Неорганические материалы, 2019, T. 55, № 9, стр. 933-940

Синтез магнетронным распылением и структура тонких пленок арсенида кадмия

А. В. Кочура 1, В. С. Захвалинский 2, Зо Хтет Аунг 1, А. И. Риль 3*, Е. А. Пилюк 2, А. П. Кузьменко 1, Б. А. Аронзон 45, С. Ф. Маренкин 36

1 Юго-Западный государственный университет
305040 Курск, ул. 50 лет Октября, 94, Россия

2 Белгородский государственный национальный исследовательский университет
308015 Белгород, ул. Победы, 85, Россия

3 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук
119991 Москва, Ленинский пр., 31, Россия

4 Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
119991 Москва, Ленинский пр., 53, Россия

5 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
123182 Москва, пл. Академика Курчатова, 1, Россия

6 Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”
119991 Москва, Ленинский пр., 4, Россия

* E-mail: ril_alexey@mail.ru

Поступила в редакцию 22.02.2019
После доработки 19.04.2019
Принята к публикации 22.04.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Методом магнетронного распыления синтезированы тонкие (~50 нм) пленки арсенида кадмия на подложках монокристаллического кремния и лейкосапфира. Методами РФА, СЭМ, АСМ и КРС установлено, что состав пленок соответствовал стехиометрии Сd3As2. Пленки кроме фазы α-Cd3As2 содержали незначительное количество фазы α'-Cd3As2. При отжиге 520 К наблюдалась рекристаллизация с образованием текcтурированных пленок с осью [112] на подложках из монокристаллического кремния. Области когерентного рассеяния в отожженных пленках, рассчитанные по уравнению Дебая–Шеррера, составили ~30 нм.

Ключевые слова: тонкие пленки, магнетронное распыление, арсенид кадмия, удельное электросопротивление, отрицательное магнетосопротивление, структурный фазовый переход

ВВЕДЕНИЕ

Вещества, в которых энергетический спектр электронов содержит состояния, топологически защищенные в k-пространстве, обладают рядом замечательных свойств, таких как аномально высокие подвижность носителей заряда и проводимость, квантовые эффекта Холла и магнитоэлектрический эффект, а также связанными с ними киральными эффектами. За последнее десятилетие было обнаружено несколько десятков веществ с топологическими состояниями [1]. Среди этих материалов узкозонный полупроводник арсенид кадмия (Cd3As2) с инвертированным строением энергетических зон и наивысшей среди неструктурированных полупроводников и полуметаллов подвижностью носителей заряда (до 10 м2/(Вс)) выделяется химической стабильностью, низкой токсичностью и хорошей технологичностью, заключающейся в наличии достаточно проработанных методик его синтеза относительно недорогими методами [2]. Недавно по результатам теоретических [3] и экспериментальных [4, 5] исследований было установлено, что Cd3As2 относится к особому классу топологических изоляторов – дираковским полуметаллам, в которых носители заряда – дираковские фермионы – имеют нулевую эффективную массу и подчиняются релятивистским законам движения. Подобные системы рассматриваются как некий аналог трехмерного графена, а потому представляют значительный интерес с точки зрения как фундаментальной науки, так и потенциальных приложений.

Так, в монокристаллах Cd3As2 недавно были экспериментально обнаружены: наличие осцилляций Шубникова–де Гааза [5], гигантское линейное магнетосопротивление [6, 7], генерация фото-ЭДС на контакте металл–нанокристалл Cd3As2 [8], нетривиальный фотоэлектромагнитный эффект [9]. Крайне высокие значения подвижностей носителей заряда в Cd3As2, а также сверхмалое время отклика (6.9 пс) на падающее электромагнитное излучение [10] делают этот материал перспективным для использования в различных электронных устройствах, в том числе работающих в терагерцевом диапазоне [10, 11], а в работе [12] предсказана возможность создания высокоэффективного термоионного генератора на основе Cd3As2. Недавно была продемонстрирована высокая перспективность применения гетероструктур Cd3As2/пентацен в качестве высокочувствительных широкодиапазонных (0.45–10.6 мкм) приемников оптического излучения, функционирующих при комнатной температуре [13], и Cd3As2/графен – в устройствах спинтроники [14].

Выращенные различными методами пленки Cd3As2 и твердые растворы на его основе имели разную структуру: аморфную [15, 16], поликристаллическую [1719] и монокристаллическую [20, 21]. Недавно в высококачественных эпитаксиальных пленках Cd3As2 были обнаружены эффекты, связанные с наличием топологических состояний дираковского полуметалла [2224]. Проблема получения таких пленок заключается в достаточно сильной зависимости их структуры и состава от условий напыления, например, от температуры подложки и скорости испарения мишени при использовании методов термического и лазерного испарения [1618, 25].

В настоящей работе для напыления пленок Cd3As2 был применен магнетронный метод, поскольку он отличается достаточно равномерным распылением различных атомов мишени и слабой зависимостью процесса роста пленки от разницы давления их паров. В литературе нет сведений о получении пленок и структур на основе арсенида кадмия подобным методом.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Тонкие пленки арсенида кадмия были получены методом высокочастотного магнетронного нереактивного напыления в атмосфере аргона. Мишень изготавливалась из предварительно синтезированных монокристаллов Cd3As2 малых размеров (не более 3 мм). Синтез таких кристаллов осуществлялся в два этапа. На первом этапе использовалось прямое сплавление исходных компонентов при температуре, на 100 К превышающей температуру плавления Cd3As2 (Тпл = 994 К) [26]. Навески особо чистых порошков Сd (99.999%) и As (99.99%), взятых в стехиометрическом соотношении, помещались в графитизированные кварцевые ампулы, откаченные до давлений p < < 0.01 Па. Длительность синтеза составляла 10 ч с последующим медленным охлаждением в градиенте печи до комнатной температуры. На втором этапе полученный материал подвергался сублимации в вакууме. Он помещался в двойную кварцевую ампулу (внешняя ампула служила вакуумным чехлом, предотвращающим окисление материала в случае повреждения внутренней ампулы при охлаждении), вакуумировался и подвергался перегонке в паровой фазе в горизонтальной двухзонной печи. Температура в зоне испарения составляла 945 К, а в зоне осаждения 773 К. В зоне осаждения происходил рост монокристаллов, из которых были отобраны тригональные кристаллы, имеющие характерную для микрокристаллов полиморфной модификации α-Cd3As2 (пр. гр. I41cd) форму в виде пирамид и призм [8].

Напыление тонких пленок Cd3As2 проводилось в вакуумной системе ВН-2000, оснащенной приставкой ВЧ-магнетронного нереактивного напыления. В качестве подложек использовались монокристаллические полированные ориентированные пластины кремния p-Si(100) (ρ = 2 Ом см) и лейкосапфира α-Al2O3(001). Следует отметить, что кристаллографические плоскости (0001) α-Al2O3 и (224) α-Cd3As2 структурно близки – расхождение их усредненного межатомного (межузельного) расстояния 6% (4.75 и 4.49 Å соответственно) [18], что является предпосылкой для получения ориентированных пленок. Для различных ориентаций такого совпадения кристаллической структуры Si и Cd3As2 не наблюдается, поэтому удаление аморфного слоя естественного оксида с подложек из Si перед напылением не проводилось. Всего были получены три группы пленок Cd3As2: без нагрева подложек, при нагреве подложек 520 К и отожженные в атмосфере аргона при температуре 520 К после напыления без нагрева подложек.

Рентгенофазовый анализ (РФА) пленок был выполнен с помощью рентгеновского дифрактометра GBC EMMA (излучение CuKα, λ = 1.5401 Å) при комнатной температуре.

Для исследования структуры образцов, их состава и распределения элементов по поверхности использовался сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) JSM-6610LV (JEOL) с приставкой для энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (ЭДРС) X-MaxN (Oxford Instruments). При съемке применялись детекторы вторичных и обратно рассеянных электронов.

Спектры комбинационного рассеяния света (КРС) исследуемых пленок были измерены при комнатной температуре с помощью конфокального спектрометра КРС OmegaScopeTM (AIST-NT Inc.) с длиной волны лазерного излучения 532 нм, мощностью 50 мВт и размером пятна сфокусированного света на поверхности образца около 500 нм. Спектральное разрешение прибора составляло 0.8 см–1.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Типичные дифрактограммы пленок Cd3As2 на различных подложках показаны на рис. 1. Проанализировать их удается, если предположить сосуществование в пленках двух полиморфных модификаций арсенида кадмия. Для пленки 2 для некоторых пиков указаны индексы в соответствии с дифракцией на кристаллах α-Cd3As2 (пр. гр. I41cd) и α'-Cd3As2 (пр. гр. P42/nbc), полученные по данным базы ICSD [27] с помощью программы Powder Cell [28]. Параметры кристаллической решетки образцов и особенности напыления пленок приведены в табл. 1.

Рис. 1.

Дифрактограммы тонких магнетронных пленок Cd3As2 (25); номера кривых соответствуют номерам образцов из табл. 1; дифракционные пики пленки 2 проиндексированы для двух полиморфных модификаций арсенида кадмия (α и α'); на вставке представлена кристаллическая решетки α-Cd3As2 в направлении преимущественной оси текстуры [112] пленок 2 и 3 (с дифрактограмм пленок удалены участки, содержащие дифракционные пики алюминия – материала держателя, а для образца 5 дифракционный пик подложки α-Al2O3).

Таблица 1.  

Параметры кристаллической решетки пленок α-Cd3As2 и порошка исходной мишени

Номер образца Образец Параметры кристаллической решетки, Å ОКР
L, нм
a c
1 Порошок мишени 12.62 25.38
2 Пленка на нагретой подложке Si 12.69 25.38 31
3 Отожженная пленка на подложке Si 12.66 25.38 28
4 Пленка на подложке Si 12.77 25.58
5 Отожженная пленка на подложке α-Al2O3 12.59 25.38 35

Параметры решетки порошка мишени (образец 1) практически совпадают с табличными результатами для α-Cd3As2. Дифрактограмма образца 4 отличается низкой относительной интенсивностью, уширением дифракционных линий; параметры его решетки примерно на 1% больше величин а и c мишени. Это говорит о высокой дефектности кристаллической структуры пленки, напыленной на неподогреваемую подложку.

При отжиге и при напылении на подогреваемую подложку степень кристалличности пленок увеличивается, особенно при использовании Si в качестве подложки (образцы 2 и 3): параметры решетки уменьшаются и приближаются к табличным значениям, проявляются наиболее интенсивные пики. На дифрактограммах пленок 2 и 3 самой интенсивной является линия 112, практически не проявляющийся в порошковой дифрактограмме материала мишени, что говорит о сильной рекристаллизации во время отжига, приводящей к текстурированию пленки с осью [112]. По уширению дифракционных линий по уравнению Дебая–Шеррера можно оценить область когерентного рассеяния (ОКР) рентгеновского излучения, которая сопоставима со средним размером кристаллитов: L = 0.9λ/(βcosθ), где λ = 0.1541 нм, β – ширина линии (в радианах) на ее полувысоте, θ – угол дифракции. Полученные значения приведены в табл. 1.

Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) (рис. 2) показывает, что пленки являются сплошными с гранулированной структурой поверхности с высотой гранул в несколько раз меньше, чем толщина пленки. Латеральный размер гранул составлял величину до 1 мкм. После отжига топология поверхности практически не изменяется.

Рис. 2.

СЗМ пленки 2 в центре (а) и около края (б); рельефы (в) и (г) от центральных частей изображений (а) и (б) соответственно представлены для оценки размеров гранул и толщины пленки; для наглядности приведены 3D-изображения гранулированной структуры пленок на различных масштабах: 10 × 10 мкм2 (д) и 1 × 1 мкм2 (е).

По СЭМ-изображениям видно, что пленки при малых увеличениях (десятки микрометров) практически однородны (рис. 3а), но при больших увеличениях заметна их гранулированная структура (рис. 3б), причем после отжига структура поверхности практически не изменяется (рис. 3в). По распределению элементов пленки в пределах области измерений они имели гомогенную структуру, а отношение Cd : As близко к стехиометрическому 3 : 2.

Рис. 3.

СЭМ-изображения неотожженной пленки 4 (а, б) и отожженной пленки 3 (в); г и д – карты распределения As и Cd по участку поверхности пленки 4, полученные методом ЭДРС.

Исследование колебаний кристаллической решетки с помощью спектров КРС в дальней ИК-области (рис. 4) подтверждает, что пленки по составу являются арсенидом кадмия.

Рис. 4.

Спектры КРС тонких магнетронных пленок Cd3As2 (35); номера кривых соответствуют номерам образцов из табл. 1.

В работе [29] показано, что большая часть основных комбинационно – активных мод α-Cd3As2

${{\Gamma }^{R}} = 26{{A}_{1}} + 27{{B}_{1}} + 27{{B}_{2}} + 65E$

располагается в области ω < 100 см–1. В измеренной нами области спектра (ω > 150 см–1) при комнатной температуре могут наблюдаться два широких пика – около 196 и 247 см–1, природа которых не связана с классическим механизмом неупругого рассеяния света. Однако их часто используют для характеризации наноструктур, содержащих Cd3As2 [3032]. Появление этих пиков обусловлено особенностями зонной структуры Cd3As2 и объясняется с помощью трехзонной модели с учетом как межзонных, так и внутризонных переходов [29]. Похожий вид спектра наблюдался у α''-полиморфной модификации Cd3As2: в области ω > 100 см–1 присутствуют только два пика, расположенные вблизи 189 и 244.5 см–1 [33–35]. Cпектры КРС CdAs2 – наиболее часто встречающегося преципитата к арсениду кадмия – немного сложнее [31]: при комнатной температуре они содержат четыре пика: 194, 223, 248 и 260 см–1 при ω > 130 см–1.

Для пленки 3 сигнал КРС был слабее ввиду ее малой толщины (около 50 нм). В то время как для образцов 4 и 5 с толщиной около 100 нм наблюдается картина, типичная для арсенида кадмия. Влияние возможных включений чистого кадмия в пленках не обнаруживается, поскольку кадмий обладает металлической проводимостью, что могло отразиться в виде сильного снижения интенсивности регистрируемого излучения и появления плазмонного плеча, возникающего в материалах с высокой концентрацией носителей заряда. Присутствие диарсенида кадмия по характерным фононам также не обнаруживается. При измерении спектров КРС для пленки 4 в разных поляризациях было обнаружено изменение в соотношении высот пиков, что говорит о наличии текстуры у пленки, т.е. ее частичной ориентации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Синтезированы пленки арсенида кадмия толщиной ~50 нм на кремниевых и лейко-сапфировых подложках. Установлено, что состав пленок соответствовал стехиометрии Cd3As2. Пленки состояли в основном из фазы α-Cd3As2, в них также присутствовали следы фазы α'-Cd3As2. В пленках, выращенных на нагретых подложках, и пленках, подвергнутых термическому отжигу, происходил процесс рекристаллизации и наблюдалась текстура, особенно на кремниевых подложках с осью направленности кристаллитов [112], размер которых составлял ~30 нм.

БЛАГОДАРНОСТЬ

Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант № 17-12-01345). Структурные исследования были выполнены в рамках государственного задания ИОНХ РАН в области фундаментальных научных исследований при частичной поддержке программы Президиума РАН I.35 “Научные основы создания новых функциональных материалов” и частично поддержаны Министерством высшего образования и науки РФ (грант № 16.2814.2017/ПЧ).

Список литературы

  1. Armitage N.P., Mele E.J., Vishwanath A. Weyl and Dirac Semimetals in Three-Dimensional Solids // Rev. Mod. Phys. 2018. V. 90. 015001. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.90.015001

  2. Лазарев В.Б. Полупроводниковые соединения группы АIIBV. М.: Наука, 1978. 255 с.

  3. Wang Z., Weng H., Wu Q., Dai X., Fang Z. Three-Dimensional Dirac Semimetal and Quantum Transport in Cd3As2 // Phys. Rev. B 2013. V. 88. 125427. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.125427

  4. Borisenko S., Gibson Q., Evtushinsky D., Zabolotnyy V., Buchner B., Cava R.J. Experimental Realization of a Three-Dimensional Dirac Semimetal // Phys. Rev. Lett. 2014. V.113. № 2. 027603. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.113.027603

  5. He L.P., Hong X.C., Dong J.K., Pan J., Zhang Z., Zhang J., Li S.Y. Quantum Transport Evidence for the Three-Dimensional Dirac Semimetal Phase in Cd3As2 // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 113. 246402. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.113.246402

  6. Feng J., Pang Y., Wu D., Wang Z., Weng H., Li J., Dai X., Fang Z., Shi Y., Lu L. Large Linear Magnetoresistance in Dirac Semimetal Cd3As2 with Fermi Surfaces Close to the Dirac Points // Phys. Rev. B. 2015. V. 92. 081306(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.081306

  7. Zhang K., Pan H., Zhang M., Wei Z., Gao M., Song F., Wang X., Zhang R. Controllable synthesis and magnetotransport properties of Cd3As2 Dirac semimetal nanostructures // RSC Adv. 2017. V. 7. P. 17689–17696. https://doi.org/10.1039/C7RA02847D

  8. Li C.-Z., Zhu R., Ke X., Zhang J.-M., Wang L.-X., Zhang L., Liao Z.-M., Yu. D.-P. Synthesis and Photovoltaic Properties of Cd3As2 Faceted Nanoplates and Nano-Octahedrons // Cryst. Growth Design. 2015. V. 5. № 7. 3264–3270. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5b00399

  9. Galeeva A.V., Krylov I.V., Drozdov K.A., Knjazev A.F., Kochura A.V., Kuzmenko A.P., Zakhvalinskii V.S., Danilov S.N., Ryabova L.I., Khokhlov D.R. Electron Energy Relaxation under Terahertz Excitation in (Cd– xZnx)3As2 Dirac semimetals // Belstein J. Nanotechnol. 2017. V. 8. P. 167–171. https://doi.org/10.3762/bjnano.8.17

  10. Wang Q., Li C.-Z., Ge S., Li J.-G., Lu W., Lai J., Liu X., Ma J., Yu D.-P., Liao Z.-M., Sun D. Ultrafast Broadband Photodetectors Based on Three-Dimensional Dirac Semimetal Cd3As2 // Nano Lett. 2017. V. 17. № 2. P. 834–841. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b04084

  11. Walowski J., Münzenberg M. Perspective: Ultrafast magnetism and THz Spintronics // J. Appl. Phys. 2016. V. 120. 140901. https://doi.org/10.1063/1.4958846

  12. Zhang X., Peng W., Su G., Su S., Chen J. Thermionic Energy Conversion Based on 3D Dirac Semimetals // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51. № 10. 405501. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aad975

  13. Yang M., Wang J., Han J., Ling J., Ji C., Kong X., Liu X., Huang Z., Gou J., Liu Z., Xiu F., Jiang Y. Enhanced Performance of Wideband Room Temperature Photodetector Based on Cd3As2 Thin Film/Pentacene Heterojunction // ASC Photonics. 2018. V.5. № 8. 3438–3435. https://doi.org/10.1021/acsphotonics.8b00727

  14. Wu Y.F., Zhang L., Li C.Z., Zhang Z.S., Liu S., Liao Z.M., Yu D. Dirac Semimetal Heterostructures: 3D Cd3As2 on 2D Graphene // Adv. Mater. 2018. V. 30. № 34. 1707547. https://doi.org/10.1002/adma.201707547

  15. Jarząbek B., Weszka J., Cisowski J. Distribution of Electronic States in Amorphous Cd–As Thin Films on the Basis of Optical Measurements // J. Non-Cryst. Solids. 2004. V. 333. № 2. P. 206–211. https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2003.09.045

  16. Dubowski J.J., Williams D.F. Pulsed Laser Evaporation of Cd3As2 // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44. № 3. P. 339. https://doi.org/10.1063/1.94752

  17. Dubowski J.J., Norman P., Sewell P.B., Williams D.F., Kròlicki F., Lewicki M. Cadmium Arsenide Films Prepared by Pulsed Laser Evaporation: Electrical Properties and lattice parameters // Thin Solid Films. 1987. V. 147. № 1. P. L51-L54. https://doi.org/10.1016/0040-6090(87)90047-2

  18. Жалилов Н.С., Саныгин В.П., Квердаков А.М., Пашкова О.Н. Получение и свойства тонких пленок Cd3As2 и Zn3P2 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1990. Т. 26. Вып. 9. С. 1975–1976.

  19. Din M., Gould R.D. Van der Pauw Resistivity Measurements on Evaporated Thin Films Of Cadmium Arsenide, Cd3As2 // Appl. Surf. Sci. 2006. V. 252. № 15. P. 5508–5501. https://doi.org/0.1016/j.apsusc.2005.12.151

  20. Nishihaya S., Uchida M., Nakazawa Y., Akiba K., Kriener M., Kozuka Y., Miyake A., Taguchi Y., Tokunaga M., Kawasaki M. Negative Magnetoresistance Suppressed through a Topological Phase Transition in (Cd1 – xZnx)3As2 Thin Films // Phys. Rev. B. 2018. V. 97. № 24. 245103. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.245103

  21. Pawlikowski J.M., Sierański K., Szatkowski J. A New Method of Obtaining Crystalline Cd3As2 Films on Non-Crystalline Substrates // Thin Solid Films. 1975. V. 30. № 1. P. 99–102. https://doi.org/10.1016/0040-6090(75)90309-0

  22. Yuan X., Cheng P., Zhang L., Zhang C., Wang J., Liu Y., Sun Q., Zhou P., Zhang D.W., Hu Z., Wan X., Yan H., Li Z., Xiu F. Direct Observation of Landau Level Resonance and Mass Generation in Dirac Semimetal Cd3As2 Thin Films // Nano Lett. 2017. V. 17. № 4. P. 2211–2219. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b04778

  23. Schumann T., Galletti L., Kealhofer D.A., Kim H., Goyal M., Stemmer S. Observation of the Quantum Hall Effect in Confined Films of the Three-Dimensional Dirac Semimetal Cd3As2 // Phys. Rev. Lett. 2018. V. 120. № 1. 016801. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.120.016801

  24. Galletti L., Schumann T., Shoron O.F., Goyal M., Kealhofer D.A., Kim H., Stemmer S. Two-Dimensional Dirac Fermions in Thin Films of Cd3As2 // Phys. Rev. B. 2018. V. 97. № 11. 115132. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.115132

  25. Zdanowicz L., Pocztowski G., Weclewicz C., Niedzwiedz N., Kwiecien T. Some Properties of Thin Amorphous Cd3As2 Films Related to Deposition Conditions // Thin Solid Films. 1976. V. 34. № 1. P. 161–164. https://doi.org/10.1016/0040-6090(76)90158-9

  26. Arushanov E.K. Crystal Growth and Characterization of II3V2 Compounds // Prog. Cryst. Growth Character. 1980. V. 3. P. 211. https://doi.org/10.1016/0146-3535(80)90020-9

  27. Bergerhoff G., Brown I.D. Crystallographic Databases / Eds. Allen F.H. et al. Chester: International Union of Crystallography, 1987.

  28. Kraus W., Nolze G. POWDER CELL – a Program for the Representation and Manipulation of Crystal Structures and Calculation of the Resulting X-ray Powder Patterns // J. Appl. Cryst. 1996. V. 29. P. 301–303. https://doi.org/10.1107/S0021889895014920

  29. Weszka J., Renucc M.I., Zwick A. Some Aspects of Raman Scattering in Cd3As2 Single Crystals // Phys. Status Solidi (B). 1986. V. 133. P. 57. https://doi.org/10.1002/pssb.2221330106

  30. Wei S., Lu J., Zhang W., Qian Y. Isostructural Cd3E2 (E = P, As) Microcrystals Prepared via a Hydrothermal Route // Cryst. Growth Design. 2006. V. 6. № 4. P. 849–853. https://doi.org/10.1021/cg049589u

  31. Schönherr P., Hesjedal T. Structural properties and growth mechanism of Cd3As2 nanowires // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. 013115. https://doi.org/10.1063/1.4905564

  32. Cheng P., Zhang C., Liu Y., Yuan X., Song F., Sun Q., Zhou P., Zhang D.W., Xiu F. Thickness-Dependent Quantum Oscillations in Cd3As2 Thin Films // New J. Phys. 2016. V. 18. 083003. https://doi.org/10.1088/1367-2630/18/8/083003

  33. Weszka J., Balkanski M., Raukhman A.M., Marenkin S.F. Raman Scattering and Lattice Vibrations in Tetragonal CdAs2 Crystals // Phys. Status Solidi (B). 1996. V. 194. P. 509. https://doi.org/10.1002/pssb.2221940208

  34. Маренкин С.Ф., Трухан В.М. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск: Вараксин А.Н., 2010. 220 c.

  35. Shchelkachev N.M., Yarzhemsky V.G. Influence of Crystal Structure and 3d Impurities on the Electronic Structure of the Topological Material Cd3As2// Inorg. Mater. 2018. V.54. № 11. P. 1093–1098. https://doi.org/10.1134/S0020168518110110.

Дополнительные материалы отсутствуют.