Кристаллография, 2020, T. 65, № 6, стр. 857-861

Структурные особенности, связанные с двойникованием в процессе роста монокристаллов арсенида галлия методом Чохральского

А. А. Югов 1, Б. В. Пугачев 1, Т. Г. Югова 1*, С. Н. Князев 1

1 АО “Гиредмет”
Москва, Россия

* E-mail: P_Yugov@mail.ru

Поступила в редакцию 27.11.2019
После доработки 03.03.2020
Принята к публикации 03.03.2020

Аннотация

Рассмотрены структурные особенности, связанные с двойникованием в кристаллах арсенида галлия, легированных оловом и теллуром, в процессе роста кристаллов методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава борным ангидридом. Показано, что двойники роста и краевые грани возникают на периферии кристаллов в области переохлажденного расплава. В области двойника концентрация легирующей примеси всегда выше, чем в области без двойника. Наблюдается изменение направления прорастания дислокаций в кристалле в процессе двойникования.

DOI: 10.31857/S0023476120060417

Список литературы

  1. Chen T.P., Guo Y.D., Huang T.S., Chen L.J. // J. Crystal Growth. 1990. V. 103. P. 343.

  2. Koh H.J., Choi M.H., Park I.S., Fukuda T. // Crys. Res. Technol. 1995. V. 30. P. 397.

  3. Rudolph P., Matsumoto F., Fukuda T. // J. Crystal Growth. 1996. V. 150. P. 43.

  4. Steinemann A., Zimmerli U. // Solid State Electron. 1963. V. 6. P. 597.

  5. Hashio K., Sawada S. // J. Crystal Growth. 1997. V. 173. P. 33.

  6. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. 495 с.

  7. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 240 с.

  8. Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М.: Металлург, 1968. 101 с.

  9. Iseler G.W. // J. Crystal Growth. 1981. V. 54. P. 16.

  10. Kalaev V., Sattler A., Kadinski L. // J. Crystal Growth. 2015. V. 413. P. 12.

  11. Herle D.T. // J. Crystal Growth. 1995. V. 147. P. 239.

  12. Селиваниов В.А., Мисик А.М., Преснов В.А. Арсенид галлия. Томск: Изд-во ТГУ, 1968. 427 с.

  13. Stirland D.J., Orgen R. // Phys. Status. Solidi. A. 1973. V. 17. P. K1.

  14. Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855.

  15. Tower J.P., Tobin R., Pearah P.J. et al. // J. Crystal Growth. 1991. V. 114. P. 665.

  16. Shibata M., Sasaka Y., Inada T., Kuma S. // J. Crystal Growth. 1990. V. 102. P. 557.

  17. Шашков А.Я. Производство полупроводниковых материалов. М.: Металлург, 1989. 267 с.

Дополнительные материалы отсутствуют.