1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
  4. № 5, 2023

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2023, № 5, стр. 46-52

Свойства и перспективы применения литиевого жидкого стекла в терморегулирующих покрытиях космических аппаратов

М. М. Михайлов a, *, А. Н. Лапин a, **, С. А. Юрьев a, В. А. Горончко a

a Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
634000 Томск, Россия

* E-mail: membrana2010@mail.ru
** E-mail: alexey_nl@mail.ru

Поступила в редакцию 17.09.2022
После доработки 16.11.2022
Принята к публикации 16.11.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Выполнено сравнительное исследование радиационной стойкости оптических свойств связующих для терморегулирующих покрытий космических аппаратов: широко используемых жидкого стекла K2SiO3 и вновь разрабатываемого для этих целей жидкого стекла Li2SiO3. При исследовании спектров диффузного отражения (ρλ) в диапазоне длин волн 0.2–2.5 мкм и интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения (аs) до и после облучения электронами установлена несравненно большая радиационная стойкость жидкого стекла Li2SiO3 по сравнению со стеклом K2SiO3. Значения изменений коэффициента поглощения ∆аs жидкого стекла Li2SiO3 в несколько раз меньшие по сравнению с жидким стеклом K2SiO3: при облучении электронами с энергией 30 кэВ при флуенсе Ф = 2 × 1016 см–2 – в 35 раз; при Ф = 4 × 1016 см–2 – в 25 раз; при Ф = 6 × 1016 см–2 – в 7 раз. Проведен анализ факторов, определяющих радиационную стойкость этих стекол. Преимущество в радиационной стойкости жидкого стекла Li2SiO3 открывает перспективы его использования в качестве связующих соединений в терморегулирующих покрытиях космических аппаратов, в красках, керамиках и других областях техники и промышленности с наличием ионизирующих излучений.

Ключевые слова: литиевое и калиевое жидкое стекло, оптические свойства, полосы поглощения, радиационная стойкость.

ВВЕДЕНИЕ

В лакокрасочных и керамических терморегулирующих покрытиях (ТРП) космических аппаратов в качестве связующих используют полимерные лаки и смолы или калиевое жидкое стекло. Такие связующие предназначены для образования ТРП, должны обеспечивать необходимую укрывистость, вязкость, сплошность и высокую отражательную способность в солнечном диапазоне спектра (длины волн 0.2–2.5 мкм). Радиационная стойкость всех известных связующих ниже по сравнению с пигментами. Поэтому их концентрация должна быть минимально возможной [1].

В последние годы в АО “Композит” (Роскосмос) разработан ряд покрытий класса “оптические солнечные отражатели” с использованием литиевого жидкого стекла в качестве связующего. Было установлена более высокая стойкость таких покрытий к действию излучения в космическом пространстве по сравнению с аналогичными покрытиями с калиевым жидким стеклом в качестве связующего [2, 3]. Литиевые жидкие стекла помимо космической отрасли широко используют при производстве других типов стекол для наземного применения, в том числе и в устройствах, где применяют различные виды излучений [4–6]. Несмотря на столь широкое применение до настоящего времени не изучены основные факторы, определяющие более длительное сохранение оптических свойств самих жидких стекол Li2SiO3 и покрытий с их использованием по сравнению с жидким стеклом K2SiO3 под действием излучения.

Целью настоящей работы являлось исследование оптических свойств и радиационной стойкости жидкого стекла Li2SiO3 и сравнение с радиационной стойкостью жидкого стекла K2SiO3 для ТРП космических аппаратов.

МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Для приготовления образцов использовали водный раствор лития кремнекислого с кремнеземистым модулем 3.2 (мольное отношение кремнезема к окиси лития SiO2/Li2O) квалификации х. ч., изготовленного в соответствии с ТУ 2621-284-00209192-2009 (далее – литиевое жидкое стекло).

Перед нанесением образцов покрытия подложки диаметром 24 мм из алюминия АМг6 по ГОСТ 4784 готовили следующим образом. Обезжиривали поверхность подложки двукратной протиркой ветошью, смоченной в ацетоне. Для придания поверхности подложки шероховатости выполняли обработку шлифовальной бумагой до полного удаления глянца в двух перпендикулярных направлениях. Для устранения зеркального блеска поверхность подложки обрабатывали водным раствором NaOH, а затем водным раствором азотной кислоты. После промывания дистиллированной водой поверхность подложки сушили в сушильном шкафу при температуре 150°С.

Нанесение Li2SiO3 на металлические подложки осуществляли в следующей последовательности. Подготовленную описанным выше способом подложку обезжиривали ацетоном. Жидкое стекло доводили до рабочей вязкости путем добавления дистиллированной воды, тщательно перемешивали и переливали в герметичную емкость. Для улучшения адгезии и предотвращения растрескивания небольшое количество жидкого стекла наносили на подложку и втирающими движениями удаляли его с помощью ветоши таким образом, чтобы на поверхности подложки остался тонкий слой жидкого стекла. После этого подложку с нанесенным тонким слоем стекла высушивали в течение 8 ч на воздухе. Кистью наносили жидкое стекло или покрытие на его основе тонкими слоями (толщина каждого слоя не более 50 мкм), равномерно распределяя по поверхности подложки. Для изготовления каждого образца наносили 3–4 слоя до достижения толщины покрытия примерно 150 мкм. Каждый слой высушивали не менее 12 ч.

Аналогично наносили на подложки калиевое жидкое стекло. Для сравнения радиационной стойкости различных связующих для ТРП кроме жидких стекол исследовали лак КО-921. Его наносили на металлическую подложку кистью, общая толщина покрытия составляла 150 мкм, полное высыхание происходило на воздухе при комнатной температуре.

Спектры диффузного отражения ρλ в диапазоне длин волн 0.2–2.5 мкм всех образцов (жидких стекол Li2SiO3 и K2SiO3 и лака КО-921) в исходном состоянии и после каждого периода облучения электронами с энергией 30 кэВ флуенсом Ф = = (2–4) × 1016 см–2 регистрировали в вакууме (Р = = 1 × 10–6 торр) in situ c помощью встроенной в камеру установки “Спектр” интегрирующей сферы [4]. Облучение осуществляли при температуре 300 К. Регистрацию ИК-спектров отражения в диапазоне от 400 до 4000 см–1 исходных образцов жидких стекол Li2SiO3 и K2SiO3 выполняли на ИК Фурье спектрометре Shimadzu IRTracer-100 с приставкой для измерения диффузного отражения DRS-8000A.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Спектры диффузного отражения в области 200–2500 нм

Край основного поглощения в спектрах ρλ образцов Li2SiO3 расположен при 191 нм (рис. 1). Эта величина соответствует значению ширины запрещенной зоны Eg = 6.49 эВ. Максимальное значение коэффициента отражения (ρ) достигает 75% в области около 1400 нм. С увеличением длины волны коэффициент отражения уменьшается и при λ = 2500 нм составляет 42%. В спектрах ρλ зарегистрированы локальные минимумы при 803, 1420, 1920 и 2220 нм, обусловленные полосами поглощения ОН-групп [5–7]. После облучения электронами спектры ρ изменяются незначительно: край основного поглощения смещается на несколько нм в длинноволновую область, коэффициент отражения уменьшается в УФ и видимой областях на несколько %.

Рис. 1.

Спектры диффузного отражения жидкого стекла Li2SiO3 до и после облучения электронами с энергией 30 кэВ при флуенсе (2–10) × 1016 см–2.

Рассчитаны разностные спектры диффузного отражения (∆ρλ) вычитанием спектров после облучения (ρλf) из спектров до облучения (ρλ0):

(1)
$\Delta {{\rho }_{\lambda }} = ({{\rho }_{{\lambda 0}}} - {{\rho }_{{\lambda {\kern 1pt} f}}}).$

Такие спектры (рис. 2) являются спектрами поглощения, наведенного действием электронного пучка. В них регистрируется полосы поглощения в УФ, видимой и ближней ИК областях при 235, 255–270, 370, 695, 850 и 980 нм. Интенсивность всех полос небольшая, наиболее интенсивная полоса при 235 нм достигает 4.3% после облучения при максимальном флуенсе электронов Ф = 1 × 1017 см–2.

Рис. 2.

Разностные спектры отражения жидкого стекла Li2SiO3 после облучения флуенсом электронов с энергией 30 кэВ: 2 (1); 4 (2); 6 (3); 8 (4); 10 × 1016 см–2 (5).

Зарегистрированные полосы поглощения могут определяться дефектами, образованными при облучении в составляющих стекла Li2О и SiO2. Такими дефектами в оксидных соединениях, как правило, являются анионные и катионные вакансии и междоузельные анионы и катионы в различном зарядовом состоянии и их комплексы.

Аналогичные результаты получены и для калиевого жидкого стекла. На рис. 3 приведены спектры ρλ0 и ρλ f этого стекла. Край основного поглощения составляет 280 нм, что соответствует значению Eg = 4.29 эВ. Максимальное значения коэффициента отражения составляет 75% и соответствует той же области около 1400 нм, как и для стекла Li2SiO3. С увеличением длины волны коэффициент отражения уменьшается и при λ = = 2500 нм равен 27%. В спектрах ρλ также, как и для стекла Li2SiO3, зарегистрированы локальные минимумы при 803, 1420, 1920 и 2220 нм, обусловленные полосами поглощения ОН-групп. Облучение электронами приводит к небольшим изменениям коэффициента отражения в УФ и видимой областях спектра. Так же, как и для жидкого стекла Li2SiO3, при облучении происходит незначительное смещение края основного поглощения в длинноволновую область спектра.

Рис. 3.

Спектры диффузного отражения жидкого стекла K2SiO3 до и после облучения флуенсом электронов (2–6) × 1016 см–2 с энергией 30 кэВ.

В разностных спектрах ∆ρλ (рис. 4) присутствуют полосы поглощения при 300, 400, 585 и 825 нм. Наиболее интенсивной является полоса при 300 нм. Полоса при 585 нм является сложной, на ее обоих фронтах заметны выступы. Это указывает на наличие не менее трех элементарных полос поглощения, входящих в эту интегральную полосу. С увеличением флуенса электронов интенсивность всех полос возрастает. В области λ > > 1000 нм значения ∆ρ составляют менее 0.5%.

Рис. 4.

Разностные спектры отражения жидкого стекла K2SiO3 после облучения флуенсом электронов с энергией 30 кэВ: 2 (1); 4 (2); 6 × 1016 см–2 (3).

ИК-спектры отражения стекол Li2SiO3 и K2SiO3

На рис. 5 показаны ИК-спектры отражения жидких стекол Li2SiO3 и K2SiO3. Полосы поглощения в этих спектрах одной и той же природы. Это позволяет предположить, что природа полос одинакова: полосы обусловлены различными типами колебаний молекул SiO2 и их составляющих, а также различных поверхностных соединений. Интенсивность некоторых полос одинакова (1087 и 650 см–1). Интенсивность таких полос, как 1400, 1591, 1639, 3145 и 3540 см–1 больше в спектре стекла Li2SiO3, а у полос при 860 и 2624 см–1 она меньше по сравнению с полосами в спектре стекла K2SiO3.

Рис. 5.

ИК-спектры жидких стекол Li2SiO3 (1) и K2SiO3 (2).

Полосы в диапазоне от 2400 до 3700 см–1 могут быть обусловлены валентными колебаниями гидроксильных групп [8]: поверхностными (3400–3700 см–1 [9–11] и связанными водородной связью с кислородом (3400 см–1).

В области волновых чисел от 610 до 1440 см–1 имеются полосы, характерные для диоксида кремния [12–14]: такие полосы обусловлены колебаниями мостикового кислорода Si–O–Si (460, 810 и 1110 см–1); валентными симметричными колебаниями Si–Si (615 см–1); скручивающими колебаниями SiO2 (805 см–1).

Такое же объяснение природы полос поглощения в области 850–1100 см–1 дано в работах [12–14]: асимметричные колебания мостиковых связей Si–O–Si, а также симметричные колебания концевых связей Si–O.

Интегральный коэффициент поглощения солнечного излучения

Поскольку исследуемое материалы (жидкие стекла K2SiO3 и Li2SiO3 и лак КО-921) предназначены для использования в качестве связующих ТРП для космических аппаратов, то представляют интерес расчеты интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения (аs) и его изменений (∆аs) после облучения электронами образцов покрытий. Расчеты осуществляли путем разбиения спектра излучения Солнца (длины волн 0.2–2.5 мкм) на равноэнергетические участки по известной методике Джонсона [15], определения коэффициента отражения в этих участках и среднего значения с использованием Международных стандартов [16, 17]. Для необлученных образцов значения коэффициента поглощения жидких стекол близки: 0.36 для стекла K2SiO3 и 0.38 для стекла Li2SiO3.

На рис. 6 приведены полученные зависимости ∆аs в выбранных трех связующих от флуенса электронов. Из рис. 6 следует, что кинетика и абсолютные значения изменений коэффициента поглощения значительно отличаются. Для стекла Li2SiO3 заметны две стадии в его изменении, для стекла K2SiO3 и лака КО-921 – одна.

Рис. 6.

Зависимость изменений коэффициента поглощения аs от флуенса электронов жидких стекол Li2SiO3 (а), K2SiO3 (б) и лака КО-921 (в).

Сравнение значений ∆аs этих связующих при одинаковом флуенсе электронов (табл. 1) показывает их значительное отличие. Значения ∆аs жидкого стекла Li2SiO3 в несколько раз меньшие по сравнению с жидким стеклом K2SiO3 и лаком КО-921: при Ф = 2 × 1016 см–2 – в 35 и 355 раз; при Ф = 4 × 1016см–2 – в 25 и 305 раз; при Ф = 6 × × 1016 см–2 – в 7 и 81 раз соответственно. Эти потоки электронов с энергией 30 кэВ соответствуют потокам энергии, соответственно, 6.0 × 1020, 1.2 × × 1021 и 2.4 × 1021 эВ · см–2.

Таблица 1.  

Зависимости значений ∆аs различных связующих для ТРП при облучении от флуенса электронов

Ф, ×1016 см–2 2 4 6
Li2SiO3 0.0002 0.0004 0.0019
K2SiO3 0.0070 0.0100 0.0130
КО-921 0.0710 0.1220 0.1530

О том, что радиационная стойкость жидких стекол K2SiO3 выше по сравнению с полимерными связующими известно из результатов многих экспериментальных исследований [1]. Сравнительные данные по радиационной стойкости жидких стекол Li2SiO3 и K2SiO3 отсутствуют. Поэтому полученное увеличение радиационной стойкости жидкого стекла Li2SiO3 по сравнению с K2SiO3 показывает перспективность использования жидкого стекла Li2SiO3 в керамических покрытиях и изделиях, работающих в условиях действия ионизирующего излучения.

Факторы, влияющие на радиационную стойкость жидких стекол и кремнийорганического лака

Радиационную стойкость жидких стекол во многом определяет их модуль (М), который можно рассчитать по выражению:

(2)
$М = {{m{\text{Si}}{{{\text{O}}}_{2}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{m{\text{Si}}{{{\text{O}}}_{2}}} {mMe{{{\text{O}}}_{2}},}}} \right. \kern-0em} {mMe{{{\text{O}}}_{2}},}}$
где mSiO2 и mMeO2 – массы молекул SiO2 и MeO2 в составе жидкого стекла, Ме – тип катиона.

Для стекла K2SiO3, используемого в настоящем исследовании М = 3.9 и, в соответствии с формулой (2), получаем вклад молекул SiO2 в общую массу равный 38.5%, вклад молекул K2O – 61.5%. Для используемого в настоящем исследовании стекла Li2SiO3 с М = 3.2 вклад молекул SiO2 в общую массу равен 64%, вклад молекул Li2O – 36%. Эти расчеты показывают, что в калиевом жидком стекле число молекул аморфного диоксида кремния на одну молекулу кристаллического K2O составляет 6.2, а в литиевом жидком стекле – всего 1.8. (отличие в 3.4 раза).

Сведения о сохранении оптических свойств кристаллических составляющих рассмотренных стекол – оксидов K2O и Li2O – в условиях облучения к настоящему времени отсутствуют. Можно лишь предположить, что при близкой чистоте и концентрации примесей и при большей ширине запрещенной зоны радиационная стойкость оксида Li2O должна быть не хуже по сравнению со стеклом K2O.

Другим фактором, определяющим радиационную стойкость этих стекол, является наличие аморфной фазы SiO2, которой в стекле K2SiO3 в 3.4 раза больше по сравнению со стеклом Li2SiO3. Такое аморфное соединение SiO2 наносили в виде одного или двух слоев на поверхность порошков, например, ZrO2 или SrZrO3 и получали увеличение радиационной стойкости [18]. Другим примером является модифицирование оксидных порошков наночастицами SiO2, выступающими в роли центров релаксации первичных дефектов (электронов и дырок), образованных действием ионизирующего излучения в таких порошках [19, 20]. Поэтому радиационная стойкость калиевого жидкого стекла с учетом этого фактора должна быть выше по сравнению с литиевым жидким стеклом.

Третьим фактором, влияющим на радиационную стойкость этих стекол, может быть значение ширины запрещенной зоны оксидных соединений, которое составляет 4.29 эВ для K2O и 6.29 эВ для Li2O. Отличие значений Еg составляет 1.47 раз. При энергии электронов 30 кэВ единственным процессом их взаимодействия с этими оксидами является ионизационный. Число образованных электронно-дырочных пар будет определяться соотношением потока энергии и значения ширины запрещенной зоны. При одинаковой величине потока энергии электронов число образованных при облучении первичных дефектов – электронно-дырочных пар – в Li2O должно быть меньше по сравнению с K2O в 1.47 раз.

Четвертым фактором, определяющим изменение интегрального коэффициента поглощения ∆аs при облучении, является энергетическое положение полос поглощения образованных облучением дефектов и спектра излучения Солнца. В спектрах ∆ρλ Li2O первые высокоинтенсивные полосы поглощения расположены при 235 и 255–270 нм, а в спектрах ∆ρλ K2O – при 300 и 400 нм. В спектре излучения Солнца в области 200–270 нм интенсивность излучения почти не изменяется, а в области 270–400 нм резко увеличивается (табл. 2). Поэтому вклад этих полос поглощения в результирующее значение коэффициента аs будет различным: от спектра ∆ρλ Li2O он будет много меньшим по сравнению со спектром K2O.

Таблица 2.  

Спектральное распределение освещенности, создаваемой Солнцем вне земной атмосферы

λ, нм 200 220 240 260 280 300 340 380 420 460
Q, мкВт/см2 · мкм 1.07 5.75 6.30 13.00 22.20 51.40 107.40 112.00 174.70 206.60

Поскольку радиационную стойкость этих стекол, как и других связующих и самих ТРП, оценивают по величине изменений коэффициента поглощения Δаs после воздействия излучений, то такое отличие будет увеличивать радиационную стойкость литиевого жидкого стекла по сравнению с калиевым [21]. Первые несколько средних значений длин волн в равноэнергетических участках спектра излучения Солнца, определяющих значения коэффициента поглощения аs согласно методике [15], составляют 315, 366, 408, 438 и 464 нм. В этих точках определяют значения коэффициента отражения до облучения ρ0, после облучения ρf и их разность ∆ρ, по которым и рассчитывают значения интегрального коэффициента поглощения до облучения аs0, после облучения аsf и их разность ∆аs.

Сравним значения длин волн 315, 366, 408, 438, 464 нм со значениями максимумов полос поглощения в спектрах ∆ρλ этих стекол. В спектрах ∆ρλ стекла Li2SiO3 (рис. 2) зарегистрированы полосы поглощения при 235, 255–270, 370, 695 нм. Первые две самых интенсивных полосы не будут влиять на значения ∆аs, а полоса при 370 нм будет влиять лишь частично (не в максимуме). В промежутке спектра с расчетными точками при 408, 438 и 464 нм также отсутствуют полосы поглощения. В спектре ∆ρλ жидкого стекла K2SiO3 (рис. 4) регистрируются полосы при 300, 400, 585 и 825 нм. Первая полоса учитывается не в самом максимуме, а вторая (400 нм) практически в максимуме.

Поскольку все другие точки для расчетов значений ∆аs в спектрах обоих жидких стекол соответствуют меньшим значениям ∆ρ по сравнению с рассмотренными коротковолновыми полосами, то разность их вклада будет значительной. Поэтому данный фактор оказывает заметное влияние при определении радиационной стойкости этих двух типов жидких стекол по значениям ∆аs после их облучения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Выполнены сравнительные исследования спектров диффузного отражения и интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения и их изменений после облучения электронами (Е = 30 кэВ, Ф = (1–6) × 1016 см–2) жидких стекол Li2SiO3 и K2SiO3. Установлена более высокая радиационная стойкость стекла Li2SiO3 по сравнению со стеклом K2SiO3. Предпосылками высокой радиационной стойкости стекла K2SiO3 является высокий модуль (М = 3.9) и большее в 6.2 раз число молекул SiO2 (обладающих высокой радиационной стойкостью и защитными свойствами) на одну молекулу K2O по сравнению со стеклом Li2SiO3 (М = 3.2). Однако большое значение ширины запрещенной зоны (Eg = 6.49 эВ) и малая интенсивность излучения Солнца в области края основного поглощения (Q1 = 1 мкВт · см–2 · мкм–1 при λg2 = 191 нм) обуславливают более высокую радиационную стойкость стекла Li2SiO3 по сравнению со стеклом K2SiO3 (Eg = 4.43 эВ, Q2 = = 22 мкВт · см–2 · мкм–1 при λg2 = 280 нм). Такое преимущество в радиационной стойкости позволит широко использовать литиевое жидкое стекло в качестве связующих соединений в терморегулирующих покрытиях космических аппаратов, в красках, керамиках и других областях техники и промышленности с наличием ионизирующих излучений.

Список литературы

  1. Михайлов М.М. Спектры отражения терморегулирующих покрытий космических аппаратов. Том 1. Томск: Изд-во Томского университета, 2007. 314 с.

  2. Thermal Control Coatings. Nonmetallic Materials. JSC “Kompozit”. Cited 16 September 2022. https://kompozit-mv.ru/index.php/nemetallicheskie-materialy/lakokrasochnye-termoreguliruyushchie-pokrytiya.html

  3. Токарь С.В., Баринова О.П. // Техника и технология силикатов. 2019. Т. 26. № 1. С. 6.

  4. Kositsyn L.G., Mikhailov M.M., Kuznetsov N.Y., Dvoretskii M.I. // Instrum. Experimental Tech. 1985. V. 28. P. 929.

  5. Burns D.A., Ciurczak E.W. Handbook of Near-Infrared Analysis. Dekker: N.Y., 2001. 814 p.

  6. Blanco M., Coello J., Iturriaga H., Maspoch S., Pezuela C. // Analyst. 1998. V. 123. P. 135. https://www.doi.org/10.1039/A802531B

  7. Brauer G., Anwand W., Grambole D., Grenzer J., Skorupa W., Čížek J., Kuriplach J., Procházka I., Ling C.C., So C.K., Schulz D., Klimm D. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 115212. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.79.115212

  8. Davydov A. Molecular Spectroscopy of Oxide Catalyst Surfaces. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2003. 641 p.

  9. Boccuzzi F., Morterra C., Scala R., Zecchina A. // J. Chem. Soc. Faraday Trans. II. 1981. V. 77. P. 2059. https://www.doi.org/10.1039/F29817702059

  10. Keyes B.M., Gedvilas L.M., Li X., Coutts T.J. // J. Crystal Growth. 2005. V. 281. P. 297. https://www.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.04.053

  11. Noei H., Qiu H., Wang Y., Löffler E., Wöll C., Muhler M. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2008. V. 10. P. 7092. https://www.doi.org/10.1039/b811029h

  12. Cooper C.D., Mustard J.F. // Icarus. 1999. V. 142. Iss. 2. P. 557. https://www.doi.org/10.1006/icar.1999.6221

  13. Окабе Х. Фотохимия малых молекул. М.: Мир, 1981. 504 с.

  14. Shardakov N.T. // Glass Phys. Chem. 2021. V. 47. № 6. P. 548. https://www.doi.org/10.1134/S1087659621060250

  15. Johnson F.S. // J. Meteorological. 1954. V. 11. № 6. P. 431.

  16. ASTM E490-00a Standard Solar Constant and Zero Air Mass Solar Spectral Irradiance Tables, 2005.

  17. ASTM E903-96 Standard Test Method for Solar Absorptance, Reflectance, and Transmittance of Materials Using Integrating Spheres, 2005.

  18. Патент 2 160 294 (РФ). Дата подачи заявки: 10.07.1998г. Модификатор для светоотражающих покрытий на основе диоксида циркония / Томский политехнический университет. Владимиров В.М., Михайлов М.М. // Опубликован 10.12.2000 г.

  19. Нещименко В.В. Исследование структуры, свойств и радиационной стойкости оксидных порошков, модифицированных наночастицами. Дис. … д-ра физико-математических наук: 01.04.07. Томск: ТУСУР. 2017. 273 с.

  20. Hong R., Pan T., Qian J., Li H. // Chem. Engineering J. 2006. V. 119. P. 71. https://www.doi.org/10.1016/j.cej.2006.03.003

  21. Макарова Е.А., Харитонов А.В. Распределение энергии Солнца и солнечная постоянная. М.: Наука, 1972. 88 с.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал