Неорганические материалы, 2022, T. 58, № 7, стр. 713-721

Магнитные свойства соединения CoCr0.5Ga1.5S4

Г. Г. Шабунина 1, Е. В. Бушева 1*, П. Н. Васильев 1, Н. Н. Ефимов 1

1 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук
119991 Москва, Ленинский пр., 31, Россия

* E-mail: busheva@igic.ras.ru

Поступила в редакцию 13.01.2022
После доработки 30.03.2022
Принята к публикации 04.04.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Синтезировано соединение CoCr0.5Ga1.5S4, которое кристаллизовалось в тригональной симметрии (P3m1) с параметрами элементарной ячейки а = 3.639 Å и с = 12.016 Å. Магнитные свойства соединения измерены в температурном интервале 4–300 К в постоянном магнитном поле 50 Э и 45 кЭ, а также в переменном (10, 100, 1000 Гц) магнитном поле с амплитудой модуляции 1 Э. По результатам измерения магнитных свойств, соединение является ферримагнетиком с температурой упорядочения ТС = 205 К. При охлаждении на температурных зависимостях мнимой компоненты динамической магнитной восприимчивости наблюдается касп с частотной зависимостью, указывающий на наличие при Тf ~ 12 К перехода в состояние возвратного спинового стекла.

Ключевые слова: ферримагнетик, спиновое стекло, тиохромит галлия, твердофазный высокотемпературный синтез

ВВЕДЕНИЕ

В последнее время идет активный поиск материалов для устройств спинтроники. Хотя наметилась тенденция использования диэлектрических материалов [1–3], желательно, чтобы материалы спинтроники совмещали в себе полупроводниковый тип проводимости и ферро- или ферримагнитное упорядочение [4–7] для эффективной инжекции поляризованных по спину носителей заряда.

Представленная работа посвящена изучению условий синтеза и магнитных свойств соединения CoCr0.5Ga1.5S4, а также установлению его структуры. Соединение CoCr0.5Ga1.5S4 было обнаружено авторами [8] на разрезе xCoCr2S4–(1 – x)CoGa2S4, входящем в тройную систему CoS–Cr2S3–Ga2S3. Согласно данным РФА и ИК-спектроскопии, это соединение кристаллизовалось в тригональной симметрии (пр. гр. P3m1) с параметрами а = 3.637 Å и с = 12.007 Å, и имело область гомогенности в интервале 0.7 < x < 0.9. В работе [9] высказано предположение, что CoCr0.5Ga1.5S4 имеет структуру нормальной шпинели, но подтверждающих это данных в работе не приводится. Свойства соединения CoCr0.5Ga1.5S4 авторами [8] практически не изучались.

Граничные составы разреза, на котором образовалось соединение, CoCr2S4 и CoGa2S4, проявляют интересные магнитные, оптические и электрические свойства.

Ферримагнитный тиохромит CoCr2S4 (ТС = = 220–235 К) [10–12] имеет структуру нормальной шпинели Fd3m [13]. Относительно высокое значение температуры Кюри в CoCr2S4 объясняется наличием сильного A–S–B-сверхобменного взаимодействия через ионы серы. Парамагнитная восприимчивость соединения следует закону Кюри-Вейса с большим отрицательным значением константы Кюри-Вейса Θр= –390–480 К [14].

В соединении CoCr2S4 на температурных зависимостях мнимой части магнитной восприимчивости в районе 120 К наблюдался максимум (касп), который, по данным [15], соответствует переходу в спинстекольное состояние.

CoCr2S4 отличают гигантские эффекты Керра и фарадеевского вращения в ближнем ИК-диапазоне [1618], что делает данное соединение перспективным для использования в качестве ИК-модулятора или среды для магнитооптической записи информации.

Легирование CoCr2S4 ионами индия, галлия и меди, предпринятое в работах [19, 20], имело целью дальнейшее улучшение его магнитооптических параметров, выяснение природы фарадеевского вращения и факторов, влияющих на его величину. Были изучены магнитофазовые диаграммы систем, выделены температурные и концентрационные области существования магнитоактивных фаз. В основном, при легировании CoCr2S4 диамагнитными ионами магнитные свойства изменялись от ферримагнетика к антиферромагнетику через стадию существования спинового стекла.

Второй компонент разреза – тиогаллат кобальта CoGa2S4 – имеет две модификации. Низкотемпературная α-фаза кристаллизуется в тетрагональной структуре (пр. гр. I4) с параметрами решетки a = 5.243 Å и c = 10.416 Å, а высокотемпературная β-фаза – в орторомбической структуре [21, 22]. В магнитном отношении α-фаза является антиферромагнетиком с ТN = 7 К [23].

Соединения тиогаллатов или тиоиндатов типа MB2X4 (M = Co, Fe; B = Ga, In; X = S, Se) могут быть использованы в качестве лазеров, модуляторов света, фотодетекторов и в других функциональных устройствах, управляемых магнитным полем.

В литературе также приводятся данные для соединений состава MCr2–xAxS4 (M = Co, Mn; A = Ga, In для x = 1.5 и 0.5, а именно: CoCr0.5Ga1.5S4 [8], MnCr0.5Ga1.5S4 [24, 25], MnCr0.5In1.5S4 [26, 27] и CoCr1.5In0.5S4 [28]. Соединения MnCr0.5Ga1.5S4 (x = 1.5) и CoCr1.5In0.5S4 (x = 0.5) являются ферримагнетиками с температурами ферромагнитного упорядочения ТС = 48 и 220 К соответственно. Интересным является тот факт, что при охлаждении эти соединения претерпевают ряд магнитных превращений. Так, в MnCr0.5Ga1.5S4 при охлаждении происходят переходы парамагнетик – ферримагнетик при ТС = 48 К, ферримагнетик – спиновое стекло при Т = 7.9 К и переход Яфета-Кителя при Т = 5 К. При ТN = 3.9 К это соединение становится антиферромагнетиком [25]. CoCr1.5In0.5S4 [28] также является ферримагнетиком, при охлаждении претерпевает переход в состояние спинового стекла. Образцы MnCr2 –xIn2xS4 были синтезированы в интервале 0 < x < 0.5, но более подробное исследование магнитных свойств было проведено только для образцов c 0 < x < 0.1, где наблюдались переходы парамагнетик–ферримагнетик и возвратный спин-стекольный переход при низких температурах.

Как видно из приведенных данных, в магнитном отношении тиохромиты, включающие индий или галлий (диамагнитные ионы), могут являться ферримагнетиками, а при понижении температуры изменять свое магнитное поведение, становясь, в том числе, спиновыми стеклами.

Настоящая работа посвящена изучению условий синтеза соединения CoCr0.5Ga1.5S4 и установлению его структуры, а также подробной характеризации его магнитных свойств.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Исходными веществами для получения соединения CoCr0.5Ga1.5S4 служили элементы: S (“ос. ч.”, 99.999%), Co (99.9%), порошкообразные Cr (99.8%) и Ga (99.999%), взятые в стехиометрическом соотношении. Навеска составляла 3 г, точность на аналитических электронных весах Sartorius – около 0.0005 г.

Синтез проводили методом твердофазных реакций в кварцевых ампулах, откачанных до остаточного давления не хуже 10–2 Па. Во избежание разрушения ампулы при нагреве из-за резкого повышения давления паров серы проводили постепенное повышение температуры в течение 2–3 сут до 450°С, выдерживали 2 сут при этой температуре, затем постепенно продолжали ее подъем в течение 4–5 сут до 860–880°С. Для полноты протекания твердофазной реакции ампулу выдерживали при этой температуре в течение 7–10 дней, потом охлаждали до 600°С в течение 2–3 сут, далее охлаждение проводили в режиме выключенной печи. Для получения однофазного образца потребовалось провести две серии отжигов. Повторный отжиг проводили по той же схеме после перетирания образцов и откачки.

Рентгенограммы регистрировали с использованием дифрактометра Bruker D8 ADVANCE (CuKα-излучение, 2θ = 10°–100°, шаг 0.02°) в центре коллективного пользования ИОНХ РАН. Полученные данные сравнивали с рентгенограммами из базы данных картотеки JCPDS для подтверждения фазового состава. Определение параметров решетки для триклинной сингонии выполняли с помощью программы PDIR, точность вычисления ±0.001 Å.

Магнитные свойства исследовали по методике, аналогичной изложенной в работе [29], с использованием автоматизированного комплекса проведения физических измерений PPMS-9 Quantum Design с опцией измерения намагниченности. Температурные зависимости намагниченности измеряли в температурном интервале 4–300 К в постоянном магнитном поле 50 Э и 45 кЭ. При проведении измерений в слабом поле образец охлаждали до температуры жидкого гелия в нулевом магнитном поле (ZFC), после чего включали небольшое измерительное поле напряженностью 50 Э и медленно поднимали температуру до 300 К, регистрируя значения намагниченности. После проведения указанных измерений регистрировали значения намагниченности в процессе охлаждения в том же магнитном поле (FC). Изотермы намагниченности M(H) измеряли вплоть до значений напряженности магнитного поля Н = 40 кЭ. Температурные зависимости динамической магнитной восприимчивости измеряли в переменном магнитном поле с частотой 10, 100, 1000 Гц и амплитудой модуляции 1 Э в нулевом внешнем магнитном поле.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Для синтезированного образца CoCr0.5Ga1.5S4, лежащего на разрезе CoCr2S4–CoGa2S4, был проведен рентгенофазовый анализ. Сравнение дифрактограмм CoCr2S4 и CoGa2S4 с дифрактограммой синтезированного соединения показало отсутствие на последней линий граничных соединений (рис. 1), что подтверждает однофазность полученного образца CoCr0.5Ga1.5S4. Помимо этого, методом расчета межплоскостных расстояний в программе PDIR, исходя из опубликованных в [8] данных по структуре соединения, были рассчитаны параметры решетки, индексы погасания и межплоскостные расстояния (табл. 1), которые хорошо согласовались с экспериментальными данными, полученными в настоящей работе. Также экспериментально были подтверждены рефлексы с межплоскостными расстояниями, которые в работе [8] не наблюдались, а были лишь теоретически вычислены. Параметры решетки, определенные в ходе настоящей работы, очень близки к полученным авторами [1]. Таким образом, было подтверждено, что в условиях нашего эксперимента соединение CoCr0.5Ga1.5S4 кристаллизовалось, как и в [8], в тригональной симметрии (пр. гр. P3m1) с параметрами кристаллической решетки а = 3.639 Å и с = 12.016 Å и не обладало структурой шпинели, как предполагалось в [9].

Рис. 1.

Сравнение дифрактограммы соединения CoCr0.5Ga1.5S4, полученного на разрезе CoCr2S4–CoGa2S4, с дифрактограммами исходных соединений.

Таблица 1.  

Экспериментальные и расчетные рентгеновские данные соединения CoCr0.5Ga1.5S4

N 2θ, град h k l dэксп, Å dрасч, Å Δd, Å
1 14.79 0 0 2 5.9854 6.0072 0.0218
2 22.23 0 0 3 3.9953 4.0048 0.0095
3 28.32 1 0 0 3.1491 3.1501 0.0010
4 29.30 1 0 1 3.0460 3.0471 0.0011
5 29.52 0 0 4 3.0238 3.0036 –0.0202
6 32.07 1 0 2 2.7884 2.7898 0.0013
7 36.27 1 0 3 2.4750 2.4759 0.0009
8 37.44 0 0 5 2.4001 2.4029 0.0028
9 41.53 1 0 4 2.1728 2.1738 0.0010
10 47.56 1 0 5 1.9103 1.9105 0.0002
11 50.11 1 1 0 1.8190 1.8187 –0.0003
12 53.38 0 0 7 1.7151 1.7163 0.0012
13 54.25 0 1 6 1.6893 1.6899 0.0006
14 55.42 1 1 3 1.6564 1.6559 –0.0005
15 59.13 0 2 1 1.5611 1.5617 0.0006
16 60.78 0 2 2 1.5227 1.5235 0.0008
17 61.75 0 0 8 1.5011 1.5018 0.0007
18 64.18 1 1 5 1.4498 1.4501 0.0003
19 67.04 0 2 4 1.3949 1.3949 0.0000
20 69.24 1 0 8 1.3558 1.3556 –0.0002
21 71.64 0 2 5 1.3162 1.3173 0.0011
22 76.90 2 0 6 1.2387 1.2379 –0.0008
23 77.62 1 0 9 1.2290 1.2291 0.0001
24 79.77 0 0 10 1.2012 1.2014 0.0002
25 81.06 2 1 1 1.1853 1.1848 –0.0005
26 82.41 2 1 2 1.1693 1.1679 –0.0014
27 88.21 2 1 4 1.1068 1.1068 0.0000
28 89.65 0 0 11 1.0927 1.0922 –0.0005

На рис. 2а представлены температурные зависимости намагниченностей σ(Т)ZFC и σ(Т)FC однородного магнетика CoCr0.5Ga1.5S4 в интервале температур 4–300 К в слабом магнитном поле H = = 50 Э. Видно, что соединение CoCr0.5Ga1.5S4 характеризуется температурой Кюри TС = 205 K, при которой происходит фазовый переход из парамагнитного состояния в упорядоченное ферримагнитное состояние с дальним магнитным порядком.

Рис. 2.

Температурные зависимости намагниченностей σ(Т)ZFC и σ(Т)FC (а) и обратной восприимчивости (б) соединения CoCr0.5Ga1.5S4.

При температурах ниже ТС между кривыми ZFC и FC наблюдается расхождение – т.н. необратимость. Такое поведение обычно объясняется наличием (в случае FC) или отсутствием (ZFC) ориентирующего спины неспаренных электронов внешнего магнитного поля. Однако в данном случае на зависимости σ(Т)ZFC при температурах ниже 150 К значения отрицательны, а при температуре 4 К намагниченность σ(4К)ZFC = –58 Гс см3/моль в магнитном поле 50 Э. Столь значительные отрицательные значения намагниченности могут быть обусловлены наличием сверхпроводящей составляющей в намагниченности, которая подавляется внешним магнитным полем при FC-эксперименте [30], а также влиянием неточности установления нулевого значения магнитного поля на измерительном приборе, что характерно для сверхпроводящих магнитов.

Неточности установки значения магнитного поля (до ± 3 Э) может быть достаточно для намагничивания образца до состояния, близкого к насыщению при температурах ~ 205 K вблизи фазового перехода парамагнетик-ферримагнетик. Постепенное возрастание намагниченности σ(Т)ZFC при повышении температуры может указывать на процесс постепенного перемагничивания магнитных доменов, для которых напряженности измерительного поля (50 Э) становится достаточно для успешного перемагничивания.

С целью определения характера магнитных взаимодействий при температурах выше точки Кюри проводили измерения магнитной восприимчивости в сильном магнитном поле (Н = 45 кЭ). Аппроксимацией высокотемпературного (T > 250 К) участка температурной зависимости 1/χ (рис. 2б) в сильном поле с использованием закона Кюри-Вейса χ = С/(Т – Θp) были получены следующие значения параметров аппроксимации: С = 2.69 см3 К/моль (µэф = 4.64 µB); Θp = –95 К. Достаточно большое отрицательное значение постоянной Вейса Θp подтверждает антиферромагнитный характер взаимодействий магнитных центров в CoCr0.5Ga1.5S4.

На рис. 3а приведены полевые зависимости намагниченности CoCr0.5Ga1.5S4 при Т = 4, 50 и 150 К. Для зависимостей σ(Н) при всех указанных температурах характерны отсутствие насыщения даже в максимальных измерительных магнитных полях 40 кЭ (4 Тл) и наличие гистерезиса намагниченности. Величины коэрцитивной силы (НС) и остаточной намагниченности (σr) заметно увеличиваются с уменьшением температуры (см. табл. 2), что с учетом отрицательной величины постоянной Вейса Θp указывает на наличие в образце ферримагнитного упорядочения.

Рис. 3.

Полевые зависимости намагниченности (а) и температурная зависимость разности намагниченностей σ(Т)ZFC и σ(Т)FC (б) соединения CoCr0.5Ga1.5S4.

Таблица 2.  

Характеристики петель гистерезиса CoCr0.5Ga1.5S4 при различных температурах

Т, К 4 50 150
Нc, Э 247 76 37
σr, Гс см3/моль 215 89 44
σ40 кЭ, Гс см3/моль 1578 1391 857

При охлаждении до температуры 12 К в поликристаллическом образце CoCr0.5Ga1.5S4, вероятно, возникает магнитное упорядочение – возвратное спинстекольное состояние.

Согласно [31], различия между величинами и температурами вариации коэрцитивной силы могут проявляться в степени их необратимости, выраженной в виде разницы между зависимостями σ(Т)ZFC и σ(Т)FC.

На рис. 3б приведена зависимость разности намагниченностей (в интервале от комнатной до гелиевой температур в слабом магнитном поле 50 Э). На кривой наблюдается не только переход с ТС = 205 К, но и перегиб при Т ~ 12 К, который совпадает с температурой Тf, вероятно, отвечающей за образование кластерного спинового стекла (вставка на рис. 3б).

На рис. 4 приведены температурные зависимости действительной (рис. 4а) и мнимой (рис. 4б) частей динамической магнитной восприимчивости CoCr0.5Ga1.5S4 при частотах 10, 100, 1000 Гц переменного магнитного поля при амплитуде модуляции НАС = 1 Э. Видно, что соединение характеризуется температурой перехода из парамагнитного в ферримагнитное состояние ТС = 205 K.

Рис. 4.

Температурные зависимости действительной (а) и мнимой (б) частей динамической магнитной восприимчивости CoCr0.5Ga1.5S4 при частотах 10, 100, 1000 Гц переменного магнитного поля при амплитуде модуляции НАС = 1 Э; на вставках приведен температурный интервал вблизи Т = 12 К.

На частотных зависимостях магнитных потерь χ''(T) при температурах 12–15 К наблюдается касп, характеризующий возвратный характер перехода, вероятно, связанного с возникновением локального спинстекольного состояния. На вставке к рис. 4б показаны положения максимумов χ''(T) в увеличенном виде. Температуры максимумов на зависимостях χ''(T) коррелируют с положением перегибов на кривых χ'(T).

В последнее время для подтверждения образования спинового стекла используется динамический метод измерения магнитной восприимчивости. Выраженная частотная зависимость линейной магнитной восприимчивости является характерным признаком спиновых стекол, образованных магнитными кластерами. Как видно из вставки на рис. 4б, с ростом частоты измерительного поля максимумы пиков на кривых χ''(Т) смещаются в сторону бо́льших температур, которые соответствуют более крупным магнитным кластерам.

Этот же переход на кривых χ'(T) сглажен. Его можно наблюдать как небольшой излом (рис. 4а). Положение излома на кривых χ'(Т) также сдвигается от 13 до 15 К при увеличении частот переменного поля (вставка на рис. 4а).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Методом твердофазных реакций из элементов синтезировано соединение CoCr0.5Ga1.5S4, структура которого подтверждена сравнением экспериментальных и расчетных данных. Соединение кристаллизуется в пр. гр. P3m1 с параметрами элементарной ячейки а = 3.639 Å и с = 12.016 Å.

Соединение является ферримагнетиком с ТС = = 205 К и при дальнейшем охлаждении до температуры ~12 К претерпевает переход в спинстекольное состояние. Расхождение кривых σ(Т)ZFC и σ(Т)FC ниже температуры ферромагнитного упорядочения также свидетельствует в пользу существования спинстекольного состояния.

Список литературы

  1. Lutsev L.V., Dubovoy V.A., Stognij A.I., Novitskii N.N., Mozharov A.M., Mukhin I.S., Ketsko V.A. Spin-Wave Filters Based on Thin Y3Fe5O12 Films on Gd3Ga5O12 and Si Substrates for Microwave Applications // J. Appl. Phys. 2020. V. 127. P. 183903. https://doi.org/10.1063/5.0007338

  2. Стогний А.И., Новицкий Н.Н., Шарко С.А., Серокурова А.И., Смирнова М.Н., Кецко В.А. Синтез и свойства пленок Y3Fe5O12 на подложках LiNbO3 // Неорган. материалы. 2020. Т. 56. № 8. С. 893–900. https://doi.org/10.31857/S0002337X20080151

  3. Serokurova A.I., Novitskii N.N., Ketsko V.A., Smirnova M.N., Gieniusz R., Maziewski A., Stognij A.I. Spin-Wave YIG/TiO2/PZT Structures Obtained by Ion-Beam Sputtering // J. Magn. Magn. Mater. 2020. V. 514. P. 167099-9. https://doi.org/10.1016/j.jmmm2020.167099

  4. Koroleva L.I., Zashchirinskiĭ D.M., Khapaeva T.M. et al. Manganese-doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 Chalcopyrites: A New Materials for Spintronics // J. Magn. Magn. Mater. 2011. V. 323. P. 2923. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2011.05.054

  5. Маренкин С.Ф., Изотов А.Д., Федорченко И.В., Новоторцев В.М. Синтез магнитогранулированных структур в системах полупроводник-ферромагнетик // ЖНХ. 2015. Т. 60. № 3. С. 343–348. https://doi.org/10.7868/S0044457X15030149

  6. Пашкова О.Н., Саныгин В.П., Филатов А.В., Ефимов Н.Н., Изотов А.Д. Магнитомягкий полупроводник InSb 〈Mn, Zn〉 с температурой Кюри 320 К // ЖНХ. 2012. Т. 57. № 7. С. 1073–1075.

  7. Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г., Ефимов Н.Н., Бушева Е.В., Новоторцев В.М. Магнитные свойства твердых растворов на основе FeCr2S4 в системе FeCr2S4–CdCr2S4 // Неорган. материалы. 2019. Т. 55. № 2. С. 236–248. https://doi.org/10.1134/S0002337X19030035

  8. Haeuseler H., Kwarteng-Acheampong W. Structural Studies in Systems CoS-Cr2S3-Ga2S3 and MGa2S4–MCr2S4 (M = Zn, Cd, Hg) / J. Solid State Chem. 1988. V. 72. P. 324–329. https://doi.org/10.1016/0022-4596(88)90036-9

  9. Krok-Kowalski J., Maciazek E., Pacyna A.W., Mydlarz T., Wfadarz G. Thermally Induced High-Spin-Low-Spin Transition in Co[Cr0.5Ga1.5]S4 // Solid State Phenomena. 2011. V. 170. P. 9–12. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.170.9

  10. Королева Л.И. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 2003. 312 с.

  11. Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г., Бушева Е.В., Новоторцев В.М. Магнитные свойства твердых растворов Cox(Cu0.5In0.5)1 –xCr2S4 // ЖНХ. 2016. Т. 61. № 4. С. 482–490. https://doi.org/10.7868/S0044457X16040036

  12. Delgado G.E., Sagredo V. Structural Analysis of the Chalcogenide Spinel System CoIn(2 – 2x)Cr2xS4 // Chalcogenide Lett. 2009. V. 6. № 12. P. 641–645. https://doi.org/ 10.1.1.1079.7953

  13. Chul Sung Kim, Min Yong Ha, Heung Moon Ko. Crystallographic and Magnetic properties of CoxFe1 –xCr2S4 // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. № 10. P. 6078–6080. https://doi.org/10.1063/1.355463

  14. Gibart P., Dormann I.L., Pellerin Y. Magnetic Properties of FeCr2S4 and CoCr2S4 // Phys. Status Solidi B. 1969. V. 36. № 2. P. 187–194. https://doi.org/10.1002/pssb.19690360120

  15. Sagredo V., Moron M.C., Delgado G.E. Magnetic Properties of CoCr2S4 // Physica B. 2006. V. 384. P. 82–84. https://doi.org/10.1016/j.physb.2006.05.156

  16. Ahrenkiel R.K., Coburn T., Carnall E., Jr. Magnetooptical Properties of Ferrimagnetic CoCr2S4 in the Near Infrared // IEEE Trans. Magn. 1974. V. MAG-10. № 1. P. 2–7. https://doi.org/10.1109/tmag.1974.1058280

  17. Ahrenkiel R.K., LeeT.H., Lyu S.L., Moser F. Giant Magneto-Reflectance of CoCr2S4 // Solid. State Commun. 1973. V. 12. P. 1113—1115. https://doi.org/10.1016/0038-1098(73)90124-5

  18. Ahrenkiel R.K., Coburn T. Hot-Pressed CoCr2S4: a Magneto-Optical Memory Material // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 72. P. 340. https://doi.org/10.1063/1.1654663

  19. Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г., Бушева Е.В., Новоторцев В.М. Магнитная диаграмма твердых растворов в системе CoCr2S4-Cu0.5In0.5Cr2S4 // Неорган. материалы. 2016. Т. 52. № 8. С. 831–844. https://doi.org/10.7868/ S0002337X16080017

  20. Аминов Т.Г., Бушева Е.В., Шабунина Г.Г., Новоторцев В.М. Магнитная фазовая диаграмма твердых растворов в системе CoCr2S4–Cu0.5Ga0.5Cr2S4 // ЖНХ. 2018. Т. 63. № 4. С. 487–494. https://doi.org/10.7868/S0044457X18040141

  21. Белов К.П., Королева Л.И., Цветкова Н.А. Спин-стеклообразное состояние в полупроводниковых шпинелях хCuCr2S4 – (1 – x)Ga0.67Cr2S4 (0 ≤ x ≤ 0.4) // ФТТ. 1981. Т. 23. № 8. С. 2477–2479.

  22. Agostinelli E., Gasandtaldi L., Viticoli S. Crystallographic and Magnetic Investigations on Cobalt Gallium Sulfides: α-CoGa2S4 and γ-CoGa2S4 // J. Phys. Chem. Solids. 1985. V. 46. № 12. P. 1345–1349. https://doi.org/10.1016/0022-3697(85)90071-X

  23. Gastaldi L., Simeone M.G., Viticoli S. Cation Ordering and Crystal Structures in AGa2X4 Compounds (CoGa2S4, CdGa2S4, CdGa2Se4, HgGa2Se4, HgGa2Te4) // Solid State Commun. 1985. V. 55. № 7. P. 605–607. https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90821-X

  24. Gron T., Krok-Kowalski J., Pacyna A.W., Mydlarz T. Spin-glass-like Behavior and Magnetic Order in Mn[Cr0.5Ga1.5]S4 Spinels // J. Phys. Chem. Solids. 2009. V. 70. № 5. P. 900. https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2009.04.016

  25. Haeuseler H., Kwarteng-Acheampong W., Acheampong W. Material with Layered Structures. II. A New Quaternary Compound with ZnIn2S4 (IIIa) Type Structure in the System MnGa2S4–MnCr2S4 // Mater. Res. Bull. 1989. V. 24. P. 939–943. https://doi.org/10.1016/0025-5408(89)90176-1

  26. Tsurkan V., Baran M., Szymczak R., Szymczak H. Spin Glass and Percolation in MnCr2–xIn2xS4 // J. Magn. Magn. Mater. 1997. V. 172. P. 317–321. https://doi.org/10.1016/S0304-8853(97)00143-1

  27. Tsurkan V., Baran M., Szewczyk A., Szymczak R., Szym-czak H. Magnetic Phase Transition in MnCr2 – xIn2xS4 Crystals // J. Phys. Condens. Matter. 1999. V. 11. P. 7907–7920. https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/40/315

  28. Delgado G.E., Sagredo V., Bolzoni F. Structural Characterization and Magnetic Properties of the Spinel Compound CoIn0.5Cr1.5S4 // Cryst. Res. Technol. 2008. V. 43. № 2. P. 141–144. https://doi.org/10.1002/crat.200711037

  29. Аминов Т.Г., Ефимов Н.Н., Шабунина Г.Г., Новоторцев В.М. Магнитные свойства CuGa0.94Mn0.06Te2 // Неорган. материалы. 2012. Т. 48. № 6. С. 661–668.

  30. Han Y., Li W.Y., Cao L.X., Wang X.Y. et al. Superconductivity in Iron Telluride Thin Films under Tensile Stress // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 104. P. 017003. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.017003

  31. Joy P.A., Anil Kumar P.S., Date S.K. The Relationship between Field-Cooled and Zero-Field-Cooled Susceptibilities of Some Ordered Magnetic Systems // J. Phys. Condens. Matter. 1998. V. 10. P. 11049–11054. https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/48/024

Дополнительные материалы отсутствуют.