Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2020, № 2, стр. 39-42
Формирование микроструктур йодноватой кислоты в пористых системах на основе полиэтилентерефталата
В. В. Березкин a, *, С. А. Бедин a, b, А. Б. Васильев a, Ю. В. Григорьев a, В. П. Назьмов c
a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
119333 Москва, Россия
b Московский педагогический государственный университет
111999 Москва, Россия
c Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН
630090 Новосибирск, Россия
* E-mail: berezkin38@mail.ru
Поступила в редакцию 16.06.2019
После доработки 22.07.2019
Принята к публикации 27.07.2019
Аннотация
Методом облучения полимерной пленки синхротронным излучением через маску и последующего химического травления зон деструкции получены полимерные пленки с регулярными порами, направленными перпендикулярно поверхности. Проведены оптические и электронно-микроскопические исследования регулярных и нерегулярных пористых структур. Наблюдаемая дифракция на регулярной пориcтой полимерной пленке показала перспективу ее использования в качестве дифракционного элемента. На основе пористой полимерной пленки шаблонным методом получены диэлектрические микроструктуры йодноватой кислоты HIO3.
ВВЕДЕНИЕ
Получение микрокристаллических диэлектрических и металлических композитных микро- и наноструктур с одинаковыми поперечными размерами необходимо для их использования при создании систем управления электромагнитным излучением оптического и рентгеновского диапазонов, элементов устройств хранения информации и оптоакустических устройств [1–4]. Одним из методов создания таких микроструктур является шаблонный синтез с применением пористых полимерных пленок [5, 6]. Идентичность размеров создаваемых в пленках микроструктур является важным критерием возможности их практического применения. Получение дополнительных функциональных преимуществ микроструктур за счет уменьшения размеров элементов возможно при использовании пленки с несквозными порами. Ранее было показано, что при принудительном течении пересыщенного раствора йодноватой кислоты (HIO3) через поры трековой мембраны образуются игольчатые кристаллические микроструктуры с характерной огранкой [7].
ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ
С целью получения пленки с регулярным расположением пор полимерную пленку облучали синхротронным излучением из накопителя электронов ВЭПП-3 (Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН) перпендикулярно ее поверхности через маску в виде титановой мембраны толщиной 2 мкм [8]. На рис. 1 представлена микрофотография маски. Регулярные поры формировали путем травления пленки в водном 10%-растворе NaOH при температуре 60°С в течение 30 мин, затем ее промывали в дистиллированной воде.
Пористые пленки с хаотичным расположением пор – полимерные трековые мембраны – получены в Лаборатории ядерных реакций им. Г.Н. Флерова (ОИЯИ, Дубна) в процессе облучения полиэтилентерефталатной пленки ускоренными ионами Xe на циклотроне У-300 и последующего химического травления треков. Такие мембраны характеризуются небольшим разбросом диаметров (не более 5%) и цилиндрической формой пор [9]. Диаметр пор образцов составлял 0.7 мкм, плотность пор 2 × 107 см–2.
Для визуализации поровой структуры полученных образцов применяли растровые электронные микроскопы (РЭМ) FEI Scios (30 кВ) и FEI Quanta 200 3D (30 кВ) с энергодисперсионным детектором EDAX. Специальную пробоподготовку не проводили. Регулярная система пор, образовавшаяся в результате травления, характеризовалась соответствующими параметрами маски: расстояние между центрами пор 2.9 мкм, диаметр пор 1 мкм, поверхностная плотность пор 106 см–2. Длина пор соответствовала толщине пленки и составляла 10 мкм. Микрофотографии поверхности и скола сформированной регулярной пористой микроструктуры свидетельствуют о цилиндрической геометрии пор и шероховатости их поверхности (рис. 2, 3).
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
Были проведены исследования дифракции света на структуре с регулярной системой пор. Источником света служил He–Ne-лазер. Использовали схему дифракции “на просвет”, экран был расположен на расстоянии 0.5 м от мембраны. Дифракционная картина на регулярной мембране (рис. 4) представляла собой массив светлых рефлексов, локализация которых соответствовала картине дифракции на двумерной периодической структуре. Рефлексы локализованы на пересечении горизонтальных и вертикальных линий, для каждой из которых выполняется условие максимума:
Полученные пористые структуры использовали в качестве основы для формирования микроструктур HIO3. Пористую пленку погружали в пересыщенный до 11% раствор при температуре 87°С. Затем пленку охлаждали в растворе до температуры 45°С и высушивали при комнатной температуре. В результате в порах формировались микроструктуры (рис. 5, 6), отличные от микроструктур, формирующихся при принудительном течении через микропоры пересыщенного раствора HIO3. На облученной регулярной полимерной пленке также наблюдалась дифракция света, но менее интенсивная, чем в случае протравленной пленки.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Дифракция на системе пор в пленке, полученных в результате облучения через регулярную маску и последующего травления пленки, показывает регулярность их расположения и идентичность геометрии. Развитый метод шаблонного синтеза позволяет создавать регулярные микро- и наноструктуры на площадях размером порядка десятков квадратных сантиметров. Полученные в работе результаты могут быть использованы при создании элементов, способных модифицировать оптическое излучение, например, фотонных кристаллов, в том числе двумерно упорядоченных. Микроструктуры из нелинейных диэлектриков типа фазированной антенной решетки позволяют значительно увеличить сигнал второй гармоники по сравнению с генерацией в однородном объеме, что существенно расширяет возможности регистрации излучения за счет преобразования его частоты [10].
Список литературы
Семенов В.Г., Бедин С.А., Асадчиков В.Е., Васильев А.Б. // Письма в ЖТФ. 2018 Т. 44. № 14. С. 66.
Müller L., Käpplinger I., Biermann S. et al. // J. Micromech. Microeng. 2014. V. 24. P. 035014.
Zhan Zh., Xu R., Zheng X. et al. // Nanotechnology. 2016. V. 27. P. 445 301.
Groß P., Esmann M., Becker S.F. et al. // Adv. Phys.: X. 2016. V. 1. P. 297.
Dobrev D., Baur D., Neumann R. // Appl. Phys. A. 2005. V. 80. P. 451.
Mchedlishvili B.V., Asadchikov V.E., Vilenskii A.I. et al. // Crystallogr. Rep. 2003. V. 48. P. S140.
Васильев А.Б., Березкин В.В., Артемов В.В., Мчедлишвили Б.В. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2013. № 9. С. 35.
Nazmov V.P., Pindyurin V.F., Mishnev S.I., Yakovleva E.N. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2001. V. 173. P. 311.
Флеров Г.Н. // Вестн. АН СССР. 1984. № 4. С. 35.
Гапоненко С.В., Розанов Н.Н., Ивченко Е.Л. и др. Оптика наноструктур. СПб: Недра, 2005. 326 с.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования