1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
  4. T. 111, № 5-6, 2020

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, T. 111, № 5-6, стр. 301-302

Microstructural characterization of V-defects in InGaN/GaN multiquantum wells

Wang H., Jin G., Tan Q.

Полный текст (PDF) / Полный текст (HTML)

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал