1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Неорганические материалы
  4. T. 56, № 10, 2020

Неорганические материалы, 2020, T. 56, № 10, стр. 1054-1059

Синтез, фазовый состав и кинетика затухания фотопроводимости поликристаллов твердых растворов Cu2ZnSn(SхSe1 – х)4

В. Ф. Гременок 1, В. Г. Гуртовой 1, А. В. Станчик 1, Т. В. Шёлковая 1, В. А. Чумак 1, Е. В. Рабенок 2, В. В. Ракитин 2, Б. И. Голованов 2, Г. Ф. Новиков 2, 3, *

1 ГО “НПЦ НАН Беларуси по материаловедению”
220072 Минск, ул. П. Бровки, 19, Беларусь

2 Институт проблем химической физики Российской академии наук
142432 Московская обл., Черноголовка, пр. академика Семенова, 1, Россия

3 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
119991 Москва, Ленинские горы, 1, ГСП-1, Россия

* E-mail: gfnovikov@gmail.com

Поступила в редакцию 13.01.2020
После доработки 14.05.2020
Принята к публикации 18.05.2020

Полный текст (PDF)

Аннотация

Однотемпературным методом из элементов Cu, Zn, Sn, S и Se получены поликристаллы твердых растворов Cu2ZnSn(SхSe1 – х)4. С помощью рентгеноспектрального микроанализа определен химический состав полученных материалов, а также с использованием рентгеновского метода и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы их кристаллическая структура и фазовый состав. Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости изучено влияние содержания серы и селена на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в твердых растворах Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4. Обнаружено, что при большем содержании серы образуются дополнительные глубокие уровни, которые могут служить акцепторами для электронов.

Ключевые слова: твердые растворы, комбинационное рассеяния света, метод время-разрешенной микроволновой фотопроводимости

ВВЕДЕНИЕ

Согласно общим представлениям о природе фотовольтаического напряжения, возникающего при освещении двухслойной системы11, в которой поглощающий слой – неорганический полупроводник [1], эффективность прямого преобразования света в электричество существенно зависит от диффузионной длины пробега носителей тока L = (Dτ)1/2 в этом слое (здесь D и τ – коэффициент диффузии и время жизни носителей тока). Наглядные представления о степени такой зависимости дают численные расчеты SCAPS [2], позволяющие при наличии необходимых расчетных параметров учесть влияние химического состава и структуры поглощающих слоев на фотовольтаические свойства фотопреобразователей.

Ярким примером систем, позволяющих в широких пределах менять химический состав поглощающих слоев, которые активно изучаются в последние десятилетия, являются четверные соединения меди типа Cu2ZnSn(SхSe1 – х)4 (CZTSSe). В последнее время пленки на основе соединений этого типа хорошо зарекомендовали себя в тонкопленочных солнечных элементах (ТСЭ). Однако эффективность преобразования ТСЭ на основе таких тонких пленок на сегодняшний день составляет 12.6%, что еще далеко от теоретического предела ~32% [3]. Причины такого отставания пока не выяснены. Вероятно, нестехиометрический состав и неидеальная структура слоев могут способствовать образованию побочных фаз и дефектов в пленках, что в свою очередь также может сказываться на снижении КПД тонкопленочных фотопреобразователей.

Дело в том, что энергетические дефекты в запрещенной зоне материала-полупроводника могут выступать в качестве центров захвата или рекомбинации носителей заряда и влиять на процессы гибели в них носителей заряда, генерированных светом [3]. В литературе также отмечено, что полученная низкая эффективность преобразования ТСЭ на основе тонких пленок CZTSSe может быть обусловлена наличием в их составе побочных фаз из-за узкой однофазной области существования CZTSSe, которые приводят к формированию дефектов различных типов. Так, в работе [4] отмечено, что такие дефекты приводят к образованию хвостовых полос поглощающего слоя и существенной рекомбинации, происходящей вблизи границы поглощающего слоя и подложки, что является основной причиной ухудшения напряжения холостого хода и коэффициента заполнения в ТСЭ на основе пленок CZTSSe.

Влияние состава поглощающих слоев на их фотовольтаические свойства экспериментально наблюдалось неоднократно. Возможным объяснением данного эффекта может быть то, что в стехиометрическом и обедненном составах могут существенно различаться не только концентрации, но и пространственные распределения дефектов, а это может влиять на дрейфовые подвижности, времена жизни носителей тока и процессы разделения зарядов.

Целью данной работы является получение поликристаллов твердых растворов Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4, исследование их кристаллической структуры, фазового состава, а также изучение влияния содержания серы и селена на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Синтез соединений. Для синтеза четверных твердых растворов Cu2ZnSn(SхSe1 – х)4 использовался однотемпературный метод, обеспечивающий чистоту получаемого вещества и отсутствие потерь компонентов. В качестве исходных веществ выступали элементарные медь, цинк и олово чистотой 99.999%, сера и селен квалификации “ос. ч.”. Синтез проводился в двойных кварцевых ампулах. Исходные компоненты в соотношениях, соответствующих формульному составу, в количестве ~15 г загружались в ампулу, которую затем вакуумировали. Далее ампула с исходными компонентами помещалась в другую вакуумированную ампулу, которая устанавливалась в вертикальную однозонную печь.

Ранее выполненные исследования температуры фазовых превращений соединений Cu2ZnSnS4, Сu2ZnSnSе4 и их твердых растворов с помощью дифференциального термического анализа (ДТА) показали, что на ДТА-кривых присутствует один тепловой эффект [5, 6]. Для соединений он соответствует температуре плавления, для твердых растворов – точкам солидуса и ликвидуса. Построенная по результатам ДТА диаграмма состояния системы Cu2ZnSnS4–Сu2ZnSnSе4 характеризуется небольшим интервалом кристаллизации, ее можно отнести к первому типу по классификации Розебома [7].

Температуру в печи поэтапно с двухчасовой выдержкой поднимали до значений, превышающих на 20–30°C температуру плавления соединения, либо до температуры ликвидуса твердого раствора соответствующего состава [8]. При достижении нужной температуры включали вибрационное перемешивание, которое в значительной мере ускоряет образование соединения и препятствует взрыву ампул, и выдерживали в течение 4 ч. Затем вибрацию отключали и уменьшали температуру со скоростью 5°/ч до полного затвердения раствора. Для гомогенизации полученных слитков твердых растворов их отжигали в вакууме при 750 °С в течение 300 ч.

Методики измерений. Рентгенографические исследования проводили на рентгеновском дифрактометре ДРОН-3 в монохроматическом CuKα-излучении. В качестве монохроматора применяли монокристаллическую графитовую пластинку, которую устанавливали на пути следования отраженного пучка. Образцами служили порошки полученных соединений и твердых растворов, запрессованные в пластмассовые кюветы. Дифрактограммы записывали с шагом 0.03° по шкале 2θ и выдержкой 3 с. Анализ фазового состава проводился с использованием баз данных Joint Committee on Powder Diffraction Standard (JCPDS) и Crystallography Open Database (COD).

Химический состав образцов определяли методом рентгеновского спектрального микроанализа (РСМ) с дисперсией по энергии, используя сканирующий электронный микроскоп Stereoscan-360 с рентгеновским спектрометром AN 10000 (погрешность порядка 2 ат. %). Для исследования химического состава были использованы 5 кристаллитов каждого полученного соединения и твердых растворов.

Спектры комбинационного рассеяния света (КРС) были получены при комнатной температуре со спектральным разрешением не хуже 3 см–1 с помощью конфокального комбинационного спектрометра Nanofinder HE (LOTIS TII). Возбуждение КРС осуществлялось твердотельным лазером в непрерывном режиме с длиной волны 532 нм и оптической мощностью 200 мкВт. Диаметр лазерного пятна на поверхности образца составлял ~0.6–0.7 мкм.

Для исследования кинетики гибели фотогенерированных носителей тока был применен метод времяразрешенной микроволновой фотопроводимости (FTRMC) в диапазоне частот 36 ГГц при комнатной температуре. Временное разрешение регистрирующей цепи было ~5 нс. Фотопроводимость возбуждали азотным лазером ЛГИ-21 с λ = = 337 нм и длительностью импульса 8 нс. Максимальная плотность светового потока, падающего на образец за импульс (экспозиция), составляла 1015 фотон/см2 за импульс. Интенсивность света в экспериментах изменяли с помощью светофильтров.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

На рис. 1 представлены дифрактограммы твердых растворов Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 с x = 0, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0. На дифрактограммах присутствуют рефлексы, характерные только для тетрагональной структуры этих соединений, что свидетельствует об однофазности полученных образцов. Кроме того, из представленных дифрактограмм видно, что в Cu2ZnSn(SхSe1 – х)4 при замещении атомов селена атомами серы с меньшим атомным радиусом все рефлексы смещаются в область больших углов, т.е. происходит сжатие кристаллической решетки. Установлено, что зависимость параметров элементарной ячейки твердых растворов Cu2ZnSn(SхSe1 – х)4 (x = 0, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0) [3, 8], рассчитанных методом наименьших квадратов, от х линейная в соответствии с законом Вегарда. Выполнение данного закона подтверждает, что исследованные образцы Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 являются твердыми растворами.

Рис. 1.

Дифрактограммы Cu2ZnSn(SxSe1 –x)4 с х = 0 (1), 0.3 (2), 0.5 (3), 0.7 (4), 1.0 (5).

Из табл. 1 видно, что экспериментальные данные химического состава поликристаллов соединений Сu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 и их твердых растворов Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4, полученные с помощью РСМ, удовлетворительно согласуются с расчетными значениями в пределах погрешности измерений, которая не превышала 2%. Атомные соотношения элементов Cu/(Zn + Sn), Cu/Zn, и Zn/Sn в полученных поликристаллических образцах находятся в диапазонах 0.96–1.03, 1.89–2.12 и 0.91–1.03 соответственно.

Таблица 1.  

Расчетные и экспериментальные данные химического состава соединений Сu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 и их твердых растворов Cu2ZnSn(SxSe1 –x)4

x Cu, ат. % Zn, ат. % Sn, ат. % S, ат. % Se, ат. %
расч. эксп. расч. эксп. расч. эксп. расч. эксп. расч. эксп.
1.0 25.00 24.26 12.50 12.82 12.50 12.47 50.00 50.45 – –
0.3 25.00 24.72 12.50 12.68 12.50 12.60 15.00 14.78 35.00 35.22
0.5 25.00 25.16 12.50 11.86 12.50 12.98 25.00 25.42 25.00 24.58
0.7 25.00 24.87 12.50 12.14 12.50 12.99 35.00 35.22 15.00 14.78
0.0 25.00 25.37 12.50 12.48 12.50 12.21 – – 50.00 49.94

Как известно, метод КРС полезен для анализа кристаллической структуры и фазового состава соединений CZTSSe, поскольку основные рефлексы в рентгеновских спектрах соединений Сu2ZnSnS4 и Cu2ZnSnSe4 могут перекрываться с рефлексами возможных побочных фаз, таких как ZnS(Se), Cu2SnS(Se)3 и Cu2S(Se) [9, 10], что затрудняет их обнаружение. Согласно неопределенному/неполному представлению структуры кестерита (пр. гр. $I{\bar {4}}$ (Г = 3A + 6B + 6E)), для CZTSSe теоретически предсказано 27 активных комбинационных мод, из которых большинство экспериментально обнаружено для соединений CZTS и CZTSe [11, 12]. Обычно из всех этих мод наиболее сильными являются две моды А1-симметрии.

На рис. 2 представлены спектры КРС поликристаллов Сu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSn(SхSe1 – х)4, измеренные при комнатной температуре. В спектре КРС поликристаллов соединения CZTS (x = 1.0) обнаруживаются пики при 286, 336 и 370 см–1, в то время как для CZTSe (х = 0) – при 172, 194 и 232 см–1. В обоих случаях все обнаруженные пики могут быть отнесены к колебательным модам кестерита CZTS или CZTSe и находятся в хорошем соответствии с рассчитанными [13] и экспериментальными [14, 15] положениями для этих соединений. Причем полученные соединения CZTS и CZTSe имеют основную моду А1-симметрии около 336 и 194 см–1 соответственно. Никаких колебательных мод, характерных для побочных фаз, явно не наблюдается, что свидетельствует об отсутствии примесных фаз в полученных поликристаллах.

Рис. 2.

Спектры КРС Cu2ZnSn(SxSe1 –x)4 с х = 0 (1), 0.3 (2), 0.5 (3), 0.7 (4), 1.0 (5).

В отличие от соединений CZTS и CZTSe твердые растворы Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 с х = 0.3, 0.5 и 0.7 имеют более сложные спектры КРС (см. рис. 2) и характеризуются наличием двух доминирующих широких пиков в области высоких (280–400 см–1) и низких (150–270 см–1) частот [16]. Пики в высокочастотной области идентифицируются как CZTS-подобные, соответствующие модам А1-симметрии, включающим в себя колебания только ионов S, а пики в более низкой частотной области идентифицируются как CZTSe-подобные, соответствующие также модам А1-симметрии, включающим колебания только ионов Se. На представленных спектрах КРС Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 с х = 0.3, 0.5 и 0.7 хорошо видно, что изменение концентрации халькогенов (S, Se) приводит к сдвигу комбинационных мод A1-симметрии CZTS и CZTSe в сторону более высокого (увеличение содержания серы) или более низкого (увеличение содержания селена) волнового числа. Кроме того, при увеличении содержания серы происходит снижение интенсивности колебательных мод CZTSe, а моды CZTS становятся доминирующими. Такое поведение хорошо согласуется с двухмодовым поведением соединения CZTSSe из-за сосуществования атомов S и Se [17]. Наблюдаемый сдвиг мод А1-симметрии CZTS и CZTSe в направлении высокой частоты при увеличении содержания серы имеет линейный характер. Это явление обусловлено масс-эффектом и изменением прочности связи в образцах CZTSSe [18, 19].

Одним из методов, позволяющих исследовать кинетику гибели фотогенерированных носителей тока, является метод время-разрешенной люминесценции [20, 21], основанный на исследовании кинетики затухания спектра излучения. Однако этим методом регистрируются только процессы, протекающие с излучением света, например рекомбинационная люминесценция. Для регистрации процессов гибели свободных носителей тока, идущих без излучения света – захват акцепторами, ловушками, электрон-дырочная рекомбинация, рекомбинация через локализованные состояния и т.д., – этот метод не пригоден. Электрические методы применимы в более общем случае. Одним из таких методов является метод время-разрешенной микроволновой фотопроводимости (FTRMC) [22]. Этот метод позволяет следить за изменением концентрации носителей тока в образце. Кроме того, важно отметить, что благодаря обычно малому дрейфовому смещению носителей тока под действием электрического поля метод позволяет исследовать микро- и макрообъекты.

Исследование кинетики гибели фотогенерированных носителей тока показало, что при включении света отраженная мощность сначала резко возрастала – фотоотклик, а затем постепенно возвращалась к исходному состоянию. На рис. 3 для примера приведены спады микроволновой фотопроводимости для двух образцов Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 с разным содержанием серы и селена (х = 0.3 и 0.1). Зависимости амплитуды фотоотклика от интенсивности света ∆Pmax(I0) для исследуемых образцов были нелинейными. Этот факт свидетельствует о том, что при использованных в эксперименте интенсивностях света был заметен вклад в фотоотклик процесса гибели второго порядка (рекомбинация электронов и дырок) на временах, меньших временного разрешения установки τпр < 5 нс. Из рис. 3 можно видеть, что на больших временах проявляется “медленная” компонента фотоотклика (кривая 2), свидетельствующая о перезахвате электронов в мелких ловушках для образцов с большим содержанием серы. Таким образом, обнаружено, что при большем содержании серы образуется бóльшая концентрация мелких ловушек по сравнению с образцами, в которых содержание селена выше [23].

Рис. 3.

Спады микроволновой фотопроводимости образцов Cu2ZnSn(SxSe1 –x)4 с x = 0.3 (1) и 1.0 (2).

Если принять это предположение, то разная степень нелинейности зависимости ∆Pmax(I) в образцах с разным x может быть связана с разным соотношением процессов гибели избыточных носителей тока первого и второго порядков в этих образцах. Так, для процесса гибели электрона первого порядка (например, захват в ловушки) следует ожидать линейной зависимости амплитуды фотоотклика от интенсивности света. Тогда как для процесса рекомбинации свободных электронов и дырок (второй порядок реакции) зависимость ∆Pmax(I) лишь при очень малых временах может быть линейной, а далее должна приближаться к I1/2 [23].

Различия соотношения процессов гибели избыточных носителей тока первого и второго порядков естественно ожидать в образцах Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 при увеличении содержания серы, поскольку возникают дополнительные глубокие уровни, которые могут служить акцепторами электронов (рис. 4).

Рис. 4.

Зависимости амплитуды микроволнового фотоответа от интенсивности падающего света для образцов Cu2ZnSn(SxSe1 –x)4 с x = 0.3 (1) и 1.0 (2).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Поликристаллические четверные полупроводниковые соединения Cu2ZnSnSе4, Cu2ZnSnS4 и их твердые растворы Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 были синтезированы однотемпературным методом из элементов Cu, Zn, Sn, S и Se. Установлено, что экспериментальные данные химического состава полученных поликристаллических образцов незначительно отличаются от расчетных в пределах относительной погрешности измерений (2 ат. %). Показано, что как исходные соединения Cu2ZnSnSе4, Cu2ZnSnS4, так и твердые растворы на их основе являются однофазными и кристаллизуются в тетрагональной структуре. Установлено также, что параметры элементарной ячейки уменьшаются с ростом концентрации серы линейно в соответствии с законом Вегарда, что свидетельствует об образовании непрерывного ряда твердых растворов в области 0 < x < 1.

Показано, что основные моды А1-симметрии в спектрах КРС твердых растворов Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 сдвигаются в область высоких частот с увеличением содержания серы, что обусловлено масс-эффектом и изменением силы связи.

Исследование влияния содержания серы и селена на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в поликристаллических твердых растворах Cu2ZnSn(SхSe1 –х)4 показало различное соотношение процессов гибели избыточных носителей тока первого и второго порядков. Это обусловлено тем, что при увеличении содержания серы возникают дополнительные глубокие уровни, которые могут служить акцепторами для электронов.

Список литературы

  1. Фаренбрух А., Бъюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. М.: Энергоатомиздат, 1987. 280 с.

  2. Burgelman M., Marlein J. Analysis of Graded Band Gap Solar Cells with SCAPS // Proc. of the 23rd Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. Valencia. 2008. P. 2151–2155.

  3. Rakitin V.V., Novikov G.F. The Solar Cells of Third Generation Based on Cupper Quadruple Compounds with Kesterite Structure // Russ. Chem. Rev. 2017. V. 86. № 2. P. 99–112.

  4. Yan Q., Cheng S., Li H., Yu X., Fu J., Tian Q., Jia H., Wu S. High Flexible Cu2ZnSn(S,Se)4 Solar Cells by Green Solution-Process // Solar Energy. 2019. V. 177. P. 508–516.

  5. Matsushita H., Ichikawa T., Katsui A. Structural, Thermodynamical and Optical Properties of Cu2-II-IV-VI4 Quaternary Compounds // J. Mater. Sci. 2005. V. 40. P. 2003– 2005.

  6. Боднарь И.В., Викторов И.А., Волкова Л.В., Бунцевич Р.Л. Исследование системы Cu2ZnSnS4–Cu2ZnSnSe4 // Докл. БГУИР. 2015. № 4(90). С. 10–15.

  7. Новоселова А.В., Лазарев В.Б., Медведева З.С., Лужная Н.П., Левин А.А., Елисеев А.А., Зломанов В.П. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. М.: Наука, 1979. 340 с.

  8. Гременок В.Ф., Шелег А.У., Гуртовой В.Г., Хорошко В.В., Новиков Г.Ф. Получение и исследование кристаллической структуры системы Cu2ZnSnS4–Cu2ZnSnSe4 // Матер. 1-й Междунар. науч.-практ. конф. “Элементы, приборы и системы электронной техники”. Запорожье. 2018. С. 29–31.

  9. Olekseyuk I.D., Dudchak I.V., Piskach L.V. Phase Equilibria in the Cu2S–ZnS–SnS2 System // J. Alloys Compd. 2014. V. 368. P. 135–143.

  10. Dudchak I.V., Piskach L.V. Phase Equilibria in the Cu2SnSe3–SnSe2–ZnSe System // J. Alloys Compd. 2003. V. 351. P. 145–150.

  11. Dimitrievska M., Fairbrother A., Fontane X., Jawhari T., Izquierdo-Roca V., Saucedo E., Perez-Rodriguez A. Multiwavelength Excitation Raman Scattering Study of Polycrystalline Kesterite Cu2ZnSnS4 Thin Films // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. P. 021901.

  12. Guc M., Levcenko S., Izquierdo-Roca V., Fontane X., Arushanov E., Perez-Rodriguez A. Polarized Raman Scattering Analysis of Cu2ZnSnSe4 and Cu2ZnGeSe4 Single Crystals // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. P. 193514.

  13. Khare A., Himmetoglu B., Johnson M., Norris D.J., Cococcioni M., Aydil E.S. Calculation of the Lattice Dynamics and Raman Spectra of Copper Zinc Tin Ghalcogenides and Comparison to Experiments // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. P. 083707.

  14. Redinger A., Hones K., Fontane X., Izquierdo-Roca V., Saucedo E., Valle N., Perez-Rodriguez A., Siebentritt S. Detection of a ZnSe Secondary Phase in Coevaporated Cu2ZnSnSe4 Thin Films // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 101907.

  15. Wang K., Gunawan O., Todorov T., Shin B., Chey S.J., Bojarczuk N.A., Mitzi D., Guha S. Thermally Evaporated Cu2ZnSnS4 Solar Cells // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 143508.

  16. Dimitrievska M., Xie H., Fairbrother A., Fontane X., Gurieva G., Saucedo E., Perez-Rodrıguez A., Schorr S., Izquierdo-Roca V. Multiwavelength Excitation Raman Scattering of Cu2ZnSn(SxSe1 –x)4 (0 ≤ x ≤ 1) Polycrystalline Thin Films: Vibrational Properties of Sulfoselenide Solid Solutions // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 031913.

  17. Grossberg M., Krustok J., Raudoja J., Timmo K., Altosaar M., Raadik T. Photoluminescence and Raman Study of Cu2ZnSn(SexS1 –x)4 Monograins for Photovoltaic Applications // Thin Solid Films. 2010. V. 519. P. 7403–7406.

  18. Papadimitriou D., Esser N., Xue C. Structural Properties of Chalcopyrite Thin Films Studied by Raman Spectroscopy // Phys. Status. Solidi. B. 2005. V. 242. P. 2633–2643.

  19. Neumann H. Lattice Vibrations in AIBIIIC2VI Chalcopyrite Compounds // HeIv. Chim. Acta. 1985. V. 58. P. 337–346.

  20. Repins I.L., Metzger W.K., Perkins C.L., Li J.V., Contreras M.A. Measured Minority-Carrier Lifetime and CIGS Device Performance // Proc. of the 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. Philadelphia. Pennsylvania. 2009. P. 000978–000983.

  21. Sakurai T., Taguchi K., Islam M.M., Ishizuka S., Yamada A. Time-Resolved Microphotoluminescence Study of Cu(In,Ga)Se2 // Jpn. J. Appl. Phys. 2011. V. 50. P. 05FC01–05FC05.

  22. Novikov G.F., Marinin A.A., Rabenok E.V. Microwave Measurements of the Pulsed Photoconductivity and Photoelectric Effect // Instrum. Exp. Tech. 2010. V. 53. № 2. P. 233–239.

  23. Novikov G.F. Two Advanced Research Methods: Frequency-Time-Resolved Microwave Photoconductivity and Broadband Photodielectric Spectroscopy // J. Renew. Sustain. Energy. 2015. V. 7. P. 011204-1–011204-10.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Неорганические материалы

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал