Неорганические материалы, 2019, T. 55, № 12, стр. 1298-1304

Синтез и люминесцентные свойства оксонитрида алюминия, активированного ионами Tb3+

Н. С. Ахмадуллина 1*, А. В. Ищенко 2, В. В. Ягодин 2, А. С. Лысенков 1, В. П. Сиротинкин 1, Ю. Ф. Каргин 1, Б. В. Шульгин 2

1 Институт металлургии и материаловедения имени А.А. Байкова Российской академии наук
119991 Москва, Ленинский пр., 49, Россия

2 Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина
620002 Екатеринбург, пр. Мира, 19, Россия

* E-mail: nakhmadullina@mail.ru

Поступила в редакцию 15.05.2019
После доработки 14.06.2019
Принята к публикации 04.07.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Приведены экспериментальные результаты по синтезу и люминесцентным свойствам оксонитрида алюминия состава Al5O6N, активированного ионами Tb3+ в диапазоне концентраций 0.025–0.5 ат. %. Все образцы, полученные обжигом смесей заданного состава в атмосфере азота при 1600°С, представляют собой преимущественно однофазный γ-ALON (Al5O6N) с незначительным содержанием примесных фаз оксонитрида алюминия Al7O3N5 и алюмината тербия Tb3Al5O12. В спектрах импульсной катодолюминесценции и фотолюминесценции обнаруживаются типичные для ионов Tb3+ полосы свечения. Концентрационный порог тушения люминесценции отвечает концентрации Tb3+ на уровне 0.4 ат. %. В Al5O6N:Tb3+ обнаружен и обсужден эффект кросс-релаксации в ионах Tb3+. Показана неоднородность спектров фотолюминесценции при малой концентрации Tb3+ в Al5O6N.

Ключевые слова: оксонитрид алюминия, синтез, активирование Tb3+, импульсная катодолюминесценция, фотолюминесценция

ВВЕДЕНИЕ

Оксонитрид алюминия Al(64 +x)/3[VAl]8 − 3xO32 −xNx (ALON) – твердый раствор со структурой шпинели с широкой областью гомогенности – привлекает внимание исследователей как материал с выдающимися физико-механическими свойствами и высокой термической и химической стабильностью [1, 2]. Среди множества применений оксонитрида алюминия особо можно выделить два – получение прозрачной керамики (в том числе для прозрачной брони) [3] и использование в качестве матрицы люминофоров для производства светодиодов, в том числе светодиодов белого света (WLED – white light-emitting diodes) [4].

По сравнению с традиционными лампами накаливания и люминесцентными лампами с подсветкой WLED демонстрируют более длительные сроки службы, высокую светоотдачу, низкое энергопотребление, а кроме того, они более экологичны [57]. В настоящее время коммерчески доступные WLED могут быть изготовлены путем комбинации чипа InGaN с эмиссией в синем диапазоне спектра и желтого люминофора Y3Al5O12 (YAG:Ce) [8]. Однако этот тип WLED имеет некоторые недостатки, такие как низкий индекс цветопередачи и высокая коррелированная цветовая температура (КЦТ) из-за отсутствия достаточного излучения в области больших длин волн (красной области) [9, 10]. Для решения этой проблемы были созданы WLED на основе трехцветных люминофоров и светодиодов, излучающих в ближней УФ-области. Этот подход считается наиболее перспективным, такие WLED демонстрируют отличную цветопередачу и низкую КЦТ при высокой эффективности [11, 12], при этом актуальным является поиск новых люминесцентных материалов, обеспечивающих свечение в красной, синей и зеленой областях спектра.

На основе ALON могут быть получены люминофоры с эмиссионными характеристиками в широком спектральном диапазоне. Для этого, как правило, γ-ALON (Al5O6N) легируется ионами редкоземельных металлов. Наиболее распространены ALON, активированные ионами Eu2+ и Ce3+ [13, 14], в том числе с добавкой ионов некоторых переходных и непереходных металлов [15, 16]. В последнее время активно изучаются люминесцентные свойства ALON, легированного ионами Tb3+, которые позволяют получать люминофоры со свечением в зеленой области спектра. Так, в работе [17] изучены свойства Al5O6N, активированного Tb3+ и Tb3+/Ce3+, приготовленного восстановительным азотированием смесей оксидов Al2O3, CeO2 и Tb4O7 и нитрида алюминия AlN. Авторы установили, что в образцах Al5O6N:Ce3+ концентрационное тушение фотолюминесценции (ФЛ) начинается при концентрации Ce3+ свыше 1 ат. %, в то время как для Tb3+ критическая концентрация составляет 0.5 ат. %. В спектрах поглощения Al5O6N:Tb3+ наблюдаются 2 основных полосы при 270 и 300 нм, отвечающие спин-разрешенному переходу 4f  8 → 4f  75d1 в ионе Tb3+. В спектре излучения имеются 4 узкие интенсивные полосы, соответствующие переходам с 5D4-уровня на уровни 7F6 (485 нм), 7F5 (543 нм), 7F4 (580 нм) и 7F3 (619 нм) в ионе Tb3+ [18]. В спектрах Al5O6N, активированных одновременно Ce3+ (1 ат. %) и Tb3+ (0.2–3 ат. %), полоса излучения Ce3+ имеет сниженную интенсивность, при этом интенсивность полос Tb3+ заметно возрастает, что указывает на эффективный перенос энергии от Ce3+ к Tb3+. Эффективность переноса достигает 98%, наиболее вероятным механизмом является перенос за счет диполь-дипольных взаимодействий.

ФЛ Al5O6N, активированного ионами Eu2+ и Tb3+, изучена в [19]. Изучались образцы, содержащие 0.2 ат. % Eu2+ и 0.05–0.5 ат. % Tb3+, приготовленные азотированием смесей оксидов Al2O3, CeO2 и Tb4O7 и металлического алюминия. Структура спектров поглощения и излучения, обусловленных Tb3+, аналогична описанной выше. Основное отличие между Al5O6N, активированным Ce3+/Tb3+ и Eu2+/Tb3+, заключается в том, что даже при достижении концентрации Tb3+ 0.5 ат. % интенсивность полосы свечения Eu2+ сопоставима с интенсивностью полос Tb3+, в то время как в случае Ce3+/Tb3+ интенсивность полосы свечения Ce3+ резко падает уже при концентрации Tb3+ 0.1 ат. %. Исследования показали, что основной механизм переноса энергии от Eu2+ к Tb3+ также основан на диполь-дипольных взаимодействиях, однако эффективность переноса не превосходит 24%, т.е. намного ниже, чем в случае пары Ce3+/Tb3+. Таким образом, Ce3+ является более эффективным активатором по сравнению с Eu2+ для ионов Tb3+ в матрице Al5O6N.

Цель настоящей работы – синтез образцов Al5O6N, активированного ионами Tb3+ (0.025–0.5 ат. %), оптимизированным методом, позволяющим исключить длительное перемалывание исходных компонентов, снизить температуру термической обработки и исключить использование повышенного давления азота, и изучение их люминесцентных свойств при возбуждении электронным пучком и светом в УФ-диапазоне.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Исходные вещества и стандартные методы. В качестве исходных компонентов для синтеза образцов ALON, легированных Tb3+, использовали изопропоксид алюминия Al(OiPr)3 квалификации “х. ч.” (Fluka), оксид европия Еu2O3 “х. ч.”, оксид тербия Tb2O3 “х. ч.” (Sigma Aldrich), моногидрат лимонной кислоты “х. ч.” и нитрид алюминия AlN, синтезированный методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в ИСМ РАН (г. Черноголовка). Нитрид алюминия AlN (технический порошок нитрида алюминия для клеев и герметиков) имеет состав (мас. %): N2 ≥ 33.0, O2 ≤ 1.2, Fe ≤ 0.1, С ≤ 0.05; содержание основного вещества не менее 96%. В качестве растворителей использовали дистиллированную воду и изопропанол квалификации “х. ч.” без дополнительной очистки.

Синтез ALON:Tb3+. 4.08 г изопропоксида алюминия Al(OiPr)3 (20 ммоль) растворяли в 25 мл изопропанола и порциями прибавляли вначале 25–30 мл воды, а затем раствор 1.88 г лимонной кислоты (10 ммолей) и 32 мг Mg(CH3CO2)4 ∙ 4H2O (0.15 ммоля) в 10 мл воды. Полученный гель высушивали при температуре 60°С в течение 8 ч и обжигали при 750°С 3 ч. К образовавшемуся порошку белого цвета добавляли 0.164 г нитрида алюминия AlN (4 ммоля) и соответствующее количество оксида тербия Tb2O3. Смесь обжигали в токе азота при температуре 1600°С в течение 2 ч, после чего давали остыть естественным путем.

