Известия РАН. Серия физическая, 2022, T. 86, № 9, стр. 1235-1238

О возможности неискаженной передачи полезного сигнала с помощью поверхностных спиновых волн в структуре металл–феррит–диэлектрик–металл

Э. Г. Локк 1*, С. В. Герус 1, А. Ю. Анненков 1, А. В. Луговской 1

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук”, Фрязинский филиал
Фрязино, Россия

* E-mail: edwin@ms.ire.rssi.ru

Поступила в редакцию 18.04.2022
После доработки 13.05.2022
Принята к публикации 23.05.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Исследованы характеристики поверхностной спиновой волны, распространяющейся перпендикулярно направлению однородного магнитного поля в касательно-намагниченной плоскопараллельной структуре металл–феррит–диэлектрик–металл. Установлено, что при определенных параметрах структуры на дисперсионной зависимости этой волны возникают квазилинейные участки, которые могут обеспечить неискаженную передачу полезного сигнала, модулирующего поверхностную спиновую волну.

В касательно-намагниченной ферритовой пленке могут возбуждаться и распространяться с малыми потерями дипольные спиновые волны (СВ), впервые описанные в магнитостатическом приближении в работе [1]. Несмотря на многообразие физических эффектов, возникающих при распространении СВ [2], разработка и применение приборов с использованием этих волн не получили заметного распространения в технике СВЧ по ряду причин, одной из которых является нелинейный характер дисперсионных зависимостей СВ в свободной ферритовой пленке и структурах на ее основе. То есть, для СВ нельзя получить линейную дисперсионную зависимость в широком диапазоне частот, подобную дисперсионным зависимостям, которыми обладают акустические волны в акустических кристаллах. Однако в некотором интервале частот на дисперсионной зависимости СВ в ряде ферритовых структур можно создать квазилинейный участок, степень линейности которого, определяемая параметрами структуры, будет удовлетворять техническим требованиям, предъявляемым к устройствам обработки сигналов. Ниже исследована возможность линеаризации дисперсионных зависимостей СВ с помощью расположения вблизи поверхностей ферритовой пленки металлических плоскостей.

Очевидно, что самой простой и применяемой на практике является структура, в которой над ферритовой пленкой расположен металлический экран, параллельный плоскости пленки, а между ферритом и металлом имеется зазор воздуха (или вакуума) шириной w (такая структура будет выглядеть также, как и структура на рис. 1 при отсутствии верхнего металлического экрана). Пусть в данной структуре металл–диэлектрик–феррит (МДФ) в направлении оси y распространяется поверхностная СВ (ПСВ) с частотой ω0 = 2πf0 и волновым числом ky0. Как показали эксперименты и расчеты [3, 4], дисперсионные зависимости ПСВ f(ky) в данной структуре могут иметь точки перегиба, в которых ${{{{\partial }^{2}}\omega } \mathord{\left/ {\vphantom {{{{\partial }^{2}}\omega } {\partial k_{y}^{2}}}} \right. \kern-0em} {\partial k_{y}^{2}}}$ = ∂U/∂ky = 0, где U – величина групповой скорости ПСВ.

Рис. 1.

Геометрия задачи: 1 – идеально проводящий металл, 2 – ферритовая пленка, 3 – промежуток диэлектрика (или вакуума).

Как было показано в работе [5], расстояние S, которое полезный сигнал, модулирующий ПСВ с частотой f0, может пробежать в такой структуре вдоль оси y без искажений (сохраняя свою форму), ограничено условием

(1)
$\left| {{{{\left. {\frac{\pi }{U}\frac{{\partial U}}{{\partial \lambda }}} \right|}}_{{\lambda = {{\lambda }_{0}}}}}S} \right| \ll 1,$
в которое входят модуль U вектора групповой скорости модулируемой волны, длина модулируемой волны λ0 = 2π/ky0 и значение производной ∂U/∂λ, вычисляемое при λ = λ0.

Условие (1) удобно записать также в виде S $ \ll $ Scr, где критическое расстояние Scr вычисляется по формуле [6]

(2)
${{S}_{{cr}}} = 2k_{y}^{{ - 2}}\left| {\frac{{{{{\left. {\frac{{\partial \omega }}{{\partial {{k}_{y}}}}} \right|}}_{{{{k}_{y}} = {{k}_{{y0}}}}}}}}{{{{{\left. {\frac{{{{\partial }^{2}}\omega }}{{\partial k_{y}^{2}}}} \right|}}_{{{{k}_{y}} = {{k}_{{y0}}}}}}}}} \right|\,\,\,\,{\text{или}}\,\,\,\,{{{{S}_{{cr}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{S}_{{cr}}}} \lambda }} \right. \kern-0em} \lambda } = {{\left( {\pi {{k}_{y}}} \right)}^{{ - 1}}}\left| {\frac{{{{{\left. {\frac{{\partial \omega }}{{\partial {{k}_{y}}}}} \right|}}_{{{{k}_{y}} = {{k}_{{y0}}}}}}}}{{{{{\left. {\frac{{{{\partial }^{2}}\omega }}{{\partial k_{y}^{2}}}} \right|}}_{{{{k}_{y}} = {{k}_{{y0}}}}}}}}} \right|,$
в которую входят первая и вторая производные дисперсионной зависимости исследуемой структуры.

Отметим, что для оценки линейности дисперсионной зависимости структуры удобно вычислять не абсолютные значения величины Scr, а отношение Scr/λ, которое показывает, сколько длин волн λ может пробежать полезный сигнал, сохраняя свою форму (оставаясь практически неискаженным) при различных значениях волнового числа ky и соответствующих значениях несущей частоты f0 модулируемой волны. Формулы (1)–(3) справедливы для волн различной природы в анизотропных средах и структурах.

Очевидно, что если ПСВ имеет частоту f0 и волновое число ky0, соответствующие одной из точек перегиба (в которой ${{{{\partial }^{2}}\omega } \mathord{\left/ {\vphantom {{{{\partial }^{2}}\omega } {\partial k_{y}^{2}}}} \right. \kern-0em} {\partial k_{y}^{2}}}$ = 0), то, в соответствии с (2), при модуляции этой ПСВ полезным сигналом отношение Scr0 → ∞. Как показано в [4], в структуре МДФ вблизи таких значений ky0 и f0 возникают небольшие интервалы волнового числа шириной 5–10 см–1 и интервалы частоты шириной 3–10 МГц, которые можно использовать при разработке спинволновых приборов для реализации неискаженной передачи полезного сигнала.

Казалось бы, изменяя толщину диэлектрика в структуре МДФ, можно реализовать более близкое расположение точек перегиба друг к другу и таким способом увеличить указанные интервалы волнового числа и частоты. Действительно, при изменении толщины диэлектрика точки перегиба немного приближаются друг к другу, но затем опять начинают удаляться друг от друга [4]. В итоге, при наибольшем сближении точек перегиба отношение Scr/λ между ними имеет величину порядка 12, в то время как в самих точках перегиба Scr/λ → ∞. Таким образом, в структуре МДФ нельзя значительно увеличить интервалы волнового числа и частоты, внутри которых отношение Scr/λ было бы больше 50 или 100.

Можно предположить, что для “сближения” точек перегиба следует выбрать структуру, имеющую более сложное дисперсионное уравнение и не один варьируемый параметр, а больше. То есть, необходимо исследовать, например, изменение отношения Scr/λ в структуре металл–диэлектрик–феррит–диэлектрик–металл (МДФДМ), где можно варьировать толщины обеих диэлектрических слоев. Дисперсионные зависимости ПСВ, распространяющихся в структуре МДФДМ вдоль оси y, исследовались ранее как с использованием магнитостатического приближения [710], так и без него [11]. Опираясь на полученные результаты, для намеченной цели можно использовать структуры МДФДМ с такими параметрами, при которых на дисперсионной зависимости ПСВ появятся достаточно широкие квазилинейные участки. Рассмотрим ниже наиболее простой случай структуры МДФДМ, у которой один из слоев диэлектрика отсутствует и металлический экран расположен непосредственно на поверхности феррита (рис. 1), то есть, рассмотрим структуру МФДМ. Дисперсионные зависимости для такой структуры, рассчитанные для величины H0 = 300 Э, толщины и намагниченности пленки s = 10 мкм и 4πM0 = 1750 Гс, показаны на рис. 2, а зависимости отношения Scr/λ от волнового числа ПСВ ky – на рис. 3. Расчеты, представленные на рис. 2 и 3, выполнены без использования магнитостатического приближения на основе дисперсионного уравнения, полученного в [11].

Рис. 2.

Дисперсионные зависимости ПСВ f(ky) в структуре МФДМ при следующих значениях толщины диэлектрика w: 5, 6, 8, 12, 20 мкм и ∞ (кривые 16).

Рис. 3.

Зависимости отношения Scr/λ от волнового числа ky для поверхностной спиновой волны в структуре МФДМ при следующих значениях толщины диэлектрика w: 5, 6, 8, 12, 20 мкм и ∞ (кривые 16).

Как видно из рис. 2 и 3 при приближении снизу к ферритовой пленке второй металлической поверхности, характеристики ПСВ изменяются таким образом, что при толщине диэлектрика w примерно 6–9 мкм на дисперсионной зависимости волны f(ky) вблизи малых значений ky возникает квазилинейный участок, на котором ПСВ имеет почти постоянное значение групповой скорости U в более широком интервале частот и волновых чисел, чем при других значениях w (см. кривые 2 и 3 на рис. 2). Такое изменение зависимости f(ky) возникает из-за того, что при w ~ 6–9 мкм две точки, в которых отношение Scr/λ → ∞, оказываются расположены достаточно близко друг к другу (см. кривые 2 и 3 на рис. 3), что и позволяет увеличить интервал волновых чисел Δky и интервал частоты Δf, в которых Scr/λ > 100, до значений порядка 130 см–1 и 130 МГц соответственно, то есть, существенно увеличить эти интервалы по сравнению со структурой МДФ, описанной в [4].

Следует, однако, отметить, что внутри интервалов Δky и Δf находится небольшой участок дисперсионной зависимости (вблизи начальной части спектра ПСВ, где ky ~ 2 см–1 и меньше), внутри которого дисперсионное уравнение, описывающее ПСВ без магнитостатического приближения, не имеет решений [11]. Этот факт необходимо учитывать при проектировании приборов спинволновой электроники с использованием структуры МДФДМ (зависимости ПСВ на рис. 2 и 3 представлены в таком масштабе, что эти участки не заметны).

Таким образом, установлено, что при определенных параметрах структуры МДФДМ на дисперсионной зависимости ПСВ возникают квазилинейные участки, которые могут обеспечить неискаженную передачу полезного сигнала с помощью ПСВ.

Работа выполнена за счет бюджетного финансирования в рамках государственного задания ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН.

Список литературы

  1. Damon R.W., Eshbach J.R. // J. Phys. Chem. Solids. 1961. V. 19. No. 3/4. P. 308.

  2. Локк Э.Г. // УФН. 2008. Т. 178. № 4. С. 397; Lock E.H. // Phys. Usp. 2008. V. 51. No. 4. P. 375.

  3. Bongianni W.L. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. No. 6. P. 2541.

  4. Герус С.В., Локк Э.Г., Анненков А.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 2. С. 178; Gerus S.V., Lock E.H., Annenkov A.Y. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 2. P. 138.

  5. Мандельштам Л.И. Лекции по оптике, теории относительности и квантовой механике. М.: Наука, 1972. 440 с.

  6. Локк Э.Г. // Изв. РАН. Сер. физ. 2018. Т. 82. № 8. С. 1080; Loсk E.H. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2018. V. 82. No. 8. P. 978.

  7. Yukawa T., Yamada J., Abe K. et al. // JJAP. 1977. V. 16. No. 12. P. 2187.

  8. Локк Э.Г. // Радиотехн. и электрон. 2007. Т. 52. № 2. С. 202; Lokk E.G. // J. Commun. Technol. Electron. 2007. V. 52. No. 2. P. 189.

  9. Анненков А.Ю., Герус С.В., Локк Э.Г. // Изв. РАН. Сер. физ. 2018. Т. 82. № 8. С. 1037; Annenkov A.Y., Gerus S.V., Lock E.H. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2018. V. 82. No. 8. P. 935.

  10. Локк Э.Г., Герус С.В., Анненков А.Ю. // Радиотехн. и электрон. 2018. Т. 63. № 10. С. 1089; Lokk E.H., Gerus S.V., Annenkov A.Y. // J. Commun. Technol. Electron. 2018. V. 63. No. 10. P. 1197.

  11. Локк Э.Г. // Радиотехн. и электрон. 2014. Т. 59. № 7. С. 711; Lokk E.G. // J. Commun. Technol. Electron. 2014. V. 59. No. 7. P. 767.