Приборы и техника эксперимента, 2019, № 6, стр. 71-75

ШИРОКОДИАПАЗОННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ ЭЛЛИПСОМЕТР С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ ОРТОГОНАЛЬНЫХ СОСТОЯНИЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ НА БАЗЕ МОНОХРОМАТОРА МДР-41

В. И. Ковалев a*, В. В. Ковалев a, А. И. Руковишников a, С. В. Ковалев a, С. У. Увайсов b

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
141190 Фрязино, Московской обл., пл. Введенского, 1, Россия

b МИРЭА–Российский технологический университет
119454 Москва, просп. Вернадского, 78, Россия

* E-mail: ellipsometry@yandex.ru

Поступила в редакцию 21.03.2019
После доработки 21.03.2019
Принята к публикации 13.04.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Описан эллипсометр с переключением ортогональных состояний поляризации, главной особенностью которого является использование сдвоенного источника излучения и поляризационных призм Глана–Томпсона из кальцита со сведением и разделением ортогонально поляризованных пучков. Достигнуты высокие воспроизводимость и стабильность измерений эллипсометрических параметров Ψ и Δ в спектральном диапазоне 400–2200 нм. При времени интегрирования в каждой точке 2 с среднеквадратичный шум на длине волны 800 нм и толщине окисла кремния 450 нм для Ψ и Δ составил 0.0025° и 0.016° соответственно. Среднеквадратичный шум на длине волны 1800 нм и толщине окисла кремния 513 нм для Ψ и Δ составил 0.005° и 0.03° соответственно.

ВВЕДЕНИЕ

Области практического использования метода спектральной эллипсометрии стремительно расширяются, что стимулирует интерес к дальнейшему повышению технических параметров эллипсометров и приводит к упрощению их конструкции. В настоящее время наиболее востребованы технически совершенные спектральные эллипсометры (с.э.) двух типов: эллипсометры с двумя вращающимися компенсаторами [1] и эллипсометры с фазовой модуляцией [2].

Альтернативный метод переключения ортогональных состояний поляризации (п.о.с.п.) имеет более высокие воспроизводимость и стабильность при измерении эллипсометрических параметров и не содержит движущихся поляризационных элементов [3, 4]. Расчетные формулы эллипсометрии с п.о.с.п. приведены в [5].

Следует отметить тенденцию к расширению спектрального диапазона с.э. в инфракрасную область, повышению спектрального разрешения с.э., их точности и стабильности [68]. Важно обеспечить возможность регулирования спектрального разрешения и предельно малый уровень рассеянного излучения. Использование решеточных монохроматоров и спектрометров высокого класса в качестве источника излучения для с.э. позволяет решать эти задачи [9].

В данной работе представлен с.э. на базе монохроматора МДР-41, реализующий метод п.о.с.п., позволяющий точно измерить изменение состояния поляризации пучка излучения при отражении от образца, связанное с его оптическими параметрами. Одновременное измерение спектров амплитудных и фазовых эллипсометрических параметров Ψ и Δ обеспечивает измерение оптических констант и толщин достаточно сложных пленочных структур и структурированных поверхностей. Спектральные эллипсометры широко используются в научных исследованиях, а также находят применение в промышленности как средство неразрушающего контроля.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА

Внешний вид установки и оптическая схема широкодиапазонного спектрального эллипсометра на базе монохроматора МДР-41 представлены на рис. 1. Линза блока осветителя I проектирует изображение нити накаливания галогенной лампы вдоль входной щели монохроматора III. На выходной щели монохроматора установлены две диафрагмы высотой 1 мм и регулируемой шириной, разделенные по высоте щели на 6 мм. Система четырех плоских и двух сферических зеркал IV (F = 65 мм) формирует коллимированные пучки излучения, направляемые на два входа призмы Глана–Томпсона из кальцита 4 со сведением падающих пучков.

Рис. 1.

Внешний вид (а) и оптическая схема (б) широкодиапазонного спектрального эллипсометра на базе монохроматора МДР-41. I – блок источника излучения, II – блок светофильтров, III – монохроматор МДР-41, IV – система плоских и сферических зеркал, V – блок эллипсометра; 1, 2 – диафрагмы на выходной щели; 3 – механический прерыватель; 4, 5 – призмы Глана–Томпсона; 6 – полированные кремниевые пластины; 7 – сферические зеркала ( = 25 мм); 8, 10 – кремниевые фотодиоды; 9, 11 – InGaAs-фотодиоды; S – исследуемый образец.

Последовательное прерывание пучков излучения диафрагм диском обтюратора 3 позволяет получить на выходе призмы Глана–Томпсона коллимированные пучки излучения с ортогональными азимутами линейной поляризации P1 и P1 + 90° (P1 = 30°), последовательно падающие на исследуемый образец S под углом 70°. Отраженные от образца пучки излучения разделяются призмой Глана–Томпсона 5 на пучки с ортогональными азимутами поляризации A1 и A1 + 90° (А1 = 10°), которые зеркалами 7 фокусируются на фотоприемники 811.

По измеряемым отношениям сигналов на фотоприемниках определяются эллипсометрические параметры Ψ и Δ [5]. При сканировании монохроматора получаем спектральные зависимости Ψ и Δ.

КАЛИБРОВКА ЭЛЛИПСОМЕТРА

Для описанного метода спектральной эллипсометрии калибровка очень проста и проводится в два этапа. На первом этапе в положении на просвет измеряются спектр отношения чувствительностей каналов ha(λ), соответствующих двум поляризациям после анализатора, и разность углов поляризатора и анализатора PA. Приведенные в [5] формулы для четырех комбинаций поляризаций для положения на просвет упрощаются:

(1)
${{R}_{1}} = \frac{{{{h}_{{\text{a}}}}}}{{{\text{t}}{{{\text{g}}}^{{\text{2}}}}(P - A)}},\quad {{R}_{2}} = {{h}_{{\text{a}}}}{\text{t}}{{{\text{g}}}^{{\text{2}}}}(P - A),$
где R1, R2 – отношения интенсивностей на двух фотоприемниках. Отсюда

(2)
${{h}_{{\text{a}}}} = {{({{R}_{1}}{{R}_{2}})}^{{1/2}}},\quad P - A = {\text{arctg}}[{{({{R}_{2}}{\text{/}}{{R}_{1}})}^{{1/4}}}].$

На втором этапе при угле падения 70° с образцом кремния с тонким слоем окисла измеряются отношения интенсивностей лучей R1, R2. Путем решения обратной задачи определяются угол поляризатора P, угол падения излучения на образец и толщина слоя окисла кремния.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

В качестве объектов для экспериментальных исследований, подтверждающих эффективность и высокие точностные качества изготовленного с.э., были использованы структура GaAs/ZnS-четвертьволнового устройства для СО2-лазера и калибровочные пластины Ocean Optics Step-Wafer. На рис. 2 представлены измеренные спектры Ψ и Δ для образца GaAs/ZnS в диапазоне длин волн 400–2200 нм.

Рис. 2.

Спектральная зависимость Ψ и Δ для пленки ZnS на полированной с двух сторон подложке GaAs.

Для расчета параметров слоя ZnS использовалась спектральная зависимость показателя преломления n по упрощенной формуле Зельмейера:

(3)
$n{{({\lambda )}}^{{\text{2}}}} = n_{0}^{2} + 1{\text{/}}\left( {1 - \frac{{{\lambda }_{0}^{2}}}{{{{{\lambda }}^{{\text{2}}}}}}} \right),$
где n0 – значение показателя преломления на бесконечной длине волны; λ0 – длина волны, на которой n равно бесконечности. Для определения n0 использовался рассчитываемый параметр nm, соответствующий значению показателя преломления на длине волны λm = 550 нм:

(4)
$n_{{\text{m}}}^{{\text{2}}} = n_{0}^{2} + 1{\text{/}}\left( {1 - \frac{{{\lambda }_{0}^{2}}}{{{\lambda }_{{\text{m}}}^{{\text{2}}}}}} \right).$

Спектральная зависимость показателя поглощения k аппроксимировалась экспоненциальной функцией

(5)
$k({\lambda }) = {{k}_{{\text{m}}}}\exp \left( {\frac{{{{{\lambda }}_{{\text{m}}}} - {\lambda }}}{{{{{\lambda }}_{{\text{1}}}}}}} \right),$
где km – значение показателя поглощения k на длине волны λ m = 550 нм, λ1 – интервал длины волны, на котором k меняется в e раз.

Поскольку упрощенной формулой сложно точно описать дисперсию в широком диапазоне длин волн, он был разделен на 2 области: 400–600 нм и 600–2200 нм. Во втором диапазоне методом наименьших квадратов отклонений были определены толщина d = 1247 нм слоя ZnS и параметры nm = 2.36, λ0 = 336 нм, km = 0.001 и λ1 = 200 нм. Для той же толщины в первом диапазоне определены параметры nm = 2.36, λ0 = 297 нм, km = 0.001 и λ1 = = 200 нм. На рис. 3 представлены спектральные зависимости показателей преломления и поглощения n, k, полученные по приведенным формулам (3)(5) с указанными параметрами.

Рис. 3.

Спектральная зависимость показателя преломления n и показателя поглощения k для пленки ZnS.

На рис. 4 представлены измеренные и расчетные эллипсометрические параметры Ψ и Δ для калибровочных пластин Si-SiO2 Ocean Optics Step-Wafer с толщиной окисла 4 нм и 450 нм. Отметим, что выраженное сглаживание пиков в инфракрасной области спектра вызвано несовершенством задней поверхности пластин.

Рис. 4.

Спектральные зависимости эллипсометрических параметров Ψ и Δ для Si/SiO2 толщиной 4 нм (а) и 450 нм (б).

На рис. 5 представлены зависимости Ψ и Δ от времени (шумы) для образца Si/SiO2 с толщиной окисла 450 нм на длине волны 800 нм и с толщиной окисла 513 нм на длине волны 1800 нм. Время измерения каждой точки составляло 2 с. Среднеквадратичный шум на длине волны 800 нм и толщине окисла 450 нм составил 0.0025° (для Ψ) и 0.016°(для Δ); на длине волны 1800 нм и толщине окисла 513 нм – 0.005° (для Ψ) и 0.03° (для Δ).

Рис. 5.

Временные зависимости параметров Ψ и Δ образца Si/SiO2 толщиной 513 нм на длине волны 1800 нм (а) и толщиной 450 нм на длине волны 800 нм (б). Время интегрирования 2 с.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе продемонстрирована эффективность использования сдвоенных источников излучения и призм Глана–Томпсона с разделением и сведением ортогонально поляризованных пучков, позволивших исключить достаточно сложный переключатель ортогональных состояний поляризации в устройстве спектрального эллипсометра. Особенность используемых призм заключается в отсутствии изменений геометрии пучков с длиной волны излучения, что позволяет повысить спектральное разрешение за счет постоянного положения фокусировки на фотоприемнике с малой активной частью.

Экспериментально показано, что использование предложенной простой конструкции с.э. на основе монохроматора МДР-41 позволяет достичь высоких технических характеристик. Описанный подход предоставляет широкие возможности создания прецизионных с.э. с расширенным спектральным диапазоном. Так, реализация с.э. с рабочим диапазоном длин волн 400–5000 нм возможна с устройством совмещения ортогонально поляризованных пучков, изготовленным из YVO4.

Список литературы

  1. Liu S., Chen X., Zhang C. // Thin Solid Films. 2015. V. 584. P. 176. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2015.02.006

  2. Garcia-Caurel E., De Martino A., Gaston J., Yan L. // Appl. Spectroscopy. 2013. V. 67. P. 1. https://doi.org/10.1366/12-06883

  3. Ковалев В.И., Руковишников А.И., Ковалев С.В., Ковалев В.В. // ПТЭ. 2014. № 5. С. 99. https://doi.org/10.7868/S0032816214050097

  4. Ковалёв В.И., Руковишников А.И., Ковалёв С.В., Ковалёв В.В. // Опт. журн. 2016. Т. 83. Вып. 3. С. 55.

  5. Ковалев В.И., Руковишников А.И., Перов П.И., Россуканый Н.М., Авдеева Л.А. // Радиотехника и электроника. 1999. Т. 44. № 11. С. 1404.

  6. Aspnes D.E. // Thin Solid Films. 2014. V. 571. P. 334. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.03.056

  7. Hinrichs K., Eichhorn K.J. Ellipsometry of Functional Organic Surfaces and Films. Berlin-Heidelberg: Springer, 2014. https://doi.org/10.1007/978-3-319-75895-4

  8. Furchner A., Walder C., Zellmeier M., Rappich J., Hinrichs K. // Appl. Opt. 2018. V. 57. № 27. P. 7895. https://doi.org/10.1364/AO.57.007895

  9. http://www.angstromadvanced.com/products/phe104.asp

Дополнительные материалы отсутствуют.