1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
  4. T. 112, № 3-4, 2020

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, T. 112, № 3-4, стр. 172-173

Microstructure and formation mechanism of V-defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells with a high in content

Wang H., Tan Q., He X.

Полный текст (PDF) / Полный текст (HTML)

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал