Журнал неорганической химии, 2019, T. 64, № 3, стр. 308-313

Разрезы Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 и Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3 квазитройной системы Sb2Se3–PbSe–Bi2Se3

Г. Р. Гурбанов 1*, Ш. Г. Мамедов 2

1 Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности
AZ 1010 Баку, пр-т Азадлыг, 20, Республика Азербайджан

2 Институт катализа и неорганической химии им. М. Нагиева, НАН Азербайджана
AZ 1143 Баку, пр-т Г. Джавида, 113, Республика Азербайджан

* E-mail: ebikib@mail.ru

Поступила в редакцию 25.01.2018
После доработки 10.07.2018
Принята к публикации 15.08.2018

Полный текст (PDF)

Аннотация

Методами дифференциального термического, рентгенофазового, микроструктурного анализа, а также измерением микротвердости и плотности исследованы фазовые равновесия Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 и Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3, построены их диаграммы состояния. Установлено, что эти разрезы являются квазибинарными сечениями эвтектического типа системы Sb2Se3–PbSe–Bi2Se3. Координаты эвтектической точки, полученные в разрезе Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3, составляют 40 мол. % Pb6Sb2Bi6Se18 и 700 K, а в разрезе Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3 – 60 мол. % Bi2Se3 и 725 K. При комнатной температуре выявлены области твердых растворов в разрезах на основе исходных компонентов. Разработаны методики выращивания монокристаллов твердых растворов на основе обоих компонентов методом Бриджмена–Стокбаргера и химических транспортных реакций. Изучены свойства сплавов твердых растворов на основе Pb6Sb2Bi6Se18 и Bi2Se3, установлено, что они являются полупроводниками p-типа.

Ключевые слова: квазитройные системы, фазовая диаграмма, монокристаллы, твердые растворы, физико-химический анализ

DOI: 10.1134/S0044457X19030103

ВВЕДЕНИЕ

Полупроводниковые материалы составляют основу элементной базы современной электронной техники, без которой сегодня немыслим научно-технический прогресс. С развитием твердотельной электроники (прежде всего микроэлектроники) связано успешное решение проблем крупномасштабной компьютеризации и информатизации, создания современных систем связи в телевидении, эффективной передачи и преобразования электроэнергии, разработки разнообразной бытовой, медицинской и специальной электронной аппаратуры. Большую роль полупроводниковые материалы играют в решении задач развития экологически чистой энергетики и холодильной техники, создания современных систем мониторинга загрязнения окружающей среды, высокочувствительной сенсорной техники широкого функционального назначения [13].

Одним из быстро развивающихся в настоящее время направлений разработки новых полупроводниковых материалов является создание тройных или четверных узкозонных полупроводников, имеющих сложные кристаллические решетки [49].

Халькогениды типа ${\text{A}}_{{\text{2}}}^{{\text{V}}}{\text{B}}_{{\text{3}}}^{{{\text{VI}}}}$ (A = Sb, Bi; B = S, Se, Te) обладают термоэлектрическими и фотоэлектрическими свойствами. Несмотря на то, что низкая температура плавления и низкая механическая прочность этих материалов ограничивают возможности их применения [1016], халькогениды, в частности теллуриды и селениды, представляют интерес для создания топологических изоляторов [1722].

Изучение химического взаимодействия между халькогенидными соединениями расширяет круг полупроводниковых материалов и позволяет получать материалы с заданными физическими свойствами. Особый интерес представляет исследование разрезов Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 и Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3, а также возможностей получения новых материалов на основе полупроводниковых соединений Pb6Sb2Bi6Se18, Sb2Se3 и Bi2Se3.

Цель работы – исследование взаимодействия квазитройной системы Sb2Se3–PbSe–Bi2Se3 по разрезам Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 и Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3, определение областей существования твердых растворов этих материалов на основе исходных компонентов, выращивание их монокристаллов.

Согласно данным, представленным в работе [23], Pb6Sb2Bi6Se18 плавится при 950 K и кристаллизуется в ромбической сингонии с параметрами элементарной ячейки: a = 14.13, b = 21.42, c = 3.90 Å, пр. гр. Pnnm, V = 1205 Å, Z = 4. Соединение Bi2Se3 кристаллизуется в ромбической сингонии типа тетрадимита (Bi2Тe2S) с параметрами элементарной ячейки a = 4.134, с = 28.546 Å, пр. гр. $R\bar {3}m$. Селенид висмута является полупроводником p-типа с шириной запрещенной зоны 0.35 эВ (температура плавления 975 K) [24]. Монокристаллы Bi2Se3 имеют слоистую структуру с электропроводностью вдоль слоев 2000 См/см–1; термо-ЭДС 100 мкВ/град, удельной теплопроводностью 0.025 ккал/(см с град), микротвердостью 585 МПа и плотностью 7.66 г/см3 [25, 26].

Соединение Sb2Se3 кристаллизуется в ромбической сингонии с параметрами элементарной ячейки a = 11.57, b = 11.70, c = 3.998 Å [27].

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Образцы для исследования готовили в запаянных в вакууме кварцевых ампулах сплавлением компонентов изучаемого материала (чистотой не менее 99.99%) с последующим измельчением слитков и горячим вакуумным прессованием порошков при температуре выше температуры рекристаллизации. Образцы многокомпонентных сплавов подвергали отжигу при 550 K в течение 160–300 ч с целью гомогенизации.

Полученные компактные, устойчивые на воздухе и к воздействию органических растворителей сплавы взаимодействовали с концентрированными минеральными кислотами (HCl, HNO3, H2SO4 и др.).

Гомогенизированные сплавы исследованы методами дифференциального термического (ДТА), рентгенофазового (РФА) и микроструктурного (МСА) анализа, охарактеризованы по микротвердости и плотности.

Для регистрации ДТА на пирометре НТР-73 применяли Pt-Pt/Rh-термопары. Запись кривых нагревания и охлаждения проводили в откачанных до 0.1 Па кварцевых сосудиках Степанова. Эталоном служил прокаленный Al2O3. Скорость нагревания составляла 10 град/мин. РФА осуществляли на дифрактометре ДРОН-3 (CuKα-излучение, Ni-фильтр). МСА полированных протравленных шлифов проводили с использванием микроскопа МИМ-8. Микротвердость измеряли на микротвердомере HV (100). Плотность сплавов определяли пикнометрическим взвешиванием, наполнителем служил толуол (С7Н8).

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Разрез Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3

Взаимодействия в разрезе Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 исследовали в сплавах, указанных в табл. 1.

Таблица 1.  

Плотность и микротвердость сплавов разреза Pb5Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 по результатам ДТА

Состав сплавов, мол. % Термические эффекты, K Нμ, МПа Плотность, г/см3
Pb5Sb2Bi6S18 Sb2Se3
100 0.0 950  770 7.41
95 5.0 925.945  775 7.31
90 10 900.930  785 7.20
80 20 820.905  800 7.01
70 30 700.875  800 6.80
60 40 700.845 Не изм. 6.60
50 50 700.790 6.38
40 60 700 (эвт) 6.27
30 70 700.770 Не изм. 6.23
20 80 700.815 1550 6.10
10 90 730.850 1550 5.97
5 95 820.865 1555 5.91
0.0 100 865 1560 5.85

На основании полученных результатов физико-химического анализа построена Т–х-диаграмма разреза Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 (рис. 1). Разрез является квазибинарным сечением квазитройной системы Sb2Se3–PbSe–Bi2Se3 и относится к эвтектическому типу с ограниченными твердыми растворами на основе обоих исходных компонентов.

Рис. 1.

Диаграмма состояния разреза Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3.

Координаты эвтектической точки соответствуют 40 мол. % Pb6Sb2Bi6Se18 и температуре 700 ± 5 K.

Ликвидус разреза состоит из ветвей первичной кристаллизации α-твердых растворов (на основе Pb6Sb2Bi6Se18) и β-твердых растворов (на основе Sb2Se3).

Для определения границ твердых растворов синтезированы сплавы, содержащие 98, 96, 94, 95, 90, 86, 84, 80, 78 мол. % исходных компонентов. Полученные сплавы отжигали при 500–400 K в течение 150 ч, затем закаливали. Граничный состав области гомогенности на основе Pb6Sb2Bi6Se18 при эвтектической температуре составил 30 мол. %, а при комнатный температуре – 20 мол. % Sb2Se3. Твердый раствор на основе Sb2Se3 при эвтектической температуре отвечает 12 мол. %; это значение снижается с уменьшением температуры, составляя 5 мол. % при 300 K.

По данным ДТА, на термограммах сплавов системы Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 наблюдаются два термических эффекта: один отвечает плавлению, а другой, при 700 K, – эвтектическому равновесию ж ↔ α(Pb6Sb2Bi6Se18) + β(Sb2Se3).

Результаты РФА и МСА показали, что сплавы разреза Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 являются двухфазными, за исключением областей твердых растворов на основе обоих исходных компонентов.

При измерении микротвердости сплавов системы Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 получены два ряда значений: 770 МПа (Pb6Sb2Bi6Se18) и 1560 МПа (Sb2Se3). В сплавах твердых растворов значения микротвердости несколько выше (800 МПа), чем у чистого Pb6Sb2Bi6Se18, но ниже, чем у Sb2Se3 (1550 МПа). Этот факт подтверждает наличие области растворимости на основе исходных компонентов. Микротвердость и плотность сплавов разреза Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 представлены в табл. 1.

Монокристаллы для структурных и оптических измерений были выращены методом направленной кристаллизации и химических транспортных реакций (ХТР).

Для выращивания монокристаллов (Pb6Sb2Bi6Se18)1– x(Sb2Se3)х предварительно синтезировали поликристаллические сплавы в количестве 7–10 г, которые потом измельчали и переносили в ампулу с суженным дном. Ампулу вакуумировали и помещали в двухтемпературную печь с заранее установленным градиентом температуры. Движение ампулы осуществлялось со скоростью 3 мм/ч [28]. Конструкция позволяла устранить помехи, связанные с сотрясением ампулы. В ходе неоднократных опытов уточняли температуру зон печи и скорость движения образца (табл. 2). В результате были получены монокристаллы, пригодные для дальнейших исследований.

Таблица 2.

Оптимальный режим выращивания монокристаллов твердых растворов (Pb6Sb2Bi6Se18)1 – x(Sb2Se3)х (T = 700–800 K)

Состав монокристаллов Скорость движения образца в печи, мм/ч Масса монокристаллов, г Размер монокристаллов, мм
(Pb6Sb2Bi6Se18)0.998(Sb2Se3)0.002 3.0 7.3 7 × 18
(Pb6Sb2Bi6Se18)0.996(Sb2Se3)0.004 3.0 7.4 7 × 18
(Pb6Sb2Bi6Se18)0.994(Sb2Se3)0.006 3.5 7.4 7 × 20
(Pb6Sb2Bi6Se18)0.992(Sb2Se3)0.008 4.0 7.5 7 × 20
(Pb6Sb2Bi6Se18)0.990(Sb2Se3)0.010 4.0 7.6 7 × 20

В табл. 3 представлены кристаллографические и некоторые физико-химические характеристики твердых растворов (Pb6Sb2Bi6Se18)1 –x(Sb2Se3)х.

Таблица 3.  

Кристаллографические и некоторые физико-химические характеристики твердых растворов (Pb6Sb2Bi6Se18)1 –x(Sb2Se3)х (пр. гр. Pnnm, Z = 4)

Состав, мол. % Sb2Se3 Параметры решетки, Å Плотность, г/см3 Микротвер-дость, МПа
а b с эксперимент расчет
0.0 14.430 21.420 3.090 7.41 7.43 1560
2.0 14.433 21.435 3.094 7.37 7.40 770
4.0 14.439 21.447 3.099 7.33 7.35 775
6.0 14.452 21.486 3.103 7.29 7.31 778
8.0 14.459 21.490 3.107 7.24 7.27 780
10.0 14.472 21.523 3.111 7.20 7.23 785

Современная электронная, космическая и ядерная техника широко использует материалы со свойствами, которыми могут обладать только вещества, полученные осаждением из газовой фазы методом ХТР [23]. Поэтому после уточнения химического взаимодействия между компонентами в системе Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 монокристаллы твердых растворов на основе Sb2Se3 получали из газовой фазы методом ХТР. Для этого исходные компоненты помещали в кварцевые ампулы длиной 18–20 см, диаметром 1 см, которые вакуумировали до 0.133 Па и запаивали. Затем ампулу помещали в горизонтальную двухсекционную печь. Постоянство температуры поддерживали включением в электрическую схему лабораторных трансформаторов и стабилизаторов напряжения. Измерение температуры проводили с помощью хромель-алюмелевой термопары. Для выбора оптимального температурного режима было приготовлено двадцать ампул с веществами, которые помещали в печь для выращивания монокристаллов из области твердых растворов на основе Sb2Se3 методом ХТР.

Установлено, что наилучший температурный режим для выращивания монокристаллов из области твердых растворов на основе Sb2Se3 из газовой фазы находится в интервале температур Т2(750)–Т1(650), концентрация J2 ∼ 5 мг/см3, продолжительность опыта 70 ч. Транспорт веществ в печи происходит в направлении к более холодной части ампулы. Режим получения монокристаллов на основе Sb2Se3 установлен на основании многочисленных опытов.

Разрез Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3

Для изучения фазового равновесия в разрезе Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3 синтезировали 14 образцов (табл. 4). Сплавы разреза устойчивы к воздействию воздуха и воды, растворяются в минеральных кислотах (H2SO4, HNO3, HCl), не растворяются в органических растворителях.

Таблица 4.  

Плотность и микротвердость сплавов разреза Pb5Sb2Bi6Se18–Вi2Se3 по результатам ДТА

Состав сплавов, мол. % Термические эффекты, K Нμ, МПа Плотность, г/см3
Pb5Sb2Bi6S18 Bi2Se3
100 0.0 950 770 7.41
95 5.0 905.940 775 7.42
90 10 845.950 780 7.43
80 20 725.905 780 7.45
70 30 725.870 780 7.47
60 40 725.830 Не изм. 7.49
50 50 725.765 7.51
45 55 725 (эвт) 7.52
40 60 725.780 7.53
30 70 725.860 Не изм. 7.57
20 80 725.905 840 7.62
10 90 825.945 840 7.64
5 95 900.965 845 7.65
0.0 100 980 850 7.66

Диаграмма состояния разреза Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3 приведена на рис. 2. Видно, что разрез является квазибинарным сечением квазитройной системы Sb2Se3–PbSe–Bi2Se3 и относится к эвтектическому типу.

Рис. 2.

Диаграмма состояния разреза Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3.

Ликвидус разреза Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3 состоит из ветвей первичной кристаллизации α- (твердый раствор на основе Pb6Sb2Bi6Se18) и β- (твердый раствор на основе Bi2Se3) фаз, пересекающихся при составе 40 мол. % Pb6Sb2Bi6Se18 и температуре Т = 700 ± 5 K.

Исследование микроструктуры сплавов показало, что все они двухфазны, за исключением сплавов вблизи исходных компонентов. Растворимость на основе Pb6Sb2Bi6Se18 при комнатной температуре составляет 12 мол. % Bi2Se3, а на основе Bi2Se3 около 10 мол. % Pb6Sb2Bi6Se18. Сплавы, состав которых близок к составу исходных компонентов, имеют структуру твердых растворов. По методике [29] определены границы этих твердых растворов.

По данным РФА, в области концентрации 0–12 мол. % Bi2S3 наблюдаются только дифракционные линии Pb6Sb2Bi6Se18, в области 12–90 мол. % Bi2Se3 – линии α-твердых растворов на основе Pb6Sb2Bi6Se18 и β-твердых растворов на основе Bi2Se3, а в области 90–100 мол. % Bi2Se3 на дифрактограммах присутствуют только дифракционные линии Bi2Se3, подтверждающие образование β-твердых растворов на его основе.

При измерении микротвердости в зависимости от состава получены два ряда значений: 770 и 850 МПа, относящихся к α- и β-твердым растворам на основе Pb6Sb2Bi6Se18 и Bi2Se3 соответственно. С увеличением содержания второго компонента микротвердость увеличивается (780 MПa), а в гетерогенной области ее значение остается практически постоянным (рис. 3).

Рис. 3.

Изменение микротвердости в зависимости от содержания Pb5Sb2Bi6Se18, Sb2Se3 и Bi2Se3.

Монокристаллы твердых растворов на основе Pb6Sb2Bi6Se18 и Bi2Se3 соответственно получены по методикам [28] и [23].

Изучены некоторые электрофизические свойства выращенных монокристаллов твердых растворов на основе Pb6Sb2Bi6Se15, Sb2Se3 и Bi2Se3 в температурном интервале 300–900 K. Установлено, что все они являются полупроводниками p-типа.

Измерены термоэлектрические параметры монокристаллических образцов твердых растворов (Pb6Sb2Bi6Se18)1 – x(Bi2Se3)х при комнатной температуре: коэффициент термо-ЭДС (α), электропроводность (σ), теплопроводность общая (K) и решеточная (Kр), коэффициент термоэлектрической эффективности (Z) (табл. 5).

Таблица 5.  

Термоэлектрические свойства твердых растворов (Pb6Sb2Bi6Se18)1 –x(Bi2Se3)х при 300 K

x α, мкВ/K σ, См/см K × 103, Вт/(См K) Кр ×103, Вт/(См K) Z ×103, K–1
0.02 –240 323 10.7 9.2 1.7
0.04 –245 325 10.3 8.8 1.9
0.06 –295 225 11.1 9.9 2.0
0.08 –273 440 13.3 11.4 2.5
0.10 –215 1030 15.4 10.1 3.0

Как видно из представленных данных, при увеличении содержания Bi2Se3 в твердых растворах увеличивается термоэлектрическая эффективность, которая при х = 0.10 и комнатной температуре имеет максимальное значение Z = 3.0 × × 10–3 K–1.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Методами физико-химического анализа в широком интервале концентраций исследованы разрезы Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 и Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3, построены их Tх диаграммы состояния. Установлено, что эти разрезы являются квазибинарными сечениями квазитройной системы Sb2Se3–PbSe–Bi2Se3 и относятся к эвтектическиму типу. Координаты эвтектической точки в разрезах Pb6Sb2Bi6Se18–Sb2Se3 и Pb6Sb2Bi6Se18–Bi2Se3 соответствуют 60 мол. % Sb2Se3 (Т = 700 K) и 60 мол. % Bi2Se3 (Т = 725 K) соответственно. На основе исходных компонентов в обоих разрезах установлено образование твердых растворов.

Методом направленной кристаллизации выращены монокристаллы твердых растворов на основе Pb6Sb2Bi6Se18, методом ХТР получены монокристаллы твердых растворов на основе Sb2Se3 и Bi2Se3.

Изучены некоторые электрофизические свойства выращенных монокристаллов твердых растворов на основе исходных компонентов в температурном интервале 300–900 K. Установлено, что все они являются полупроводниками p-типа. Измерены термоэлектрические свойства монокристаллических образцов твердых растворов Pb6Sb2Bi6Se18)1 – x(Bi2Se3)х при комнатной температуре и показано, что термоэлектрическая эффективность при х = 0.10 имеет максимальное значение Z = 3.0 × 10–3 K–1 при 300 K.

Список литературы

  1. Мильвидский М.Г., Уфимцев В.Б. // Неорган. материалы. 2000. Т. 36. № 3. С. 360.

  2. Сушкова Т.П., Семенова Г.В., Стрычина Е.В. // Вестн. ВГУ. 2004. № 1. С. 94.

  3. Волыхов А.А., Яшина Л.В., Штанов В.И. // Неорган. материалы. 2006. Т. 72. № 6. С. 662.

  4. Волыхов А.А., Яшина Л.В., Тамм М.Е., Рыженков А.В. // Неорган. материалы. 2009. Т. 45. № 9. С. 1042.

  5. Konatridis M.G. // Acc. Chem. Res. 2005. V. 38. № 4. P. 361.

  6. West A.R. Solid State Chemistry and its Applications. N.Y.: Wiley, 2014.

  7. Иванова Л.Д., Петрова Л.И., Гранаткина Ю.В. // Неорган. материалы. 2016. Т. 52. № 3. С. 289.

  8. Kurbanova R.L., Mamedov A.N., Alidzhanov A.M., Agdamskaya S.G. // Inorg. Mater. 2002. № 7. P. 792.

  9. Асадов С.А., Мамедов А.Н., Кулиева C.A. // Неорган. материалы. 2016. Т. 52. № 9. С. 942.

  10. Анатыкуч Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Киев: Наук. думка, 1940.

  11. Иванова Л.Д., Коржуев М.А., Петрова Л.И. // Сб. докл. IX Межгос. семинара. СПб., 2004. С. 422.

  12. Shelimova L.E., Konstantinov P.P., Karpinsky O.G. et al. // J. Alloys Compd. 2001. V. 329. № 1–2. P. 50.

  13. Caillat T., Huang C.K., Fieurial J.-P. et al. // Proc XIX Int. Conf. Thermoelectr. Cardiff: IEEE. 2000. P. 151.

  14. Kuznetsov V.L., Kuznetsova L.A., Rowe D.M. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. № 6. P. 3207.

  15. Kuznetsova L.A., Kuznetsov V.L., Rowe D.M. // J. Phys. Chem. Solids. 2000. V. 86. № 8. P. 1269. doi 10.1016/S0022-3697(99)00423-0

  16. Kuznetsov V.L., Kuznetsova L.A., Rowe D.M. // J. Appl. Phys. 2001. V. 87. № 5. P. 700.

  17. Menshchikova T.V., Eremeev S.V., Chulkov E.V. // Appl. Surf. Sci. 2013. V. 267. P. 1.

  18. Caputo M., Panighel M., Lisi S. et al. // Nano Lett. 2016. V. 16. P. 3409.

  19. Papagno M., Eremeev S.V., Fujii J. et al. // ACS Nano. 2016. V. 10. P. 3518.

  20. Lamuta C., Campi D., Cupolillo A. et al. // Scripta Mater. 2016. V. 121. P. 50.

  21. Viti L., Coquillat D., Politano A. et al. // Nano Lett. 2016. V. 16. P. 80.

  22. Tulina N.A., Borisenko I.Yu., Shnytko I.M. et al. // Phys. Lett. 2012. V. 376 A. № 45. P. 3398.

  23. Gurbanov G.R., Mamedov Sh.G., Adygezalova M.B., Mamedov A.N. // Russ. J. Inorg. Chem. 2017. V. 62. № 12. P. 1659. doi 10.1134/ S0036023617120099 [Гурбанов Г.Р., Мамедов Ш.Г., Адыгезалова М.Б., Мамедов А.Н. // Журн. неорган. химии. 2017. Т. 62. № 12. С. 1656.]

  24. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Перенкая Л.В. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975.

  25. Гольцман Б.М., Кудников В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута Bi2Te3. М.: Наука, 1972.

  26. Садыгов Ф.М., Оруджева Г.Б., Исмаилов З.И., Джафарова Е.К. // Тез. Докл. VIII Всерос. научн. конф. по химии с междунар. участием молодых ученых. СПб., 2014. С. 65.

  27. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Скуднова Л.В. // Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975.

  28. Gurbanov G.R., Mamedov Sh.G., Adygezalova M.B., Mamedov A.N. // Russ. J. Inorg. Chem. 2017. V. 62. № 11. P. 1525. doi 10.1134 /S0036023617110080 [Гурбанов Г.Р., Мамедов Ш.Г., Адыгезалова М.Б. // Журн. неорган. химии. 2017. Т. 62. № 11. С. 1528.]

  29. Mamedov Sh.G., Bakhtiyarli I.B., Gurbanov G.R. // Russ. J. Inorg. Chem. 2016. V. 61. № 9. P. 1187. doi 10.1134 /S003602361609014X [Мамедов Ш.Г., Бахтиярлы И.Б., Гурбанов Г.Г. // Журн. неорган. химии. 2016. Т. 61. № 9. С. 1240.]

Дополнительные материалы отсутствуют.