1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Журнал физической химии
  4. T. 97, № 1, 2023

Журнал физической химии, 2023, T. 97, № 1, стр. 148-154

Получение методом PECVD тонких пленок сульфида галлия и изучение их свойств

Л. А. Мочалов a, М. А. Кудряшов b, А. А. Логунов a, b, М. А. Вшивцев b, И. О. Прохоров b, В. М. Воротынцев b, В. М. Малышев b, Т. С. Сазанова b, c, Ю. П. Кудряшова a, Е. Н. Буланов a, А. В. Князев a, *

a Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Нижний Новгород, Россия

b Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Нижний Новгород, Россия

c РХТУ им. Д.И. Менделеева
Москва, Россия

* E-mail: knyazevav@gmail.com

Поступила в редакцию 16.07.2022
После доработки 18.07.2022
Принята к публикации 19.07.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Тонкие пленки GaSх впервые получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD), при этом высокочистые летучие производные соответствующих макрокомпонентов – хлорид галлия (GaCl3) и сероводород (H2S) – использованы в качестве исходных веществ. Установлено, что неравновесная низкотемпературная плазма ВЧ-разряда (40.68 МГц) при пониженном давлении (0.01 Торр) служила инициатором химических превращений. Реакционноспособные компоненты плазмы, образующиеся в газовой фазе, изучены методом оптической эмиссионной спектроскопии (ОЭС). Исследованы структурные и электрофизические свойства полученных материалов.

Ключевые слова: сульфид галлия, тонкие пленки, PECVD

Прозрачные полупроводники на основе сульфидов галлия GaSx привлекают большое внимание из-за возможности их получения в виде различных структур, обладающих высокой анизотропией, в сочетании с превосходными электрическими, оптическими и механическими свойствами. Сульфид галлия – широкозонный полупроводник с двумя стабильными полиморфными формами – GaS и Ga2S3 [1], при этом β-GaS и α-Ga2S3 – наиболее стабильные кристаллические структуры при нормальных условиях. Энергия непрямой запрещенной зоны GaS составляет ⁓2.59 эВ, что на ⁓0.45 эВ ниже энергии прямой запрещенной зоны [2]. Напротив, Eg  для моноклинного α-Ga2S3 составляет ⁓3.42 эВ [3]. β-GaS представляет собой диамагнитный полупроводник, обладающий кристаллической решеткой с гексагональной структурой [4]. GaS кристаллизуется по типу стопки слоев, где каждый монослой состоит из двух плотноупакованных подслоев галлия и двух плотноупакованных подслоев серы в последовательности S–Ga–Ga–S вдоль оси с. Структура α-Ga2S3 была определена как моноклинная [5], где ячейки содержат четыре молекулы, в которых атомы серы почти гексагонально плотно упакованы в слои.

Нанослои GaS были успешно получены методом микромеханического расщепления (отшелушивания) [6, 7]. GaS и Ga2S3 также исследовали в качестве тонких пленок [8, 9], при этом для осаждения использовали тлеющий микроволновый разряд [10], импульсное лазерное осаждение [11], химическое осаждение из газовой фазы [12], атомно-слоевое осаждение [13] и термическое испарение [14]. Следует отметить, что метод и условия осаждения существенно влияют на структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок. Например, для пленок GaS, полученных осаждением из растворов и термическим испарением, энергия прямой запрещенной зоны составляла 2.76 эВ [15] и 2.55 эВ [16], соответственно, атомно-слоевым осаждением – 3.1–3.3 эВ [17], химическим осаждением с модулированным потоком – 3.2–3.6 эВ в зависимости от температуры подложки [18]. На сегодняшний день для получения пленок GaSx чаще всего используют различные варианты “восходящих” методов осаждения из растворов [19] благодаря относительной простоте аппаратурного оформления и доступности исходных веществ, при этом из водных растворов может быть получен только GaS ввиду большой склонности сульфида галлия (III) к гидролизу. В работе [20] описан синтез смешанных сульфидов галлия в неводных растворах при комнатной температуре, в результате были получены 3D-структуры, обладающие структурной люминесценцией. К недостаткам метода осаждения из растворов можно отнести, во-первых, загрязнение конечного продукта следами растворителя, при этом к чистоте самого растворителя должны предъявляться требования, как минимум аналогичные чистоте исходных веществ, что сразу ставит под сомнение экономическую целесообразность метода; во-вторых, загрязнение пленок в результате неполной конверсии исходных веществ, и, наконец, трудности получения сульфидов галлия с четко заданной стехиометрией, высокой степени структурной однородности и качеством поверхности. Варианты химического осаждения из газовой фазы (CVD) описаны, например, в работе [21] или, как вариант CVD, осаждение из газовой фазы распылением в вакууме (Aerosol-Assisted CVD) [22]. Атомно-слоевое осаждение (ALD) [23] также может быть использовано для получения пленок сульфида галлия, где в качестве прекурсоров использовали диметиламид галлия и H2S. К недостаткам можно отнести токсичность самих прекурсоров и определенные неудобства работы с ними, их неполная конверсия и загрязнение конечных пленок продуктами полуреакций, а также получение конечных пленок неопределенной стехиометрии GaSx. Недостатками CVD-методов являются неоднородность фазового состава осаждаемых пленок, ограниченность в получении структурных единиц определенного размера, загрязнение конечных пленок в результате неполной конверсии прекурсоров, многостадийность и относительно высокая температура синтеза (⁓750°С), которая способствует поступлению примесей из материалов аппаратуры.

Цель данной работы – разработка метода получения тонких пленок сульфида галлия плазмохимическим осаждением из газовой фазы, при котором в качестве исходных веществ используются непосредственно высокочистые производные макрокомпонентов – GaCl3 и H2S, а в качестве инициатора химических превращений низкотемпературная неравновесная плазма ВЧ-разряда.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Схематическое изображение плазмохимической установки синтеза тонких пленок сульфида галлия приведено на рис. 1. Также принцип действия установки сообщался нами в работах [24–28]. Хлорид галлия (GaCl3) и сероводород с чистотой 4N использовали в качестве прекурсоров. GaCl3 загружали в специальную термостатируемую емкость, изготовленную из высокочистого кварца и снабженную внешними резистивными нагревательными элементами и термопарами для контроля температуры.

Рис. 1.

Схема плазмохимической установки для синтеза тонких пленок GaSх.

Температура источника хлорида галлия составляла 20 ± 1°С. Высокочистый аргон (99.999 об. %) использовали в качестве плазмообразующего газа, а также в качестве газа-носителя для переноса паров хлорида галлия в зону разряда, где и происходило взаимодействие GaCl3 и H2S. Соотношение компонентов в газовой фазе варьировали, изменяя потоки реагентов с помощью регуляторов расхода газов. Плазменный разряд возбуждался четырехвитковым внешним ВЧ-индуктором, мощность генератора составляла 30–100 Вт. Общее давление в системе во время экспериментов поддерживали постоянным 0.01 Торр. Инициирование химических реакций между прекурсорами происходило за счет механизмов электронного удара/электронного прилипания в плазменном разряде, твердые продукты реакции осаждались на нагреваемую до 150°С подложку, выполненную из высокочистого ориентированного (001) полированного сапфира. Средняя толщина пленок, измеренная с помощью микроинтерферометра Линника МИИ-4М, составила ⁓300 нм.

Исследования неравновесной плазмы осуществляли методом оптической эмиссионной спектроскопии [29, 30] при помощи спектрометра AvaSpec-Mini4096CL (UV + VIS + NIR) (Avantes, Голландия) в диапазоне 180–1100 нм с разрешением 0.12 нм. Морфологическое состояние поверхности пленок сульфида галлия изучали методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) с использованием сканирующего зондового микроскопа SPM-9700 (Shimadzu, Япония) в контактном режиме с применением кремниевых кантилеверов с высоким аспектным отношением Etalon Premium PHA_NC (TipsNano, Эстония) с коэффициентом жесткости 3.5 Н/м и типичным радиусом острия не более 5 нм (гарантированно – не более 8 нм). Исследования методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) и рентгеновского микроанализа выполняли на установке СЭМ JSM IT-300LV (JEOL) с энергодисперсионной приставкой X-MaxN 20 (Oxford Instruments.

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

Оптическая эмиссионная диагностика плазмохимического процесса

Оптические эмиссионные спектры разряда индуктивно связанной плазмы низкого давления смесей Ar–H2S, Ar–GaCl3 и Ar-GaCl3–Н2S при мощности генератора 50 Вт представлены на рис. 2. Спектр смеси Ar–H2S (рис. 2a) состоит из линий, соответствующих возбужденным состояниям молекул ${\text{S}}_{2}^{*}$ и ${\text{H}}_{2}^{*}$ [31], эмиссионный спектр серы представлен двумя широкими молекулярными полосами в диапазонах 250–350 и 450–550 нм, а также линиями при 282.9, 290.1, 293.3, 336.9, 394.8, 419.3 и 447.8 нм; эмиссионные линии водорода, наиболее интенсивные из которых Hα 656.3, и Hβ 486.1 нм, соответствуют серии Бальмера. Возможность образования димера S2 в плазме сероводорода показана авторами работ [31, 32]:

(1)
${{{\text{H}}}_{{\text{2}}}}{\text{S}} + {\text{e*}} \to {\text{H}}{\kern 1pt} \centerdot \; + \;\centerdot {\kern 1pt} {\text{SH}} + {\text{e}},$
(2)
${{{\text{H}}}_{{\text{2}}}}{\text{S}}\; + \;\centerdot {\kern 1pt} {\text{SH}} \to {{{\text{H}}}_{{\text{2}}}}{{{\text{S}}}_{2}} + {\text{H}}{\kern 1pt} \centerdot ,$
(3)
${{{\text{H}}}_{{\text{2}}}}{\text{S}} + {\text{H}}{\kern 1pt} \centerdot \; \to \;\centerdot {\kern 1pt} {\text{SH}} + {{{\text{H}}}_{2}},$
(4)
$\centerdot {\kern 1pt} {\text{SH}} + {\text{SH}} \to {{{\text{S}}}_{2}} + {{{\text{H}}}_{2}}.$
Рис. 2.

Эмиссионные спектры плазмы смесей: a – Ar–H2S, b – Ar–H2–GaCl3, c – Ar–H2–GaCl3–Н2S.

В спектре плазмы смеси Ar–GaCl3 (рис. 2) возбужденные атомы галлия Ga(I) представлены интенсивными эмиссионными линиями при 287.4, 294.4, 403.3, 417.2 нм, а также группой менее интенсивных линий в области 225–272 нм [33, 34]. Кроме того, в спектре наблюдаются широкие полосы молекулярных фрагментов [GaCl]* при 321.8, 325.5, 330.2, 334.6, 338.4, 341.8, 346.1 нм и слабоинтенсивные линии атомов хлора Cl(I) при 725.6, 741.4, 754.7 и 837.6 нм.

Появление в реакционной смеси некоторой равновесной концентрации молекулярных фрагментов GaCl можно объяснить, если предположить протекание следующих элементарных реакций электронного прилипания:

(5)
${\text{GaC}}{{{\text{l}}}_{3}} + {\text{e*}} \to {\text{GaC}}{{{\text{l}}}_{2}} + {\text{Cl}}{\kern 1pt} \centerdot ,$
(6)
${\text{GaC}}{{{\text{l}}}_{2}} + {\text{e*}} \to {\text{GaCl}} + {\text{Cl}}{\kern 1pt} \centerdot .$

В результате этих элементарных стадий происходит накопление высоко реакционноспособных радикалов хлора и восстановление трехвалентного Ga+3 до двухвалентного Ga2+ и одновалентного Ga+. Полос молекулярного хлора в спектре этой смеси не обнаружено. Образования металлического галлия на стенках реактора вблизи зоны разряда также не наблюдалось, очевидно, вследствие интенсивного плазменного травления радикалами хлора и протекания конкурирующих процессов окисления-восстановления в разряде плазмы смеси Ar–GaCl3.

Эмиссионный спектр смеси Ar–H2S–GaCl3 был изучен при мольном соотношении H2S–GaCl3 = 3 : 2 (рис. 2, с). Добавление к смеси Ar–GaCl3 сероводорода сопровождается значительным уменьшением интенсивности линий атомов галлия. Широкие максимумы от молекул GaCl исчезают вследствие расходования монохлорида галлия в реакции с серой. Утилизация радикалов хлора происходит при взаимодействии их с радикалами водорода, полученными по уравнениям (1) и (2) с образованием HCl:

(7)
${\text{Cl}}{\kern 1pt} \centerdot \; + {\text{H}}{\kern 1pt} \centerdot \; \to {\text{HCl}}.$

Можно предположить, что в наших условиях взаимодействие сероводорода с хлоридом галлия может протекать по суммарному уравнению реакции:

(8)
$3{{{\text{H}}}_{{\text{2}}}}{\text{S}} + 2{\text{GaC}}{{{\text{l}}}_{3}} \leftrightarrow {\text{G}}{{{\text{a}}}_{{\text{2}}}}{{{\text{S}}}_{3}} + 6{\text{HCl}},$
при этом в спектре наблюдается возрастание интенсивности полос α-серии Фулхера от молекул H2 в области 600 нм [35]. Кроме того, только в присутствии сероводорода в смеси, в спектре плазмы наблюдается полоса при 257.1 нм, которая может быть отнесена к молекуле хлора Cl2, наблюдению других полос этой молекулы при 307.4 и 380.3 нм мешают широкие полосы от молекулы S2 в области 270–600 нм. Эмиссионные линии атомарных фрагментов серы в спектре плазмы в наших условиях не обнаружены. Таким образом, стабильные продукты химических превращений в плазме – сульфиды галлия в виде твердой фазы на подложке и стенках реактора и газообразные HCl, H2 и Cl2, которые в условиях динамического вакуума непрерывно удаляются из зоны разряда и замещаются прекурсорами, сдвигая равновесие реакции (8) вправо.

Было изучено влияние мощности, вкладываемой в плазменный разряд, в диапазоне мощности генератора 20–100 Вт смеси Ar–H2S–GaCl3 при мольном соотношении H2S: GaCl3 = 3 : 2. Результаты представлены на рис. 3. При увеличении мощности, вкладываемой в разряд плазмы, наблюдается возрастание интенсивности полос в области 270–370 нм от молекулярных фрагментов серы S2–S8 и линий атомов аргона. Линии атомов галлия Ga(I) при 287.4, 294.4, 403.3, 417.2 нм в присутствии серы слабоинтенсивные и наблюдаются лишь при малых значениях энерговклада (рис. 3, a) и при увеличении мощности генератора исчезают. Кроме того, возрастание мощности генератора сопровождается уменьшением интенсивности линий от молекул и атомов водорода. При увеличении мощности генератора до 100 Вт в спектре разряда плазмы появляется слабоинтенсивная линия при 779.3 нм от атомов Ga(II).

Рис. 3.

Эмиссионные спектры разряда плазмы смеси Ar–H2S–GaCl3 при различной мощности генератора: a – 20, b – 40, c – 70, d – 100 Вт.

Таким образом, можно предположить, что при невысоких значениях мощности плазмы возможно образование как сульфидов галлия, так и сульфохлоридов в результате неполного замещения хлора. Увеличение мощности генератора приводит к более полному связыванию хлора в HCl и образованию GaSx.

Элементный анализ

Были получены пленки различного состава в зависимости от условий осаждения. Состав пленок: Ga44S27Cl29, Ga34S48Cl18, Ga15S85 и Ga33S67 при мощности генератора 20, 50, 70 и 100 Вт соответственно. При использовании минимальной мощности плазмы 20 Вт сульфиды галлия содержали достаточно большое количество хлора – до 29 ± ± 2 ат. %. При увеличении мощности плазмы с 20 до 50 Вт содержание хлора падало в ⁓2 раза, но оставалось все еще высоким. Увеличение мощности плазмы до 70 Вт привело к отсутствию хлора в полученных пленках. Однако полученная пленка содержала избыток серы. В то же время при дальнейшем увеличении мощности плазмы до 100 Вт содержание серы падает, и стехиометрия пленки приближается к Ga2S3. Таким образом, более мощная плазма способствовала лучшей конверсии исходных веществ.

Структура пленок

На рис. 4 представлены рентгеновские дифрактограммы осажденных пленок. Пленки, содержащие хлор, а также пленка Ga15S85 рентгеноаморфны. Однако в случае пленки, полученной при максимальной мощности плазмы (Ga33S67), помимо широкого фона при низких углах от аморфной фазы отчетливо можно видеть рефлекс вблизи 49°, относящийся к плоскости (300) гексагональной фазы β-Ga2S3 [COD 1530882]. Наблюдаемый дифракционный пик достаточно широкий, что указывает на дефектность и поликристалличность с малыми размерами доменов пленки. Наличие только одного рефлекса предполагает текстуру, ориентированную вдоль оси с, но не очень сильную, так как кривая качания составляет больше 10°. Из полученных дифрактограмм следует, что более мощная плазма способствует появлению кристаллической фазы сульфида галлия.

Рис. 4.

Дифрактограмма пленок сульфида галлия различного состава: 1 – Ga44S27Cl29, 2 – Ga34S48Cl18, 3 – Ga15S85 и 4 – Ga33S67.

Морфология поверхности пленок

Нами была изучена взаимосвязь между морфологией пленок и параметрами их синтеза. На рис. 5 представлены снимки АСМ полученных пленок. Видно, что пленки, содержащие хлор, имеют относительно большую шероховатость (⁓5 нм). К тому же на изображении легко обнаружить островки по форме, близкой к кубической размером 270–320 нм. Увеличение мощности плазмы до 70 Вт способствует кардинальному изменению морфологии поверхности полученной пленки, которая уже содержит квазисферические зерна размером ⁓100 нм, а ее шероховатость падает до 1.75 нм. О подобной морфологии пленок сульфида галлия, содержащих сферические зерна сообщается в работах [13, 22]. При максимальной мощности плазмы 100 Вт полученная пленка с составом Ga33S67 имеет наименьшую шероховатость 0.23 нм, на которой трудно выделить какие-либо фрагменты. Предполагается, что уменьшение шероховатости поверхности с ростом мощности плазмы происходит из-за более интенсивного ионного травления поверхности, приводящего к удалению слабосвязанных фрагментов с поверхности. Таким образом, тип плазмообразующего газа и мощность плазмы играют важную роль в определении морфологии пленок сульфида галлия, включая размер и форму зерен.

Рис. 5.

АСМ-изображения пленок сульфида галлия различного состава.

Таким образом, показана возможность получения пленок сульфида галлия в условиях низкотемпературной неравновесной плазмы, где в качестве прекурсоров выступают хлорид галлия (III) и сероводород. Установлено, что последовательное увеличение мощности плазменного разряда при неизменности остальных параметров процесса приводит к изменению соотношению макрокомпонентов в конечных пленках. При максимальной мощности плазмы достигается стехиометрия, близкая к Ga2S3 с образованием кристаллической фазы β-Ga2S3. Увеличение мощности плазмы приводит к уменьшению шероховатости поверхности пленки из-за одновременных процессов осаждения и ионного травления, вследствие удаления веществ, слабо связанных с поверхностью.

Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 22-19-20081, https://rscf.ru/project/22-19-20081/

Список литературы

  1. Basinski Z.S., Dove D.B., Mooser E. // Helv. Phys. Acta. 1961. V. 34. P. 373.

  2. Zappia M.I., Bianca G., Bellani S. et al. // J. Phys. Chem. C. 2021. V. 125. № 22. P. 11857. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c03597

  3. Jones A.C., O’Brien P. // CVD of   Compound Semiconductors: Precursor Synthesis, Development and Applications. 1997. Ch. 1. Basic Concepts. P. 1. https://doi.org/10.1002/9783527614639.ch1

  4. Attolini G., Negri M., Besagni T. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2020. V. 261. P. 114623. https://doi.org/10.1016/j.mseb.2020.114623

  5. Goodyear J., Steigmann G.A. // Acta Cryst. 1963. V. 16. P. 946. https://doi.org/10.1107/S0365110X63002565

  6. Harvey A., Backes C., Gholamvand Z. et al. // Chem. Mater. 2015. V. 27. № 9. P. 3483. https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.5b00910

  7. Hu P., Wang L., Yoon M. et al. // Nano Lett. 2013. V. 13. № 4. P. 1649. https://doi.org/10.1021/nl400107k

  8. Huang W., Gan L., Li H. et al. // CrystEngComm. 2016. V. 18. P. 3968. https://doi.org/10.1039/C5CE01986A

  9. Moez A.A. // J. Mater Sci: Mater Electron. 2021. V. 32. P. 5668. https://doi.org/10.1007/s10854-021-05288-9

  10. Chen X., Hou X., Cao X. et al. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. № 1–2. P. 51. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00808-1

  11. Eriguchi K., Biaou C., Das S. et al. // AIP Advances. 2020. V. 10. № 10. P. 105215. https://doi.org/10.1063/5.0021938

  12. Lu Y., Chen J., Chen T. et al. // Adv. Mater. 2020. V. 32. № 7. P. 1906958. https://doi.org/10.1002/adma.201906958

  13. Meng X., Libera J.A., Fister T.T. et al. // Chem. Mater. 2014. V. 26. № 2. P. 1029. https://doi.org/10.1021/cm4031057

  14. Rao P., Kumar S., Sahoo N.K. // Mater. Chem. Phys. 2015. V. 149–150. P. 164. https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2014.10.002

  15. Ertap H., Baydar T., Yüksek M., Karabulut M. // Turk. J. Phys. 2016. V. 40. № 3. P. 297. https://doi.org/10.3906/fiz-1604-14

  16. Micocci G., Rella R., Tepore A. // Thin Solid Films. 1989. V. 172. № 2. P. 179. https://doi.org/10.1016/0040-6090(89)90647-0

  17. Kuhs J., Hens Z., Detavernier C. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2019. V. 37. № 2. P. 020915. https://doi.org/10.1116/1.5079553

  18. Sanz C., Guillén C., Gutiérrez M.T. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. V. 42. № 8. P. 085108. https://doi.org/10.1088/0022-3727/42/8/085108

  19. Семенов В.Н., Лукин А.Н., Волков В.В., Остапенко О.В. // Весник ТГУ. 1999. Т. 4. Вып. 2. С. 234.

  20. Zheng N., Bu X., Feng P. // J. Am. Chem. Soc. 2003. V. 125. № 5. P. 1138. https://doi.org/10.1021/ja021274k

  21. Suh S., Hoffman D.M. // Chem. Mater. 2000. V. 12. № 9. P. 2794. https://doi.org/10.1021/cm0003424

  22. Horley G.A., Lazell M.R., O’Brien P. // Chem. Vap. Depos. 1999. V. 5. № 5. P. 203. https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-3862(199910)5: 5%3C203::AID-CVDE203%3E3.0.CO;2-L

  23. Meng X., Libera J.A., Fister T.T. et al. // Chem. Mater. 2014. V. 26. № 2. P. 1029. https://doi.org/10.1021/cm4031057

  24. Mochalov L., Logunov A., Kitnis A., Vorotyntsev V. // Plasma Chem. Plasma Process. 2020. V. 40. № 1. P. 407. https://doi.org/10.1007/s11090-019-10035-4

  25. Vorotyntsev V.M., Malyshev V.M., Mochalov L.A. et al. // Sep. Purif. Technol. 2018. V. 199. P. 214. https://doi.org/10.1016/j.seppur.2018.01.065

  26. Mochalov L.A., Kornev R.A., Churbanov M.F., Sennikov P.G. // J. Fluor. Chem. 2016. V. 160. P. 48. https://doi.org/10.1016/j.jfluchem.2014.01.011

  27. Mochalov L.A., Kudryashov M.A., Logunov A.A. et al. // Plasma Chem. Plasma Process. 2021. V. 41. № 6. P. 1661. https://doi.org/10.1007/s11090-021-10190-7

  28. Mochalov L.A., Churbanov M.F., Velmuzhov A.P. et al. // Opt. Mater. 2015. V. 46. P. 310. https://doi.org/10.1016/j.optmat.2015.04.037

  29. Mochalov L., Logunov A., Gogova D. et al. // Opt. Quantum Electron. 2020. V. 52. P. 510. https://doi.org/10.1007/s11082-020-02625-w

  30. Mochalov L., Logunov A., Kudryashov M. et al. // Opt. Mater. Express. 2022. V. 12. № 4. P. 1741. https://doi.org/10.1364/OME.455345

  31. Vesel A., Kovac J., Primc G. et al. // Materials. 2016. V. 9. № 2. P. 95. https://doi.org/10.3390/ma9020095

  32. Zhang Q.‑Z., Wang W., Thille C., Bogaerts A. // Plasma Chem. Plasma Process. 2020. V. 40. № 5. P. 1163. https://doi.org/10.1007/s11090-020-10100-3

  33. Shirai T., Reader J., Kramida A.E., Sugar J. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 2007. V. 36. № 2. https://doi.org/10.1063/1.2207144

  34. Thomas R.E., Burton R.L., Glumac N.G., Polzin K.A. // 30th International Electric Propulsion Conference. September 17–20, 2007. Florence, Italy.

  35. Шахатов В.А., Лебедев Ю.А., Lacoste A., Bechu S. // ТВТ. 2016. Т. 54. Вып. 4. С. 491 https://doi.org/10.7868/S0040364416040219

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Журнал физической химии

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал