Электрохимия, 2019, T. 55, № 2, стр. 253-255

Вычисление количества зародышей при потенциостатической электрохимической нуклеации с учетом кинетической стадии

Ю. Д. Гамбург *

Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН
119071 Москва, Ленинский просп., 31, Россия

* E-mail: gamb@list.ru

Поступила в редакцию 17.04.2018
После доработки 17.04.2018
Принята к публикации 27.08.2018

Полный текст (PDF)

Аннотация

Показано, что несоответствие экспериментальной и расчетной величин количества зародышей, образованных на поверхности в потенциостатических условиях электрокристаллизации вызвано неучетом кинетики электрохимической стадии процесса. Предложена новая формула, позволяющая корректно определить указанное количество.

Ключевые слова: электрокристаллизация, нуклеация, нанокластеры, диффузия, смешанная кинетика

ВВЕДЕНИЕ

На начальной стадии нуклеации и роста зародышей при электрохимической кристаллизации – независимо от того, имеет ли место мгновенная или прогрессирующая нуклеация, либо промежуточный случай – наблюдается максимум тока в некоторый момент времени, после чего происходит его спад приблизительно по коттрелловскому закону обратного квадратного корня.

Координаты указанного максимума Imax и tmax служат критерием, по которому удается определить различные параметры процесса образования твердой фазы: коэффициент диффузии в растворе, скорость нуклеации (в случае прогрессирующего процесса). Оказывается возможным определить и количество одновременно растущих закритических кластеров N. Однако сравнение вычисленной величины N с непосредственно регистрируемой электронно-микроскопическими методами дает расхождение на 2–3 порядка.

Высказывалось предположение, что это несовпадение связано с погрешностями математического расчета, в котором трактуется переход от полусферического процесса диффузии к каждому кластеру из массива к плоской диффузии ко всему массиву. Однако альтернативный расчет [1], выполненный с совершенно других позиций, подтвердил правильность обычно применяемой модели [2] с последующими ее модификациями, например [3]. Таким образом, причина существенного несовпадения теоретически вычисленной величины N с экспериментально наблюдаемой состоит в чем-то другом.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РЕЖИМА РОСТА КЛАСТЕРА

Расчеты [1] и [2], как и все модификации модели [2], выполнялись в предположении, что имеет место чисто диффузионный режим роста, то есть вклад кинетически зависимой скорости пренебрежимо мал. Именно по этой причине ни в один результат не вошла величина плотности тока обмена электрохимического процесса, а только коэффициент диффузии. Необходимо, однако, проверить, так ли это в действительности.

Рассмотрим, в каком режиме происходит рост каждого отдельного кластера в то время, когда общая зависимость тока роста всех кластеров проходит через максимум.

В [4] было показано, что величина тока роста единичного полусферического кластера в режиме смешанной кинетики, когда длительность его роста составляет t, равна

(1)
$\begin{gathered} i\left( t \right) = \quad{\text{2}}\pi {{\left( {DCnF} \right)}^{{\text{2}}}}i_{0}^{{ - {\text{1}}}}[{\text{1}} - {\text{exp}}(nf\eta )] \times \\ \times \,\,{\text{exp}}(\alpha nf\eta )\phi \left( {{t \mathord{\left/ {\vphantom {t {t*}}} \right. \kern-0em} {t*}}} \right), \\ \end{gathered} $
где $t* = {{DC{{n}^{{\text{2}}}}{{F}^{{\text{2}}}}{{{({\text{exp}}(\alpha nf\eta ))}}^{{\text{2}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{DC{{n}^{{\text{2}}}}{{F}^{{\text{2}}}}{{{({\text{exp}}(\alpha nf\eta ))}}^{{\text{2}}}}} {\{ {\text{2}}i_{0}^{{\text{2}}}{{V}_{{{\text{at}}}}}[{\text{1}} - {\text{exp}}(nf\eta )]\} }}} \right. \kern-0em} {\{ {\text{2}}i_{0}^{{\text{2}}}{{V}_{{{\text{at}}}}}[{\text{1}} - {\text{exp}}(nf\eta )]\} }},$ ϕ(t/t*) = (1 + t/t*)1/2 + (1 + t/t*)–1/2 – 2, f = F/RT.

Здесь везде i0 – плотность тока обмена, η – перенапряжение, α – коэффициент переноса, Vat – мольный объем металла.

Перенапряжение при подобных измерениях, как правило, превосходит 20–25 мВ, поэтому [1 – еxp(αnfη)] ≈ 1, а i0exp(αnfη) ≈ ikin (то есть величина катодной составляющей плотности тока при заданном перенапряжении и без учета диффузионного торможения). Поэтому можно записать, что

(2)
$i\left( t \right) \approx {\text{2}}\pi {{\left( {DCnF} \right)}^{{\text{2}}}}i_{{{\text{kin}}}}^{{ - {\text{2}}}}\phi \left( {{t \mathord{\left/ {\vphantom {t {t*}}} \right. \kern-0em} {t*}}} \right),$
причем $t* \approx {{DC{{n}^{{\text{2}}}}{{F}^{{\text{2}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{DC{{n}^{{\text{2}}}}{{F}^{{\text{2}}}}} {({\text{2}}i_{{{\text{kin}}}}^{{\text{2}}}{{V}_{{{\text{at}}}}})}}} \right. \kern-0em} {({\text{2}}i_{{{\text{kin}}}}^{{\text{2}}}{{V}_{{{\text{at}}}}})}}.$

Величина t* как раз характеризует момент перехода от чисто кинетического режима роста к смешанному, и далее – к чисто диффузионному (последний имеет место, когда t/t* достигает порядка 103–104). Это следует из того факта, что в довольно широких пределах скорость роста кластера можно описать уравнением [4]

(3)
$t = {{{{r}^{2}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{r}^{2}}} {\left( {2DC{{V}_{{{\text{at}}}}}} \right)}}} \right. \kern-0em} {\left( {2DC{{V}_{{{\text{at}}}}}} \right)}} + {{rnF} \mathord{\left/ {\vphantom {{rnF} {\left( {{{i}_{{{\text{kin}}}}}{{V}_{{{\text{at}}}}}} \right)}}} \right. \kern-0em} {\left( {{{i}_{{{\text{kin}}}}}{{V}_{{{\text{at}}}}}} \right)}}.$

При малом радиусе кластера r в правой части можно пренебречь первым слагаемым, и тогда имеет место чисто кинетический рост, а при достаточно большом r пренебрежимо малым становится уже второе слагаемое, и происходит рост в диффузионном режиме.

Решая квадратное уравнение (3) относительно радиуса кластера r, получаем

(4)
$r = {\text{2}}DCnFi_{{{\text{kin}}}}^{{--{\text{1}}}}\left\{ {--{\text{1}} + {{{[{{{\text{1}} + 0.{\text{25}}t} \mathord{\left/ {\vphantom {{{\text{1}} + 0.{\text{25}}t} {t*}}} \right. \kern-0em} {t*}}]}}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}} \right\}.$

Из рассмотрения выражения в квадратных скобках непосредственно видна роль t*. Как уже сказано выше, при t > t* выражение в квадратных скобках становится существенно больше единицы, и тогда диффузия начинает оказывать заметное влияние на ход процесса в целом. В противном случае [1 + 0.25t/t*]1/2 ≈ 1 + 0.125t/t*, и тогда r = 0.5DCVatikint, что соответствует чисто кинетическому росту.

Оценим, какова величина t* в обычных условиях. При D = 10–5 см/с, n = 2, F = 105, Vat = 10 см2/моль, С = 10–5 моль/см3, получается t* = 0.2/ikin (с). Таким образом, при кинетических токах 0.01–0.1 А/см2 время t* составит от 2 до 20 с. В реальных условиях максимум тока при потенциостатической нуклеации наблюдается при сравнимых временах, и поэтому предположение о чисто диффузионном контроле процесса является неверным. Необходимо рассматривать смешанный контроль процесса. Экспериментальные данные [5] подтверждают этот вывод.

РАСЧЕТ ДЛЯ СЛУЧАЯ СМЕШАННОЙ КИНЕТИКИ

Довольно удобным для анализа является как раз период времени роста t* < t < 10t*. В это время, как это можно получить из (1), имеет место практически линейная зависимость тока от времени: I(t) = 4ikinDCVat(tt*/4), что в пересчете на N кластеров и в пренебрежении малой величиной t*/4 переходит в

(5)
${{I}_{1}}\left( t \right) = 4{{i}_{{{\text{kin}}}}}DNC{{V}_{{{\text{at}}}}}.$

Данное уравнение содержит как диффузионные, так и кинетические параметры, и, следовательно, описывает смешанный режим роста.

Если одновременно с разрастанием N кластеров в соответствии с уравнением (5) начинается перекрытие диффузионных зон и образование плоского диффузионного фронта, то процесс в целом следует рассматривать как состоящий из двух последовательных стадий (линейных по концентрации С), причем

(6)
${{I}^{{--{\text{1}}}}} = I_{{\text{1}}}^{{--{\text{1}}}} + I_{{\text{2}}}^{{--{\text{1}}}},$
где I – фактическая величина тока, I1 определяется уравнением (5), а I2 – уравнением Коттрелла для плоской диффузии

(7)
${{I}_{2}}\left( t \right) = nFC{{\left( {{D \mathord{\left/ {\vphantom {D {\pi t}}} \right. \kern-0em} {\pi t}}} \right)}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}.$

Остается найти экстремум (минимум) функции I1 = (что соответствует максимуму тока I). Приравнивая нулю производную dI/dt, получаем после подстановки соответствующих выражений

$\left( {{\text{4}}{{i}_{{{\text{kin}}}}}DNC{{V}_{{{\text{at}}}}}t_{{{\text{max}}}}^{{\text{2}}}} \right) = {\text{2}}{{\pi }^{{ - {1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}nFC{{D}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}t_{{{\text{max}}}}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}},$
откуда следует, что

(8)
${{t}_{{\max }}} \approx 0.430{{\left( {{{nF} \mathord{\left/ {\vphantom {{nF} {{{i}_{{{\text{kin}}}}}N{{V}_{{{\text{at}}}}}}}} \right. \kern-0em} {{{i}_{{{\text{kin}}}}}N{{V}_{{{\text{at}}}}}}}} \right)}^{{{2 \mathord{\left/ {\vphantom {2 3}} \right. \kern-0em} 3}}}}{{D}^{{ - {1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 3}} \right. \kern-0em} 3}}}}.$

Подстановка этой величины в уравнение (6) дает для максимального тока

(9)
${{I}_{{\max }}} \approx 0.573C{{\left( {nFD} \right)}^{{{2 \mathord{\left/ {\vphantom {2 3}} \right. \kern-0em} 3}}}}{{\left( {{{i}_{{{\text{kin}}}}}N{{V}_{{{\text{at}}}}}} \right)}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 3}} \right. \kern-0em} 3}}}}.$

Произведение $I_{{{\text{max}}}}^{{\text{2}}}{{t}_{{{\text{max}}}}},$ таким образом, равно

(10)
$I_{{{\text{max}}}}^{{\text{2}}}{{t}_{{{\text{max}}}}} \approx 0.{\text{141}}D{{(CnF)}^{{\text{2}}}},$
что близко к величине, найденной в [2] для диффузионного роста после мгновенной нуклеации, а именно 0.163D(CnF)2. Поэтому найденная по этой формуле величина коэффициента диффузии лишь незначительно занижена. Однако выражения для количества растущих кластеров N (исходя из Imax и tmax) оказываются уже существенно иными, а именно, для расчета N по времени достижения максимума тока
(11)
$N \approx {{0.282nF} \mathord{\left/ {\vphantom {{0.282nF} {\left[ {{{i}_{{{\text{kin}}}}}{{V}_{{{\text{at}}}}}{{t}_{{\max }}}{{{\left( {D{{t}_{{\max }}}} \right)}}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}} \right]}}} \right. \kern-0em} {\left[ {{{i}_{{{\text{kin}}}}}{{V}_{{{\text{at}}}}}{{t}_{{\max }}}{{{\left( {D{{t}_{{\max }}}} \right)}}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}} \right]}},$
а по величине максимального тока

(12)
$N \approx {{{\text{5}}.{\text{32}}I_{{{\text{max}}}}^{{\text{3}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{\text{5}}.{\text{32}}I_{{{\text{max}}}}^{{\text{3}}}} {[{{{(DnFС )}}^{{\text{2}}}}{{i}_{{{\text{kin}}}}}C{{V}_{{{\text{at}}}}}]}}} \right. \kern-0em} {[{{{(DnFС )}}^{{\text{2}}}}{{i}_{{{\text{kin}}}}}C{{V}_{{{\text{at}}}}}]}}.$

Принципиальное отличие этих формул от всех ранее известных заключается в том, что они, наряду с коэффициентом диффузии, содержат также величину плотности тока, соответствующую выделению компактного металла при том же потенциале, а именно ikin.

Представляет интерес найти по этим формулам величины N и сопоставить их с реально наблюдаемыми величинами. Очевидно, что формула (11) предпочтительна, поскольку в формуле (12) имеются сильные кубические зависимости от Imax и концентрации, а (11) даже не содержит концентрации.

Для расчетов воспользуемся данными Данилова [5]. В случае осаждения меди из 10–5 М раствора на поверхность поликристаллического серебра им были получены следующие данные для перенапряжения 40 мВ: ikin = 0.0007 А/см2, tmax = 5.5 с, D = 4.5 × 10–6 см2/с, N = 2 × 108, при этом для меди Vat = 7.14 см3/моль. Формула (11) дает N ≈ 0.282 × × 2 × 96500/[0.0007 × 7.14 × 5.5)(4.5 × 10–6 × × 5.5)1/2] = 1.95 × 108, что почти точно совпадает с найденной на опыте величиной. По формуле (12) получается примерно 3 × 108.

Таким образом, можно сделать вывод, что полученная здесь формула (11) позволяет вычислить количество растущих кластеров, если известно время достижения максимума тока и величина кинетического тока выделения металла при заданном потенциале. Причиной расхождения экспериментальных данных с величинами, вычисляемыми по традиционным формулам, является неверное предположение о чисто диффузионной природе тока. В действительности максимуму тока соответствует смешанная кинетика.

Список литературы

  1. Гамбург, Ю.Д. Зависимость тока от времени при потенциостатическом росте кластеров в диффузионном режиме электроосаждения. Электрохимия. в печати [Gamburg, Yu.D., Russ. J. Electrochem., in press].

  2. Scharifker, B.R. and Mostany, J., Three-dimensional nucleation with diffusion controlled growth, Journal of Electroanal. Chem., 1984, vol. 177, p. 13.

  3. Mirkin, M.V. and Nilov, A.P., 3D nucleation and growth under controlled potential, J. Electroanal. Chem., 1990, vol. 283, p. 35.

  4. Гамбург, Ю.Д. Перекрытие диффузионных зон при росте кристаллических зародышей в процессе электрохимического осаждения. Электрохимия. 2003. Т. 39. С. 352. [Gamburg, Yu.D., Overlapping of Diffusion Zones during the Growth of Electrodeposited Crystal Nuclei, Russ. J. Electrochem., 2003, vol. 39, p. 318.]

  5. Данилов, А.И. Природа активных центров, кинетика и механизм начальных стадий электрокристаллизации меди. Дисс. д. х. н., Москва, ИФХЭ им. А.Н. Фрумкина, 2002.

Дополнительные материалы отсутствуют.