Рентгенофазовый анализ. Фазовый состав исходных порошков и полученных керамических образцов устанавливали методом рентгенофазового анализа (РФА, дифрактометр Ultima IV фирмы Rigaku (Япония), CuKα-излучение, никелевый фильтр, высокоскоростной детектор D/teX). Данные по РФА образцов обобщены в табл. 1.

Таблица 1.  

Фазовый состав образцов ALON:Tb3+ по данным дифракции рентгеновского излучения

Содержание Tb3+, ат. % Фазовый состав
основная фаза примесные фазы
0.025 γ-ALON Al7O3N5
0.1 γ-ALON Tb3Al5O12
0.2 γ-ALON Tb3Al5O12*, Al7O3N5*
0.4 γ-ALON TbAlO3
0.5 γ-ALON Tb3Al5O12, Al7O3N5

* Содержание немного выше, чем в других образцах.

Электронная микроскопия. Изображения растровой электронной микроскопии (РЭМ) получены с помощью растрового электронного микроскопа Carl Zeiss NVision 40 при ускоряющем напряжении 1 кВ.

Спектры импульсной катодолюминесценции (ИКЛ) и ФЛ. Измерения спектров ИКЛ образцов проведены с использованием установки КЛАВИ-Р (производства Института электрофизики УрО РАН). Возбуждение люминесценции осуществлялось с помощью импульсной электронной пушки РАДАН-ЭКСПЕРТ (U = 150 кэВ, τи = 2 нс, J = 150 А/см2), регистрация ИКЛ осуществлялась с применением монохроматора Shamrock SR-303i c ПЗС-камерой Andor Newton EMCCD 970 (НОЦ Нанотех, УрФУ). Регистрация спектров ФЛ и возбуждения ФЛ (ВФЛ) проводилась с использованием спектрофотометра Perkin Elmer LS-55 с возбуждением от импульсной ксеноновой лампы. Спектры ВФЛ измерялись с учетом спектральных характеристик источника возбуждения. Регистрация ФЛ и ИКЛ проведена при 300 К. Для измерений готовили образцы массой 0.005 г.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Синтез и фазовый состав образцов оксонитрида алюминия, легированного Tb3+. Синтез Al5O6N:Tb3+ осуществляли термической обработкой гомогенизированных смесей Al2O3, Tb2O3 и AlN при 1600°С в атмосфере азота. Оксид алюминия получали непосредственно перед использованием золь–гель-методом путем кислотного гидролиза изопропоксида алюминия Al(iPrO)3 в присутствии лимонной кислоты с добавлением небольшого количества Mg2+ (0.3 ат. % в пересчете на Al5O6N). Получаемый ксерогель отжигали в течение 6 ч при температуре 750°С. Добавка ионов Mg2+ позволяет сформировать зародыши структуры шпинели, которые в дальнейшем становятся центрами кристаллизации Al5O6N, имеющего тот же структурный тип. В совокупности с развитой поверхностью полученного Al2O3 это позволяет повысить реакционную способность последнего в отношении AlN и Tb2O3, благодаря чему удалось снизить температуру конечного отжига до 1600°С против 1700–1750°С [20], а также избежать необходимости предварительно измельчать компоненты. Ранее этот подход был использован нами для синтеза Al5O6N, допированного Eu2+, Ce3+ и Eu2+/Ce3+ [13, 14]. Дифрактограммы полученных образцов показывают, что основной фазой во всех случаях является γ-ALON (табл. 1, рис. 1). В некоторых образцах также идентифицируется незначительное количество фазы оксонитрида Al7O3N5, обогащенного азотом. При концентрации тербия 0.1 ат. % и выше наблюдаются фазы алюминатов тербия – перовскита TbAlO3 и граната Tb3Al5O12, их содержание также невелико (рис. 1). Образование фаз алюминатов РЗЭ связано с их весьма ограниченной растворимостью в оксонитриде алюминия из-за существенных различий ионных радиусов РЗЭ и Al3+.

Рис. 1.

Дифрактограммы образцов ALON, активированных ионами Tb3+ с концентрацией 0.025 (а) и 0.5 ат. % (б).

Микроскопическое исследование образцов показало, что порошки Al5O6N:Tb3+ состоят преимущественно из хорошо сформированных микрокристаллитов оксонитрида алюминия с четкими гранями характерной гексагональной формы (рис. 2). Размер большинства кристаллитов лежит в диапазоне 5–10 мкм. Высокая степень кристалличности, наблюдаемая на полученных изображениях, хорошо согласуется с узкими четкими дифракционными максимумами на дифрактограммах образцов.

Рис. 2.

РЭМ-изображения образцов Al5O6N:Tb3+.

Люминесцентные свойства Tb3+-активированного оксонитрида алюминия. Спектры ИКЛ полученных образцов Al5O6N:Tb3+ с концентрацией тербия от 0.025 до 0.5 ат. % представлены на рис. 3. При низких концентрациях ионов Tb3+ (0.025 ат. %) в спектрах ИКЛ проявляются 2 широкие полосы с максимумами в районе 400 и 595 нм (3.26 и 2.08 эВ), которые можно отнести к люминесценции дефектов в примесной фазе AlN [21]. В остальных образцах примесь AlN отсутствует либо содержится в незначительном количестве, поэтому в спектрах ИКЛ данные полосы не наблюдаются.

Рис. 3.

Спектры испускания ИКЛ образцов Al5O6N:Tb3+ с концентрацией Tb3+ от 0.025 до 0.5 ат. %.

В спектрах ИКЛ всех исследованных образцов наблюдается серия узких полос с максимумами 335, 355, 380, 415, 438, 457, 488, 541, 586 и 621 нм. Указанные полосы можно разделить на три подгруппы. Полосы с максимумами 335 и 355 нм не относятся к свечению образцов, а принадлежат излучению молекулярного азота N2 в воздухе, возбуждаемому мощным импульсным электронным пучком. Остальные полосы люминесценции можно отнести к внутрицентровым электронным переходам в ионах Tb3+. В частности, полосы люминесценции с максимумами 488, 541, 586 и 621 нм соответствуют переходам 5D47FJ, J = 6, 5, 4 и 3 соответственно, а полосы с максимумами 380, 415, 438 и 457 нм – к 5D37FJ, J = 6, 5, 4 и 3 [22, 23]. Наибольшую интенсивность в спектрах ИКЛ среди указанных полос имеет полоса с максимумом около 541 нм, отвечающая переходу 5D47F5.

Анализ зависимости интенсивности свечения ИКЛ образцов Al5O6N:Tb3+ от концентрации ионов Tb3+ показал, что максимальная интенсивность свечения образцов достигается при концентрации активатора 0.25–0.4 ат. % (рис. 4). Появление примесных фаз Tb3Al5O12 и TbAlO3 в образцах снижает реальную концентрацию тербия в ALON, поэтому зависимость на рис. 4 является оценочной.

Рис. 4.

Зависимость интенсивности свечения ИКЛ ALON:Tb3+ от концентрации тербия.

Спектры ФЛ и ВФЛ измерены для всех исследованных образцов ALON, однако в данной работе представлены лишь наиболее интересные для обсуждения спектры, полученные для образцов с содержанием Tb3+ 0.1 и 0.4 ат. % (рис. 5а и 5б соответственно). Образец ALON:0.1 ат. % Tb характеризуется наименьшим содержанием примесных фаз, поэтому изучение спектров ФЛ и ВФЛ этого образца представляет наибольший интерес. В спектрах ФЛ образца ALON:0.1 ат.% Tb (рис. 5а) наблюдаются все зарегистрированные для ионов Tb3+ в спектрах ИКЛ полосы (рис. 3), а также дополнительная неразрешенная в ИКЛ полоса с максимумом 470 нм, относящаяся к переходу 4D57F5. В спектрах ВФЛ образца ALON:0.1 ат. % Tb (рис. 5а) обнаруживается ряд полос с максимумами при 220, 230, 260 и 285 нм, которые можно отнести к 4f  8 → 4f  75d1-переходам в ионах Tb3+.

Рис. 5.

Спектры ФЛ и ВФЛ образцов Al5O6N:Tb3+ с концентрацией Tb3+ 0.1 (а) и 0.4 ат. % (б): 1, 2 – спектры ФЛ при возбуждении в 231 и 220 нм; 3, 4 – спектры ВФЛ для полос люминесценции в 543 и 415 нм; 5, 6 – спектры ФЛ при возбуждении в 233 и 270 нм; 7 – спектр ВФЛ для полосы люминесценции 543 нм (стрелками отмечены полосы возбуждения и люминесценции, для которых проводилась регистрация спектров ФЛ и ВФЛ).

В спектрах ФЛ и ВФЛ наблюдаются следующие особенности. Видно, что в зависимости от длины волны возбуждения вероятности электронных переходов 5D47FJ и 5D37FJ отличаются при возбуждении в полосы 220 и 230 нм (см. рис. 5а, кривые 1 и 2). Аналогичным образом ведут себя и спектры ВФЛ. При регистрации спектров ВФЛ для полос 543 и 415 нм (полосы с максимальной интенсивностью свечения из серии переходов 5D47FJ и 5D37FJ соответственно) профиль спектров изменяется. Доминирующей в спектрах ВФЛ для переходов 5D47FJ становится полоса с максимумом при 220 нм, а для переходов 5D37FJполоса с максимумом при 230 нм (рис. 5а, кривые 3 и 4).

Спектры ФЛ и ВФЛ образца ALON:0.4 ат. % Tb подобны таковым для образца с 0.1 ат. % Tb (рис. 5), однако имеется ряд существенных отличий. Спектр ВФЛ образца ALON:0.4 ат. % Tb (рис. 5б, кривая 7) также обусловлен 4f   8 → 4f  75d1-переходами (спин-разрешенный переход 7F67DJ) в ионах Tb3+ и отличается наличием интенсивной полосы возбуждения с максимумом 270 нм, относящейся к спин-запрещенному переходу 7F69DJ, и широкой бесструктурной областью в диапазоне 300–400 нм. Узкие полосы люминесценции в спектрах ФЛ ALON:0.4 ат. % Tb также обусловлены переходами 5D47FJ и 5D37FJв ионах Tb3+. Широкая полоса с максимумом в районе 400 нм может принадлежать люминесценции примеси AlN [24], которая начинает эффективно возбуждаться ниже 250 нм.

Указанные выше различия в спектрах ФЛ и ВФЛ образцов ALON:0.1 ат. % Tb и ALON:0.4 ат. % Tb (рис. 5) могут быть связаны с эффектом кросс-релаксации заряда (5D3,7F65D4,7F0) [22, 24] между близлежащими ионами Tb3+ в матрице ALON. Однако между описанными в указанных работах эффектами и нашими экспериментальными данными имеются различия. Обычно эффект кросс-релаксации наблюдается при последовательном увеличении концентрации ионов активатора в матрице. При этом с уменьшением расстояния между ионами активатора вероятность безызлучательного взаимодействия Tb3+–Tb3+ увеличивается и наблюдается перераспределение интенсивности люминесценции переходов 5D4 7FJ и 5D3 7FJ. Так, при увеличении концентрации активатора относительная интенсивность люминесценции переходов 5D4 7FJ растет, а 5D3 7FJуменьшается. Данный эффект хорошо заметен на рис. 5 (кривые 2 и 6). При небольших концентрациях Tb3+ в спектрах люминесценции обычно превалируют переходы 5D37FJ [24]. Однако в наших экспериментах в спектрах ФЛ образца ALON:0.1 ат. % Tb наблюдаются два разных случая, описанные выше (рис. 5а, кривые 1 и 2). Также в работах, посвященных исследованию эффектов кросс-релаксации в ионах Tb3+, не описаны существенные изменения спектров ФЛ и ВФЛ образцов с малой концентрацией Tb3+ при незначительной вариации длины волны возбуждения в полосе 7F67DJ. Мы полагаем, что поведение спектров ФЛ и ВФЛ, проиллюстрированное на рис. 5а, может быть обусловлено наличием в структуре шпинели ALON двух неэквивалентных позиций ионов Al3+ (с тетраэдрическим и октаэдрическим окружением) и случайным распределением ионов O2– и N3– в анионных узлах кристаллической решетки ALON. Благодаря такому структурному разнообразию и тому, что ионный радиус Tb3+ существенно превосходит радиус Al3+, возможно, в ALON создаются условия для формирования обособленных и близкорасположенных парных вариантов расположения ионов Tb3+, что и приводит к эффектам, наблюдаемым на рис. 5. Дополнительное влияние на спектры ФЛ и ВФЛ могут оказывать дополнительные фазы TbAlO3 и Tb3Al5O12.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Комбинацией золь–гель-метода и термической обработки ксерогелей при температуре 1600°С в атмосфере азота выполнен синтез люминофора зеленого света на основе γ-ALON (Al5O6N), активированного ионами Tb3+ в диапазоне концентраций 0.025–0.5 ат. %. Таким образом была исключена стадия перемалывания исходных компонентов, снижена температура термической обработки (на 100–150°С по сравнению с обычно используемой) и устранена необходимость создания избыточного давления азота, что позволяет сократить энергетические затраты на изготовление материалов.

Люминесцентные свойства полученных образцов люминофоров изучены при комнатной температуре при возбуждении электронным пучком и УФ-светом. Показано, что в спектрах ФЛ и ИКЛ ALON:Tb наблюдаются характерные для ионов Tb3+ полосы свечения. Максимальная интенсивность свечения обнаруживается у образцов, содержащих 0.2–0.4 ат. % Tb. Обнаружен эффект кросс-релаксации в ионах Tb3+ в матрице ALON.

Полученные данные указывают на перспективность применения люминофоров Al5O6N:Tb3+ в качестве компонентов для источников света и конверторов УФ-излучения в видимый диапазон спектра.

Список литературы

  1. Swab J.J., LaSalvia J.C., Gilde G.A., Patel P.J., Motyka M.J. Transparent Armor Ceramics: AlON and Spinel // Ceram. Eng. Sci. Proc. 1999. V. 20. P. 79–84.

  2. Maguire E.A., Rawson J.K., Tustison R.W. Aluminum oxynitride’s resistance to impact and erosion // Proc. SPIE. 1994. V. 2286. P. 26–32.

  3. McCauley J.W., Patel P. ALON: A Brief History of Its Emergence and Evolution // J. Eur. Ceram. Soc. 2009. V. 29. P. 223–236.

  4. Kargin Yu.F., Akhmadullina N.S., Solntsev K.A. Ceramic Materials and Phosphors Based on Silicon Nitride and SiALON // Inorg. Mater. 2014. V. 50. № 13. P. 1325–1342.

  5. Shang M., Geng D., Yang D., Kang X., Zhang Y., Lin J. Luminescence and energy transfer properties of Ca2Ba3(PO4)3Cl and Ca2Ba3(PO4)3Cl:A (A = = Eu2+/Ce3+/Dy3+/Tb3+) under UV and Low-Voltage Electron Beam Excitation // Inorg. Chem. 2013. V. 52. P. 3102–3112.

  6. Liu H., Luo Y., Mao Z., Liao L., Xia Z. A Novel Single-Composition Trichromatic White-Emitting Sr3.5Y6.5O2(PO4)1.5(SiO4)4.5:Ce3+/Tb3+/Mn2+ Phosphor: Synthesis, Luminescent Properties and Applications for White LEDs // J. Mater. Chem. C. 2014. V. 2. № 9. P. 1619–1627.

  7. Lin C.C., Liu R.S. Advances in Phosphors for Light-Emitting Diodes // J. Phys. Chem. Lett. 2011. V. 11. P. 1268–1277.

  8. Yamamoto H. White LED Phosphors: the Next Step // Proc. SPIE. 2010. V. 7598. P. 08–14.

  9. Bachmann V., Ronda C., Meijerink A. Temperature Quenching of Yellow Ce3+ Luminescence in YAG:Ce // Chem. Mater. 2009. V. 21. № 10. P. 2077–2084.

  10. Sanlter A.A. Phosphors for LED-Based Solid-State Lighting // Electrochem. Soc. Interface. 2009. V. 18. P. 32–36.

  11. Xia Z.G., Wang X.M., Wang Y.X., Liao L.B., Jing X.P. Synthesis, Structure, and Thermally Stable Luminescence of Eu2+-Doped Ba2Ln(BO3)2Cl (Ln = Y, Gd and Lu) Host Compounds // Inorg. Chem. 2011. V. 50. P. 10134–10142.

  12. Zhu G., Wang Y., Ci Z., Liu B., Shi Y., Xin S. Ca5La5(SiO4)3(PO4)3O2:Ce3+, Mn2+: a Color-Tunable Phosphor with Efficient Energy Transfer for White Light-Emitting Diodes // J. Electrochem. Soc. 2011. V. 158. P. J236–J242.

  13. Ахмадуллина Н.С., Лысенков А.С., Ашмарин А.А., Каргин Ю.Ф., Ищенко А.В., Ягодин В.В., Шульгин Б.В. Eu2+- и Ce3+-допированные алоны: влияние концентрации допанта на фазовый состав и люминесцентные свойства // Неорган. материалы. 2015. Т. 51. № 5. С. 529–537.

  14. Akhmadullina N.S., Lysenkov A.S., Ashmarin A.A., Baranchikov A.E., Ishchenko A.V., Yagodin V.V., Shul’gin B.V., Kargin Yu.F. Synthesis and Luminescence Properties of Eu2+- and Ce3+-Doped AlONs // Ceram. Int. 2016. V. 42. P. 286–293.

  15. Dong Q., Yang F., Cui J., Ming H., Du F., Peng J., Tian Y., Yang S., Ye X. Small Thermal Quenching, Narrow Green Emitting γ -AlON: Ce3+, Mn2+ Phosphor: Luminescence and Energy Transfer // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2018. V. 7. № 12. P. R215–R223.

  16. Yin L.J., Xu X. Synthesis and Photoluminescence of Eu2+–Mg2+ co-Doped γ-AlON Phosphors // Mater. Lett. 2009. V. 63. P. 1511–1513.

  17. Hu W.-W., Zhu Q.-Q., Hao L.-Y., Xu X., Agathopoulos S. Luminescence Properties and Energy Transfer in Al5O6N:Ce3+,Tb3+ Phosphors // J. Lumin. 2014. V. 149. P. 155–158.

  18. Chiu Y.-C., Liu W.-R., Yeh Y.-T., Jang S.-M., Chen T.-M. Luminescent Properties and Energy Transfer of Green-Emitting Ca3Y2(Si3O9)2:Ce3+,Tb3+ Phosphor // J. Electrochem. Soc. 2009. V. 156. P. J221–J225.

  19. Zhang J., Ma C., Wen Z., Du M., Long J., Ma R., Yuan X., Li J., Cao Y. Photoluminescence and Energy Transfer Properties of Eu2+ and Tb3+ Co-Doped Gamma Aluminum Oxynitride Powders // Opt. Mater. 2016. V. 58. P. 290–295.

  20. Ma F.Z., Lei J.X., Shi Y., Xie J.J., Lei F. Synthesis of Submicron AlON Powder by Wet Chemical Processing” // Adv. Mater. Res. 2013. V. 624. P. 42–46.

  21. Trinkler L., Berzina B. Recombination Luminescence in Aluminum Nitride Ceramics // Phys. Status Solidi B. 2014. V. 251. № 3. P. 542–548.

  22. Cavalli E., Boutinaud P., Mahiou R., Bettinelli M., Dorenbos P. Luminescence Dynamics in Tb3+-Doped CaWO4 and CaMoO4 Crystals // Inorg. Chem. 2010. V. 49. № 11. P. 4916–21.

  23. Baklanova Y.V., Maksimova L.G., Denisova T.A., Tyutyunnik A.P., Zubkov V.G. Synthesis and Luminescence Properties of Tb3+ and Dy3+ Doped Li7La3Hf2O12 with Tetragonal Garnet Structure // Optical Materials. 2019. V. 87. P. 122–126.

  24. Han B., Liang H., Huang Y., Tao Y., Su Q. Vacuum Ultraviolet−Visible Spectroscopic Properties of Tb3+ in Li(Y,Gd)(PO3)4: Tunable Emission, Quantum Cutting, and Energy Transfer // J. Phys. Chem. C. 2010. V. 114. № 14. P. 6770–6777.

Дополнительные материалы отсутствуют.