Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2019, T. 109, № 1-2, стр. 98-104

Особенности электронной структуры топологического изолятора Bi₂Se₃, дискретно легированного атомами 3d-переходных металлов

Кулатов Э.Т., Меньшов В.Н., Тугушев В.В., Успенский Ю.А.

DOI: 10.1134/S0370274X19020061

Полный текст (PDF) / Полный текст (HTML)

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал