1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 9, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 9, стр. 1309-1315

Влияние постоянного магнитного поля на низкочастотную диэлектрическую проницаемость кристаллов чистого и допированного ионами Со2+ триглицинсульфата

О. М. Голицына 1, *, С. Н. Дрождин 1

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Воронежский государственный университет”
Воронеж, Россия

* E-mail: golitsynaom@yandex.ru

Поступила в редакцию 14.04.2023
После доработки 15.05.2023
Принята к публикации 29.05.2023

Аннотация

Исследовано влияние слабого постоянного магнитного поля на низкочастотную диэлектрическую проницаемость кристаллов номинально чистого триглицинсульфата (ТГС): и содержащего ионы кобальта (ТГС + Со2+). В ТГС магнитный эффект существенно анизотропен: он полностью отсутствует, когда векторы $\vec {B}$ и ${{\vec {P}}_{{\text{s}}}}$ коллинеарны и наиболее сильно выражен, когда $\vec {B}$ ⊥ ${{\vec {P}}_{{\text{s}}}}$ и магнитное поле ориентировано вдоль кристаллофизической оси $\vec {a}$. В ТГС + Со2+ магнитный эффект заметно сильнее чем в ТГС, но практически не зависит от взаимной ориентации векторов $\vec {B}$ и ${{\vec {P}}_{{\text{s}}}}$.

Список литературы

  1. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. // ФТТ. 2003. Т. 45. № 9. С. 1680; Levin M.N., Postnikov V.V., Palagin M.Yu. // Phys. Solid State. 2003. V. 45. No. 9. P. 1763.

  2. Якушкин Е.Д. // Письма в ЖЭТФ. 2014. Т. 99. № 7. С. 415; Yakushkin E.D. // JETP Lett. 2014. V. 99. No. 7. P. 415.

  3. Иванова Е.С., Румянцев И.Д., Петржик Е.А. // ФТТ. 2016. Т. 58. № 1. С. 125; Ivanova E.S., Rumyantsev I.D., Petrzhik E.A. // Phys. Solid State. 2016. V. 58. No. 1. P.127.

  4. Golitsyna O.M., Drozhdin S.N. // Ferroelectrics. 2020. V. 567. No. 1. P. 244.

  5. Головин Ю.И. // ФТТ. 2004. Т. 46. № 5. С. 769; Golovin Yu.I. // Phys. Solid State. 2004. V. 46. No. 5. P. 789.

  6. Моргунов Р.Б. // УФН. 2004. Т. 174. № 2. С. 131; Morgunov R.B. // Phys. Usp. 2004. V. 47. No. 2. P. 125.

  7. Гайнутдинов Р.В., Иванова Е.С., Петржик Е.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. № 2. С. 84; Gainutdinov R.V., Ivanova E.S., Petrzhik E.A. et al. // JETP Lett. 2017. V. 106. No. 2. P. 97.

  8. Новик В.К., Лотонов А.М., Гаврилова Н.Д. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 7. С. 1338; Novik V.K., Lotonov A.M., Gavrilova N.D. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. No. 7. P. 1414.

  9. Лысаков В.С. // Вестник ОГУ. 2009. № 9. С. 155.

  10. Дрождин С.Н., Голицына О.М. // ФТТ. 2012. Т. 54. № 6. С. 853; Drozhdin S.N., Golitsyna O.M. // Phys. Solid State. 2012. V. 54. No. 6. P. 905.

  11. Golitsyna O.M., Drozhdin S.N., Grechkina M.N. et al. // Ferroelectrics. 2017. V. 506. No. 1. P. 127.

  12. Виндш В. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1975. Т. 39. № 5. С. 914.

  13. Wartewig S., Volkel G., Windsch W. // Ferroelectrics. 1978. V. 19. P. 131.

  14. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата (в зависимости от условий выращивания). Минск: Наука и техника, 1986. 216 с.

  15. Gaffar M.A., Al-Houtyi L.I., Al-Muraikhit M., Mohamed A.A. // J. Physics C. 1988. V. 21. P. 1821.

  16. Prokopová L., Mièka Z., Novotný J., Malina V. // Mater. Structure. 2000. V. 7. No. 2. P. 67.

  17. Peterková J., Podlahová J., Loub J., Mièka Z. // Acta Cryst. C. 1991. V. 47. P. 2664.

  18. Fleck M., Bohaty L. // Acta Crystallogr. 2006. V. C62. P. M22.

  19. Tepavitcharova S., Rabadjieva D., Havlíček D. et al. // J. Mol. Struct. 2012. V.1018. P.113.

  20. Atzori M., Train C., Hillard E.A. et al. // Chirality. 2021. V. 33. P. 844.

  21. Rikken G.L.J.A., Avarvari N. // Nature Commun. 2022. V. 13. P. 3564.

  22. Rikken G.L.J.A., Avarvari N. // Phys. Rev. B. 2022. V. 106. Art. No. 224307.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал