1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
  4. № 6, 2023

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2023, № 6, стр. 32-38

Модификация электронной структуры слоев графена на β-SiC(001) молекулами феназинового красителя нейтральный красный

А. Н. Чайка a, *, И. М. Аристова a

a Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН
142432 Черноголовка, Россия

* E-mail: chaika@issp.ac.ru

Поступила в редакцию 22.10.2022
После доработки 25.12.2022
Принята к публикации 25.12.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Слои графена на полупроводниковых подложках, модифицированные с помощью ковалентной или нековалентной химической функционализации, могут быть использованы для создания гибридных структур, сочетающих физические свойства графена и органических соединений. В статье представлены результаты исследований атомной и электронной структуры ультратонких пленок графена на пластинах β-SiC/Si(001), модифицированных молекулами феназинового красителя Нейтральный красный. Сплошное покрытие графена толщиной несколько атомных слоев синтезировали на пластинах β-SiC/Si(001) в сверхвысоком вакууме при высоких температурах. Химическая модификация графена осуществлена в растворе диазониевой соли красителя Нейтральный красный под воздействием белого света. Данные сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии демонстрируют формирование композитной феназино-графеновой структуры с большой запрещенной зоной на всей поверхности образца. Молекулы могут быть ориентированы параллельно и перпендикулярно слоям графена, формируя на небольших участках поверхности локально-упорядоченные структуры с прямоугольной и косоугольной ячейкой. Электронный спектр и величина запрещенной зоны на различных участках поверхности зависят от локальной атомной структуры и ориентации молекул красителя относительно слоев графена. Согласно теоретическим расчетам, выполненным с использованием теории функционала плотности, локальные изменения электронной структуры молекул феназинового красителя и величины запрещенной зоны могут быть связаны с деформацией (сжатием или растяжением) молекул, обусловленной их взаимодействием с верхним слоем графенового покрытия.

Ключевые слова: графен, сканирующая туннельная микроскопия, сканирующая туннельная спектроскопия, теория функционала плотности.

ВВЕДЕНИЕ

Графен – двумерный материал с уникальными физическими свойствами [1, 2], состоящий из одного слоя атомов углерода, связанных между собой sp 2-орбиталями и образующих двумерную решетку типа пчелиных сот. Ультратонкие пленки, состоящие из одного или нескольких атомных слоев графена, выращенные на полупроводниковых подложках, представляют особый интерес для фундаментальных исследований и технологических применений. Синтез графена на поверхности тонких пленок кубической модификации карбида кремния (β-SiC), выращенных эпитаксиально на пластинах Si(001) [3–17], может обеспечить метод производства графена на полупроводниковых подложках, совместимых с существующими технологиями микроэлектроники на основе кремния.

Одним из препятствий для создания элементов на базе графена в приборах электроники [18, 19] является отсутствие запрещенной зоны в электронном спектре графена. Использование вицинальных подложек β-SiC/Si с небольшим (менее 4°) отклонением от плоскости (001) позволяет выращивать системы нанополос графена с одним предпочтительным направлением междоменных границ, что приводит к открытию транспортной щели в структурах графен/β-SiC/Si [7]. Перспективным способом управления электронной структурой графена является химическая модификация с использованием молекулярных соединений [20–22], благодаря которой можно получить гибридные молекулярно-графеновые структуры с измененным электронным спектром, сочетающие уникальные свойства графена и органических соединений. В настоящей статье приведены результаты исследований гибридных феназино-графеновых структур, полученных с помощью функционализации ультратонких (несколько атомных слоев) пленок графена на пластинах β-SiC/ Si(001), молекулами феназинового красителя Нейтральный красный [23–25]. Молекулы этого красителя находят применение при разработке химических сенсоров, биологических маркеров, внутриклеточных индикаторов кислотности, оптических и химических сенсоров, фотоэлементов [26–35]. Использование метода химической функционализации при воздействии интенсивного светового излучения [23] позволяет достигать однородной модификации графена молекулами феназинового красителя ex situ, без использования сверхвысокого вакуума (СВВ), за короткий промежуток времени.

Особенности атомной и электронной структуры гибридных феназино-графеновых структур изучены с использованием сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и спектроскопии (СТС). Для объяснения особенностей электронной структуры гибридных систем выполнены расчеты с использованием теории функционала плотности (ТФП).

МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Ультратонкие (несколько атомных слоев) покрытия графена на пластинах β-SiC/Si(001) выращивали с помощью серии высокотемпературных отжигов в СВВ камере электронного спектрометра RIBER LAS-3000, оснащенного дифрактометром медленных электронов и сканирующим туннельным микроскопом для контроля атомной структуры поверхности в процессе синтеза. После предварительной очистки образца с держателем в СВВ, напыления нескольких монослоев атомов кремния на поверхность и серии последовательных отжигов различной длительности при температурах в диапазоне 900—1550 К на всей поверхности пластин β-SiC/Si(001) формируется сплошное покрытие наноструктурированного графена толщиной несколько атомных слоев [3–9]. Согласно данным СТМ, слои графена состоят из полос шириной 5–20 нм (рис. 1a–1в), соединенных между собой междоменными границами, ориентированными вдоль кристаллографических направлений 〈110〉. СТМ-изображения атомного разрешениия вдали от границ нанодоменов демонстрируют типичную для графена атомную структуру типа пчелиных сот (рис. 1г).

Рис. 1.

СТМ-изображения структуры графен/SiC(001), демонстрирующие формирование системы нанополос (a–в), ориентированных в {110}, и решетку типа пчелиных сот в середине нанодоменов (г). Изображение нанополос с атомным разрешением (в) получено дифференцированием (dZ/dX) топографического изображения (б). Изображения были измерены при 300 К, U = –0.8 В и I = 60 пА (a), U = –20 мВ и I = 60 пА (б, в), U = 10 мВ и I = 150 пА (г). Идеальная решетка графена показана на панели (г) вместе с экспериментальным изображением.

Для химической модификации графена, синтезированного на пластинах β-SiC/Si(001), образцы помещали в раствор диазониевой соли красителя Нейтральный красный под воздействием белого света на несколько минут [23–25]. Воздействие светового излучения приводило к фотовозбуждению валентных электронов графена и восстановлению катионов красителя, что вызывало формирование активных радикалов, способных образовывать химические связи с атомами углерода в слое графена, как схематически показано на рис. 2. После химической функционализации образцы очищали от загрязнений и непрореагировавшего раствора соли в ультразвуковой ванне с использованием этанола, а затем просушивали на воздухе. Перед исследованием атомной и электронной структуры модифицированных молекулами феназинового красителя слоев графена на β-SiC/ Si(001) образцы очищали от адсорбатов отжигом в СВВ камере при температуре не более 200°С. Особенности локальной атомной и электронной структуры функционализированного графена на пластинах β-SiC/Si(001) изучали с использованием СТМ и СТС при температуре 77 К. ТФП-расчеты электронной структуры гибридных феназино-графеновых систем проводили с использованием пакета PWscf из программного обеспечения Quantum ESPRESSO [36] в приближении локальной плотности состояний с параметризацией Пердью–Цангера [37]. Детальная информация о ТФП-расчетах и экспериментах, выполненных на чистых и модифицированных молекулами феназинового красителя образцах графен/β-SiC/ Si(001) с помощью СТМ и СТС, может быть найдена в работах [24, 25].

Рис. 2

Схема химической реакции (a) и процесса функционализации графена (б) молекулами феназинового красителя Нейтральный красный при воздействии светового излучения.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Как показали результаты СТМ-исследований, функционализация графена молекулами феназинового красителя приводит к формированию сплошной гибридной структуры на всей поверхности образца. Cвязь молекул с верхним слоем графена прочная и не может быть разорвана как во время ультразвуковой чистки образцов в этаноле, так и при умеренном отжиге в СВВ.

СТМ-исследования различных участков поверхности функционализированного образца показали, что, несмотря на увеличение шероховатости поверхности, рельеф гибридной феназино-графеновой структуры, воспроизводит рельеф системы графен/SiC(001) [24]. После функционализации в СТМ-изображениях (рис. 3а–3в) не обнаружена типичная для слоев графена на β-SiC/ Si(001) система нанополос и атомная структура типа пчелиных сот, что согласуется с данными рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотоэмиссионной электронной микроскопии [25], демонстрирующими сплошное покрытие графена молекулами красителя. Данные СТМ высокого разрешения демонстрируют отсутствие дальнего порядка в феназино-графеновых структурах на β-SiC/Si(001). Вместе с тем, на СТМ-изображениях присутствуют участки поверхности, на которых молекулы красителя формируют локально-упорядоченные структуры. Молекулы в них могут быть ориентированы как параллельно, так и перпендикулярно поверхности. В качестве примера на рис. 3г, 3д показаны участки поверхности, на которых молекулы, ориентированные почти перпендикулярно слоям графена, формируют локально-упорядоченные структуры с прямоугольной [24] и косоугольной [25] решетками соответственно. Расположение молекул на поверхности графена в структуре с косоугольной решеткой схематически показано на рис. 3ж. На рис. 3е показан участок поверхности, на котором наблюдаются молекулы, ориентированные перпендикулярно (верхний левый угол) и параллельно поверхности (нижняя часть изображения). Ориентация большинства молекул на этом участке поверхности параллельно поверхности образца согласуется с поляризационной зависимостью тонкой структуры спектров вблизи края поглощения рентгеновского излучения [25]. На основании СТМ-измерений можно предположить, что лежащие в плоскости поверхности молекулы преимущественно образуют димерные структуры, как схематически показано на рис. 3з. Молекулы феназинового красителя в этих структурах не идеально параллельны поверхности графена, что согласуется с увеличением шероховатости поверхности в СТМ-изображениях после функционализации графена на β-SiC/Si(001).

Рис. 3.

СТМ-изображения поверхности графена на пластинах β-SiC/Si(001), модифицированного молекулами феназинового красителя (a–е). Изображение на панели (в) получено дифференцированием (dZ/dX) изображения (б). Изображения (г–е) демонстрируют формирование локально-упорядоченных структур со “стоящими” молекулами (г, д) и “лежащими” димерами (е). Модели иллюстрируют расположение “стоящих” молекул, формирующих косоугольную решетку (ж), и “лежащих” димеров (з), что соотвествует структурам, наблюдающимся на СТМ-изображениях (д, е соответственно). СТМ-изображения получены при 77 К, U = –2.5 В и I = 60 пА (a), U = = –2.0 В и I = 50 пА (б, в), U = –2.5 В и I = 50 пА (г, е). U = –2.1 В и I = 50 пА (д).

СТС-эксперименты, проведенные на различных участках поверхности, показали существенное различие плотности электронных состояний в гибридных феназино-графеновых структурах с различной ориентацией молекул. Согласно данным СТС, структура со “стоящими” молекулами феназинового красителя, показанная на рис. 3г, демонстрирует энергетическую щель равную ~0.8 эВ [24]. Локальные СТС-эксперименты, проведенные на участках поверхности с молекулами феназинового красителя, ориентированными преимущественно параллельно поверхности, выявили увеличение энергетической щели, которая могла в отдельных случаях превышать 2 эВ. В качестве примера на рис. 4а показаны СТС-спектры, измеренные на трех участках поверхности, содержащих молекулы, ориентированные параллельно слоям графена (обозначены как области А, В и С на рис. 3б). Ширина запрещенной зоны зависит от локальной атомной структуры и превышает 1 эВ на всех участках поверхности с “лежащими” молекулами. Положение максимума валентной зоны примерно одинаково во всех экспериментальных СТС-спектрах (рис. 4а), несмотря на различия в их детальной структуре. Положение минимума зоны проводимости смещается на несколько сотен мэВ, что указывает на локальные модификации электронной структуры композита феназиновый краситель/графен.

Рис. 4.

(a) СТС-спектры, измеренные на участках A, B, C (рис. 3) поверхности образцов графен/SiC(001), модифицированных молекулами красителя Нейтральный красный. (б) Расчетная плотность электронных состояний (ПЭС) молекул, лежащих на поверхности графена в зависимости от степени сжатия молекул в двух направлениях. Расчеты демонстрируют сдвиг края зоны проводимости и увеличение запрещенной зоны в спектре молекул по сравнению с недеформированными образцами (1) при их сжатии на 5 (2), 10 (3) и 15% (4). (в, г) Модель феназино-графеновой структуры, состоящей из атомов водорода (H), азота (N) и углерода (С), которая была использована для ТФП-расчетов, вид сбоку (в) и сверху (г) [25].

Для объяснения экспериментальных данных и понимания атомной и электронной структуры модифицированных слоев графена на пластинах β-SiC/Si(001) были выполнены ТФП-расчеты с учетом релаксаций взаимодействующих атомов графена и молекул красителя Нейтральный красный [25]. Расчетная плотность электронных состояний (ПЭС) для молекул, лежащих на поверхности графена, показана на рис. 4б (кривая 1). Модель атомной структуры, использованной в расчетах, показана на рис. 4в, 4г (вид сбоку и сверху). Согласно расчетам, в плотности электронных состояний релаксированной молекулы, лежащей на поверхности графена, наблюдается запрещенная зона шириной ~0.74 эВ, что расходится с экспериментальными данными, демонстрирующими большую энергетическую щель (рис. 4а). В расчетах молекулы красителя прикрепляли к идеально плоской поверхности графена, не учитывая сложность окружения и реальный рельеф слоя графена (рис. 1). На основании данных СТМ можно ожидать возникновения локальных деформаций молекул из-за неровностей на поверхности наноструктурированного графена и образования связей между молекулами. Известно, что механические напряжения в молекулярных и слоистых структурах могут приводить к изменению электронного спектра и увеличению или уменьшению ширины запрещенной зоны при изменении длин межатомных связей [38].

Для учета сложного окружения, которое может приводить к локальным деформациям молекул, были проведены дополнительные ТФП-расчеты. Релаксированные молекулы были сжаты в двух ортогональных направлениях в плоскости подложки на 5, 10 и 15% [25]. Расчетная плотность электронных состояний сжатых молекул представлена на рис. 4б. Согласно расчетам, ширина запрещенной зоны димера феназинового красителя увеличивается при сжатии молекул на 5, 10 и 15% и составляет 0.95, 1.17 и 1.36 соответственно [25]. Результаты расчетов, показанные на рис. 4б, также демонстрируют практически неизменное положение максимума валентной зоны и постепенное смещение минимума зоны проводимости при сжатии молекул, что качественно согласуется с результатами СТС-экспериментов (рис. 4а). Результаты ТФП-расчетов позволяют предположить, что сжатые молекулы ведут себя как полупроводник p-типа [25], а наблюдаемое в СТС-экспериментах изменение ширины запрещенной зоны в композитной феназино-графеновой структуре связано с локальными неоднородностями на поверхности образца.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В статье обсуждены результаты применения метода функционализации графена, синтезированного на пластинах β-SiC/Si(001), с помощью молекул феназинового красителя Нейтральный красный. СТМ-эксперименты показали, что при отсутствии дальнего порядка молекулы красителя формируют различные локально-упорядоченные структуры, в которых они могут быть ориентированы почти параллельно или перпендикулярно поверхности. В первом случае молекулы образуют димерные структуры, связанные со слоем графена. Во втором случае молекулы могут формировать на небольших участках поверхности локально-упорядоченные структуры с прямоугольной или косоугольной элементарной ячейкой. СТС-эксперименты демонстрируют, что модификация верхнего слоя графена приводит к появлению запрещенной зоны, превышающей 1 эВ, что позволяет рассматривать синтезированный слоистый композит как низкоразмерную гетероструктуру типа металл/полупроводник. Согласно расчетам, локальные изменения ширины запрещенной зоны в функционализированном графене могут быть связаны с деформациями молекул в композитной структуре.

Список литературы

  1. Wallace P.R. // Phys. Rev. 1947. V. 71. P. 622. https://www.doi.org/10.1103/PhysRev.71.622

  2. Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V, Jiang D., Zhang Y., Dubonos S.V., Grigorieva I.V., Firsov A.A. // Science. 2004. V. 306. P. 666. https://www.doi.org/10.1126/science.1102896

  3. Aristov V.Yu., Urbanik G., Kummer K., Vyalikh D.V., Molodtsova O.V., Preobrajenski A.B., Hess C., Büchner B., Vobornik I., Fujii J., Panaccione G., Ossipyan Yu.A., Knupfer M. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 992. https://www.doi.org/10.1021/nl904115h

  4. Chaika A.N., Molodtsova O.V., Zakharov A.A., Marchenko D., Sánchez-Barriga J., Varykhalov A., Shvets I.V., Aristov V.Y. // Nano Res. 2013. V. 6. P. 562. https://www.doi.org/10.1007/s12274-013-0331-9

  5. Chaika A.N., Molodtsova O.V, Zakharov A.A., Marchenko D., Sánchez-Barriga J., Varykhalov A., Babenkov S.V., Portail M., Zielinski M., Murphy B.E., Krasnikov S.A., Lübben O., Shvets I.V., Aristov V.Y. // Nanotechnology. 2014. V. 25. P. 135605. https://www.doi.org/10.1088/0957-4484/25/13/135605

  6. Chaika A.N., Aristov V.Y., Molodtsova O.V. // Prog. Mater. Sci. 2017. V. 89. P. 1. https://www.doi.org/10.1016/j.pmatsci.2017.04.010

  7. Wu H.-C., Chaika A.N., Huang T.-W., Syrlybekov A., Abid M., Aristov V.Y., Molodtsova O.V., Babenkov S.V., Marchenko D., Sánchez-Barriga J., Mandal P.S., Varykhalov, A.Y., Niu Y., Murphy B.E., Krasnikov S.A., Lübben O., Wang J.J., Liu H., Yang L., Zhang H., Abid M., Janabi Y.T., Molotkov S.N., Chang C.-R., Shvets I. // ACS Nano. 2015. V. 9. P. 8967. https://www.doi.org/10.1021/acsnano.5b02877

  8. Wu H.-C., Chaika A.N., Hsu M.-C., Huang T.-W., Abid M., Abid M., Aristov V.Y., Molodtsova O.V., Babenkov S.V., Niu Y., Murphy B.E., Krasnikov S.A., Lübben O., Liu H., Chun B.S., Janabi Y.T., Molotkov S.N., Shvets I.V., Lichtenstein A.I., Katsnelson M.I., Chang C.-R. // Nat. Commun. 2017. V. 8. P. 14453. https://www.doi.org/10.1038/ncomms14453

  9. Aristov V.Yu., Chaika A.N., Molodtsova O.V., Babenkov S.V., Locatelli A., Mentes T.O., Sala A., Potorochin D., Marchenko D., Murphy B., Walls B., Zhussupbekov K., Shvets I.V. // ACS Nano. 2019. V. 13. P. 526. https://www.doi.org/10.1021/acsnano.8b07237

  10. Ouerghi A., Ridene M., Balan A., Belkhou R., Barbier A., Gogneau N., Portail M., Michon A., Latil S., Jegou P., Shukla A. // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. P. 205429. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.205429

  11. Gogneau N., Balan A., Ridene M., Shukla A., Ouerghi A. // Surf. Sci. 2012. V. 606. P. 217. https://www.doi.org/10.1016/j.susc.2011.09.021

  12. Ouerghi A., Balan A., Castelli C., Picher M., Belkhou R., Eddrief M., Silly M.G., Marangolo M., Shukla A., Sirotti F. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 021603. https://www.doi.org/10.1063/1.4734396

  13. Abe S., Handa H., Takahashi R., Imaizumi K., Fukidome H., Suemitsu M. // J. Appl. Phys. 2011. V. 50. P. 070102. https://www.doi.org/10.1143/JJAP.50.070102

  14. Velez-Fort E., Silly M.G., Belkhou R., Shukla A., Sirotti F., Ouerghi A. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 083101. https://www.doi.org/10.1063/1.4818547

  15. Gogneau N., Ben GouiderTrabelsi A., G. Silly M., Ridene M., Portail M., Michon A., Oueslati M., Belkhou R., Sirotti F., Ouerghi A. // Nanotechnol. Sci. Appl. 2014. V. 7. P. 85. https://www.doi.org/10.2147/NSA.S60324

  16. Hens P., Zakharov A.A., Iakimov T., Syväjärvi M., Yakimova R. // Carbon. 2014. V. 80. P. 823. https://www.doi.org/10.1016/j.carbon.2014.09.041

  17. Suemitsu M., Jiao S., Fukidome H., Tateno Y., Makabe I., Nakabayashi T. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 094016. https://www.doi.org/10.1088/0022-3727/47/9/094016

  18. Zhou S.Y., Gweon G.-H., Fedorov A., First d. P.N., De Heer W., Lee D.-H., Guinea F., Neto A.C., Lanzara A. // Nat. Mater. 2007. V. 6. P. 770. https://www.doi.org/10.1038/nmat2003

  19. Xia F., Farmer D.B., Lin Y.-m., Avouris P. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 715. https://www.doi.org/10.1021/nl9039636

  20. Choi J., Kim K.J., Kim B., Lee H., Kim S. // J. Phys. Chem. C. 2009. V. 113. P. 9433. https://www.doi.org/10.1021/jp9010444

  21. Niyogi S., Bekyarova E., Itkis M.E., Zhang H., Shepperd K., Hicks J., Sprinkle M., Berger C., Lau C.N., de Heer W.A, Conrad E.H., Haddon R.C. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 4061. https://www.doi.org/10.1021/nl1021128

  22. Georgakilas V., Otyepka M., Bourlinos A.B., Chandra V., Kim N., Kemp K.C., Hobza P., Zboril R., Kim K.S. // Chem. Rev. 2012. V. 112. P. 6156. https://www.doi.org/10.1021/cr3000412

  23. Martin D.P., Tariq A., Richards B.D.O., Jose G., Krasnikov S.A., Kulak A., Sergeeva N.N. // Chem. Commun. 2017. V. 53. P. 10715. https://www.doi.org/10.1039/C7CC05158A

  24. Sergeeva N.N., Chaika A.N., Walls B., Murphy B.E., Walshe K., Martin D.P., Richards B.D.O., Jose G., Fleischer K., Aristov V.Y., Molodtsova O.V., Shvets I.V., Krasnikov S.A. // Nanotechnology. 2018. V. 29. P. 275705. https://www.doi.org/10.1088/1361-6528/aabf11.

  25. Potorochin D.V., Chaika A.N., Molodtsova O.V., Aristov V.Yu., Marchenko D.E., Smirnov D.A., Makarova A.A., Walls B., Zhussupbekov K., Walshe K., Shvets I.V., Ciobanu A.S., Rabchinskii M.K., Ulin N.V., Baidakova M.V., Brunkov P.N., Molodtsov S.L. // Appl. Surf. Sci. 2022. V. 585. P. 152542. https://www.doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.152542

  26. Cardona P.-J., Soto C., Martin C., Giquel B., Agusti G., Guirado E., Sirakova T., Kolattukudy P., Julian E., Luquin M. // Microbes Infect. 2006. V. 8. P. 183. https://www.doi.org/10.1016/j.micinf.2005.06.011

  27. Wang Y.T., Zhao F.L., Li K.A., Tong S.Y. // Analytica Chimica Acta. 1999. V. 396 P. 75. https://www.doi.org/10.1016/S0003-2670(99)00365-7

  28. LaManna J.C., McCracken K.A. // Anal. Biochem. 1984. V. 142. P. 117. https://www.doi.org/10.1016/0003-2697(84)90525-6

  29. Fautz R., Husein B., Hechenberger C. // Mutat. Res. 1991. V. 253. P. 173. https://www.doi.org/10.1016/0165-1161(91)90130-Z

  30. Fischer B.B., Krieger-Liszkay A., Eggen R.I. // Environ. Sci. Technol. 2004. V. 38. P. 6307. https://www.doi.org/10.1021/es049673y

  31. Fischer B.B., Krieger-Liszkay A., Eggen R.I. // Plant Sci. 2005. V. 168. P. 747. https://www.doi.org/10.1016/j.plantsci.2004.10.008

  32. Goicoechea J., Zamarreño C.R., Matias I., Arregui F. // Sensors and Actuators B: Chemical. 2008. V. 132. P. 305. https://www.doi.org/10.1016/j.snb.2008.01.056

  33. Bauldreay J., Archer M. // Electrochimica Acta. 1983. V. 28. P. 1515. https://www.doi.org/10.1016/0013-4686(83)85210-4

  34. Jana A.K., Bhowmik B.B. // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 1999. V. 122. P. 53. https://www.doi.org/10.1016/S1010-6030(98)00467-5

  35. Jana A.K. // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 2000. V. 132. P. 1. https://www.doi.org/10.1016/S1010-6030(99)00251-8

  36. Giannozzi P., Andreussi O., Brumme T., Bunau O., Buongiorno Nardelli M., Calandra M., Car R., Cavazzoni C., Ceresoli D., Cococcioni M., Colonna N., Carnimeo I., Dal Corso A., de Gironcoli S., Delugas P., DiStasio R.A., Ferretti A., Floris A., Fratesi G., Fugallo G., Gebauer R., Gerstmann U., Giustino F., Gorni T., Jia J., Kawamura M., Ko H.-Y., Kokalj A., Küçükbenli E., Lazzeri M., Marsili M., Marzari N., Mauri F., Nguyen N.L., Nguyen H.-V., Otero-de-la-Roza A., Paulatto L., Poncé S., Rocca D., Sabatini R., Santra B., Schlipf M., Seitsonen A.P., Smogunov A., Timrov I., Thonhauser T., Umari P., Vast N., Wu X., Baroni S. // J. Phys.: Condens. Matter. 2017. V. 29. P. 465901. https://www.doi.org/10.1088/1361-648X/aa8f79

  37. Perdew J.P., Zunger A. // Phys. Rev. B. 1981. V. 23. P. 5048. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.23.5048

  38. Liu G., Gan Y., Quhe R., Lu P. // Chem. Phys. Lett. 2018. V. 709. P. 65. https://www.doi.org/10.1016/j.cplett.2018.08.029

  39. Horcas I., Fernández R., Gómez-Rodríguez J.M., Colchero J., Gómez-Herrero J., Baró A.M. // Rev. Sci. Instrum. 2007. V. 78. P. 013705. https://www.doi.org/10.1063/1.2432410

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал