Российские нанотехнологии, 2024, T. 19, № 2, стр. 281-288

Резистивное переключение в нитридных мемристорах: эксперимент

И. С. Езубченко 1, И. А. Черных 1, А. А. Андреев 1, О. А. Кондратьев 1, Н. К. Чумаков 1, В. Г. Валеев 1*

1 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Москва, Россия

* E-mail: valeev_vg@nrcki.ru

Поступила в редакцию 12.12.2023
После доработки 12.12.2023
Принята к публикации 14.12.2023

Аннотация

Изучены особенности резистивного переключения в мемристорах на основе кристаллического нитрида алюминия со структурой вюрцита, выращенные по технологии, разработанной в НИЦ “Курчатовский институт”.

Список литературы

  1. Choi B.J., Yang J.J., Zhang M.X. et al. // Appl. Phys. A. 2012. V. 109. P. 1. https://doi.org/10.1007/s00339-012-7052-x

  2. Banerjee W. // Electronics. 2020. V. 9. № 6. P. 1029. https://doi.org/10.3390/electronics9061029

  3. Zhu J., Zhang T., Yang Y. et al. // Appl. Phys. Rev. 2020. V. 7. № 1. P. 011312. https://doi.org/10.1063/1.5118217

  4. Vigdorovich E.N., Arendarenko A.A., Kharlamov R.V. et al. // Phys. Status Solidi. C. 2005. V. 2. P. 1280. https://doi.org/10.1002/pssc.200460426

  5. Mayboroda I.O., Knizhnik A.A., Grishchenko Yu.V. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. P. 105305. https://doi.org/10.1063/1.5002070

  6. Das P., Biswas D. // J. Nano- and Electronic Physics 2011. V. 3. № 1. P. 0972.

  7. Чумаков Н.К., Белов И.В., Андреев А.А. и др. // Тр. XXVII Междунар. симп. “Нанофизика и наноэлектроника”. Н. Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2023. С. 798.

  8. Lev L.L., Maiboroda I.O., Grichuk E.S. et al. // Phys. Rev. R. 2022. V. 4. P. 013183. https://doi.org/10.1103/PhysRevResearch.4.013183

  9. Szmyd D.M., Hanna M.C., Majerfeld A. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 2376. https://doi.org/10.1063/1.346495

  10. Chumakov N.K., Danilyak M.A., Davydov A.B. et al. // J. Phys.: Conf. Ser. 2021. V. 1758. P. 012007. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1758/1/012007

Дополнительные материалы отсутствуют.