From single atoms to nanoparticles:

P. 51-61.

Autocatalysis and metal aggregation in Atomic Layer

https://doi.org/10.1016/j.cattod.2018.02.020

Deposition of Pt on TiO₂ nanopowder // Small. 2018.

[282]

Малков А. А., Соснов Е. А., Малыгин А. А.

V. 14. N 23. ID 1800765.

Температурный фактор в процессах химической

https://doi.org/10.1002/smll.201800765

сборки поверхностных элементоксидных струк-

[274]

Khalily M. A., Yurderi M., Haider A., Bulut A., Patil

тур // Направленный синтез твердых веществ:

B., Zahmakiran M., Uyar T. Atomic Layer Deposition

Межвуз. сб. Вып. 3. СПб: СПбУ, 1992. С. 10-29.

of ruthenium nanoparticles on electrospun carbon

[283]

Puurunen R. L. Surface chemistry of atomic layer

nanofibers: A highly efficient nanocatalyst for the

deposition: A case study for the trimethylaluminum

hydrolytic dehydrogenation of methylamine borane

/ water process // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. N 12.

// ACS Appl. Mater. & Interfaces. 2018. V. 10. N 31.

ID 121301. https://doi.org/10.1063/1.1940727

P. 26162-26169.

[284]

Малков А. А., Соснов Е. А., Малыгин А. А. Влияние

https://doi.org/10.1021/acsami.8b04822

температуры на разных стадиях молекулярного

[275]

Topuz F., Uyar T. Atomic Layer Deposition of

наслаивания на фазообразование титаноксид-

palladium nanoparticles on a functional electrospun

ного слоя на поверхности силикагеля // ЖПХ.

poly-cyclodextrin nanoweb as a flexible and reusable

2010. Т. 83. № 9. С. 1409-1418 [Malkov A. A.,

heterogeneous nanocatalyst for the reduction of

Sosnov E. A., Malygin A. A. The effect exerted by

nitroaromatic compounds // Nanoscale Adv. 2019.

temperature on the phase formation of titanium oxide

V. 1. N 10. P. 4082-4089.

layer on silica surface at different stages of molecular

https://doi.org/10.1039/C9NA00368A

layering // Russ. J. Appl. Chem. 2010. V. 83. N 9.

[276]

Pagán-Torres Y. J., Gallo J. M. R., Wang D.,

P. 1511-1519.

Pham H. N., Libera J. A., Marshall C. L., Elam J. W.,

https://doi.org/10.1134/S1070427210090016 ].

Datye A. K., Dumesic J. A. Synthesis of highly

[285]

Sosnov E. A., Belova S. A., Malygin A. A. AFM

ordered hydrothermally stable mesoporous niobia

application for in situ study of the adsorptions

catalysts by Atomic Layer Deposition // ACS Catal.

processes // ФТП. 2007. Т. 41. № 5. С. 515-517

2011. V. 1. N 10. P. 1234-1245.

[Sosnov E. A., Belova S. A., Malygin A. A. AFM

https://doi.org/10.1021/cs200367t

application for in situ study of adsorption processes

[277]

Peters A. W., Li Z., Farha O. K., Hupp J. T.

// Semiconductors. 2007. V. 41. N 5. P. 495-497.

Atomically precise growth of catalytically active

https://doi.org/10.1134/S1063782607050016 ].

cobalt sulfide on flat surfaces and within a metal-

[286]

Белова С. А., Захарова Н. В., Соснов Е. А.,

organic framework via Atomic Layer Deposition //

Малыгин А. А. Цветовой индикатор на основе

ACS Nano. 2015. V. 9. N 8. P. 8484-8490.

ванадийсодержащего силикагеля для экспресс

https://doi.org/10.1021/acsnano.5b03429

контроля газовых сред // Химические реактивы,

[278]

Kim J., Iivonen T., Hämäläinen J., Kemell M.,

реагенты и процессы малотоннажной химии: Сб.

Meinander K., Mizohata K., Beranek R., Leskelä M.,

науч. тр. Минск: Белорус. наука, 2008. С. 304-

Devi A. Low temperature Atomic Layer Deposition

321.

of cobalt oxide as an effective catalyst layer for

[287]

Barry E., Mane A. U., Libera J. A., Elam J. W.,

photoelectrochemical water splitting devices //

Darling S. B. Advanced oil sorbents using sequential

Chem. Mater. 2017. V. 29. N 14. P. 5796-5805.

infiltration synthesis // J. Mater. Chem. A. 2017. V. 5.

https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b05346

N 6. P. 2929-2935.

[279]

Chen R., Shan B., Liu X., Cao K. Catalysts via

https://doi.org/10.1039/C6TA09014A

Atomic Layer Deposition // Recent Advances in

[288]

Lee D. T., Jamir J. D., Peterson G. W., Parsons G. N.

Nanoparticle Catalysis. Molecular Catalysis. V. 1 /

Water-stable chemical-protective textiles via

Ed. by P. W. N. M. van Leeuwen, C. Claver. Springer,

euhedral surface-oriented 2D Cu-TCPP metal-

Cham., 2020. P. 69-105.

organic frameworks // Small. 2019. V. 15. N 10. ID

https://doi.org/10.1007/978-3-030-45823-2_3

1805133. https://doi.org/10.1002/smll.201805133

[280]

Grillo F., Van Bui H., Moulijn J. A., Kreutzer M. T.,

[289]

Iakovleva E., Sillanpää M., Khan S., Kamwilaisak K.,

Van Ommen J. R. Understanding and controlling the

Wang S., Tang W. Z. Synthesis of sorbents from

aggregative growth of platinum nanoparticles in

industrial solid wastes by modification with Atomic

Atomic Layer Deposition: An avenue to size selection

Layer Deposition (ALD) for mine water treatment

// J. Phys. Chem. Lett. 2017. V. 8. N 5. P. 975-983.

// IMWA 2017. 13th Int. Mine Water Association

https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.6b02978

Congress — Mine Water & Circular Economy:

[281]

Grillo F., Moulijn J. A., Kreutzer M. T., van

Proceedings. Lappeenranta, Finland, 2017. V. 1.

Ommen J. R. Nanoparticle sintering in Atomic Layer

P. 43-54.

1132

Соснов Е. А. и др.

[290]

Zhao J., Gong B., Nunn W. T., Lemaire P. C.,

Pereira R. M. R., Tetradis S., Cirelli J. A.,

Stevens E. C., Sidi F. I., Williams P. S., Oldham C. J.,

Orrico S. R. P. Evaluation of bone turnover after

Walls H. J., Shepherd S. D., Browe M. A. Conformal

bisphosphonate withdrawal and its influence on

and highly adsorptive metal-organic framework thin

implant osseointegration: An in vivo study in rats

films via layer-by-layer growth on ALD-coated fiber

// Clin. Oral Invest. 2019. V. 23. N 4. P. 1733-1744.

mats // J. Mater. Chem. A. 2015. V. 3. N 4. P. 1458-

https://doi.org/10.1007/s00784-018-2612-x

1464. https://doi.org/10.1039/C4TA05501B

[300]

Амашаев Р. Р., Ашурбекова К. Н., Дустова Г. Д.,

[291]

Leick N., Strange N. A., Schneemann A., Stavila V.,

Максумова А. М., Абдулагатов И. М. Приложения

Gross K., Washton N., Settle A., Martinez M. B.,

Атомно- и молекулярно-слоевого осаждения в

Gennett T., Christensen S. T. Al₂O₃ Atomic Layer

медицине // Актуальные вопросы эндокриноло-

Deposition on nanostructured γ-Mg(BH₄)₂ for H₂

гии: Материалы. V Республ. НПК. Махачкала.

Storage // ACS Appl. Energy Mater. 2021. V. 4. N 2.

Махачкала: ДГМУ, 2018. С. 140-154.

P. 1150-1162.

[301]

Aбдулагатов A. И., Aмашаев Р. Р., Maксумо-

https://doi.org/10.1021/acsaem.0c02314

ва A. M., Aшурбекова К. Н., Aлиев A. А., Исае-

[292]

Пат. RU 2554819 C1 (опубл. 2015). Способ получе-

ва Р. Х., Рабаданов M. Х., Aбдулагатов И. M.

ния биоактивного покрытия на имплантируемом

Синтезирование и антибактериальные свойства

в костную ткань человека титановом имплантате.

тонких модифицированных нанопленок TiO₂ //

[293]

Пат. RU 2566060 C1 (опубл. 2015). Биоактивное

Экологичеcкая медицина. 2019. Т. 2. № 1. С. 96-

покрытие титанового имплантата, вводимого в

106. https://doi.org/10.34662/EM.2019.2.1.96-106

костную ткань человека.

[Abdulagatov A. I., Amashaev R. R.,

[294]

Земцова Е.Г., Морозов П.Е., Смирнов В.М.

Maksumova A. M., Ashurbekova K. N., Aliev A. A.,

Регулирование рельефа поверхности нанострукту-

Isaeva R. KH., Rabadanov M. KH., Abdulagatov I. M.

рированного титана с помощью метода ML-ALD

Synthesis and antibacterial properties of modified

для создания биоактивных нанопокрытий //

thin films of TiO₂ // Ecological Medicine. 2019.

Mater. Phys. Mech. 2015. V. 24. N 4. P. 374-381.

V. 2. N 1. P. 91-100. https://doi.org/10.34662/2588-

[295]

Liu L., Bhatia R., Webster T. J. Atomic Layer

0489.2019.2.1.91-100].

Deposition of nano-TiO₂ thin films with enhanced

[302]

Ермаков С. С., Николаев К. Г., Толстой В. П.

biocompatibility and antimicrobial activity for

Новые электрохимические сенсоры с электродами

orthopedic implants // Int. J. Nanomed. 2017. V. 12.

на основе мультислоев, синтезированных мето-

P. 8711-8723. https://doi.org/10.2147/IJN.S148065

дом послойной химической сборки, и их аналити-

[296]

Nazarov D. V., Smirnov V. M., Zemtsova E. G.,

ческие возможности // Успехи химии. 2016. Т. 85.

Yudintceva N. M., Shevtsov M. A., Valiev R. Z.

№ 8. С. 880-900 [Ermakov S. S., Nikolaev K. G.,

Enhanced osseointegrative properties of ultra-fine-

Tolstoy V. P. Novel electrochemical sensors with

grained titanium implants modified by Chemical

electrodes based on multilayers fabricated by layer-

Etching and Atomic Layer Deposition // ACS

by-layer synthesis and their analytical potential //

Biomat. Sci. Eng. 2018. V. 4. N 9. P. 3268-3281.

Russ. Chem. Rev. 2016. V. 85. N 8. P. 880-900.

https://doi.org/10.1021/acsbiomaterials.8b00342

https://doi.org/10.1070/RCR4605 ].

[297]

Avila I., Pantchev K., Holopainen J., Ritala M.,

[303]

Tereshchenko A., Bechelany M., Viter R., Khranovskyy

Tuukkanen J. Adhesion and mechanical properties

V., Smyntyna V., Starodub N., Yakimova R. Optical

of nanocrystalline hydroxyapatite coating obtained

biosensors based on ZnO nanostructures: Advantages

by conversion of Atomic Layer-Deposited calcium

and perspectives. A review // Sens. Actuators B.

carbonate on titanium substrate // J. Mater. Sci.:

2016. V. 229. P. 664-677.

Mater. Med. 2018. V. 29. N 8. ID 111.

https://doi.org/10.1016/j.snb.2016.01.099

https://doi.org/10.1007/s10856-018-6121-x

[304]

Fahrenkopf N. M., Rice P. Z., Bergkvist M.,

[298]

Мелешко А. А., Толстой В. П., Афиногенов Г. Е.,

Deskins N. A., Cady N. C. Immobilization mechanisms

Левшакова А. С., Афиногенова А. Г., Мульдия-

of deoxyribonucleic acid (DNA) to hafnium dioxide

ров В. П., Виссарионов С. В., Линник С. А.

(HfO₂) surfaces for biosensing applications //

Перспективы применения наноматериалов на

ACS Appl. Mater. Interfaces. 2012. V. 4. N 10.

основе гидроксиапатита, созданных в условиях

P. 5360-5368. https://doi.org/10.1021/am3013032

послойной химической сборки, в травматоло-

[305]

Im H., Bantz K. C., Lee S. H., Johnson T. W.,

гии и ортопедии детского возраста // Ортопедия,

Haynes C. L., Oh S. H. Self-assembled plasmonic

травматология и восстановительная хирургия

nanoring cavity arrays for SERS and LSPR

детского возраста. 2020. Т. 8. № 2. С. 217-230.

biosensing // Adv. Mater. 2013. V. 25. N 19. P. 2678-

https://doi.org/10.17816/PTORS33824

2685. https://doi.org/10.1002/adma.201204283

[299]

Frizzera F., Verzola M. H. A., de Molon R. S., de

[306]

Archibald M. M., Rizal B., Connolly T., Burns M. J.,

Oliveira G. J. P. L., Giro G., Spolidorio L. C.,

Naughton M. J., Chiles T. C. A nanocoaxial-based

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1133

electrochemical sensor for the detection of cholera

[315]

Balme S., Picaud F., Manghi M., Palmeri J.,

toxin // Biosens. Bioelectron. 2015. V. 74. P. 406-

Bechelany M., Cabello-Aguilar S., Abou-Chaaya A.,

410. https://doi.org/10.1016/j.bios.2015.06.069

Miele P., Balanzat E., Janot J. M. Ionic transport

[307]

Lepoitevin M., Bechelany M., Balanzat E.,

through sub-10 nm diameter hydrophobic high-

Janot J. M., Balme S. Non-Fluorescence label protein

aspect ratio nanopores: Experiment, theory and

sensing with track-etched nanopore decorated by

simulation // Sci. Rep. 2015. V. 5. N 1. ID 10135.

avidin/biotin system // Electrochim. Acta. 2016.

https://doi.org/10.1038/srep10135

V. 211. P. 611-618.

[316]

Thangaraj V., Lepoitevin M., Smietana M.,

https://doi.org/10.1016/j.electacta.2016.06.079

Balanzat E., Bechelany M., Janot J. M., Janot J.-M.,

[308]

Lee W. I., Shrivastava S., Duy L. T., Kim B. Y.,

Vasseur J.-J., Subramanian S., Balme S. Detection

Son Y. M., Lee N. E. A smartphone imaging-based

of short ssDNA and dsDNA by current-voltage

label-free and dual-wavelength fluorescent biosensor

measurements using conical nanopores coated with

with high sensitivity and accuracy // Biosens.

Al₂O₃ by Atomic Layer Deposition // Microchim.

Bioelectron. 2017. V. 94. P. 643-650.

Acta. 2016. V. 183. N 3. P. 1011-1017.

https://doi.org/10.1016/j.bios.2017.03.061

https://doi.org/10.1007/s00604-015-1706-2

[309]

Lichtenstein A., Havivi E., Shacham R., Hahamy E.,

[317]

Горбик П. П. Магниточувствительные нанокомпо-

Leibovich R., Pevzner A., Krivitsky V., Davivi G.,

зиты с функциями нанороботов для применений

Presman I., Elnathan R., Engel Y., Flaxer E., Patolsky

в медицине и биологии // Поверхность. 2015. № 7

F. Supersensitive fingerprinting of explosives by

(22). С. 297-310.

chemically modified nanosensors arrays // Nat.

[318]

Kääriäinen T. O., Kemell M., Vehkamäki M.,

Commun. 2014. V. 5. ID 4195.

Kääriäinen M. L., Correia A., Santos H. A.,

https://doi.org/10.1038/ncomms5195

Bimbo L. M., Hirvonen J., Hoppu P., George S. M.,

[310]

Tereshchenko A., Fedorenko V., Smyntyna V.,

Cameron D. C. Surface modification of

Konup I., Konup A., Eriksson M., Yakimova R.,

acetaminophen particles by Atomic Layer Deposition

Ramanavicius A., Balme S., Bechelany M. ZnO films

// Int. J. Pharm. 2017. V. 525. N 1. P. 160-174.

formed by Atomic Layer Deposition as an optical

https://doi.org/10.1016/j.ijpharm.2017.04.031

biosensor platform for the detection of Grapevine

[319]

Roeder J. F., Zeberoff A. F., Van Buskirk P. C.,

virus A-type proteins // Biosens. Bioelectron. 2017.

Torabi A., Barton J., Willman C., Ghezel-Ayagh H.,

V. 92. P. 763-769.

Huang K. Behavior of La_0.6Sr_0.4Co_0.2Fe_0.2O_3-δ

https://doi.org/10.1016/j.bios.2016.09.071

cathode powders surface modified by Atomic Layer

[311]

Tipnis R., Vaddiraju S., Jain F., Burgess D. J.,

Deposition for solid oxide fuel cells // ECS Trans.

Papadimitrakopoulos F. Layer-by-Layer assembled

2016. V. 75. N 6. P. 195-202.

semipermeable membrane for amperometric glucose

https://doi.org/10.1149/07506.0195ecst

sensors // J. Diabetes Sci. Technol. 2007. V. 1. N 2. P. 193-

[320]

Guan D., Ma L., Pan D., Li J., Gao X., Xie Y., Qiu

200. https://doi.org/10.1177/193229680700100209

M., Yuan C. Atomic Layer Deposition of alumina

[312]

Zhang X., Zhao J., Whitney A. V., Elam J. W., Van

coatings onto SnS₂ for Lithium-Ion battery

Duyne R. P. Ultrastable substrates for surface-

applications // Electrochim. Acta. 2017. V. 242.

enhanced Raman spectroscopy: Al₂O₃ overlayers

P. 117-124.

fabricated by Atomic Layer Deposition yield

https://doi.org/10.1016/j.electacta.2017.05.023

improved anthrax biomarker detection // J. Am.

[321]

Roeder J. F., Golalikhani M., Zeberoff A. F., Van

Chem. Soc. 2006. V. 128. N 31. P. 10304-10309.

Buskirk P. C., Torabi A., Barton J., Willman C.,

https://doi.org/10.1021/ja0638760

Ghezel-Ayagh H., Wen Y., Huang K. Group IVA oxide

[313]

Kim Y. W., Sardari S. E., Meyer M. T., Iliadis A. A.,

surface modification of LSCF cathode powders by

Wu H. C., Bentley W. E., Ghodssi R. An ALD

Atomic Layer Deposition // ECS Trans. 2017. V. 78.

aluminum oxide passivated Surface Acoustic Wave

N 1. P. 935-942.

sensor for early biofilm detection // Sens. Actuators

https://doi.org/10.1149/07801.0935ecst

B. 2012. V. 163. N 1. P. 136-145.

[322]

Meng X., Wang X., Geng D., Ozgit-Akgun C.,

https://doi.org/10.1016/j.snb.2012.01.021

Schneider N., Elam J. W. Atomic Layer Deposition

[314]

Cabello-Aguilar S., Balme S., Abou-Chaaya A.,

for nanomaterial synthesis and functionalization in

Bechelany M., Balanzat E., Janot J.M., Pochat-

energy technology // Mater. Horiz. 2017. V. 4. N 2.

Bohatier C., Miele P., Dejardin P. Slow translocation

P. 133-154. https://doi.org/10.1039/C6MH00521G

of polynucleotides and their discrimination by

[323]

Liu Y., Sun Q., Zhao Y., Wang B., Kaghazchi P.,

α-hemolysin inside a single track-etched nanopore

Adair K. R., Li R., Zhang C., Liu J., Kuo L.-Y., Hu Y.,

Sham T.-K., Zhang L., Yang R., Lu S., Song X.,

2013. V. 5. N 20. P. 9582-9586.

Sun X. Stabilizing the interface of NASICON solid

https://doi.org/10.1039/C3NR03683A

electrolyte against Li metal with Atomic Layer

1134

Соснов Е. А. и др.

Deposition // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018.

Layer Deposited Al₂O₃/TiO₂ nanolaminate thin films

V. 10. N 37. P. 31240-31248.

on copper in 0.1 M NaCl // Materials. 2019. V. 12.

https://doi.org/10.1021/acsami.8b06366

N 4. ID 672. https://doi.org/10.3390/ma12040672

[324]

Cao Y., Meng X., Li A. Atomic Layer Deposition of

[333]

Duan C. L., Deng Z., Cao K., Yin H.F., Shan B.,

high-capacity anodes for next-generation lithium-ion

Chen R. Surface passivation of Fe₃O₄ nanoparticles

batteries and beyond // Energy Environ. Mater. 2020.

with Al₂O₃ via Atomic Layer Deposition in a rotating

P. 1-29. https://doi.org/10.1002/eem2.12132

fluidized bed reactor // J. Vac. Sci. Technol. A. 2016.

[325]

Henderick L., Hamed H., Mattelaer F., Minjauw M.,

V. 34. N 4. ID 04C103.

Nisula M., Meersschaut J., Dendooven J., Safari M.,

https://doi.org/10.1116/1.4952401

Vereecken P., Detavernier C. Plasma Enhanced

[334]

Кочеткова А. С., Соснов Е. А., Малков А. А.,

Atomic Layer Deposition of a (nitrogen doped) Ti

Антипов В. В., Куликов Н. А., Малыгин А. А.

phosphate coating for improved energy storage in

Влияние термовакуумной обработки и рентге-

Li-Ion batteries // J. Power Sources. 2021. V. 497.

новского излучения на морфологию и электрофи-

ID 229866.

зические свойства титаноксидных нанопокрытий

https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2021.229866

// ЖПХ. 2019. Т. 92. № 7. С. 827-836.

[326]

Ou K. S., Lin I. K., Wu P. H., Huang Z. K., Chen K. S.,

https://doi.org/10.1134/S0044461819070028

Zhang X. Mechanical characterization of Atomic

[Kochetkova A. S., Sosnov E. A., Malkov A. A.,

Layer Deposited (ALD) alumina for applications in

Antipov V. V., Kulikov N. A., Malygin A. A. Effect of

corrosive environments // MRS Online Proc. Libr.

a thermal-vacuum treatment and X-Ray radiation on

2009. V. 1222. ID 214.

the morphology and electrical properties of titanium

https://doi.org/10.1557/PROC-1222-DD02-14

oxide nanocoatings // Russ. J. Appl. Chem. 2019.

[327]

Potts S. E., Schmalz L., Fenker M., Díaz B.,

V. 92. N 7. P. 883-892.

Światowska J., Maurice V., Seyeux A., Marcus P.,

https://doi.org/10.1134/S1070427219070024 ].

Radnóczi G., Tóth L., Kessels W. M. M. Ultra-

[335]

Li C., Cauwe M., Yang Y., Schaubroeck D.,

thin aluminium oxide films deposited by Plasma-

Mader L., Op de Beeck M. Ultra-long-term reliable

Enhanced Atomic Layer Deposition for corrosion

encapsulation using an Atomic Layer Deposited

protection // J. Electrochem. Soc. 2011. V. 158. N 5.

HfO₂/Al₂O₃/HfO₂ triple-interlayer for biomedical

P. C132-C138. https://doi.org/10.1149/1.3560197

implants // Coatings. 2019. V. 9. N 9. ID 579.

[328]

Laskar M. R., Jackson D. H. K., Guan Y., Xu S.,

https://doi.org/10.3390/coatings9090579

Fang S., Dreibelbis M., Mahanthappa M. K.,

[336]

Li Y., Xiong Y., Yang H., Cao K., Chen R. Thin film

Morgan D., Hamers R. J., Kuech T. F. Atomic

encapsulation for the organic light-emitting diodes

layer deposition of Al₂O₃-Ga₂O₃ alloy coatings

display via Atomic Layer Deposition // J. Mater. Res.

for Li[Ni_0.5Mn_0.3Co_0.2]O₂ cathode to improve rate

2020. V. 35. N 7. P. 681-700.

performance in Li-Ion battery // ACS Appl. Mater.

https://doi.org/10.1557/jmr.2019.331

Interfaces. 2016. V. 8. N 16. P. 10572-10580.

[337]

Paussa L., Guzman L., Marin E., Isomaki N.,

https://doi.org/10.1021/acsami.5b11878

Fedrizzi L. Protection of silver surfaces against

[329]

Yang Q., Yuan W., Liu X., Zheng Y., Cui Z., Yang X.,

tarnishing by means of alumina/titania-nanolayers //

Pan H., Wu S. Atomic Layer Deposited ZrO₂

Surf. Coat. Technol. 2011. V. 206. N 5. P. 976-980.

nanofilm on Mg-Sr alloy for enhanced corrosion

https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2011.03.101

resistance and biocompatibility // Acta Biomater.

[338]

Dafinone M. I., Feng G., Brugarolas T., Tettey K. E.,

2017. V. 58. P. 515-526.

Lee D. Mechanical reinforcement of nanoparticle

https://doi.org/10.1016/j.actbio.2017.06.015

thin films using Atomic Layer Deposition // ACS

[330]

Liu X., Yang Q., Li Z., Yuan W., Zheng Y., Cui Z., Yang X.,

Nano. 2011. V. 5. N 6. P. 5078-5087.

Yeung K. W. K., Wu S. A combined coating strategy

https://doi.org/10.1021/nn201167j

based on Atomic Layer Deposition for enhancement

[339]

Цветкова М. Н., Малыгин А. А. Прочность сте-

of corrosion resistance of AZ31 magnesium alloy

клянных микросфер с ультратонкими элемент-

// Appl. Surf. Sci. 2018. V. 434. P. 1101-1111.

оксидными покрытиями // ЖПХ. 1986. Т. 59.

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.11.032

№ 11. С. 2472-2475 [Tsvetkova M. N., Malygin A. A.

[331]

Yang F., Chang R., Webster T. J. Atomic Layer

Strengths of glass microspheres with ultrathin oxide

Deposition coating of TiO₂ nano-thin films on

coatings // J. Appl. Chem. USSR. 1986. V. 59. N 11.

magnesium-zinc alloys to enhance cytocompatibility

P. 2279-2281].

for bioresorbable vascular stents // Int. J. Nanomed.

[340]

Jõgiaas T., Zabels R., Tamm A., Merisalu M.,

2019. V. 14. P. 9955-9970.

Hussainova I., Heikkilä M., Maendar H., Kukli K.,

https://doi.org/10.2147/IJN.S199093

Ritala M., Leskelä M. Mechanical properties of

[332]

Fusco M. A., Oldham C. J., Parsons G. N.

aluminum, zirconium, hafnium and tantalum oxides

Investigation of the corrosion behavior of Atomic

and their nanolaminates grown by Atomic Layer

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1135

Deposition // Surf. Coat. Technol. 2015. V. 282.

[351]

Анисимов К. С., Малков А. А., Малыгин А. А.

P. 36-42.

Механизм термоокисления карбида кремния,

https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.10.008

модифицированного хромоксидными структу-

[341]

Doll G. L., Mensah B. A., Mohseni H., Scharf T. W.

рами // ЖОХ. 2014. Т. 84. № 12. С. 1954-1961

Chemical Vapor Deposition and Atomic Layer

[Anisimov K. S., Malkov A. A., Malygin A. A.

Deposition of coatings for mechanical applications //

Mechanism of thermal oxidation of silicon carbide

J. Therm. Spray Technol. 2010. V. 19. N 1-2. P. 510-

modified by chromium oxide structures // Russ. J.

516. https://doi.org/10.1007/s11666-009-9364-8

Gen. Chem. 2014. V. 84. N 12. P. 2375-2381.

[342]

Wang Z., Zhao Q. Z. Friction reduction of steel by

https://doi.org/10.1134/S1070363214120032 ].

laser-induced periodic surface nanostructures with

[352]

Lichty P., Wirz M., Kreider P., Kilbury O.,

Atomic Layer Deposited TiO₂ coating // Surf. Coat.

Dinair D., King D., Steinfeld A., Weimer A. W.

Technol. 2018. V. 344. P. 269-275.

Surface modification of graphite particles coated by

https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.03.036

Atomic Layer Deposition and advances in ceramic

[343]

Scharf T. W., Diercks D. R., Gorman B. P.,

composites // Int. J. Appl. Ceram. Technol. 2013.

Prasad S. V., Dugger M. T. Atomic Layer Deposition

V. 10. N 2. P. 257-265.

of tungsten disulphide solid lubricant nanocomposite

https://doi.org/10.1111/j.1744-7402.2012.02750.x

coatings on rolling element bearings // Tribol. Trans.

[353]

OʹToole R. J., Buur P. J., Gump C. J., Musgrave C. B.,

2009. V. 52. N 3. P. 284-292.

Weimer A. W. Solid-state sintering of core-shell

https://doi.org/10.1080/10402000802369747

ceramic powders fabricated by Particle Atomic Layer

[344]

Kilbury O. J., Barrett K. S., Fu X., Yin J., Dinair D. S.,

Deposition // J. Am. Ceram. Soc. 2020. V. 103. N 8.

Gump C. J., Weimer A. W., King D. M. Atomic Layer

P. 4101-4109. https://doi.org/10.1111/jace.17079

Deposition of solid lubricating coatings on particles

[354]

Земцова Е. Г., Монин А. В., Смирнов В. М., Семе-

// Powder Technol. 2012. V. 221. P. 26-35.

нов Б. Н., Морозов Н. Ф. Создание керамических

https://doi.org/10.1016/j.powtec.2011.12.021

композиционных материалов на основе процес-

[345]

Tan L. K., Liu B., Teng J. H., Guo S., Low H. Y.,

сов трехмерного наноструктурирования (армиро-

Loh K. P. Atomic Layer Deposition of a MoS₂ film

вания) алюмокислородного каркаса нанострукту-

// Nanoscale. 2014. V. 6. N 18. P. 10584-10588.

рами (TiN, SiC) и исследование их механических

https://doi.org/10.1039/C4NR02451F

свойств // Физ. мезомеханика. 2016. Т. 19. № 3.

[346]

Sun Y., Chai Z., Lu X., Lu J. Tribological performance

С. 58-68.

of a tungsten disulfide lubricant film prepared

[355]

Кочеткова А. С., Ефимов Н. Ю., Соснов Е. А.,

by Atomic Layer Deposition using tungsten

Малыгин А. А. Влияние химического модифи-

hexacarbonyl and hydrogen sulfide as precursors //

цирования поверхности наполнителя на струк-

Tribol. Int. 2017. V. 114. P. 478-484.

туру и проницаемость композитной пленки на

https://doi.org/10.1016/j.triboint.2017.04.047

основе поливинилхлорида // ЖПХ. 2015. Т. 88.

[347]

Guay J. M., Killaire G., Gordon P. G., Barry S. T.,

№ 1. С. 116-124 [Kochetkova A. S., Efimov N. Yu.,

Berini P., Weck A. Passivation of plasmonic colors on

Sosnov E. A., Malygin A. A. Effect of the chemical

bulk silver by Atomic Layer Deposition of aluminum

modification of the filler surface on the structure and

oxide // Langmuir. 2018. V. 34. N 17. P. 4998-5010.

permeability of a composite film based on polyvinyl

https://doi.org/10.1021/acs.langmuir.8b00210

chloride // Russ. J. Appl. Chem. 2015. V. 88. N 1.

[348]

Lee K., Kim H., Kim J. H., Choi D. Structural color

P. 110-117.

and near-infrared tunability of ruthenium-coated

https://doi.org/10.1134/S1070427215010164 ].

anodic aluminum oxide by Atomic Layer Deposition

[356]

Грасси Н., Скотт Дж. Деструкция и стабилизация

// Scr. Mater. 2020. V. 187. P. 125-129.

полимеров. М.: Мир, 1988. 245 с. [Grassie N., Scott

https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2020.06.007

G. Polymer degradation and stabilisation. Cambridge:

[349]

Khan M. R., Kim H. G., Park J. S., Shin J. W.,

Cambridge University Press, 1985. 222 p.].

Nguyen C. T., Lee H. B. R. Tunable color coating of

[357]

Alongi J., Carosio F., Malucelli G. Current

e-textiles by Atomic Layer Deposition of multilayer

emerging techniques to impart flame retardancy

TiO₂/Al₂O₃ films // Langmuir. 2020. V. 36. N 11.

to fabrics: An overview // Polym. Degrad. Stab.

P. 2794-2801.

2014. V. 106. P. 138-149. https://doi.org/10.1016/j.

https://doi.org/10.1021/acs.langmuir.9b03988

polymdegradstab.2013.07.012

[350]

Малков А. А., Малыгин А. А., Трифонов С. А.,

[358]

Трифонов С. А., Соснов Е. А., Малыгин А. А.

Егорова И. В., Вихман С. В., Брусиловский Г. Л.,

Структура поверхности и термоокислительная де-

Силин В. А., Куликов Н. А. Влияние хромоксид-

струкция продуктов взаимодействия полиэтилена

ных нанодобавок на термические превращения

с парами PCl₃ и VOCl₃ // ЖПХ. 2004. Т. 77.

керамической массы // Изв. СПбГТИ (ТУ). 2009.

№ 11. С. 1872-1876 [Trifonov S. A., Sosnov E. A.,

№ 6 (32). С. 33-38.

Malygin A. A. Surface structure and thermal oxidative

1136

Соснов Е. А. и др.

degradation of the reaction products of polyethylene

[367]

Трифонов С. А., Соснов Е. А., Белова Ю. С.,

with PCl₃ and VOCl₃ vapors // Russ. J. Appl. Chem.

Малыгин А. А., Разинкова Н. Г., Савкин Г. Г.

2004. V. 77. N 11. P. 1854-1858.

Влияние химического модифицирования по-

https://doi.org/10.1007/s11167-005-0175-5 ].

верхности полиэтилена галогенидами фос-

[359]

Huang G., Liang H., Wang X., Gao J. Poly (acrylic

фора, бора, титана, ванадия и кремния на

acid)/clay thin films assembled by layer-by-layer

его паропроницаемость // ЖПХ. 2007. Т. 80.

deposition for improving the flame retardancy

№ 8. С. 1374-1379 [Trifonov S. A., Sosnov E. A.,

properties of cotton // Ind. Eng. Chem. Res. 2012.

Belova Yu. S., Malygin A. A., Razinkova N. G., Savkin

V. 51. N 38. P. 12299-12309.

G. G. Influence of chemical modification of the

https://doi.org/10.1021/ie300820k

surface of polyethylene with phosphorus, boron,

[360]

Apaydin K., Laachachi A., Ball V., Jimenez M.,

titanium, vanadium, and silicon halides on its vapor

Bourbigot S., Toniazzo V., Ruch D. Polyallylamine-

permeability // Russ. J. Appl. Chem. 2007. V. 80.

montmorillonite as super flame retardant coating

N 8. P. 1413-1418.

assemblies by layer-by layer deposition on

https://doi.org/10.1134/S1070427207080307 ].

polyamide // Polym. Degrad. Stab. 2013. V. 98.

[368]

Hirvikorpi T., Vähä-Nissi M., Mustonen T., Iiskola E.,

N 2. P. 627-634. https://doi.org/10.1016/j.

Karppinen M. Atomic Layer Deposited aluminum

polymdegradstab.2012.11.006

oxide barrier coatings for packaging materials //

[361]

Wang D., Song L., Zhou K., Yu X., Hu Y., Wang J.

Thin Solid Films. 2010. V. 518. N 10. P. 2654-2658.

Anomalous nano-barrier effects of ultrathin

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2009.08.025

molybdenum disulfide nanosheets for improving the

[369]

Jarvis K. L., Evans P. J., Triani G. Influence of the

flame retardance of polymer nanocomposites // J.

polymeric substrate on the water permeation of

Mater. Chem. A. 2015. V. 3. N 27. P. 14307-14317.

alumina barrier films deposited by Atomic Layer

https://doi.org/10.1039/C5TA01720C

Deposition // Surf. Coat. Technol. 2018. V. 337.

[362]

Qiu X., Li Z., Li X., Zhang Z. Flame retardant coatings

P. 44-52.

prepared using layer by layer assembly: A review //

https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2017.12.056

Chem. Eng. J. 2018. V. 334. P. 108-122.

[370]

Su D. Y., Hsu C. C., Lai W. H., Tsai F. Y. Fabrication,

https://doi.org/10.1016/j.cej.2017.09.194

mechanisms, and properties of high-performance

[363]

Дьякова А. К., Трифонов С. А., Соснов Е. А.,

flexible transparent conductive gas-barrier films

Малыгин А. А. Влияние химического модифици-

based on Ag nanowires and Atomic Layer Deposition

рования на структурно-энергетические характери-

// ACS Appl. Mater. Interfaces. 2019. V. 11. N 37.

стики поверхности пленок полиэтилена и поливи-

P. 34212-34221.

нилхлорида // ЖПХ. 2009. Т. 82. № 4. С. 628-634

https://doi.org/10.1021/acsami.9b09772

[Dʹyakova A. K., Trifonov S. A., Sosnov E. A.,

[371]

Op de Beeck M., Verplancke R., Schaubroeck D.,

Malygin A. A. Effect of chemical modification on

Li C., Cuypers D., Cauwe M., Vandecasteele B.,

structural and energy characteristics of the surface

Mader L., Vanhaverbeke C., OʹCallaghan J.

of polyethylene and polyvinyl chloride films //

Braeken D., Andrei A., Firrincieli A., Ballini M.,

Russ. J. Appl. Chem. 2009. V. 82. N 4. P. 622-629.

Kundu A., Fahmy A., Patrick E., Maghari N.,

https://doi.org/10.1134/S107042720904017X ].

Bashirullah R., De Baets J. FITEP: A Flexible

[364]

Feng J., Xiong S., Wang Z., Cui Z., Sun S. P., Wang Y.

Implantable Thin Electronic Package platform

Atomic Layer Deposition of metal oxides on carbon

for long term implantation applications, based

nanotube fabrics for robust, hydrophilic ultrafiltration

on polymer and ceramic ALD multilayers // Adv.

membranes // J. Membr. Sci. 2018. V. 550. P. 246-

Packaging for Medical Microelectronics, 2019 Adv.

253. https://doi.org/10.1016/j.memsci.2018.01.003

Technology Workshop, Abstr., Jan. 22-23, 2019. San

[365]

Huang A., Kan C.-C., Lo S.-C., Chen L.-H., Su D.-Y.,

Diego, California.

Soesanto J.F., Hsu C.-C., Tsai F.-Y., Tung K.-L.

https://doi.org/hdl.handle.net/1854/LU-8628164

Nanoarchitectured design of porous ZnO@copper

[372]

Рычков А. А., Трифонов С. А., Кузнецов А. Е.,

membranes enabled by atomic-layer-deposition for

Соснов Е. А., Рычков Д. А., Малыгин А. А. Влияние

oil/water separation // J. Membr. Sci. 2019. V. 582.

химического модифицирования поверхности по-

P. 120-131.

лиэтилена высокого давления на его электретные

https://doi.org/10.1016/j.memsci.2019.03.093

свойства // ЖПХ. 2007. Т. 80. № 3. С. 463-467

[366]

Singh A. K., Chou W.-F., Jia X., Wang C.-Y., Fuentes-

[Rychkov A. A., Trifonov S. A., Kuznetsov A. E.,

Hernandez C., Kippelen B., Graham S. Impact of

Sosnov E. A., Rychkov D. A., Malygin A. A. Influence

interface materials on side permeation in indirect

of chemical modification of the surface of low-

encapsulation of organic electronics // J. Vac. Sci.

density polyethylene on its electret properties // Russ.

Technol. A. 2020. V. 38. N 3. ID 033203.

J. Appl. Chem. 2007. V. 80. N 3. P. 461-465.

https://doi.org/10.1116/1.5140665

https://doi.org/10.1134/S1070427207030214 ].

Нанотехнология молекулярного наслаивания в производстве неорганических и гибридных материалов...

1137

[373] Пат. RU 2477540 С2 (опубл. 2013). Способ изго-

[375] Ципанова А. С., Соснов Е. А., Кузнецов А. Е.,

товления пленочного электрета.

Рычков А. А., Малыгин А. А. Влияние состава и

[374] Радюк Е. А., Соснов Е. А., Малыгин А. А., Рыч-

строения элементоксидных наноструктур, при-

ков А. А., Кузнецов А. Е. Свойства пленок поли-

витых к поверхности пленки полиэтилена, на

тетрафторэтилена, модифицированных титан- и

электретные характеристики композиции // ЖОХ.

фосфороксидными структурами // ЖПХ. 2019.

2021. Т. 91. № 6. С. 966-976.

Т. 92. № 8. С. 1036-1942.

https://doi.org/10.31857/S0044460X21060147

https://doi.org/1134/S0044461819080115

[Tsipanova A. S., Sosnov E. A., Kuznetsov A. E.,

[Radyuk E. A., Sosnov E. A., Malygin A. A.,

Rychkov A. A., Malygin A. A. Effect of composition

Rychkov A. A., Kuznetsov A. E. Properties of

and structure of element oxide nanostructures grafted

polytetrafluoroethylene films modified with titanium

at polyethylene film surface on electret characteristics

and phosphorus oxide structures // Russ. J. Appl.

of the polymer // Russ. J. Gen. Chem. 2021. V. 91.

Chem. 2019. V. 92. N 8. P. 1128-1134.

N 6. P. 1073-1081.

https://doi.org/10.1134/S1070427219080111 ].

https://doi.org/10.1134/S1070363221060141 ].