Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 3, стр. 429-433

Рост и электротранспортные характеристики эпитаксиальных тонких пленок иридата стронция

И. Е. Москаль 12*, К. Е. Нагорных 3, А. М. Петржик 1, Ю. В. Кислинский 1, К. И. Константинян 1, А. В. Шадрин 13, Г. А. Овсянников 1

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова”
Москва, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “МИРЭА – Российский технологический университет”
Москва, Россия

3 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
Долгопрудный, Россия

* E-mail: ivan.moscal@yandex.ru

Поступила в редакцию 28.09.2022
После доработки 27.10.2022
Принята к публикации 25.11.2022

Полный текст (HTML)

Аннотация

Представлены результаты исследования эпитаксиальных тонких пленок иридата стронция составов Sr2IrO4 и SrIrO3, полученных соответственно методами лазерной абляции и катодного распыления на постоянном токе. Приводятся данные по технологии роста, кристаллической структуре, электрофизическим параметрам, рассчитана энергия активации для диэлектрических малодефектных пленок Sr2IrO4.

Полный текст статьи недоступен в настоящий момент.

Список литературы

  1. Kazunori Nishio, Harold Y. Hwang // APL Mater. 2016. V. 4. Art. No. 036102.

  2. Gutierrez-Llorente A., Iglesias L., Rodr’ıguez-González B., Rivadulla F. // APL Mater. 2018. V. 6. Art. No. 091101.

  3. Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. Art. No. 024501.

  4. Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // J. Surf. Invest. X-Ray Synchrotron Neutron Techn. 2020. V. 14. No. 3. P. 547.

  5. Bobkova I.V., Bobkov A.M. // Phys. Rev. 2017. V. 95. P. 184 512.

  6. Kislinskii Yu.V., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // Proc. V Int. Conf. FPS’15. (Moscow, 2015). P. 144.

  7. Yang J., Hao L., Nanney P. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. Art. No. 182401.

  8. Li Z.Z., Schneegans O., Fruchter L. // arXiv: 1610.03722v1. 2016.

  9. Петржик А.М., Cristiani G., Логвенов Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. № 12. С. 25; Petrzhik A.M., Cristiani G., Logvenov G. et al. // Tech. Phys. Lett. 2017. V. 43. No. 6. P. 554.

  10. Nittaya Keawprak, Rong Tu, Takashi Goto // J. Alloys Compounds. 2010. V. 491. P. 441.

  11. Zhang L., Liang Q., Xiong Y. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. P. 035110.

  12. Bebenin N.G., Zainullina R.I., Chusheva N.S. et al. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. P. 104434.

  13. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука. Физматлит, 1979. 416 с.

Дополнительные материалы отсутствуют.