Кристаллография, 2019, T. 64, № 3, стр. 402-406

Комбинационное рассеяние света в микрокристаллах алмаза

В. С. Горелик 12*, А. В. Скрабатун 12, D. Bi 12

1 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
Москва, Россия

2 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
Москва, Россия

* E-mail: gorelik@sci.lebedev.ru

Поступила в редакцию 27.08.2018
После доработки 05.09.2018
Принята к публикации 17.09.2018

Полный текст (PDF)

Аннотация

Представлены результаты исследований спектров комбинационного рассеяния (КР) света в монодисперсных кристаллических алмазных порошках в зависимости от размеров исследуемых образцов. Возбуждение КР осуществлялось непрерывным лазером ближнего ИК-диапазона (λ0 = 785 нм), что обеспечило подавление сигнала фотолюминесценции. Изучались порошки, состоящие из плотноупакованных частиц как в виде наноалмазов (размером 0.2–0.3 мкм), так и микроалмазов заданных размеров (до 180 мкм). Регистрируемые спектры КР порошков микроалмазов характеризовались аномально большой интенсивностью, что связывалось с пленением возбуждающего излучения в микрочастицах, размер которых существенно превышал длину волны лазерной генерации. В спектрах КР присутствовала резкая линия с частотой 1332 см–1, а также дополнительные полосы, расположенные в области обертонов фундаментальных мод.

ВВЕДЕНИЕ

Исследования закономерностей комбинационного рассеяния (КР) в кристаллах алмаза начали проводиться почти сразу после открытия этого явления и выполнялись многими исследователями [15]. Объектами исследований были образцы природных [1, 2, 6] и синтетических [68] алмазов. Характерной особенностью спектра КР кристалла алмаза является присутствие в нем только одной интенсивной линии первого порядка с частотой 1332 см–1. При увеличении интенсивности возбуждающего излучения в спектре рассеянного излучения обнаруживаются дополнительные спутники, обусловленные проявлением двухфононных состояний [9, 10]. В настоящее время весьма актуальной является задача установления закономерностей спектров КР в нано- и микрокристаллических образцах [1116]. Ранее были исследованы тонкие алмазные пленки толщиной 1–50 мкм, полученные методом химического осаждения из газовой фазы (chemical vapor deposited, CVD) [1719]. В отличие от объемных кристаллов в алмазных пленках толщиной ~1 мкм наблюдались дополнительные полосы в диапазоне 400–3000 см–1 [18]. В [13] сообщалось об изготовлении кубических алмазных микрочастиц размером 10–100 мкм. Такие микрочастицы формировались в высококонцентрированной газообразной фазе при термической активации графита с последующим осаждением образовавшихся кристаллов на подложку. В [11] исследовались спектры КР алмазных микрочастиц размером 0.1–2.0 мкм при возбуждении аргоновым лазером (λ0 = 457.9 и 514.5 мкм). При этом исследования проводились только для фундаментальной моды ν = 1332 см–1. Наблюдалось уширение соответствующей линии КР с уменьшением размеров микрокристаллов.

В ИК-диапазоне спектры алмазов анализировались при их сопоставлении с плотностью фононных состояний и видом дисперсионных кривых, рассчитанных в [46, 20, 21]. Результаты расчета кривых плотностей однофононных и двухфононных состояний и сравнение их со спектрами КР второго порядка приведены в [9, 10].

Цель настоящей работы – установление закономерностей в спектрах КР монодисперсных алмазных порошков в зависимости от размеров частиц в диапазоне 0.2–180 мкм. Проанализирована возможность использования порошков, состоящих из алмазных пластин, в качестве оптических микрорезонаторов, обеспечивающих возможность усиления в них эффективности взаимодействия электромагнитного излучения с веществом.

МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Заготовки для получения микроалмазов изготовлены из графита методом статического сжатия при высокой температуре (1000–3000°С) и сверхвысоком давлении (5–10 ГПа). Образцы для исследований представляли собой монодисперсные порошки микроалмазов со средним размером частиц от 0.2 до 180 мкм. В работе использовалось девять наборов кристаллических порошков с заданными размерами частиц: 0.2–0.3, 1, 3.5–4.2, 6.5–7.3, 28–32, 43–48, 56–64, 65–73, 150–185 мкм. Алмазные микрочастицы имели вид плоскопараллельных пластинок (рис. 1).

Рис. 1.

Фотографии кристаллов в порошке микроалмазов.

Экспериментальная установка для возбуждения и регистрации спектров спонтанного КР света описана в [22]. Источником возбуждающего излучения является лазер с длиной волны λ0 = = 785 нм и мощностью 100 мВт. Спектральное разрешение составляет 1 см–1.

РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Спектры КР монодисперсных порошков микроалмазов различных размеров представлены на рис. 2. Регистрация всех приведенных спектров проводилась при экспозиции 10 с. В наблюдаемых спектрах КР порошков микроалмазов (рис. 2) присутствует несколько полос. Наибольшую интенсивность имеет линия однофотонного рассеяния алмаза с частотой ν = 1332 см–1. Полуширина этой линии составляет ∆ν = 2 см–1. Регистрация узкой линии на частоте ν = 1332 см–1 подтверждает наличие кристаллической фазы алмаза в исследуемых образцах. В спектрах КР алмазов размером менее 1 мкм (рис. 2а, 2б) наблюдается интенсивный фон во всей области спектра, спадающий с возрастанием частотного сдвига. При увеличении микрокристаллов в диапазоне от 1 до 60 мкм сплошной фон резко падает и интенсивность КР на фундаментальной моде 1332 см–1 относительно фона увеличивается (рис. 2в–2и). Отметим, что для микроалмазов с размерами в диапазоне 0.2–4.2 мкм (рис. 2а–2в) в низкочастотной области спектра КР присутствуют многочисленные пульсации в областях 96, 194, 269, 365, 478, 555, 722, 803, 932, 1031 см–1. При увеличении размеров микрочастиц алмаза низкочастотные биения в спектре КР уже не проявляются. В исследуемых монодисперсных порошках микроалмазов интенсивность спектров КР существенно (на один–два порядка) выше, чем в других неорганических веществах (NaNO2, KIO3 и др.). Начиная с размера микороалмазов 3.5 мкм, в области спектра КР второго порядка наблюдается широкая полоса с максимумом вблизи 2620 см–1 (рис. 2в–2и). На рис. 2в–2ж, соответствующих размерам микроалмазов 3.5–64 мкм, присутствует также широкая полоса вблизи ν = 1400 см–1. Ее интенсивность возрастает по мере увеличения средних размеров микрокристаллов и достигает максимума при 56–64 мкм. При дальнейшем увеличении размеров микрочастиц алмазного порошка полоса в этой области частот не наблюдается.

Рис. 2.

Спектры КР порошков микроалмазов различных размеров: а – 0.2–0.3, б – 1, в – 3.5–4.2, г – 6.5–7.3, д – 28–32, е – 43–48, ж – 56–64, з – 65–73, и – 150–180 мкм. На вставке к рис. 2в приведена область спектра КР возле полосы ν = 2626 см–1.

ОБСУЖДЕНИЕ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ

Алмаз, являющийся основной высокобарической фазой углерода, кристаллизуется в кубической сингонии ($O_{h}^{7}$, Z = 2) с тетраэдрическим расположением связей С–С вокруг каждого атома углерода [8]. Гомоядерность кристаллической решетки алмаза в сочетании с ее высокой симметрией определяют простоту колебательного спектра. Согласно результатам теоретико-группового анализа полный спектр оптических колебаний кристалла алмаза имеет вид ${{T}_{{opt}}} = {{F}_{{2g}}}$. Соответствующее колебание разрешено в спектрах КР. Частота этой моды в спектре КР первого порядка соответствует значению ν = 1332 см–1 (рис. 2). Проявление такого колебания в ИК-спектре первого порядка для алмаза запрещено правилами отбора. Параметры этой моды для структурно совершенной алмазной решетки детально исследованы в широком интервале температур [6]. Теория [11, 12] предсказывает, что с уменьшением размеров кристаллов алмаза должна происходить деформация контура фундаментальной линии в спектре КР, а также уменьшение ее частоты

Исследуемые кристаллики микроалмазов, присутствующие в порошках, имели вид плоскопараллельных пластинок (рис. 1). Как известно [9], кристаллы алмаза характеризуются большим показателем преломления (n = 2.4–2.5 в видимой области). При попадании в такие структуры возбуждающего излучения с длиной волны, меньшей размера микрочастиц, возможно пленение излучения в результате многократного отражения от границ соответствующих микрорезонаторов. Это приводит к возрастанию интенсивности КР (эффекту комбинационной опалесценции) в микрокристаллах алмаза, наблюдаемому в приведенных выше экспериментах (рис. 2). Аналогичный резонаторный эффект может быть реализован для акустических и оптических фононов, соответствующих критическим точкам зоны Бриллюэна (таблица 1). Соответственно в спектре КР микрокристаллов алмаза следует ожидать возрастания интенсивности некоторых полос, соответствующих процессам второго порядка (обертонам или составным тонам). В связи с этим полосу с частотой 2620 см–1 можно отнести к обертону фундаментальной моды 1332 см–1. Интенсивность этой полосы всего в 4–5 раз меньше интенсивности фундаментальной линии КР с частотой 1332 см–1. Наблюдаемый частотный сдвиг (Δ = 42 см–1) соответствует энергии связи возникающего при этих условиях бифонона [23]. В объемных кристаллах алмаза интенсивность полос КР второго порядка существенно ниже (на два порядка) интенсивности фундаментальной моды 1332 см–1 [8].

Таблица 1.  

Частоты критических точек (Г, X, K, L, W) фононных ветвей кристалла алмаза

Критические точки зоны Бриллюэна Фононные ветви Частоты фононов критических точек, см–1
[21] [6]
Г 1332.5 ± 1 1332.5 ± 0.5
X LO, LA 1191 ± 3 1185 ± 5
TO 1072 ± 2 1069 ± 5
TA 829 ± 2 807 ± 5
K LO 1239 ± 2 1230 ± 5
TO 1111 ± 1 1109 ± 5
TO 1042 ± 2 1045 ± 5
LA 992 ± 3 988 ± 5
TA 978 ± 1 980 ± 5
TA 764 ± 4
L LO 1256 ± 4 1252 ± 5
TO 1220 ± 2 1206 ± 5
LA 1033 ± 2 1006 ± 5
TA 553 ± 2 563 ± 5
W LO, LA 1146 ± 1 1179 ± 5
TO 1019 ± 3 999 ± 5
TA 918 ± 12 908 ± 5

Примечание. LO, ТO – продольные и поперечные оптические фононы соответственно, LA, TA – продольные и поперечные акустические фононы.

Таким образом, в микрокристаллах алмаза заданных размеров условия для формирования бифононов при возбуждении КР оказываются предпочтительнее, чем в случае объемных монокристаллов. В объемном монокристалле алмаза частота обертона (2668 см–1) близка к удвоенной частоте основного тона (1332 см–1), т.е. бифонон имеет очень малую энергию связи и быстро разрушается. Наблюдаемые интерференционные пульсации интенсивности (рис. 2а–2в) на частотах 555, 722, 803, 932, 1031 см–1 в кристаллах алмаза с размерами 0.2–4.2 мкм можно объяснить микрорезонаторным эффектом для фононов, соответствующих внутренней области или границе зоны Бриллюэна (таблица 1). В [18] зарегистрированы спектры КР алмазных CVD-пленок толщиной ~1 мкм при возбуждении лазером с длиной волны λ0 = 785 нм. При этом фундаментальная линия 1332 см–1 в спектре КР практически отсутствовала, но были обнаружены дополнительные резкие линии, которые, вероятно, объясняются присутствием примесей и дефектов кристаллической решетки в исследованных пленках.

Ранее в спектрах КР второго порядка ряда кристаллов были обнаружены характерные линии, соответствующие проявлению бифононов [2426]. Как правило, такие эффекты проявляются при выполнении условий резонанса Ферми, когда частота обертона (составного тона) близка к частоте фундаментального колебания такого же типа симметрии. В данном случае формирование бифононов можно объяснить микрорезонаторным эффектом, приводящим к резкому возрастанию плотности двухфононных состояний для определенного типа фононов.

Полоса в спектрах КР в области 1400 см–1, наблюдаемая в микрокристаллах размером 3.5–64 мкм, близка к удвоенному значению частоты поперечных акустических фононов (TA) (таблица 1) на границе зоны Бриллюэна. С учетом уменьшения частоты вследствие энергии связи эта полоса также может быть интерпретирована как результат формирования бифонона в условиях сильного отражения соответствующих волн от границ микрорезонатора. Отметим, что в полученных спектрах КР не обнаружено линий, соответствующих присутствию графита, графена, нанотрубок и других углеродных фаз, известных в литературе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Зарегистрированы КР-спектры алмазных нано- и микрокристаллов размером 0.2–180.0 мкм, формирующих монодисперсные алмазные порошки. Микрокристаллы алмазов, присутствующие в порошке, имеют вид плоскопараллельных пластинок, т.е. являются оптическими и акустическими резонаторами. Интенсивность фундаментальной моды 1332 см–1 в спектрах КР микроалмазов более чем на порядок превышает интенсивность спектров КР неорганических порошков, зарегистрированных при аналогичных условиях. Это обусловлено многократным рассеянием возбуждающего излучения в алмазных микрорезонаторах (моды “шепчущей галереи”), что можно классифицировать как явление комбинационной опалесценции. Такой эффект позволил осуществить регистрацию спектров спонтанного КР при очень малых экспозициях (1–10 с) с использованием лазера непрерывного излучения ближнего ИК-диапазона (λ0 = 785 нм). Высокая эффективность спонтанного КР в порошках микроалмазов открывает возможность наблюдения в них низкопорогового вынужденного КР при возбуждении импульсными лазерами [27].

Установлено, что при определенных размерах микрокристаллов в наблюдаемых спектрах присутствуют полосы КР второго порядка, интерпретированные как проявление связанных состояний фононов (бифононов) с достаточно большой энергией связи. Возбуждение связанных состояний фононов оказывается возможным благодаря возрастанию плотности двухфононных состояний из-за многократных отражений соответствующих волн от границ микрорезонаторов. Таким образом, использование алмазных микрорезонаторов с заданными размерами приводит к существенной модификации оптических и акустических свойств кристаллов алмаза и представляется перспективным для наблюдения различных нелинейно-оптических явлений: вынужденного КР [27], нелинейной рефракции, двухфотонно-возбуждаемой люминесценции [28] и др.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты № 16-08-00618, 16-02-00488, 18-02-00181, 18-32-00259) и China Scholarship Council.

Список литературы

  1. Robertson R., Fox J.J. // Nature. 1930. V. 125. P. 704.

  2. Krishnan R.S. // Proc. Indian Acad. Sci. A. 1947. V. 26. P. 399.

  3. Krishnamurt D. // Proc. Indian Acad. Sci. A. 1954. V. 40. P. 211.

  4. Smith H.M.J. // Royal Society.1947. V. 248. P. 105.

  5. Dolling G., Cowley R.A. // Proc. Phys. Soc. 1966. V. 88. P. 463.

  6. Solin S.A., Ramdas A.K. // Phys. Rev. B. 1970. V. 1. P. 1687.

  7. Bundy F.P., Hall H.T., Strong H.M. et al. // Nature. 1955. V. 176. P. 51.

  8. Knight D.S., White W.B. // J. Mater. Res. 1989. V. 4. P. 385.

  9. Zaitsev A.M. // Optical Properties of Diamond. A Data Handbook. Berlin: Springer, 2001. P. 19.

  10. Windl W., Pavone P., Karch K. et al. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. P. 3164.

  11. Yoshikawa M., Mori Y., Maegawa M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 3114.

  12. Аргунов К.П., Горелик В.С., Резник Б.И. и др. // Краткие сообщения по физике ФИАН. 1991. № 9. С. 21.

  13. Palnichenko A.V., Jonasi A.M., Charlier J.C. et al. // Nature. 1999. V. 402. P. 162.

  14. Nasdala L., Steger S., Reissner C. // Lithos. 2016. V. 265. P. 317.

  15. Углов В.В., Шиманский В.И., Русальский Д.П. и др. // Журн. прикл. спектроскопии. 2008. Т. 75. С. 524.

  16. Тареева М.В., Антонов В.А., Попов В.П. и др. // Краткие сообщения по физике ФИАН. 2017. № 7. С. 40.

  17. Lee K.C., Sussman B.J., Sprague M.R. et al. // Nature Photonics. 2011. V. 6. P. 11.

  18. May P.W., Smith J.A., Rosser K.N. // Diamond Relat. Mater. 2008. V. 17. P. 199.

  19. Donato M.G., Faggio G., Marinelli M. et al. // Eur. Phys. J. B. 2001. V. 20. P. 133.

  20. Васильев Н.С., Горелик В.С. // Краткие сообщения по физике ФИАН. 2011. № 9. С. 15.

  21. Klein C.A., Hartnett T.M., Robinson C.J. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. P. 12854.

  22. Горелик В.С., Головина Т.Г., Константинова А.Ф. // Кристаллография. 2019. Т. 64. № 2. С. 265.

  23. Agranovich V.M., Dubovsky O.A. // Int. Rev. Phys. Chem. 1986. V. 5. P. 93.

  24. Gorelik V.S., Maximov O.P., Mitin G.G. et al. // Solid State Commun. 1977. V. 21. P. 615.

  25. Митин Г.Г., Горелик В.С., Кулевский Л.А. и др. // ЖЭТФ. 1975. Т. 68. С. 1757.

  26. Агранович В.Ж., Лалов И.И. // Успехи физ. наук. 1985. Т. 146. С. 267.

  27. Lux O., Ralchenko V.G., Bolshakov A.P. et al. // Laser Phys. Lett. 2014. V. 11. P. 1.

  28. Миков С.Н., Иго А.В., Горелик В.С. // ФТТ. 1999. Т. 41. С. 1110.

Дополнительные материалы отсутствуют.