1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Микроэлектроника
  4. T. 52, № 6, 2023

Микроэлектроника, 2023, T. 52, № 6, стр. 481-488

Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со

Н. С. Ковальчук 1, С. Б. Ластовский 2, В. Б. Оджаев 3, А. Н. Петлицкий 1, В. С. Просолович 3, *, Д. В. Шестовский 1, В. Ю. Явид 3, Ю. Н. Янковский 3

1 Открытое акционерное общество “ИНТЕГРАЛ” – управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”
220108 Минск, ул. Казинца, 121А, Республика Беларусь

2 Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
220072 Минск, ул. Петруся Бровки, 19, Республика Беларусь

3 Белорусский государственный университет
220050 Минск, пр. Независимости, 4, Республика Беларусь

* E-mail: prosolovich@bsu.by

Поступила в редакцию 10.08.2023
После доработки 10.09.2023
Принята к публикации 10.09.2023

Аннотация

Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости ориентации (100) с ρ = 1000 Ом см, при облучении γ-квантами от источника 60Со. Установлено, что в результате облучения p-i-n-фотодиодов дозами до 2 × 1015 квант/см2 происходит увеличение обратного темнового тока более, чем на порядок. Однако форма кривой зависимости тока от приложенного обратного напряжения облученных p-i-n-фотодиодов качественно не изменяется, как и для исходных приборов имеют место три области с различной зависимостью тока от напряжения: сублинейной, суперлинейной и линейной, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода. Основной причиной возрастания обратного тока p-i-n-фотодиодов в результате облучения γ-квантами является образование генерационно-рекомбинационных центров радиационного происхождения вследствие конденсация первичных радиационных дефектов (вакансий и/или собственных междоузельных атомов) на технологических остаточных дефектах структуры, сформировавшихся как во время выращивания монокристаллов кремния, так и при последующих высокотемпературных обработках в процессе формирования приборов.

Ключевые слова: p-i-n-фотодиод, барьерная емкость, темновой ток, γ-кванты 60Со, радиационные дефекты

Список литературы

  1. Pereira do Carmo J., Moebius B., Pfennigbauer M., Bond R., Bakalski I., Foster M., Bellis S., Humphries M., Fisackerly R., Houdou B. Imaging lidars for space applications // Novel Optical Systems Design and Optimization XI.2008. V. 7061. P. 70610J-01‒70610J-12.

  2. De Carlo P.M., Roberto L., Marano G., L’Abbate M., Oricchio D., Venditti P. // Intersatellite link for earth observation satellites constellation // SPACEOPS, Roma, Italy. 2006. P. 19–23.

  3. Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Филипеня В.А., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н., Мавланов Г.Х., Исмайлов Б.К., Кенжаев З.Т. Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов // Сборник научных трудов II международной научной конференции “Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике”, Ташкент, Узбекистан, 19–20 ноября 2021. Ташкент: ТашГТУ, 2021. С. 24–29.

  4. Sze S.M., Lee M.K. Semiconductor Devices: Physics and Technology. Pub. 3. John Wiley & Sons Singapore Pte. Limited, 2012. 582 p.

  5. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск: Изд-во “Наука”, Сибирское отделение, 1980. 296 с.

  6. Макаренко Л.Ф., Ластовский С.Б., Гаубас Э., Павлов Е., Молл М., Якушевич А.С., Мурин Л.И. Инжекционный отжиг комплекса собственное димеждоузлие–кислород в кремнии p-типа // Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук. 2018. Т. 54. № 2. С. 220–228.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Микроэлектроника

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал