Неорганические материалы, 2020, T. 56, № 1, стр. 81-86

Низкотемпературные керамические материалы на основе соединений со структурой типа пирохлора в системе Bi2O3–ZnO–Nb2O5

С. С. Редозубов 1*, Е. А. Ненашева 1, И. М. Гайдамака 2, Н. В. Зайцева 3

1 ООО “Керамика”
194223 Санкт-Петербург, ул. Курчатова,10, Россия

2 Национальный минерально-сырьевой университет “Горный” (Горный университет)
199106 Санкт-Петербург, Васильевский остров, 21-я линия, 2, Россия

3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
194021 Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26, Россия

* E-mail: s.s.redozubov@gmail.com

Поступила в редакцию 06.12.2018
После доработки 02.07.2019
Принята к публикации 04.07.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

В системе Bi2O3–ZnO–Nb2O5 методом твердофазного синтеза получены керамические композиции на основе фаз со структурой типа пирохлора – Bi2ZnNb2O9 и Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7. Исследованы их фазовый состав, кристаллическая структура и электрические свойства. Изучено влияние добавки стекла на температуру спекания и электрические свойства керамики. Получены термостабильные керамические материалы с ε ~ 100 и малыми диэлектрическими потерями в диапазоне частот от 0.02 до 2 МГц, имеющие температуру спекания ниже 950°C, перспективные для применения в многослойных структурах с электродом на основе серебра.

Ключевые слова: пирохлор, низкотемпературные материалы, кристаллическая структура, конденсаторы

ВВЕДЕНИЕ

Система Bi2O3–ZnO–Nb2O5 представляет интерес для получения низкотемпературных (t < 950°C) керамических материалов с низким уровнем тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) в диапазоне радиочастот, широким интервалом величин относительной диэлектрической проницаемости (ε) и ее температурного коэффициента (ТКε). Известно, что в данной системе существуют два соединения со структурой типа пирохлора (далее пирохлоры): Bi2ZnNb2O9 (B3) [1] и Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7 (B6) [27] (см. табл. 1). В отличие от последнего пирохлор B3 имеет дефектную кристаллическую структуру с катионными и анионными вакансиями.

Таблица 1.  

Кристаллическая структура и электрические свойства соединений в системе Bi2O3–ZnO–Nb2O5 [1, 2, 811]

Соединение Bi2ZnNb2O9 Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7 Zn3Nb2O8 ZnNb2O6
Сингония Куб. Монокл. Монокл. Ромб.
Параметры элементарной ячейки a = 10.560 Å a = 8.2132 Å b = 10.7606 Å c = 6.5219 Å
β = 112.79°
a = 19.093(8) Å b = 5.927(2) Å c = 5.220(3) Å β = 90.0(1)° a = 5.032(3) Å
b = 14.192(7) Å
c = 5.722(5) Å
ε (f = 1 МГц) 148 90 22 23
tgδ (f = 1 МГц) <0.0003 ≤0.0004 <0.0001
TKε × 106, К–1 –470…–410 150 ~140 140

В настоящее время наибольшую практическую значимость имеют керамические материалы, сочетающие в себе высокие значения ε и повышенный уровень ее температурной стабильности (ТКε → 0). В работе [10] на основе системы Bi2ZnNb2O9–ZnNb2O6 (пирохлор–колумбит) был получен низкотемпературный термостабильный керамический материал с ε ~ 30 с низкой температурой спекания (t < 950°C) для применения в качестве основы различных компонентов устройств, функционирующих как на радиочастотах, так и в диапазоне СВЧ. Тенденции миниатюризации современной электроники требуют повышения относительной диэлектрической проницаемости керамических диэлектриков. В связи с этим актуальна задача поиска новых керамических материалов, удовлетворяющих современным требованиям электронной техники.

На сегодняшний день в производстве многослойных монолитных конденсаторов применяется термостабильный керамический материал Н100 (ε = 100) на основе твердых растворов барийлантаноидных тетратитанатов. Материал Н100 имеет минимальную температуру спекания 1080°C и используется совместно с электродом на основе сплавов Ag–Pd [12, 13]. Снижение стоимости конденсаторов возможно путем уменьшения доли Pd в сплавах для внутренних электродов. Для этого необходимы керамические материалы с более низкими температурами спекания.

Целью настоящей работы являлось получение керамического материала, имеющего температуру спекания ниже 950°C, высокую ε при ТКε ~ 0 и малые диэлектрические потери в диапазоне радиочастот. Анализ электрических свойств соединений в системе Bi2O3–ZnO–Nb2O5 (см. табл. 1) показывает, что такой материал может быть получен путем создания композиций на основе пирохлоров B3 и B6. Для их создания в данной работе исследованы керамические материалы на основе систем Bi2ZnNb2O9–Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7 (B3–B6) и Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7–Zn3Nb2O8 (B6–ZN).

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Пирохлоры В3 и B6, а также соединение ZN предварительно были получены методом твердофазного синтеза из оксидов ZnO, Nb2O5 и Bi2O3. Исходные порошки, взятые в стехиометрическом соотношении, смешивали в аттриторе в течение 30 мин. Среда помола – дистиллированная вода. Высушенную смесь обжигали при t = 900°С в течение 2 ч на воздухе. Синтезированные соединения и смеси на их основе измельчали в аттриторе в течение 120 мин. Образцы в виде дисков диаметром 15 и толщиной 2 мм готовили методом гидравлического прессования. Органическое связующее – 10%-ный водный раствор поливинилового спирта. Образцы обжигали в диапазоне температур от 940 до 1120°C в течение 2 ч в камерной электрической печи на воздухе.

Фазовый состав спеченных образцов исследован методом рентгеновской дифракции на дифрактометре ДРОН-3 (CuKα-излучение, Ni-фильтр). Количество фаз в керамических композициях рассчитано по соотношению интенсивностей основных рефлексов. Параметры элементарной ячейки рассчитаны для фаз в количестве не менее 10%. В качестве внешнего стандарта использован Ge. Микроструктура керамики исследована с помощью электронного микроскопа JSM-7001F (JEOL, Япония) и EDS-спектрометра для рентгеновского микроанализа.

Относительная диэлектрическая проницаемость определена расчетным методом на основе данных измерения емкости образцов. Емкость и тангенс угла диэлектрических потерь измерены с помощью прецизионного измерителя LCR Keysight E4980A на металлизированных (Ag) образцах диаметром 12–13 и высотой 1–2 мм на частоте (f) от 0.02 до 2 МГц. ТКε определен в диапазоне температур от 25 до 75°C.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Результаты рентгенографического исследования (РГИ) спеченных керамических образцов B3 и B6 приведены в табл. 2. Образцы B3 и B6 являются однофазными и состоят из фаз со структурой типа пирохлора: кубического и моноклинного соответственно. На частоте 1 МГц образцы имеют низкий уровень диэлектрических потерь (tgδ < 0.0002), а также значения ε и ТКε, соответствующие литературным данным (см. табл. 1).

Таблица 2.  

Результаты РГИ керамики

Шифр Состав, мас. % t, °C Фазовый состав (%) a, Å b, Å c, Å β, град
B3 B6 ZN
B3 100 1080 Куб. (100) 10.557(1)
B6 100 1020 Монокл. (100) 8.18(1) 10.72(1) 6.49(1) 112.7(8)
ZN 100 1120 Монокл. (100) 19.3(3) 5.87(12) 5.18(13) 82.3(9)
B36-1 50 50 1000 Куб. (75) 10.564(2)
Монокл. (16) 8.41(5) 10.62(4) 6.80(8) 113(1)
Bi5Nb3O15 (9)
B36-2 40 60 1000 Куб. (63) 10.557(3)
Монокл. (29) 8.27(2) 10.69(4) 6.64(1) 113.9(8)
Bi5Nb3O15 (8)
B36-3 30 70 1000 Куб. (50) 10.560(5)
Монокл. (43) 8.14(1) 10.60(4) 6.51(1) 112.4(3)
Bi5Nb3O15 (7)
B36-4 20 80 1000 Монокл. (68) 8.05(6) 10.85(2) 6.48(2) 112.2(2)
Куб. (25) 10.490(5)
Bi5Nb3O15 (7)
B6ZN-1 95 5 1000 Монокл. (67) 8.148(2) 10.699(6) 6.478(1) 112.7(7)
Куб. (33) 10.53(1)
B6ZN-2 90 10 1000 Куб. (71) 10.557(3)
Монокл. (29) 8.10(3) 10.94(8) 6.52(2) 112.4(11)
B6ZN-3 85 15 1000 Куб. (100) 10.557(3)
B6ZN-1 + 2 мас. % стекла 95 5 920 Монокл. (83) 8.25(2) 10.75(1) 6.58(1) 112.7(9)
Куб. (17) 10.66(1)

В системе B3–B6 приготовлены смеси B36 с различным содержанием предварительно синтезированных пирохлоров B3 и B6 (см. табл. 2). Анализ данных РГИ и растровой электронной микроскопии (РЭМ) показал, что керамика B36 состоит из смеси трех фаз: B3, B6 и Bi5Nb3O15 (см. рис. 1 и 2). На рис. 1 показана микроструктура керамики B36. Увеличение содержания пирохлора B6 в исходной смеси приводит к увеличению концентрации фазы B6 в спеченных образцах, при этом уменьшается количество фаз B3 и Bi5Nb3O15.

Рис. 1.

Микроструктура керамики B36-1 (а), B36-2 (б), B36-3 (в), B36-4 (г), спеченной при температуре 1020°C (темная фаза – B3, светлая фаза –B6, белая фаза – Bi5Nb3O15).

Рис. 2.

Рентгенограммы керамики B36-1 (1), B36-2 (2), B36-3 (3) и B36-4 (4), спеченной при температуре 1000°C.

Зависимости электрических свойств керамики B36 от состава и температуры спекания приведены на рис. 3. С увеличением содержания пирохлора B6 в исходной смеси значения ε керамических композиций B36 уменьшаются, а ТКε переходит в область положительных значений, что обусловлено фактическим увеличением количества фазы B6 в спеченных образцах (см. рис. 1 и 2). При этом снижение значений tgδ вызвано уменьшением количества фазы Bi5Nb3O15, имеющей повышенный уровень диэлектрических потерь [14].

Рис. 3.

Зависимости ε (а), tgδ (б) и ТКε (в) керамики B36, спеченной при 1000 (1), 1020 (2), 1040°C (3), от содержания B6.

Изменение электрических свойств керамики B36 с увеличением температуры спекания можно объяснить реакцией частичного разложения соединения B6: Bi6Zn2Nb4O21 → 1/2Bi2ZnNb2O9 + + Bi5Nb3O15 + 3/2ZnO. Повышение температуры спекания ускоряет процесс разложения пирохлора B6, следовательно, в образцах увеличивается количество фаз B3 и Bi5Nb3O15, что приводит к увеличению ε и tgδ, а также к снижению ТКε.

В результате проведенных исследований на основе системы B3–B6 получены термостабильные трехфазные керамические композиции с ε > 100. Однако данные материалы из-за присутствия фазы Bi5Nb3O15 имеют tgδ > 0.003, что затрудняет их практическое использование.

С целью предотвращения образования фазы Bi5Nb3O15 и получения двухфазных керамических композиций, состоящих только из пирохлоров B3 и B6, на основе системы B6–ZN приготовлены составы B6ZN, содержащие в исходной смеси до 15 мас. % фазы ZN (см. табл. 2).

По данным РГИ и РЭМ установлено, что с увеличением содержания в исходной смеси фазы ZN в спеченных композициях B6ZN уменьшается количество фазы B6 и увеличивается количество фазы B3 (см. рис. 4 и 5). Следов фазы ZN в образцах B6ZN не обнаружено. Таким образом, ZN, реагируя с пирохлором B6, приводит к образованию пирохлора B3: Bi6Zn2Nb4O21 + Zn3Nb2O8 → → 3Bi2ZnNb2O9 + 2ZnO.

Рис. 4.

Рентгенограммы керамики B6ZN-1 (1), B6ZN-2 (2) и B6ZN-3 (3), спеченной при температуре 1000°C.

Рис. 5.

Микроструктура керамики B6ZN-1 (а), B6ZN-2 (б) и B6ZN-3 (в), спеченной при температуре 1020°C (темная фаза – B3, светлая фаза –B6).

Формирование пирохлора B3 увеличивает ε и уменьшает ТКε керамики B6ZN (см. рис. 6). При этом значения tgδ спеченных композиций увеличиваются, что, вероятно, вызвано увеличением концентрации фазы ZnO, образующейся вместе с пирохлором B3. С помощью локального микроанализа объема керамики B6ZN установлено, что фаза ZnO сосредоточена в закрытых порах и ее количество увеличивается с увеличением концентрации ZN в исходной смеси.

Рис. 6.

Зависимости ε (а), tgδ (б) и ТКε (в) керамики B6ZN, спеченной при 1000 (1), 1020 (2), 1040°C (3), от содержания ZN.

Образцы B6ZN-1, содержащие в исходной смеси 95 мас. % B6 и 5 мас. % ZN, спеченные при t = 1000°C, имели следующие электрические параметры: ε ~ 100, tgδ < 0.0003 и ТКε ~ 0 (f = 1 МГц).

Для снижения температуры спекания в состав смеси вводили добавку стекла (до 5 мас. %). В качестве добавки выбрано стекло на основе PbO, Bi2O3, B2O3, ZnO и TiO2, успешно опробованное для системы Bi2O3–ZnO–Nb2O5 в работе [10]. Зависимости ε и ТКε керамики B6ZN-1 от количества добавки стекла показаны на рис. 7. Видно, что с увеличением содержания стекла ε образцов увеличивается, а ТКε уменьшается. Введение добавки снижает температуру спекания керамики до 920°С, сохраняя ее фазовый состав и электрические свойства.

Рис. 7.

Зависимости ε (а) и ТКε (б) керамики B6ZN-1, спеченной при 920 (1), 940 (2) и 960°C (3), от количества добавки стекла.

Керамические композиции на основе пирохлоров B3 и B6, содержащие 2–3 мас. % стекла, имеют ε = 98–100 и tgδ < 0.0004 в диапазоне частот от 0.02 до 2 МГц (см. рис. 8). Относительное изменение ε для керамики B3, B6 и B6ZN-1 с добавкой стекла от температуры показано на рис. 9. Видно, что двухфазная композиция на основе пирохлоров B3 и B6 отличается повышенным уровнем температурной стабильности ε.

Рис. 8.

Частотные зависимости ε (а) и tgδ (б) керамики B3 (1), B6 (2) и B6ZN-1 + 2 мас. % стекла (3).

Рис. 9.

Относительное изменение ε керамики B3 (1), B6 (2) и B6ZN-1 + 2 мас. % стекла (3) от температуры (f = 0.3 МГц).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных исследований на основе композиций пирохлоров Bi2ZnNb2O9 и Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7 получен керамический материал (состав B6ZN-1 + 2 мас. % стекла), отличающийся низкой температурой спекания (<950°С), высокими значениями относительной диэлектрической проницаемости (ε ~ 100), повышенным уровнем ее температурной стабильности (ТКε ~ 0) и низкими диэлектрическими потерями на частоте от 0.02 до 2 МГц. Такой материал перспективен для применения в качестве диэлектриков в многослойных керамических структурах с электродом на основе серебра.

Список литературы

  1. Nenasheva E.A., Kartenko N.F. Magnesium-Zinc-Nickel Substituted Bismuth Niobate: Patent of Russia 2021207, 15 October 1990.

  2. Wang X., Wang H., Yao X. Structure, Phase Transformations, and Dielectric Properties of Pyrochlores Containing Bismuth // J. Am. Ceram. Soc. 1997. V. 80. P. 2745–2748.

  3. Valant M., Davies P.K. Crystal Chemistry and Dielectric Properties of Chemically Substituted (Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7 and Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7 Pyrochlores // J. Am. Ceram. Soc. 2000. V. 83. P. 147–153.

  4. Ren W., Trolier-McKinstry S., Randall C.A., Shrout T.R. Bismuth Zinc Niobate Pyrochlore Dielectric Thin Films for Capacitive Applications // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 767–774.

  5. Nino J., Lanagan M., Randall C. Phase Formation and Reactions in the Bi2O3–ZnO–Nb2O5–Ag Pyrochlore System // J. Mater. Res. 2001. V. 16. P. 1460–1464.

  6. Levin I., Amos T.G., Nino J.C., Vanderah T.A., Reaney I.M., Randall C.A., Lanagan M.T. Crystal Structure of the Compound Bi2Zn2/3Nb4/3O7 // J. Mater Res. 2002. V. 17. P. 1406–1411.

  7. Li L., Jin Y., Dong H., Yu S., Xu D. Structures, Phase Transformations, and Dielectric Properties of Bi2(Zn1 – xMgx)2/3Nb4/3O7 Pyrochlore Ceramics as Temperature Stable LTCC Material // J. Alloys Compd. 2014. V. 604. P. 31–35.

  8. Wang H., Yao X. Structure Study of a New Distorted Pyrochlore in Bi2O3–ZnO–Nb2O5 System // Ferroelectrics. 2001. V. 262. P. 71–76.

  9. Isobe M., Marumo F., Iwai S.I., Kondo Y. The Crystal Structure of Zn3Nb2O8 // Bull. Tokyo Inst. Technol. 1974. V. 120. P. 1–6.

  10. Nenasheva E.A., Kartenko N.F. Low-sintering Ceramic Materials Based on Bi2O3–ZnO–Nb2O5 Compounds // J. Eur. Ceram. Soc. 2006. V. 26. P. 1929–1932.

  11. Kim D.-W., Kim J.-H., Kim J.-R., Hong K.-S. Phase Constitutions and Microwave Dielectric Properties of Zn3Nb2O8–TiO2 // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. P. 5994–5998.

  12. Nenasheva Ye.A., Kartenko N.F., Kamushkina I.B., Pyshkov V.P. Physico-Chemical Properties of Barium-Rare-Earth Titanate-Based Ceramic Materials for Capacitors. Electronic Ceramics – Production and Properties. Part II. Riga. 1990. P. 79–81.

  13. Камушкина И.Б., Ненашева Е.А. Высокочастотные керамические материалы с низкой температурой спекания для конденсаторостроения // Электронная техника. Сер. Радиодетали и радиокомпоненты. 1991. Вып. 3. № 84. С. 3–6.

  14. Takenaka T., Komura K., Sakata K. Possibility of New Mixed Bismuth Layer-structured Ferroelectrics // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 5080–5083.

Дополнительные материалы отсутствуют.