Доклады Российской академии наук. Науки о Земле, 2021, T. 496, № 1, стр. 45-48

Распределение азотно-вакансионных центров NV в кубических кристаллах алмаза из россыпей анабара по данным ОДМР- и ФЛ-томографии

С. В. Титков 1*, В. В. Яковлева 2, И. Д. Бреев 2, А. Н. Анисимов 2, П. Г. Баранов 2, А. И. Дорофеева 1, академик РАН Н. С. Бортников 1

1 Институт геологии рудных месторождений, петрографии, минералогии и геохимии Российской академии наук
Москва, Россия

2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Санкт-Петербург, Россия

* E-mail: titkov.sergey1965@gmail.com

Поступила в редакцию 19.10.2020
После доработки 26.10.2020
Принята к публикации 26.10.2020

Полный текст (PDF)

Аннотация

Азотно-вакансионные центры NV, представляющие значительный интерес для квантовой электроники, получают в структуре алмаза искусственно путем радиационного облучения и последующего отжига. В настоящей работе эти центры зарегистрированы в природных алмазах кубического габитуса типа IaA + Ib по физической классификации из промышленных россыпей р. Анабар (северо-восток Сибирской платформы) с использованием метода оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР). Путем сканирования сигналов ОДМР и фотолюминесценции (ФЛ) с субмикронным разрешением установлена локализация центров NV в плоскостях скольжения дислокаций {111}, разделенных расстояниями около 5 мкм. В разных кристаллах выявлены одна или две пересекающиеся системы таких плоскостей скольжения. В наибольших количествах эти дефекты образуются в периферических зонах кристаллов, содержащих повышенные количества одиночных изоморфных атомов азота в структуре. Полученные данные свидетельствует об образовании центров NV в природных алмазах в процессе посткристаллизационной пластической деформации, т.е. по механизму, отличающемуся от широко использующегося способа их искусственного получения.

Ключевые слова: природные алмазы, кубический габитус, тип IaA + Ib, центр NV, ОДМР, ФЛ, пластическая деформация, спинтроника

Центр NV является одним из самых изученных дефектов в структуре алмаза с использованием современных спектроскопических методов [13]. Большой интерес к этому центру связан с возможностью управления его спиновыми состояниями, что позволяет использовать его в спинтронике для создания квантовых сенсоров магнитного, электрического и температурных полей, а также в качестве кубитов для квантового компьютера [3]. Центр NV в структуре алмаза образован атомом азота, замещающим углерод, и вакансии, расположенной в ближайшей структурной позиции (центр W15 согласно системе обозначений, принятых в ЭПР-спектроскопии алмазов). Он имеет отрицательный заряд. Центр проявляется в спектрах фотолюминесценции (ФЛ) (бесфононная линия 637 нм, фононная полоса 690 нм) и в спектрах поглощения в видимой области [1]. При облучении светом с длиной волны 530–570 нм происходит оптически индуцированное выстраивание спиновых уровней с S = 1 с преимущественным заселением подуровня с MS = 0, что позволяет изучать его с использованием метода оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) [2, 3]. Практически все исследования центра NV были проведены в кристаллах алмаза, которые были подвергнуты искусственному радиационному облучению для генерации вакансий и последующему отжигу при температурах более 600°С, приводящему к присоединению вакансий к одиночным атомам азота в структуре (С-центры). Позднее этот центр был установлен в спектрах ФЛ относительно редких природных кристаллов алмаза, содержащих повышенные количества C-центров (тип IaA + Ib по физической классификации алмазов) [46].

В настоящей работе зарегистрированы спектры ОДМР центров NV в природных алмазах и проведено исследование их раcпределения в кристаллах с использованием ФЛ- и ОДМР-томографии, что позволило установить механизм образования данных центров. Изученные образцы ранее были детально охарактеризованы с использованием методов фотолюминесценции, оптической спектроскопии в УФ-видимой области, ЭПР-спектроскопии, ИК-микроспектроскопии и ионного микрозонда [4, 79]. Эти алмазы образованы кубическими секторами роста, имеют характерную желто-зеленую, желтую и оранжевую окраски и относятся к разновидности II по классификации Ю.Л. Орлова [10]. Они были добыты из богатейших активно разрабатываемых россыпей реки Анабар на северо-востоке Сибирской платформы, в которые они поступают из вулканогенно-осадочных пород [11].

Исследования были выполнены с использованием сконструированного в ФТИ им. А.Ф. Иоффе ОДМР-спектрометра, оснащенного конфокальной оптической схемой (НТМДТ СИ) и пьезосканером [12]. Данный спектрометр позволяет регистрировать сигналы ОДМР и ФЛ в области ~1 мкм3 при комнатной температуре и проводить исследования распределения в объеме образца центров ФЛ и ОДМР с субмикронным пространственным разрешением. При проведении настоящих исследований ФЛ возбуждалась лазером с длиной волны 532 нм. ОДМР регистрировался в области нуль-фононной линии 637 нм и полос фононных повторений центров NV. Были исследованы плоскопараллельные пластины, изготовленные из кристаллов алмаза массой 0.92–1.38 кар. Спектры ОДМР и ФЛ регистрировались вдоль профиля, проходящего через центр кристалла. Вдоль данного профиля в центральных и периферических участках кристалла было проведено сканирование сигналов ОДМР и ФЛ с записью карт раcпределения центров NV. Продольное сканирование было проведено на участках площадью 50 × 50 мкм, поперечное – на глубину 10 мкм.

В спектрах ОДМР природных алмазов центр NV (W15) проявляется в виде линии в области 2870 МГц (рис. 1), так же, как и в спектрах облученных и отожженных алмазов [2, 3].

Рис. 1.

Спектр ОДМР центров NV (W15) в природном пластически деформированном алмазе кубического габитуса при комнатной температуре.

Эта линия расщеплена на две компоненты, что обусловлено отклонением симметрии центра от аксиальной и воздействием локальных напряжений в кристалле. Спиновый гамильтониан, описывающий спектры ЭПР (ОДМР), имеет вид:

$\hat {H} = g{{\mu }_{{\text{B}}}}{\mathbf{B}} \cdot \hat {S} + D[{\mathbf{S}}_{z}^{2}--1{\text{/}}3S(S + 1)] + E[{\mathbf{S}}_{x}^{2} - {\mathbf{S}}_{y}^{2}],$
где μВ – это магнетон Бора, S = 1, D и E – константы, описывающие расщепление в нулевом поле, g – изотропный g-фактор [3]. Наличие параметра E, не равного нулю, приводит к разной степени удаленности боковых полос от центра спектра. Параметр E напрямую связан с напряжениями в кристалле, что позволяет получать карту распределения напряжений в образце.

Кроме того, в изученных кристаллах наряду с центральной линией наблюдаются дополнительные боковые линии, которые связаны с наличием взаимодействия между центром NV (W15) и центром Р1 (парамагнитный аналог центра С). Положение этих линий обусловлено сравнительно сильным сверхтонким взаимодействием неспаренного электрона с ядром 14N в центре Р1. Отношения относительных интенсивностей центральных линий к боковым значительно отличаются в разных образцах.

Анализ распределения интенсивности сигналов ОДМР- и ФЛ-центров NV вдоль профиля, проходящего через центр пластины, показал, что они исключительно неравномерно распределены по объему кристалла. Их интенсивность значительно снижается в центре образца – примерно в 5 раз. Эти результаты хорошо согласуются с полученными ранее с использованием метода ИК-микроспектроскопии данными о распределении азотных центров А (два атома азота в соседних позициях структуры) и центров С (одиночные атомы азота) [8]. В центре кристалла наблюдается высокое содержание только А-центров (465 ppm), которое затем существенно снижается к периферии кристалла. При этом в периферической зоне появляются С-центры. Поэтому образование центров NV происходило преимущественно в периферической зоне кристалла с повышенным содержанием центров С.

Сканирование участков образцов площадью 50 × 50 мкм выявило в периферических областях кристалла систему параллельных ярких полос, на которых интенсивность спектров ОДМР- и ФЛ-центров NV– была особенно сильной. Расстояние между этими полосами составляет менее 5 мкм. В двух образцах наблюдались две пересекающиеся системы таких полос (рис. 2а, 2б), в одном – одна система. В центральных областях кристаллов такие полосы полностью отсутствуют. Эти полосы представляют собой плоскости скольжения дислокаций {111}, которые характерны для природных пластически деформированных алмазов [13]. В картинах аномального двупреломления изученных алмазов с этими полосами связаны размытые узоры типа татами (разрешение оптического микроскопа не позволяет выявить отдельные полосы).

Рис. 2.

Карты распределения интенсивности сигналов ФЛ (а) и ОДМР (б) центров NV в периферической зоне пластины, изготовленной из природного кубического алмаза. Размер изображений – 50 × 50 мкм.

Это отличает изученные алмазы от кристалла алмаза типа Ib-IaA из россыпей Зимими (Западно-Африканский кратон), в котором на основании анализа картин гиперспектральной ФЛ центры NV были выявлены в деформационных ламелях, наоборот, преимущественно в центральной области кристалла [6].

Как известно, при пластической деформации в структуре алмазов образуются самые различные точечные, линейные и объемные дефекты, в том числе вакансии, формирующиеся за счет неконсервативного движения деформационных дислокаций [14]. В результате присоединения вакансий к одиночным атомам азота, замещающим углерод, происходит образование центров NV в структуре природных алмазов.

Совсем другой тип пространственного распределения центров NV наблюдался ранее в кристаллах синтетических обработанных алмазов [15]. В них распределение этих центров отражает ростовую зональность в октаэдрических секторах роста.

Таким образом, можно заключить, что в природных алмазах образование центров NV происходит в результате естественной пластической деформации. Эти центры исключительно неравномерно распределены по объему кристаллов. С одной стороны, центры NV локализованы в деформационных плоскостях скольжения {111}, находящихся на расстоянии порядка 5 мкм друг от друга. С другой стороны, они сконцентрированы в зонах роста кристалла, для которых характерно повышенное содержание одиночных азотных дефектов С (N). Полученные данные могут быть использованы для разработки нового способа искусственной генерации центров NV в алмазах, представляющих практический интерес для создания квантового компьютера.

Список литературы

  1. Zaitsev A.M. Optical Properties of Diamond: A Data Handbook. Berlin: Springer Verlag, 2001. 502 p.

  2. Gruber A., Dräbenstedt A., Tietz C., et al. // Science. 1997. V. 276. P. 2012–2014.

  3. Baranov P.G., von Bargeleben H.J., Jelezko F., Wrachtrup J. Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures. Wien: Springer-Verlag, 2017. 535 p.

  4. Зудина Н.Н., Титков С.В., Сергеев А.М., Зудин Н.Г. // Записки РМО. 2013. Ч. СХLII. № 4. С. 57–72.

  5. Hainschwang T., Fritsch E., Notari F., et al. // Diamond Rel. Mat. 2013. V. 39. P. 27–40.

  6. Smit K.V., D’Haenens-Johansson U.F.S., Howell D., et al. // Mineral. Petrol. 2018. V. 112. Iss. 1 Suppl. P. 243–257.

  7. Минеева Р.М., Зудина Н.Н., Титков С.В. и др. // ДАН. 2013. Т. 448. № 6. С. 695–699.

  8. Титков С.В., Ширяев А.А., Зудина Н.Н. и др. // Геология и геофизика. 2015. Т. 56. № 1–2. С. 455–466.

  9. Реутский В.Н., Ширяев А.А., Титков С.В. и др. // Геохимия. 2017. № 11. С. 1–12.

  10. Орлов Ю.Л. Минералогия алмаза. М.: Наука, 1984. 264 с.

  11. Граханов С.А., Шаталов В.И., Штыров В.А. и др. Россыпи алмазов России. Новосибирск: “Гео”, 2007. 457 с.

  12. Бабунц Р.А., Музафарова М.В., Анисимов А.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. Вып. 12. С. 40–47.

  13. Wilks J., Wilks E.M. Properties and Applications of Diamond. Oxford: Butterworth-Heinemann, 1991. 525 p.

  14. Van Enckevort W.J.P., Visser E.P. // Philos. Mag. B. 1990. V. 62. № 16. P. 597–614.

  15. Hull D., Bacon D.J. Introduction to Dislocations. 5th Ed. Amsterdam et al.: Elsevier, 2011. 272 p.

Дополнительные материалы отсутствуют.