1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Акустический журнал
  4. T. 65, № 3, 2019

Акустический журнал, 2019, T. 65, № 3, стр. 325-331

Разработка и исследование композитных акустических резонаторов со структурой “Al/(Al,Sc)N/Mo/алмаз” с высокой добротностью на СВЧ

Б. П. Сорокин a, b, *, А. С. Новоселов a, b, **, Г. М. Квашнин a, Н. В. Лупарев a, Н. О. Асафьев a, b, А. Б. Шипилов a, b, В. В. Аксёненков a

a ФГБНУ “Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов”
Москва, Россия

b Московский физико-технический институт (государственный университет)
г. Долгопрудный, Россия

* E-mail: bpsorokin1953@yandex.ru
** E-mail: diver841@gmail.com

Полный текст (PDF)

Аннотация

Впервые продемонстрирована возможность применения нитрида алюминия–скандия в качестве эффективного пьезоэлектрического материала в композитных акустических резонаторах на подложках из синтетического алмаза. Композитные резонаторы на основе пьезоэлектрической слоистой структуры “Al/(Al,Sc)N/Mo/(100) алмаз” с тремя концентрациями Sc были исследованы в диапазоне частот 0–20 ГГц. Показано, что такие резонаторы могут возбуждаться в широком диапазоне частот от 0.2 до 20 ГГц, при этом не уступая существенно по значениям добротности аналогичным устройствам с использованием чистого нитрида алюминия. Параметр качества Qf ≈ 3 × 1014 Гц в образце резонатора на основе структуры “Al/Al0.7Sc0.3N/Mo/(100) алмаз” сопоставим с аналогичным рекордным значением для композитных резонаторов на алмазных подложках и тонкопленочных пьезоэлектрических преобразователей из AlN. Максимальные значения квадрата эффективного коэффициента электромеханической связи композитных ОАВ-резонаторов увеличились почти на порядок при переходе от пленки AlN к ASN.

Ключевые слова: композитный акустический резонатор, синтетический алмаз, нитрид алюминия, нитрид алюминия–скандия, объемная акустическая волна, пьезоэлектрическая слоистая структура, добротность

ВВЕДЕНИЕ

Одним из важных компонентов современной электроники являются резонаторы и фильтры на акустических волнах различных типов – объемных (ОАВ), поверхностных рэлеевского и SH-типов, Лэмба и др. [1–6]. На сегодняшний день наиболее широкое применение нашли резонаторы на поверхностных акустических волнах (ПАВ, в англоязычной литературе SAW), обладающие хорошей воспроизводимостью и совместимые с массовыми технологиями, применяемыми в микроэлектронике. Во второй половине 20 в. подложки обычно изготавливали из материалов с хорошими акустическими свойствами, обладавших собственным пьезоэлектрическим эффектом, в числе которых наибольший интерес вызывали пьезокварц, лангасит и лангатат, ниобат и танталат лития, германо- и силикосиллениты. Продвижение в область от сотен мегагерц до десятков гигагерц потребовало пересмотра как технологических подходов, так и критериев выбора материалов. В частности, известны кварцевые резонаторы с обратной меза-структурой, обеспечившие продвижение в область частот до 400 МГц [7]. Однако дальнейшее повышение операционных частот акустоэлектронных устройств, реализуемых на кварце, ограничивалось уже относительно высоким акустическим затуханием в данном материале на частотах 1–2 ГГц. Поэтому на рубеже 20–21 вв. обозначился интерес к тонкопленочным (Film Bulk Acoustic resonator, FBAR), композитным (High overtone Bulk Acoustic Resonator, HBAR) резонаторам и резонаторам с брэгговской отражательной структурой (Solidly Mounted Resonator – SMR) [8]. Во всех типах резонаторов используются объемные акустические волны. В тонкопленочных и SMR-резонаторах в качестве резонансного элемента использовали пьезоэлектрическую пленку из оксида цинка ZnO или нитрида алюминия AlN, возбуждаемую на основном резонансе, в композитных эксплуатируется сочетание хороших акустических свойств высокодобротной подложки с эффективными пьезоэлектрическими свойствами ZnO или AlN в качестве тонкопленочного пьезоэлектрического преобразователя (ТПП), при этом удается обеспечить возбуждение таких резонаторов на высших обертонах и получить наиболее высокие операционные частоты [1, 8, 9]. Поскольку объемные акустические волны локализованы внутри подложки, у таких устройств имеется качественное преимущество по сравнению с ПАВ-устройствами, где воздушная нагрузка становится существенным фактором акустических потерь, в особенности на СВЧ. Актуальным направлением современных исследований является применение акустических резонаторов в качестве биологических и физико-химических сенсоров [11–14]. Для всех названных типов устройств имеет важное значение технология тонких пленок AlN. Нитрид алюминия отличается высокой скоростью звука (~10 000 м/с), твердостью, электрической прочностью (>2 × 107 В/см), электрическим сопротивлением (1013 Ом см), хорошей теплопроводностью (~200 Вт/см), а также стабильностью при высоких температурах (до 600°C) [15–18]. Однако его пьезоэлектрические характеристики несколько уступают наблюдаемым в пленках ZnO. Одним из перспективных материалов, изоструктурных нитриду алюминия, является нитрид алюминия–скандия (Al1 – xScxN, ASN), пьезомодуль которого может достигать 23−24 пКл/Н, что в три раза больше, чем у AlN [19, 20]. Известно применение пленки Al0.65Sc0.35N в качестве резонансного элемента FBAR с частотой возбуждения ~2 ГГц, где было показано, что коэффициент электромеханической связи (КЭМС) превышает соответствующее значение для AlN в 2.6 раза [21]. Однако применение пленок ASN в качестве ТПП в составе композитных ОАВ-резонаторов на СВЧ до сих пор исследовано не было. Отметим также, что существенное влияние на пьезоэлектрические, диэлектрические и упругие свойства оказывает концентрация скандия в твердом растворе Al1 –xScxN, вплоть до исчезновения пьезоэлектричества в чистом SсN.

Целью данной работы была разработка композитных акустических резонаторов на основе пьезоэлектрической слоистой структуры (ПСС) “Al/ASN/Mo/(100) алмаз” и исследование их характеристик на СВЧ, в том числе для пленок с различным содержанием скандия, в сравнении с аналогичными данными, полученными для ПСС “Al/AlN/Mo/(100) алмаз” на тех же подложках.

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНЫХ ОАВ-РЕЗОНАТОРОВ И МЕТОДЫ СВЧ ИССЛЕДОВАНИЙ

Для получения ПСС на основе ASN было выполнено развитие технологий, ранее успешно примененных для изготовления композитных ОАВ-резонаторов со структурой “Al/AlN/Mo/(100) алмаз” [22, 23]. С помощью установки магнетронного распыления AJA Orion 8 на подложке из синтетического алмаза IIa типа с ориентацией (100) предварительно формировались металлические электроды из молибдена заданной конфигурации и толщины. Пленки ASN наносились на подслой Mo посредством магнетронного распыления с двух мишеней алюминия и скандия в атмосфере азота и аргона через фотолитографические микромаски. Для получения различной концентрации Sc в пленке варьировали мощность магнетрона для распыления Sc. Полученные пленки ASN анализировали с помощью методов рентгеновской дифракции (установка Empyrean Panalytic) и растровой электронной микроскопии (JSM-7600F). Например, на рис. 1 показана дифрактограмма образца-спутника Al70Sc30N/Mo/Si с параметрами решетки структуры типа вюрцита a = 3.2288 и c = 4.9842 ангстрем (c/a = 1.543). Используя структурные данные и результаты работы [20], определяли полученную в составе пленки ASN концентрацию скандия, которая для данного образца составила 30%. Полная ширина на половине высоты искомого рефлекса (002) составила достаточно малое значение 0.23°, что свидетельствует о преимущественной ориентации кристаллитов вдоль оси Z. Данное обстоятельство обеспечивает эффективное возбуждение продольной акустической волны. Толщину и шероховатость металлических пленок измеряли с помощью сканирующего зондового микроскопа (Нано Лаборатория Ntegra Prima). Так, на образце А № 29.2 “Al/ASN/Mo/алмаз” шероховатость пленок составила Sa(Al) – 10 нм, Sa(ASN) – 4 нм и Sa(Mo) – 3 нм соответственно. Для других ПСС получены аналогичные значения. Данные по соответствующим толщинам пленок приведены в табл. 1.

Рис. 1.

Дифрактограмма образца-спутника Al0.7Sc0.3N/ Mo/(100) Si. Толщина пленки 1.494 мкм.

Таблица 1.  

Параметры композитных ОАВ-резонаторов на алмазных подложках

Образец Пьезоэлектрическая
слоистая структура 		Содер-жание Sc, % Толщина слоя, нм Толщина подложки, мкм Площадь апертуры ТПП, мкм2
Al ASN/AlN Мо
А № 25.3 Al/AlN/Mo/алмаз 0 180 ± 30 425 ± 27 148 ± 11 1075 ± 1 (б) – 20 000
А № 25.4 Al/ASN/Mo/алмаз 30 156 ± 10 1496 ± 35 152 ± 10 1075 ± 1 (б) – 20 000
А № 29.2 Al/ASN/Mo/алмаз 34 158 ± 20 993 ± 31 140 ± 12  392 ± 1 (а) – 46 000
А № 24.5 Al/ASN/Mo/алмаз 36 90 ± 12 980 ± 54 262 ± 15 1107 ± 1 (а) – 46 000
(в) – 10 000

(а), (б) и (в) – обозначения композитных ОАВ-резонаторов на алмазной подложке.

На последнем этапе на пленку ASN наносили Al электроды заданной конфигурации. Область пересечения Al и Мо электродов задавала апертуру ТПП с площадью для разных резонаторов от 10 000 до 46 000 мкм2. Меньшая эффективная площадь позволяла уменьшить статическую емкость С0 и возбуждать резонатор на более высокой операционной частоте. Фотография одной из ПСС с двумя независимыми ОАВ-резонаторами и схема устройства показаны на рис. 2.

Рис. 2.

(а) Фотография ПСС “Al/Al0.7Sc0.3N/Mo/(100) алмаз” с двумя независимыми композитными ОАВ-резонаторами разной площади, (б) схема ОАВ-резонатора.

Композитные ОАВ-резонаторы исследовались в диапазоне частот до 20 ГГц с использованием установки, включающей векторный анализатор цепей E5071С (Agilent) и зондовую станцию М150 [22]. Первичные данные включали в себя измерение частотных характеристик коэффициента стоячей волны в режиме “на отражение” и импеданса Z11. Затем данные обрабатывались для получения импеданса Z11очищ, “очищенного” от влияния подключенной измерительной системы, с использованием модели Мансфельда [24]. Более подробно данная процедура описана в работе [22]. По полученным амплитудно-частотным характеристикам определялись величины добротности и эффективного КЭМС. Нагруженная добротность n-го обертона вычислялась по ширине пика “очищенного” импеданса на уровне –3дБ:

(1)
${{Q}_{n}} = \frac{{{{f}_{n}}}}{{\Delta f( - {\text{3}}\,\,{\text{д Б }})}}.$

Значение эффективного КЭМС определяли исходя из эквивалентных электрических параметров, согласно [24]:

(2)
$k_{{{\text{э ф ф }}}}^{2} = \frac{{2\pi {{f}_{n}}{{C}_{0}}{{R}_{n}}}}{{{{Q}_{n}}}} = \frac{{\operatorname{Re} {{Z}_{{11}}}_{{{\text{о ч и щ }}}}}}{{{{Q}_{n}}\operatorname{Im} {{Z}_{{{\text{11}}}}}}},$
где Rn – сопротивление потерь для n-го обертона.

РЕЗУЛЬТАТЫ

На рис. 3 приведены результаты измерения акустических характеристик композитных ОАВ-резонаторов на алмазных подложках различной толщины с ТПП на основе пленок ASN с различным содержанием скандия 30, 34 и 36% в сравнении с пленкой AlN. Параметры резонаторов указаны в табл. 1. Чередование максимумов и минимумов на зависимостях добротности от частоты обусловлено особенностями возбуждения ТПП на подложке: максимумы соответствуют возбуждению ТПП на частотах, где его толщина близка к значению pλ/2 (λ – длина акустической волны, p = 1, 2, 3, …), и, напротив, на частотах, где толщина ТПП близка к значению (2p − 1)λ/4, наблюдаются минимумы добротности. Следует также отметить, что при условии, когда толщина ТПП близка к pλ, преобразователь не будет возбуждаться вследствие “выключения” пьезоэлектрического эффекта [22]. Как следует из рис. 3а, добротность ОАВ-резонатора с пленкой ASN (концентрация Sc 36%) в области низких частот (~250 МГц) достигает величины ~57 000 c уменьшением в области высоких частот. Такое поведение, как и в резонаторах со структурой “Al/AlN/Mo/(100) алмаз”, обусловлено изменением характера фонон–фононного взаимодействия в алмазе, связанным с переходом от механизма акустического затухания Ахиезера к механизму Ландау–Румера [23]. Для последнего имеет место зависимость параметра качества Qf ~ f, прямо пропорциональная частоте [25], что непосредственно следует из рис. 3б, если принимать во внимание максимальные значения Qf. Некоторые отклонения от данной тенденции в высокочастотной области можно объяснить особенностями применения резонансной методики, поскольку результаты в некоторой степени зависят от выбора площади апертуры ТПП и, соответственно, величины С0. Поскольку композитный ОАВ-резонатор как инструмент измерения акустических параметров пленок и подложек обладает уникально широкой областью операционных частот, его электрическое согласование с измерительной системой при данной конфигурации ТПП невозможно осуществить во всем диапазоне, в результате чего измеряется нагруженная добротность, которая, как правило, меньше истинного значения. Рисунок 3в представляет зависимость нагруженной добротности для ряда ОАВ-резонаторов с ТПП из ASN и AlN в области 13−20 ГГц. Отсюда ясно, что возбуждение композитных ОАВ-резонаторов с алмазными подложками и ТПП из ASN реализуется вплоть до частоты 20 ГГц с уровнем добротности ~15 000, т.е. значение параметра качества Qf ≈ 3 × × 1014 Гц вполне сопоставимо с аналогичным для композитных ОАВ-резонаторов с алмазными подложками и ТПП из AlN [1].

Рис. 3.

Сравнение частотных зависимостей акустических параметров композитных ОАВ-резонаторов на алмазных подложках с применением ТПП на основе ASN и AlN: (а) нагруженная добротность в диапазоне 0–10 ГГц, (б) параметр качества, (в) нагруженная добротность в диапазоне 13–20 ГГц.

Анализируя рис. 4, можно видеть, что от пьезоэлектрических свойств пленки зависит в первую очередь величина эффективного КЭМС ОАВ-резонатора, возрастающая при увеличении концентрации скандия. Практически важным следствием является увеличение амплитуды и отношения сигнал/шум в сравнении с ОАВ-резонаторами со структурой “Al/AlN/Mo/(100) алмаз” при одном и том же уровне мощности входного сигнала. Получено, что для ПСС на основе ASN максимальная величина эффективного КЭМС больше чем на порядок превышает соответствующее значение в чистом нитриде алюминия. К настоящему времени известно, что пьезоэлектрический модуль d33 в ASN возрастает более чем в четыре раза по сравнению с AlN при увеличении концентрации скандия от нуля до предельного значения ~43%, при котором пленка нитрида алюминия–скандия еще сохраняет пьезоэлектрические свойства [20].

Рис. 4.

Частотные зависимости эффективного КЭМС композитных ОАВ-резонаторов на алмазных подложках с применением ТПП на основе нитрида алюминия–скандия для различных концентраций скандия в сравнении с ТПП из AlN.

Примем во внимание, что для материального КЭМС пьезоэлектрической пленки со структурой вюрцита имеет место соотношение

(3)
${{k}^{2}} \approx \frac{{d_{{33}}^{2}{{C}_{{33}}}}}{{{{{\varepsilon }}_{{33}}}}},$
где С33 – упругий модуль и ε33 – относительная диэлектрическая проницаемость. Поскольку при увеличении концентрации скандия упругий модуль ASN плавно уменьшается, а диэлектрическая проницаемость возрастает [20, 21, 26], можно полагать, что квадрат КЭМС нитрида алюминия–скандия будет пропорционален квадрату пьезомодуля d33, который резко растет с увеличением концентрации скандия. Сравнивая экспериментальные данные ОАВ-резонаторов, можно заключить, что максимальные значения квадрата эффективного КЭМС для одной и той же подложки увеличиваются почти на порядок при переходе от пленки AlN к ASN (табл. 2).

Таблица 2.  

Квадрат эффективного КЭМС $k_{{{\text{э ф ф }}}}^{2}$ (10–6) для композитных ОАВ‑резонаторов на алмазных подложках

Алмазная подложка Тип пленки
AlN Al0.7Sc0.3N Al0.64Sc0.36N
A № 24 17 – 120
A № 25    2.4 25 –

ВЫВОДЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Синтезирован набор композитных ОАВ-резонаторов на алмазных подложках с тонкопленочными пьезоэлектрическими преобразователями на основе нитрида алюминия–скандия с тремя концентрациями Sc. Исследованы СВЧ акустические параметры ОАВ-резонаторов и свойства пьезоэлектрических пленок нитрида алюминия–скандия в их составе в сравнении с чистым нитридом алюминия. Впервые показано, что ОАВ-резонаторы с применением пленок ASN могут возбуждаться в широком диапазоне частот от 0.2 до 20 ГГц, при этом не уступая существенно по значениям добротности аналогичным устройствам с использованием чистого нитрида алюминия. Так, параметр качества Qf ≈ 3 × 1014 Гц в образце ОАВ-резонатора на основе ПСС “Al/Al0.7Sc0.3N/Mo/(100) алмаз” вполне сопоставим с аналогичным рекордным значением для композитных ОАВ-резонаторов с алмазными подложками и ТПП из AlN [1]. Частотное поведение добротности и параметра качества ПСС “Al/ASN/Mo/(100) алмаз” соответствует ранее наблюдавшемуся в ПСС “Al/AlN/Mo/(100) алмаз” и может быть объяснено в рамках теорий акустического затухания Ахиезера и Ландау–Румера. На образце А № 24.5 (а) (ПСС “Al/Al0.64Sc0.36N/Mo/(100) алмаз”) достигнуто высокое значение добротности ~57000 на частоте ~250 МГц (Qf ≈ 1.4 × 1013 Гц). Тем самым открывается возможность применения пленок нитрида алюминия–скандия и на сравнительно низких частотах, например, в качестве ТПП для акустической микроскопии. Максимальные значения квадрата эффективного КЭМС композитных ОАВ-резонаторов увеличились почти на порядок при переходе от пленки AlN к ASN.

Можно заключить, что пьезоэлектрические пленки нитрида алюминия–скандия будут перспективны для применений в области пьезотехники и акустоэлектроники, включая функциональные приборы и устройства СВЧ-диапазона. Направление дальнейшей работы, по мнению авторов, будет лежать на пути совершенствования технологии эффективных пьезоэлектрических пленок нитрида алюминия–скандия в сторону получения соединений ASN с максимально допустимой концентрацией Sc, детального изучения электромеханических свойств данного материала и расширения сфер его применения.

Работа поддержана грантом Российского научного фонда (проект № 16-12-10293).

Список литературы

  1. Sorokin B.P., Kvashnin G.M., Novoselov A.S., Bormashov V.S., Golovanov A.V., Burkov S.I., Blank V.D. Excitation of hypersonic acoustic waves in diamond-based piezoelectric layered structure on the microwave frequencies up to 20 GHz // Ultrasonics. 2017. V. 78. P. 162–165.

  2. Länge K., Rapp B.E., Rapp M. Surface acoustic wave biosensors: a review // Anal. Bioanal. Chem. 2008. V. 391. № 5. P. 1509–1519.

  3. Yantchev V., Katardjiev I. Thin film Lamb wave resonators in frequency control and sensing applications: A review // J. Micromech. Microengineering. 2013. V. 23. № 4. P. 043001.

  4. Zhao C., Montaseri M.H., Wood G.S., Pu S.H., Seshia A.A., Kraft M. A review on coupled MEMS resonators for sensing applications utilizing mode localization // Sensors and Actuators A. Phys. 2016. V. 249. P. 93–111.

  5. Lozano M.S., Chen Z., Williams O.A., and Iriarte G.F. Temperature characteristics of SAW resonators on Sc0.26Al0.74N/polycrystalline diamond heterostructures // Smart Mater. Struct. 2018. V. 27. P. 0–8.

  6. Двоешерстов М.Ю., Чередник В.И. Полосовые СВЧ-фильтры на основе тонкопленочных акустических резонаторов. Теория и эксперимент // Акуст. журн. 2015. Т. 61. № 6. С. 692–700.

  7. Мостяев В.А., Дюжиков В.И. Технология пьезо- и акустоэлектронных устройств. М.: Ягуар, 1993. 280 с.

  8. Lakin K.M. Thin film resonator technology // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. 2005. V. 52. № 5. P. 707–716.

  9. Zhang H., Pang W., Yu H., Kim E.S. High-tone bulk acoustic resonators on sapphire, crystal quartz, fused silica, and silicon substrates // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. P. 124911.

  10. Алексеев С.Г., Мансфельд Г.Д., Ползикова Н.И., Котелянский И.М. Особенности затухания и захват энергии колебаний в составных акустических СВЧ резонаторах на основе монокристаллов ИАГ // Акуст. журн. 2007. Т. 53. № 4. С. 533–539.

  11. Wingqvist G. AlN-based sputter-deposited shear mode thin film bulk acoustic resonator (FBAR) for biosensor applications – A review // Surf. Coatings Technol. 2010. V. 205. № 5. P. 1279–1286.

  12. Zhang Y., Luo J., Flewitt A.J., Cai Z., Zhao X. Film bulk acoustic resonators (FBARs) as biosensors: A review // Biosens. Bioelectron. 2018. V. 116. P. 1–15.

  13. Daugey T., Friedt J.M., Martin G., Boudot R. A high-overtone bulk acoustic wave resonator–oscillator-based 4.596 GHz frequency source: Application to a coherent population trapping Cs vapor cell atomic clock // Rev. Sci. Instrum. 2015. V. 86. P. 114703.

  14. Rabus D., Friedt J.M., Ballandras S., Baron T., Lebrasseur E., Carry E. High-overtone bulk-acoustic resonator gravimetric sensitivity: Towards wideband acoustic spectroscopy // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. P. 114505.

  15. Zhang Y., Wang Z., Cheeke J.D.N. Resonant spectrum method to characterize piezoelectric films in composite resonators // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. 2003. V. 50. P. 321–333.

  16. Caliendo C., Imperatori P. High-frequency, high-sensitivity acoustic sensor implemented on AlN/Si substrate // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. № 8. P. 1641–1643.

  17. Oliveira I.C., Grigorov K.G., Maciel H.S., Massi M., Otani C. High textured AlN thin films grown by RF magnetron sputtering; Composition, structure, morphology and hardness // Vacuum. 2004. V. 75. № 4. P. 331–338.

  18. Patel N.D., Nicholson P.S. High frequency, high temperature ultrasonic transducers // NDT Int. 1990. V. 23. № 5. P. 262–266.

  19. Zywitzki O., Modes T., Barth S., Bartzsch H., Frach P. Effect of scandium content on structure and piezoelectric properties of AlScN films deposited by reactive pulse magnetron sputtering // Surf. Coatings Technol. 2017. V. 309. P. 417–422.

  20. Teshigahara A., Hashimoto K.Y., Akiyama M. Scandium aluminum nitride: Highly piezoelectric thin film for RF SAW devices in multi GHz range // Proc. of 2012 IEEE Int. Ultrason. Symp. Dresden, Germany, October 7–10, 2012. P. 1–5.

  21. Umeda K., Kawai H., Honda A., Akiyama M., Kato T., Fukura T. Piezoelectric properties of ScAlN thin films for piezo-MEMS devices // Proc. MEMS. Taipei, Taiwan, January 20−24, 2013. P. 733–736.

  22. Сорокин Б.П., Квашнин Г.М., Теличко А.В., Гордеев Г.И., Бурков С.И., Бланк В.Д. Исследования многочастотных СВЧ акустических резонаторов на основе слоистой пьезоэлектрической структуры “Me1/ AlN/Me2/(100) алмаз” // Акуст. журн. 2015. Т. 61. № 4. С. 464–476.

  23. Сорокин Б.П., Теличко А.В., Квашнин Г.М., Бормашов В.С., Бланк В.Д. Исследования СВЧ акустического затухания в многочастотном резонаторе на объемных акустических волнах на основе синтетического монокристалла алмаза // Акуст. журн. 2015. Т. 61. № 6. С. 705–717.

  24. Мансфельд Г.Д., Алексеев С.Г., Ползикова Н.И. Эквивалентная электрическая схема составного акустического резонатора для радиотехнических устройств СВЧ диапазона // Акуст. журн. 2008. Т. 54. № 4. С. 552–558.

  25. Tabrizian R., Rais-Zadeh M., Ayazi F. Effect of phonon interactions on limiting the fQ product of micromechanical resonators // Proc. 15 Int. Conf. on Solid-State Structures, Actuators and Microsyst. Denver, USA. 2009. P. 2131–2134.

  26. Moreira M., Bjurström J., Katardjev I., Yantchev V. Aluminum scandium nitride thin-film bulk acoustic resonators for wide band applications // Vacuum. 2011. V. 86. P. 23–26.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Акустический журнал

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал