Микроэлектроника, 2020, T. 49, № 5, стр. 353-365

2.1. Схема тройного мажоритарного элемента

На рис. 1 приведена функциональная схема тройного мажоритарного элемента (Triple Majority Gate – TMG) на основе трех КМОП двухвходовых комбинационных логических элементов И (D1–D3) и трех-входного элемента ИЛИ D4. На рис. 1 элементы с логикой И D1 и логикой ИЛИ D4 представлены своими электрическими схемами, а элементы И D2 и D3 представлены в виде функциональных блоков. Схемы элементов И D1 и ИЛИ D4 содержат группы транзисторов соответственно элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ, а также транзисторы инверторов, в состав которых в элементе ИЛИ-НЕ включены дополнительные транзисторы для улучшения коррекции помех при сборе заряда с треков одиночных ионизирующих частиц.

Рис. 1.

Схема мажоритарного логического элемента TMG на И (D1–D3) и ИЛИ (D4) элементах.

Первая цифра в обозначениях транзисторов в элементах, например, N1.2 соответствует номеру логического элемента И (D1) и ИЛИ (D4) на рис. 1, а вторая – номеру транзистора в элементах И и ИЛИ. Каждый элемент И (рис. 1) состоит из логического элемента И-НЕ и инвертора. Группа транзисторов И-НЕ на примере И D1 выполнена на транзисторах N1.1, N1.2, P1.1, P1.2, а инвертор на транзисторах N1.3, P1.3. Выход элемента И-НЕ является внутренним узлом элемента И. Элемент ИЛИ D4 (рис. 1) состоит из логического элемента ИЛИ-НЕ и инвертора. Элемент ИЛИ-НЕ выполнен на транзисторах N4.1 – N4.3, P4.1 – P4.3, а инвертор на транзисторах N4.4, N4.5, P4.4, P4.5. Выход элемента ИЛИ-НЕ является внутренним узлом элемента ИЛИ, а выход элемента ИЛИ является выходом элемента TMG.

2.2. Моделирование сбора заряда транзисторами с трека частицы

Моделирование сбора транзисторами заряда с треков одиночных частиц проведено с использованием 3D TCAD физической модели КМОП элементов И и ИЛИ по проектной норме 65-нм КМОП объемной технологии, изображение структуры которой приведено на рис. 2. Как тестовое воздействие принят сбор заряда с трека, направленного по нормали к поверхности приборной части модели элемента (примеры треков T_1N, T_1P, T_4N и T_4P приведены на рис. 2).

Рис. 2.

Приборная 3D TCAD физическая модель элементов D1 (И) и D4 (ИЛИ), использованная при гибридном TCAD-SPICE моделировании мажоритарного элемента TMG на логических элементах И и ИЛИ, направления треков по нормали к поверхности приборной модели, треки обозначены как T_1N, T_1P, T_4N и T_4P в соответствии с их прохождением через группы транзисторов Gr1N, Gr1P, Gr4N и Gr4P.

Каждый из элементов И и ИЛИ на рис. 2 состоит из двух групп транзисторов, одна группа из NМОП транзисторов Gr1N или Gr4N, а вторая из PМОП транзисторов Gr1P и Gr4P. Инвертор в элементе ИЛИ состоит из двух параллельно-соединенных инверторов (рис. 1), транзисторы которых конструктивно расположены симметрично с разных сторон транзисторов элемента ИЛИ-НЕ; в группе Gr4N это транзисторы N1.4 и N1.5 и в группе Gr4P транзисторы P1.4 и P1.5 (рис. 2). Это сделано для повышения эффективности коррекции длительности импульсов помех сбором заряда транзисторами инверторов с треков одиночных частиц с разными точками входа трека в группах транзисторов ИЛИ-НЕ [9].

Ширина каналов всех транзисторов элемента И равна 400 нм, а всех транзисторов элемента ИЛИ равна 800 нм. Конструкция элементов И и ИЛИ состоит из групп транзисторов, окруженных мелкой траншейной изоляцией глубиной 400 нм (shallow trench isolation – STI). Эта траншейная изоляция удалена из изображения структуры на рис. 2 для лучшей наглядности компоновки транзисторов в группы. Области с обозначениями n+ и p+ на рис. 2 являются фрагментами охранных полос, изолирующих области NМОП от PМОП транзисторов и служащих для вывода неравновесных носителей заряда на шину питания и общую шину устройства.

В данной работе использовано гибридное TCAD-SPICE моделирование КМОП мажоритарного элемента, при котором средствами TCAD моделировались физические процессы генерации носителей заряда при передаче им энергии с трека и процессы сбора заряда транзисторами в элементах И (D1) и ИЛИ (D4). Средствами SPICE моделировались передаточные характеристики двух элементов И (D2 и D3) (рис. 1), которые обеспечивали передачу сигналов на входы элемента ИЛИ (D4).

При моделировании переходных процессов, когда совмещены переключение элемента TMG по входам и сбор заряда с трека частицы, использованы четыре точки входа треков по одной в группах Gr1N, Gr4N, Gr1P, Gr4P транзисторов элементов И и ИЛИ. Сбор заряда с этих треков приводит к импульсам помех с наибольшими амплитудами и длительностями, что установлено в работе [9]. Треки T_1N, T_1P, T_4N и T_4P с этими точками входа, которые показаны на рис. 2, используются в данной работе. Параметры расположения точек входа этих треков приведены в табл. 1.

Приборное моделирование КМОП транзисторов по объемной 65-нм технологии (с длиной канала 65 нм) проведено на основе 3D TCAD моделей транзисторов, представленных в работе [10]. Полные размеры 3D приборной структуры составляют 6.4 × 10.9 мкм при толщине подложки 3.0 мкм. Энергетическая составляющая генерации заряда на треке характеризуется линейной передачей энергии частицей на трек – (linear energy transfer – LET). При моделировании использовались треки с LET = 60МэВ ∙ см²/мг. Результаты исследования получены при моделировании с использованием симулятора Sentaurus Device при температуре 25°С и напряжении питания 1.0 В.

3.1. Длительности нестационарных состояний элементов при сборе заряда с трека

Алгоритм работы тройного мажоритарного элемента (Triple Majority Gate – TMG) заключается в сравнении трех входных сигналов и образовании такого выходного сигнала, который соответствует совпадению как минимум двух входных сигналов из трех. При моделировании в данной работе используются два варианта переключения элемента TMG. Первый вариант переключения входов TMG из “0” в “1” при изменении сигналов на входах из A = B = C = 0 в A = B =1, C = 0. Второй вариант переключения входов TMG из “1” в “0” при изменении сигналов на входах из A = B = 1, C = 0 в A = B = C = 0. Когда два из трех входных сигналов TMG совпадают, то эти два сигнала управляют правильным переключением только одного из трех элементов И. Поэтому для получения достоверных данных о влиянии сбора заряда с трека частицы при одновременном переключении по входам элемента TMG достаточно моделирования средствами TCAD одного из элементов И, а именно D1, с заданными переключениями входных сигналов.

При моделировании использованы треки частиц с точками входа в наиболее чувствительные к сбору заряда области в группах NМОП и PМОП транзисторов, которые установлены ранее в работе [9] для мажоритарного элемента по 65-нм КМОП объемной технологии. Моделирование проведено с использованием этих четырех треков для пяти моментов времени возникновения каждого трека относительно начала смены сигналов на входах TMG элемента. Два трека (при 100 и 160 пс) образуются до момента начала переключения TMG по входам при t_ПЕР = 200 пс, трек при 220 пс образуются сразу с изменением сигналов на входах элемента TMG при t_ПЕР = 200 пс и два трека (при 260 и 300 пс) после завершения переключения элемента.

Параметром количественного сопоставления переходных процессов при сборе заряда с каждого из треков при разных моментах времени их возникновения принята длительность нестационарного состояния как элемента И, так и элемента TMG по выходу ИЛИ. Длительность нестационарного состояния t_НЕСТ определялась от момента возникновения трека и начала сбора заряда до завершения переключения на выходах И (ИЛИ). Завершение переключения оценивалось по достижению уровня выходного сигнала, отличающегося на величину отклонения ΔV_ВЫХ = 0.3 В от “идеальных” значений логических уровней “0” и “1”, к которым устанавливался переходный процесс переключения.

В табл. 2 приведены результаты моделирование длительностей нестационарного состояния t_НЕСТ элемента И при треках через элемент И и элемента TMG при треках через элемент ИЛИ с линейным переносом энергии на трек 60 МэВ ∙ см²/мг и с направлением трека по нормали к поверхности приборной части модели (рис. 2).

Графики зависимостей длительностей нестационарного состояния элемента И и элемента TMG в зависимости от момента возникновения трека и начала сбора заряда приведены на рис. 3 для треков с наиболее чувствительными точками входа треков в группах И-НЕ (ИЛИ-НЕ) элементов И (ИЛИ) при переключении входов TMG из “0” в “1”, а также из “1” в “0”.

Рис. 3.

Длительности нестационарных состояний логических КМОП элементов И и ИЛИ в составе мажоритарного элемента TMG в зависимости от момента начала сбора заряда с трека при режиме опережающего переключения и режиме с дополнительной задержкой при сборе заряда с трека при переключения элемента TMG из “0” в “1” и из “1” в “0” для четырех точек входа трека; сплошными линиями даны зависимости с дополнительной задержкой при сборе заряда с трека, штриховыми линиями даны зависимости с опережающим переключением относительно смены входных сигналов; треки с направлением по нормали к поверхности приборной части модели и LET = 60 МэВ ∙ см²/мг.

Зависимости напряжений на таких узлах элемента TMG как выход И, выход ИЛИ, на узлах И-НЕ и ИЛИ-НЕ сохраняются неизменными во времени, но они смещаются при изменении момента образования трека t_ТР. Это смещение происходит относительно момента начала переключения сигналов t_ПЕР = 200 пс на входах A и B элемента TMG. При этом длительности переходных процессов (нестационарных состояний) на выходах И и ИЛИ (TMG) практически не изменяются.

Из анализа результатов моделирования, приведенных в табл. 2 и на рис. 3, следует, что длительность нестационарного состояния элементов при сборе заряда и одновременном переключении по входам TMG зависит от смены конкретной точки входа трека в группу транзисторов при треках с линейным переносом энергии на них 60 МэВ ∙ см²/мг, зависит от входных сигналов, и практически не зависят от момента образования трека при заданном треке и заданных входных сигналах. Это продемонстрировано данными в табл. 2 и графиками на рис. 3 для треков в группы транзисторов И-НЕ и ИЛИ-НЕ элементов И и ИЛИ при переключении элемента TMG по входам из “0” в “1”, а также из “1” в “0”.

3.2. Особенности нестационарных состояний элементов

Можно выделить два основных режима сбора заряда с трека при переключении логического элемента по входам: 1) сбор заряда с трека, образованного до завершения переключения элемента сменой сигналов на входах; 2) сбор заряда с трека после завершения переключения элементов.

Зависимости изменения напряжений на узлах элементов И и ИЛИ для треков с моментами образования при t_ТР = 100, 160, 220, 260 и 300 пс повторяются при TCAD моделировании и имеют одинаковые длительности переходных процессов для конкретных сочетаний трека и изменения входных сигналов элемента TMG (см. табл. 2 и рис. 3). Для иллюстрации особенностей нестационарных состояний элементов И и ИЛИ далее в работе использованы зависимости напряжений во времени на узлах элементов с образованием трека в момент времени t_ТР = 160 пс, что за 40 пс до переключения мажоритарного элемента по входам при t_ПЕР = 200 пс.

Зависимости, характеризующие длительности нестационарных состояний на выходах элементов И и TMG (ИЛИ), делятся на две основные группы. Первая группа – это переходные процессы с опережающим переключением элементов до смены сигналов на входах, вторая группа – это переходные процессы с дополнительной задержкой переключения элементов при сборе заряда с трека.

4.1. Переходные процессы переключения элементов И и ИЛИ

На рис. 4 и 5 приведены зависимости изменения напряжений на узлах элемента И и ИЛИ при сборе заряда с треков в режимах, вызывающих опережающее переключение элементов И и ИЛИ (TMG) при образовании трека в момент времени t_ТР = 160 пс и начале переключения по входам элемента при t_ПЕР = 200 пс. Изменения напряжений на узлах элементов при сборе заряда с трека NМОП транзисторами группы И-НЕ характеризуют зависимости на рис. 4а, а NМОП транзисторами группы ИЛИ-НЕ на рис. 5а. Опережающее переключение элемента TMG при сборе заряда с трека PМОП транзисторами группы И-НЕ характеризуют зависимости на рис. 4б и на рис. 5б при сборе заряда PМОП транзисторами группы ИЛИ-НЕ.

Рис. 4.

Зависимости напряжений на узлах элемента И мажоритарного элемента при опережающем его переключении сбором заряда с трека с LET = 60 МэВ ∙ см²/мг, образование трека при t_ТР = 160 пс, переключение по входам при t_ПЕР = = 200 пс: (а) точка входа трека T_1N в группу Gr1N, переключение из А = B = C = 0 в А = B = 1, C = 0; (б) точка входа трека T_1P в группу Gr1P, переключение из А = B = 1, C = 0 в А = B = C = 0.

Рис. 5.

Зависимости напряжений на узлах элемента ИЛИ мажоритарного элемента при опережающем его переключении сбором заряда с трека с LET = 60 МэВ ∙ см²/мг, образование трека при t_ТР = 160 пс, переключение по входам при t_ПЕР = 200 пс: (а) точка входа трека T_4N в группу Gr4N, переключение из А = B = C = 0 в А = B = 1, C = 0; (б) точка входа трека T_4P в группу Gr4P, переключение из А = B = 1, C = 0 в А = B = C = 0.

В случае треков через запертые NМОП транзисторы групп И-НЕ и ИЛИ-НЕ эти NМОП транзисторы переходят в инверсное смещение, что запирает NМОП транзисторы инверторов, приводя к опережающим переключениям (рис. 4а) сначала элемента И, а затем элемента ИЛИ либо (рис. 5а) элемента ИЛИ, а после входов TMG и элемента И. Запертые NМОП транзисторы инверторов начинают собирать заряд с трека, формируя импульсы отрицательной полярности на выходе элемента И с амплитудой 0.7 В (рис. 4а) и на выходе элемента ИЛИ с амплитудой 0.5 В (рис. 5а) после опережающего переключения. Эти импульсы можно считать продолжением нестационарного состояния длительностью 238 пс на рис. 4а и 200 пс рис. 5а.

Для треков через исходно запертые PМОП транзисторы групп И-НЕ или ИЛИ-НЕ, переходные процессы при опережающем переключении элементов И и ИЛИ (TMG) приведены на рис. 4б и рис. 5б. При треке через группу И-НЕ (рис. 4б) запертые входными сигналами PМОП транзисторы переходят в омический режим смещения с напряжением на стоках 1 В. Это запирает PМОП транзисторы инвертора элемента И и быстро приводит к опережающему переключению элемента И, что переключает элемент ИЛИ (и TMG) до смены сигналов на входах TMG.

В случае элемента ИЛИ на рис. 5б сбор заряда с трека в группу ИЛИ-НЕ осуществляет только один запертый PМОП транзистор P4.3 (рис. 1). Собранного заряда хватает, чтобы зарядить узел ИЛИ-НЕ до напряжения 0.8 В и через инвертор провести опережающее переключении элемента ИЛИ (TMG). Затем узел ИЛИ-НЕ начинает разряжаться через единственный открытый NМОП транзистор N4.3 группы ИЛИ-НЕ. Через 25 пс после опережающего переключения изменяются входные сигналы A = B элемента TMG, которые переключают выход элемента И (рис. 5б).

В случаях сбора заряда PМОП транзисторами после опережающего переключения на выходе элемента TMG образуется небольшой импульс помехи положительной полярности с амплитудой менее 0.2 В (рис. 4б и 5б), что позволяет считать это как отсутствие импульсов помех для влияния на последующие элементы при треках с t_ТР = 260 и 300 пс. Этому соответствуют t_НЕСТ = 0 в табл. 2.

4.2. Длительности интервала времени опережения переключения элементов

Опережающие переключения элементов И и ИЛИ в четырех случаях примеров сбора заряда NМОП транзисторами и PМОП транзисторами групп И-НЕ и ИЛИ-НЕ для случая образования трека при t_ТР = 160 пс начинаются за 40 пс до момента t = 200 пс начала переключения входных сигналов. В случае прохождения трека через запертые NМОП или PМОП транзисторы группы И-НЕ элемента И (см. рис. 4) сразу переключается по выходу элемент И, который переключает элемент ИЛИ. При этом длительность переключения элемента TMG оказывается в пределах 30–35 пс и завершается до начала переключения сигналов на входах TMG.

В случае прохождения трека через запертые NМОП или PМОП транзисторы группы ИЛИ-НЕ (рис. 5) элемент ИЛИ сразу переключается по выходу, а уже затем после переключения сигналов на входах TMG переключается и элемент И. При этом длительность переключения элемента TMG оказывается в пределах 10 пс после возникновения трека и начала сбора с него заряда. Задержка переключения элемента И относительно изменения сигналов A = B на входах TMG в данных случаях не превышает 25 пс (рис. 5а, б) и 10 пс (рис. 5б).

Длительность опережения переключения – это разность моментов возникновения сигналов переключения элемента по входам t_ПЕР и момента возникновения трека t_ТР, приводящего к опережающему переключению элемента, t_{ОП. ПЕР} = = t_ПЕР – t_ТР. Интервал времени опережения переключения уменьшается до нуля при сближении моментов образования трека и возникновения сигналов переключения элемента по входам. Зависимость приведена на рис. 6.

Рис. 6.

Интервал времени от момента начала опережающего переключения элементов И и ИЛИ в составе мажоритарного элемента TMG при сборе заряда с трека относительно момента смены переключающих сигналов на входах элемента в зависимости от момента начала сбора заряда с трека при переключении элемента TMG из “0” в “1” и из “1” в “0” для четырех точек входа трека.

5.1. Переходные процессы переключения элементов И и ИЛИ

На рис. 7 приведены зависимости изменения напряжений на узлах элемента И при сборе заряда с трека в режимах, вызывающих дополнительные задержки при переключении элемента TMG, а на рис. 8 то же на узлах элемента ИЛИ. Зависимости получены при образовании трека в момент t_ТР = 160 пс за 40 пс до сигналов переключения элемента по входам при t_ПЕР = 200 пс. Моделировались треки с линейным переносом энергии на них 60 МэВ ∙ см²/мг и с направлением по нормали к поверхности приборной части модели.

Рис. 7.

Зависимости напряжений на узлах элемента И мажоритарного элемента с дополнительной задержкой переключения при сборе заряда с трека с LET = 60 МэВ ∙ см²/мг, образование трека при t_ТР = 160 пс, переключение по входам при t_ПЕР = 200 пс: (а) точка входа трека T_1N в группу Gr1N, переключение из А = B = 1, C = 0 в А = B = C = 0; (б) точка входа трека T_1P в группу Gr1P, переключение из А = B = C = 0 в А = B = 1, C = 0.

Рис. 8.

Зависимости напряжений на узлах элемента ИЛИ мажоритарного элемента с дополнительной задержкой переключения при сборе заряда с трека с LET = 60 МэВ ∙ см²/мг, образование трека при t_ТР = 160 пс, переключение по входам при t_ПЕР = 200 пс: (а) точка входа трека T_4N в группу Gr4N, переключение из А = B = 1, C = 0 в А = B = C = 0; (б) точка входа трека T_1P в группу Gr4P, переключение из А = B = C = 0 в А = B = 1, C = 0.

Изменения напряжений на узлах элемента И на рис. 7а и на узлах элемента ИЛИ на рис. 8а характеризуют переходные процессы при сборе заряда NМОП транзисторами групп И-НЕ и ИЛИ-НЕ. Дополнительные задержки переключение элемента TMG при сборе заряда PМОП транзисторами групп И-НЕ и ИЛИ-НЕ характеризуют зависимости на рис. 7б для элемента И и на рис. 8б для элемента ИЛИ.

При переключении элементов И (ИЛИ) из состояния “1” в “0” в обоих случаях (рис. 7а и рис. 8а) NМОП транзисторы элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ в исходном состоянии открыты и при сборе заряда переходят в инверсное смещение, а NМОП транзисторы инверторов остаются в исходном запертом состоянии. Запертые NМОП транзисторы инвертора, собирая заряд электронов, диффундировавших до них, вызывают снижение напряжения на выходе как элемента И (рис. 7а), так и элемента ИЛИ (рис. 8а). И только после выхода NМОП транзисторов из инверсного смещения выход элементов И и ИЛИ возвращается в состояние логического нуля “0”.

В случае трека через PМОП транзисторы группы И-НЕ элемента И (рис. 7б) и группы ИЛИ-НЕ элемента ИЛИ (рис. 8б), то до переключения входов элемента TMG из “0” в “1” PМОП транзисторы вначале остаются в открытом состоянии (рис. 7б) или переходят в инверсное смещение (рис. 8б).

При переключении входов элемента TMG в “1” устанавливается запирающее напряжение 1 В на затворах PМОП транзисторов P1.1, P1.2 группы И-НЕ элемента И (схема на рис. 1) и сохраняется напряжение 1 В на узле И-НЕ, т.е. стоках транзисторов P1.1, P1.2 и затворе транзистора P1.3 инвертора (рис. 7б). PМОП транзисторы P1.1–P1.3 оказываются при малых напряжениях на стоковых pn переходах и практически не собирают заряд, который, к тому же незначительно диффундирует к транзистору P1.3 инвертора. В итоге узел И-НЕ медленно разряжается током последовательно соединенных транзисторов N1.1, N1.2, а это изменение напряжения инвертируется на выход элемента И (рис. 7б), пока на выходах элементов И и TMG не устанавливается напряжение 1 В.

В элементе ИЛИ после переключения входов элемента TMG в “1” (рис. 8б) запирается только один транзистор P4.1 из трех PМОП транзисторов группы ИЛИ-НЕ, и открывается только один транзистор N4.1 из трех NМОП транзисторов из группы И-НЕ (схема на рис. 1). Через открытый транзистор N4.1 начинает разряжаться узел ИЛИ-НЕ, понижая напряжение узла, что в итоге обеспечивает рост напряжения на выходе инвертора (выходе элемента ИЛИ и TMG) до 1 В.

5.2. Длительности задержек переключения элементов

Характер и особенности переходных процессов на узлах и длительность нестационарного состояния элемента TMG, приведенные для треков с t_ТР = 160 пс, полностью сохраняются для треков с моментами образования 100 и 220 пс, что получено моделированием средствами TCAD в данной работе (см. табл. 2). Более того, длительности импульсов помех для треков, образованных при t_ТР = 260 и 300 пс после завершения переключения элемента, совпадают с длительностями нестационарных процессов для тех же точек входа треков с той только разницей, что начинается импульс помехи с другого логического уровня после состоявшегося переключения элемента.

В табл. 3 приведены результаты моделирования длительностей задержек переключения t_{ЗД. ПЕР} элементов И и TMG относительно момента начала переключения элемента TMG по входам при треках с линейным переносом энергии 60 МэВ ∙ см²/мг и с направлением по нормали к поверхности модели. Окончание процесса переключения элемента считалось достигнутым при отклонении выходного сигнала ΔV_ВЫХ.0.3 = 0.3 В от идеального уровня “0” или “1” на выходе.

На рис. 9 приведены графики длительностей задержки переключения элементов И и TMG (ИЛИ) t_{ЗД. ПЕР} относительно момента начала переключения по входам TMG при сборе заряда с трека в зависимости от момента возникновения трека и начала сбора заряда для вариантов переключения элемента TMG из “0” в “1” и из “1” в “0”.

Рис. 9.

Длительности задержки переключения логических КМОП элементов И и ИЛИ в составе мажоритарного элемента TMG относительно момента начала переключения по входам TMG при переключении с дополнительной задержкой при сборе заряда с трека в зависимости от момента начала сбора заряда с трека при переключении элемента TMG из “0” в “1” и из “1” в “0” для четырех точек входа трека, треки с направлением по нормали к поверхности приборной части модели и LET = 60 МэВ ∙ см²/мг.

Задержка переключения элемента относительно момента смены сигналов на входах TMG при t_ПЕР = 200 пс оказывается меньше длительности нестационарного состояния элемента на интервал времени между возникновением трека t_ТР и до начала изменения сигналов на входах элемента t_ПЕР, т.е. на величину Δt_{ЗД. ПЕР} = t_ПЕР – t_ТР. Например (табл. 3), для случая t_ТР = 160 пс на рис. 7а длительность задержки переключения t_ЗД.ПЕР будет 50 пс, для случая на рис. 8а будет 563 пс, соответственно 287 пс для рис. 7б и 116 пс для рис. 8б.

При приближении момента появления трека t_ТР к моменту изменения сигналов на входах элемента t_ПЕР длительность задержки переключения увеличивается (рис. 9), приближаясь к длительности нестационарном состоянии t_{ЗД. ПЕР} = t_НЕСТ при совпадении моментов возникновения трека t_ТР и момента смены сигналов переключения t_ТР = = t_ПЕР. Это объясняется тем, что длительность нахождения элемента в нестационарном состоянии, отсчитываемая от момента образования трека практически неизменна для конкретного трека и исходного состояния элемента. Максимальная задержка переключения наблюдается при изменении сигналов на входах непосредственно перед моментом возникновения трека, и определяется как сумма интервала времени смены сигналов на входах TMG и длительности нестационарного состояния элемента для данной точки входа трека и исходного состояния элемента.