Приборы и техника эксперимента, 2020, № 2, стр. 87-94

УСТАНОВКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ФОСФОРОВ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ПУЧКАМИ

Ван Яомин a, Ю. И. Тюрин a, Н. Н. Никитенков a, В. С. Сыпченко a, А. Н. Никитенков a, Чжан Ле a

a Национальный исследовательский Томский политехнический университет
634050 Томск, просп. Ленина, 30, Россия

Поступила в редакцию 22.10.2019
После доработки 10.11.2019
Принята к публикации 11.11.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Описаны схема, конструкция, аппаратное обеспечение лабораторной установки для исследования взаимодействия пучков свободных атомов и молекул с поверхностью люминофоров. Приведены методики измерений эффективности электронных излучательных процессов на поверхности для изучения механизмов переноса энергии и изменения поверхности на основе спектрально-кинетических характеристик гетерогенной хемилюминесценции. Люминесцентные методы изучения гетерогенной рекомбинации атомов водорода на поверхности твердых тел позволяют явно выделить ударный (Ридила–Или) и диффузионный (Ленгмюра–Хиншелвуда) механизмы рекомбинации и оценить долю вкладов этих механизмов в общую скорость рекомбинации атомов в зависимости от плотности потока свободных атомов и температуры образца. Приведены примеры изучения спектров гетерогенной хемилюминесценции (г.х.л.) и фотолюминесценции при различных температурах люминофора AlN : Eu3+, при возбуждении атомами водорода и ртутной лампой. При обработке кинетических кривых разгорания и затухания г.х.л. люминофора ZnS : Tm3+ при включении и выключении атомно-молекулярного пучка Н + Н2 приведен пример получения параметров атомно-молекулярных процессов на поверхности (адсорбции, ударной и диффузионной рекомбинации атомов и десорбции молекул водорода).

1. ВВЕДЕНИЕ

Благодаря тому, что гетерогенные хемилюминесцентные (г.х.л.) реакции обладают селективностью и высокой чувствительностью к типу поверхности и сорту возбуждающего газа [1, 2], использование оптических методов для изучения неравновесных систем “газ–твердое тело” открывает новые возможности в физике поверхности, химии, плазмохимии, технологии полупроводников и люминофоров, в решении экологических проблем [3]. Кроме того, в явлении г.х.л. принимает участие процесс высокоэнергетической электронной аккомодации твердым телом энергии химических реакций, протекающих на его поверхности, перенос этой энергии к центрам свечения твердого тела или локализация ее непосредственно в адсорбционном комплексе с последующей излучательной релаксацией. Таким образом, в г.х.л. заложены разнообразные возможности осуществления экспресс-методов анализа взаимодействия газов с твердыми телами [4, 5]. Новые возможности открывает явление г.х.л. для изучения механизмов атомно-молекулярных взаимодействий на поверхности твердых тел.

Люминесцентные свойства кристаллов и люминофоров на их основе до сих пор являются предметом многочисленных исследований [68]. Г.х.л. кристаллов возбуждается за счет энергии физико-химических взаимодействий атомов непосредственно на поверхности твердых тел и доказывает существование излучательной электронной релаксации на поверхности и в приповерхностной области (40–70 Å) люминофоров, позволяет регистрировать ранние стадии изменения состава поверхности и приповерхностного слоя и влияния активных газов на эффективность люминесценции.

Разработка устройств и методов определения эффективности излучательной электронной релаксации в приповерхностной области на основе г.х.л. актуальна и для нанолюминофоров и квантовых точек при решении проблемы увеличения их квантового выхода и формирования спектрального состава [911]. Примеры установок и их применения для исследования излучательных процессов на поверхности конденсированных сред с использованием явления г.х.л. можно найти в работах [1, 4, 5].

Целью данной работы является представление новой установки для измерения спектрально-кинетических характеристик люминесценции кристаллофосфоров при разных условиях и способах возбуждения, в том числе при возбуждении пучком атомарного водорода, и представление некоторых полученных с ее помощью результатов и ее экспериментальных возможностей.

2. УСТРОЙСТВО УСТАНОВКИ

Установка разработана и изготовлена в отделении экспериментальной физики Инженерной школы ядерных технологий Томского политехнического университета.

В состав установки (рис. 1), кратко представленной в [12], входят:

Рис. 1.

Блок-схема установки для исследования г.х.л. 1 – спиральный насос ISP-250C; 2 – турбомолекулярный насос (ТМН); 3а–3в – вакуумные вентили; , – клапаны; 5, 6 – вакуумметры (Micro-Ion Plus Vacuum Gauge 356002-YD-T фирмы Granville−Phillips); 7 – натекатели для напуска газа; 8 – кварцевая в.ч. разрядная трубка с рогом Вуда; 9 – электроды для генерации в.ч.-разряда в плазме; 10 – в.ч.-генератор; 11 – образец; 12 – микронагреватели; 13 – внутренний терморегулятор; 14 – генератор водорода ГВЧ-12М1; 15 – баллон для хранения газов; 16 – шлюз для замены образца; 17 – штанга для подачи образца; 18 – шибер; 19 – спектрометр IHR320; 20 – п.з.с.-матрица ALTA U47; 21 – чиллер замкнутого типа SMC для охлаждения п.з.с.-матрицы ALTA U47; 22 – компьютер с программой управления системой регистрации интенсивности свечения и интерфейсом RS232; 23 – постоянные магниты; 24 – экранирующая сетка.

– вакуумная часть;

– система подачи молекулярного водорода в область безэлектродного высокочастотного разряда;

– источник атомарного водорода высокочастотный генератор плазмы;

– блок нагрева и контроля температуры;

– комплекс регистрации спектрально-кинетических характеристик г.х.л. и фотолюминесценции (ф.л.);

– система калориметрической и люминесцентной регистрации атомов водорода.

Высоковакуумная система откачки состоит из форвакуумного спирального ISP-250C (1) и турбомолекулярного TMP-303M (2) насосов, вакуумных вентилей 3a–3в, клапанов 4a, , вакуумметров 5 и 6 (Micro-ion plus 356002-YD-T, фирма Granville–Philips) и вакуумпроводов. Предельное давление в системе ~1.33 ⋅ 10–4 Па; рабочее давление зависит от интенсивности напуска газа через натекатель DFD Z-750 (7) в кварцевую трубку 8 для генерации высокочастотного (в.ч.) разряда водородной плазмы. Напуск через вакуумный вентиль на баллоне и натекатель DFD Z-750 позволяет поддерживать требуемое рабочее давление газа в интервале 10–0.1 Па по заданной программе.

На конце штанги 17 расположен микронагреватель 12 (YPS-MCH размером 20 × 20 × 1.7 мм), помещенный в фольгу из нержавеющей стали 304 толщиной 0.1 мм. Микронагреватель обеспечивает нагрев люминофора в интервале от 20 до 300°С. На наклонной плоскости микронагревателя на инертной подложке устанавливается исследуемый образец 11. Температура поверхности микронагревателя контролируется термопарой.

Источник молекулярного водорода состоит из генератора водорода 14 (ГВЧ-12М1) – чистота газа 99.999%, баллона для хранения водорода 15 и натекателя для напуска газа 7. Водород получается электролизом дистиллированной воды на ионообменных мембранах в генераторе водорода.

При необходимости генератор водорода используется как первичный источник кислорода. Мембранный метод очистки водорода основан на использовании нанотехнологических полимерных мембран, селективно проницаемых по водороду. Водород хранится в баллоне 15 и подается в область в.ч.-разряда между электродами 9 по системе напуска газа. Интенсивность напуска газа задается компьютерной программой.

Атомарный водород, направляемый на поверхность исследуемого люминофора, генерируется с помощью емкостного безэлектродного высокочастотного разряда в молекулярном водороде. Для генерации плазмы используется: высокочастотный генератор 10 (УВЧ 30-2). Для предотвращения фотоподсветки на люминофор на разрядной трубке используется отсечка света рогом Вуда 8, отсечка ионов поступающих из области разряда выполняется постоянными магнитами 23. Используются неодимовые магниты двух типов: “большой” квадрат К-60-18-05-N (2 экз.) и неодимовый магнит “средний” квадрат К-10-10-05-N (2 экз.) [13]. Для дезактивации возбужденных молекул используется кобальтовая сетка (0.1 мм) [14].

Свет г.х.л. от образца выходит через окно камеры, фокусируется и направляется системой линз и зеркал на щель 19 спектрометра IHR320. Спектр ф.л., г.х.л. записывается п.з.с.-матрицей (п.з.с. – приборы с зарядовой связью) CCD ALTA U47 (20) Charge-Coupled Device Apogee Imaging Systems(AIS). CCD регистрирует спектры ф.л., г.х.л. и через интерфейс (RS232) сохраняет на жестком диске компьютера (22) с помощью программы KestrelSpec 5.43 Lite. Для охлаждения CCD используется чиллер замкнутого типа SMC (21). В системе регистрации для повышения чувствительности также может использоваться фотоэлектронный умножитель (ф.э.у.) VSE-FM16. В ф.э.у. использован модуль Н11459-20 фирмы HAMAMATSU [15]. Светочувствительность 500 мкА/лм. Минимальное время накопления 1  мкс. Информация о спектре г.х.л. записывается на компьютере с помощью программы COM Port Toolkit 4.0.

Последовательность действий изучения процессов взаимодействия атомно-молекулярного пучка водорода с поверхностью твердых тел на описанной установке включает следующие этапы:

– вакуумная (~6.67 · 10–4 Па) очистка камеры;

– подача водорода в реактор при давлении P ~ ~ 10–0.1 Па в зависимости от режима натекания;

– включение в.ч.-генератора, диссоциация молекул водорода и генерация атомов водорода в в.ч.-плазме низкого давления;

– отсечка ионной составляющей магнитами;

– подача эффузионного пучка H + H2 на исследуемый образец;

– on-line-регистрация спектрально-кинетических характеристик ф.л. и г.х.л. люминофоров.

Схема регистрации спектрально-кинетических характеристик свечения образцов при возбуждении атомами водорода представлена на рис. 2а. Эффузионный пучок H + H2 попадает на поверхность образцов и возбуждает свечение люминофоров, которое регистрируется детектором (ф.э.у. VSE-FM16, CCD-матрица ALTA U47). Схема измерения спектров и кинетических кривых свечения образцов при возбуждении ртутной лампой ДРТ 125-1 через фильтр УФС-06 (320–370 нм) представлена на рис 2б. Возбуждение ртутной лампой может вестись одновременно с экспозицией люминофора в пучке H + H2. Температура образцов измеряется хромель-алюмелевой термопарой.

Рис. 2.

Расположение образца, источника атомов, ртутной лампы, средств регистрации люминесценции и управления условиями эксперимента: а – возбуждение г.х.л., б – возбуждение ф.л.

После фильтрации водородной плазмы в магнитном поле получаем атомно-молекулярный пучок водорода со степенью диссоциации χ ≈ 10%. Атомы водорода по тефлоновому каналу с соплом (d = 2 мм) направляются на микрокристаллические образцы люминофора. Для регистрации изменения концентрации атомов водорода используется датчик из вольфрамовой нити накала галогенной лампы Navigator G 6.35 со вскрытой кварцевой колбой [13, 16]. Для регистрации изменения сопротивления вольфамовой нити за счет рекомбинации на ней свободных атомов водорода, использовался мост Уинстона [17].

Плотность потока атомов водорода в эффузионном пучке равна [18]:

$j,\;{\text{c}}{{{\text{м}}}^{{ - 2}}}{{{\text{c}}}^{{ - 1}}} = 1.11 \cdot {{10}^{{22}}}{\chi }\frac{{aP}}{{{{r}^{2}}{{{(MT)}}^{{1/2}}}}}\cos {\theta },$
где a – площадь отверстия в пренебрежимо тонкой стенке (0.03 см2); P – давление газа (0.03–1 мм рт. ст.); M – молярная масса (1 г/моль); T – температура источника (305 К); θ – угол между r и нормально к отверстию (0°); r – расстояние от источника (1 см). На основании приведенной формулы в условиях нашего эксперимента плотность потока атомов, попадающих на образец, равна  j = = 8.8 ⋅ 1016–3 ⋅ 1018–2 c–1.

3. АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ. ПРИМЕРЫ ПОЛУЧЕННЫХ ДАННЫХ

Электронные процессы на поверхности играют важную роль в оптических полупроводниковых приборах, особенно приборах микроэлектроники. С этим связан большой интерес к изучению процессов рекомбинации и захвата неравновесных носителей в приповерхностной области пространственного заряда и к проблеме излучательных и безызлучательных переходов на поверхности. Исследование излучательной рекомбинации на поверхности методом г.х.л. обладает новыми возможностями, поскольку при г.х.л. первичное возбуждение и свечение локализовано в приповерхностной области (40–70 Å).

Зависимость интенсивности г.х.л. I(t) от параметров люминесцирующей системы в момент времени t имеет вид [4]:

(1)
$I(t) = B\sigma j(t)N(t),~$
где I (t), квантов/(м2 ⋅ с) – интенсивность г.х.л.; σ – сечение реакции на поверхности, ответственной за возбуждение свечения; B – квантовый выход г.х.л. в такой реакции; N(t) – концентрация центров, ответственных за возбуждение г.х.л. на поверхности; j(t) – плотность потока атомов из газовой фазы.

Центрами свечения в г.х.л. выступают атомные структуры, включающие примесные ионы (Мn2+, Bi3+, Tm3+ и т.д.), и их комплексы с адсорбированными частицами, способные поглощать и высвечивать энергию экзотермических актов поверхностных взаимодействий свободных атомов и радикалов в диапазоне спектра от инфракрасного до ультрафиолетового излучения. Интенсивность г.х.л. пропорциональна концентрации примесных ионов на поверхности N(t), и тем самым г.х.л. дает способ люминесцентного анализа люминесцирующих примесей, входящих в состав кристаллофосфора.

Минимальные концентрации примесей, обнаруживаемые методом г.х.л., в пересчете на единицу объема твердого тела равны [4]:

$n = {{N}^{{3/2}}} = {{\left[ {I(t){\text{/}}B\sigma j(t)} \right]}^{{3/2}}}$
и составляют 109 см–3 при I ≈ 105 квантов/(cм2 ⋅ с); B ≈ 10–2; σ = 10–17 см2; j ≈ 1018 атомов/(cм2 ⋅ с). С помощью г.х.л. удается обнаружить примесь Tm3+ в ZnS, Eu3+ в AlN и других фосфорах на уровне 10–6–10–5%.

Количественной характеристикой вероятности излучательной рекомбинации атомов на поверхности служит квантовый выход г.х.л.:

$B = \frac{{{\eta }{{B}_{i}}}}{{1 + {\tau }w}},$
где τ – время излучательной релаксации центра свечения в отсутствие тушителя; w – вероятность безызлучательного переноса энергии в единицу времени с возбужденного центра, ${{B}_{i}} = {{(\tau {{{\text{Г}}}_{i}})}^{{ - 1}}}$, Γi – полная скорость релаксации возбужденного центра свечения.

Эффективность электронного возбуждения атомами Н равна η ≈ 10–3. Пренебрегая потерями при безызлучательном переносе энергии к центрам свечения, получаем нижние оценки [4, 12, 19] вероятности излучательной релаксации центров свечения на поверхности Bi, приведенные в табл. 1.

Таблица 1.

Вероятности излучательной релаксации центров свечения на поверхности

Люминофор ZnS : Mn ZnS : Mn ZnS : Ag ZnS : Tm3+ CaO : Bi MgO AlN : Eu3+
Вероятность Bi, 10–2 10 50 2 60 1.5 3 3
Температура, К 340 300 300 306 360 300 300

В представляемой установке, в числе прочего, г.х.л. может изучаться в сравнении со спектрами ф.л. Для возбуждения спектров ф.л. использовалась ртутная лампа ДРТ 125-1. Спектр излучения этой лампы, отфильтрованный фильтром УФС-06, приведен на рис. 3.

Рис. 3.

Cпектр излучения ртутной лампы ДРТ 125-1 с фильтром УФС-06. Давление в рабочей камере 5.47 · · 10–4 Па, температура 306 K.

На рис. 4 и 5 показаны измеренные спектры г.х.л. и ф.л., полученные при соответствующем возбуждении свечения фосфоров AlN : Eu3+ атомами водорода (рис. 4) и ртутной лампой (рис. 5). Спектры регистрировались оптическим спектрометром IHR320, с ф.э.у. VSE-FM16 и п.з.с.-матрицей ALTA U47 CCD.

Рис. 4.

Cпектр люминесценции AlN : Eu3+ в атомарном водороде: 1 – 305 K, 2 – 410 K.

Рис. 5.

Спектр фотолюминесценции AlN : Eu3+ при возбуждении ртутной лампой ДРТ 125-1 с фильтром УФС-06: 1 – 307 K, 2 – 400 K, 3 – 457 K, 4 – 493 K.

Как показано на рис. 4, после нагрева люминофора AlN : Eu3+ до 410 К (для сравнения температурного тушения люминесценции на поверхности (г.х.л.) и в объеме (ф.л.)) в спектрах ${\text{г}}{\text{.х}}{\text{.л}}{{{\text{.}}}_{{{\text{H}} + {{{\text{H}}}_{{\text{2}}}}}}}$ фосфора AlN : Eu3+ интенсивность полос 599.3 нм и 661.7 нм увеличилась. Полосы 539.4 нм и 704.0 нм перестали разрешаться. Полученная структура спектра г.х.л. связана с электронными переходами 5D07F1-4 в ионе Eu3+.

При возбуждении ртутной лампой фосфор AlN : Eu3+ преимущественно излучает в широкой полосе с максимумом 486.3 нм 5D27F1 и в узких полосах 630.8 нм 5D07F2 и 672.7 нм 5D07F3. С повышением температуры интенсивность ф.л. фосфора AlN : Eu3+ падает.

Спектры ${\text{г}}{\text{.х}}{\text{.л}}{{{\text{.}}}_{{{\text{H}} + {{{\text{H}}}_{{\text{2}}}}}}}$ приповерхностной области фосфора AlN : Eu3+ заметно отличаются от спектров ф.л. (см. рис. 4, 5).

Результаты спектральных измерений (рис. 4, 5) коррелируют с данными, полученными нами раньше, но значительно лучше структурированы [4, 19].

На рис. 6а, 6б приведены кривые разгорания и затухания люминесценции ZnS : Tm3+ в атомарном водороде, полученные при изменении плотности потока атомов, “выключении” и “включении” атомов водорода.

Рис. 6.

Кинетические кривые люминесценции ZnS : Tm3+ (${{P}_{{{\text{H}} + {{{\text{H}}}_{{\text{2}}}}}}}$ = 29.3 Па, температура образца 305 К): а – при “включении” потока атомов водорода (1 – эксперимент, 2 – моделирование (4)); б – при “выключении” и “включении” атомов водорода (“темновые” паузы – разной длительности); в – во время “темновой” паузы (точки – эксперимент, линия – аппроксимация (6)).

Эксперименту рис. 6а (кривая 2) соответствует аппроксимирующая зависимость (t [с])

(4)
$I(t) = 458{{e}^{{ - 0.0206t}}} - 358{{e}^{{ - 0.0096t}}} + 320.$

Величины показателей экспонент и начальные скорости разгорания г.х.л. позволяют определить параметры взаимодействия водорода с поверхностью ZnS : Tm3 – сечения адсорбции и ударной рекомбинации атомов водорода σ1 = 1.6 ⋅ 10–18 см2 (Н + L → НL), σ2 = 3.2 ⋅ 10–18 см2 (H + НL → Н2L), скорость десорбции молекул водорода ν–3 = 0.005 с–12L → Н2 + L).

Люминесцентное свечение, возбуждаемое при взаимодействии атомов Н с поверхностью, позволяет исследовать in situ рекомбинацию атомов водорода на поверхности ZnS : Tm по ударному Ридила–Или (РИ) и диффузионному Лэнгмюра–Хиншелвуда (ЛХ) механизмам [4]:

${\text{R}} + {\text{RL}}\xrightarrow{{{{\nu }_{2}}}}{\text{R}}_{2}^{{\text{v}}}{\text{L}},\quad 2{\text{RL}}\xrightarrow{k}{\text{R}}_{2}^{{\text{v}}}{\text{L}} + {\text{L}},$
${\text{R}}_{2}^{{\text{v}}}{\text{L}} + {\text{Tm}}_{{\text{S}}}^{{{\text{3 + }}}} \to {{{\text{R}}}_{2}}{\text{L}} + ({\text{T}}{{{\text{m}}}^{{3 + }}})_{{\text{S}}}^{*},$
${\text{(T}}{{{\text{m}}}^{{3 + }}})_{{\text{S}}}^{*} \to {\text{Tm}}_{{\text{S}}}^{{3 + }} + h\nu .$

Интенсивность люминесценции I пропорциональна скорости рекомбинации атомов

(5)
$I = B{{\nu }_{2}}{{N}_{1}} + {{B}_{1}}kN_{1}^{2}.$

Наличие реакции ЛХ проявляется экспериментально (рис. 6б) в резком падении более чем на порядок интенсивности г.х.л. при “выключении” атомов, и далее интенсивность г.х.л. убывает по закону (рис. 6в)

(6)
$I = \frac{{{{I}_{0}}}}{{{{{[1 + k{{N}_{1}}(0)t]}}^{2}}}}.$

При времени экспозиции 3, 3.5 и 4 ч в атомарном водороде величина скорости реакции ЛХ kN1(0) составляет соответственно 0.07, 0.072 и 0.073 с–1.

Установка позволяет ступенчато изменять мощность разряда и тем самым плотность потока атомов в пучке. Пропорциональность интенсивности люминесценции плотности потока возбуждающих атомов позволяет построить градуировочные графики n = n(I) соответствия концентрации атомов и интенсивности г.х.л. на основе только люминесцентных измерений (рис. 7).

Рис. 7.

Определение концентрации атомарных газов: а – изменение яркости г.х.л. фосфора ZnS : Mn2+ при ступенчатом изменении плотности потока атомов водорода (температура 295 К, давление 4.0 Па); б – градуировочный график соответствия между концентрацией атомов водорода и интенсивностью г.х.л. ZnS : Mn2+ в атомарном водороде (1 – люминесцентные г.х.л.-измерения, 2 – калориметрические измерения).

Представим, что при некоторой концентрации атомов n0 (потоке j0) известна интенсивность г.х.л. I0 люминесцентного датчика. Изменим скачком концентрацию атомов на величину Δnj), например, увеличив или уменьшив мощность в.ч.-разряда. Тогда согласно (1) интенсивность г.х.л. I в первый момент изменится на величину ΔI, определяемую величиной Δnj), поскольку в момент скачка N1 = const в силу инерционности атомно-молекулярных процессов на поверхности. При этом будем иметь:

$\Delta I{\text{/}}{{I}_{0}} = \Delta j{\text{/}}{{j}_{0}} = \Delta n{\text{/}}{{n}_{0}}.$

Интенсивность г.х.л. I1, отвечающая новому стационарному состоянию после скачка, соответствует концентрации атомов n1 = n + Δn = n0(1 + ΔI/I0), которая определяется по величине начальной концентрации n0 и относительному приращению интенсивности г.х.л. (ΔI/I0) в момент скачка концентрации. Далее эта процедура может быть продолжена до требуемых концентраций атомов n. На рис. 7а представлены концентрационно-временные циклы, а на рис. 7б (кривая 1) – градуировочный график n = n(I), иллюстрирующий данный метод. Проверка была осуществлена калориметрическим методом (рис. 7б, кривая 2).

Современными ф.э.у. легко может быть зарегистрирована интенсивность свечения 104–105 квантов/см2 ⋅ с. При квантовом выходе B = 10–2–10–4 (фосфоры ZnS : Tm, ZnS : Mn), сечении рекомбинации σ2 = 10–17 с2 и заполнении поверхности атомами N1 = 1013 см–2 для регистрации доступны концентрации атомов 106–107 см–3.

Метод позволяет следить за очень быстрыми изменениями концентраций атомов в изучаемой системе.

Запаздывание между изменением концентрации атомов и люминесцентным откликом датчика ΔI определяется временем излучательной релаксации возбужденных центров свечения в люминесцентном датчике τ ≈ 10–8 с. Столь высокие скоростные характеристики метода позволяют применять его для изучения газовых систем в ударных и взрывных процессах.

4. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе описана экспериментальная установка для люминесцентных методов изучения взаимодействия водорода с поверхностей твердых тел. Методы, основанные на явлении гетерогенной хемилюминесценции, дают чувствительный in situ инструмент изучения эффективности электронных излучательных процессов на поверхности, механизмов переноса энергии и процессов деградации поверхности.

Приведены краткие примеры сравнительного изучения спектров г.х.л. и ф.л. люминофора AlN : Eu3+ при возбуждении атомами водорода и ртутной лампой при различных температурах.

На примере обработки кинетические кривых разгорания и затухания г.х.л. люминофора ZnS : Tm3+ при включении и выключении атомно-молекулярного пучка Н + Н2 получены параметры атомно-молекулярных процессов адсорбции, ударной, диффузионной рекомбинации атомов водорода на поверхности, десорбции молекул водорода и градуировочные зависимости: “концентрация атомов–интенсивность г.х.л.”.

Список литературы

  1. Dingkun Zhang, Ming Lin // J. Analysis and Testing. 2017. V. 1. P. 267. https://doi.org/10.1007/s41664-017-0043-3

  2. Гранкин В.П., Волощук С.А., Гранкин Д.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. № 6. С. 92.

  3. Михеева И.Л., Куринный В.К., Таякин В.Ю., Мазы-ра Л.Д. // Электроника и экология. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2004. № 2. С. 24.

  4. Стыров В.В., Тюрин Ю.И. Неравновесные хемоэффекты на поверхности твердых тел. М.: Энергоатомиздат, 2003.

  5. Shigalugov S.H., Tyurin Y.I., Borovitskaya A.O., Dubrov D.V. // Periódico tchê Química. 2019. V. 16. № 31б. P. 810.

  6. Асеев В.А., Колобкова Е.В., Некрасова Я.А., Никоноров Н.В., Рохмин А.С. // Materials Physics and Mechanics. 2013. V. 17. P. 135.

  7. Асатрян Г.Р., Бадиков В.В., Кулинкин А.Б., Феофилов С.П. // Физика твердого тела. 2015. Т. 57. Вып. 1. С. 101.

  8. Поздняков Е.И. // Вестник Северо-Кавказного федерального ун-та. 2013. № 5(38). С. 70.

  9. Зуев М.Г., Ильвес В.Г., Соковнин С.Ю., Васин А.А., Бакланова И.В. // Физика твердого тела. 2019. Т. 61. Вып. 5. С. 1003. https://doi.org/10.21883/ftt.2019.05.47610.34f

  10. Мамонова Д.В. // Дис. … канд. хим. наук. Санкт-Петербургский государственный университет, 2015. 136 с.

  11. Олейников В.А. // Биоорганическая химия. 2011. Т. 37. № 2. С. 171.

  12. Tyurin Yu.I., Nikitenkov N.N., Sigfusson T.I., Hashhash A., Yaomin Van, Tolmacheva N.D. // International J. Hydrogen Energy. 2017. V. 42. P. 12448. https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2017.03.058

  13. http://новосибирск.магниты.рф/neodimovyy-magnit-bolshoy-kvadrat -k-60-18-05-n

  14. Melin G.A., Madix R.J. // Trans. Faraday Soc. 1971. V. 67. P. 2711. https://doi.org/10.1039/TF9716702711

  15. https://pdf1.aldatas heet.com/datasheet-pdf/view/ 575324/ HAMAMATSU/ H11459-20.html.

  16. Jungwook Choi, Jongbaeg Kim // Sensors and Actuators B: Chemical. 2009. V. 136. Issue 1. P. 92. https://doi.org/10.1016/j.snb.2008.10.046

  17. Tollefson E.L., Le Roy D.J. // J. Chem. Phys. 1948. V. 16. № 11. P. 1055. https://doi.org/10.1063/1.1746724

  18. Кудрявцев Н.Н., Мазяр О.А., Сухов А.М. // УФН. 1993. Т. 163. № 6. С. 75.

  19. Соколов В.А., Хоружий В.Д., Стыров В.В. // Спектроскопия кристаллов. М.: Наука, 1975. С. 295–297.

Дополнительные материалы отсутствуют.