1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Радиотехника и электроника
  4. T. 68, № 10, 2023

Радиотехника и электроника, 2023, T. 68, № 10, стр. 984-988

Спиновое магнетосопротивление тонкопленочных структур из манганита и материала с сильным спин-орбитальным взаимодействием

Г. Д. Ульев a, b, *, К. И. Константинян a, И. Е. Москаль b, Г. А. Овсянников a, А. В. Шадрин a, c

a Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
125009 Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7, Российская Федерация

b Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”
101000 Москва, ул. Мясницкая, 20, Российская Федерация

c Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
141701 Долгопрудный, Московской обл., Институтский пер., 9, Российская Федерация

* E-mail: gdulev@edu.hse.ru

Поступила в редакцию 17.05.2023
После доработки 17.05.2023
Принята к публикации 25.05.2023

Аннотация

Представлены результаты экспериментального определения спинового угла Холла в двухслойной структуре металл/ферромагнетик Pt/La0.7Sr0.3MnO3, полученные из угловых зависимостей продольного и поперечного спинового магнетосопротивления в конфигурации планарного эффекта Холла. Определенная из продольного магнетосопротивления величина спинового угла Холла составила θHx ≈ 0.016, а из поперечного θHy ≈ 0.018, в то время как для гетероструктур SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3 отношение величин поперечного спинового угла Холла к продольному оказалось значительно выше, θHy/θHx ≈ 9, что вызвано, скорее всего, образованием слоя с высокой проводимостью на границе SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3.

Список литературы

  1. Hirsch J.E. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. № 9. P. 1834.

  2. Zhang S.F. // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 85. № 2. P. 393.

  3. Miron I.M., Garello K., Gaudin G. et al. // Nature. 2011. V. 476. P. 189.

  4. Jungwirth T., Wunderlich J., Olejn K. et al. // Nat. Mater. 2012. V. 11. P. 382.

  5. Sinova J., Valenzuela S.O., Wunderlich J. et al. // Rev. Mod. Phys. 2015. V. 87. P. 1213.

  6. Chen Y.-T., Takahashi S., Nakayama H. et al. // J. Phys.: Condens. Matt. 2016. V. 28. № 10. Article No. 103004.

  7. Saitoh E., Ueda M., Miyajima H., Tatara S. // Appl. Phys. Let. 2006. V. 88. № 18. Article No. 182509.

  8. Константинян К.И., Овсянников Г.А., Шадрин А.В. и др. // ФТТ. 2022. Т. 64. № 10. С. 1429.

  9. Huang X., Sayed S., Mittelstaedt J. et al. // Adv. Mater. 2021. V. 33. Article No. 2008269.

  10. Yoo M.-W., Tornos J., Sander A. et al. // Nature Comm. 2021. V. 12. P. 3283.

  11. Perna P., Maccariello D., Ajejas F. et al. //Adv. Funct. Mater. 2017. V. 27. № 17. Article No. 1700664.

  12. Ovsyannikov G.A., Shaikhulov T.A., Stankevich K.L. et al. // Phys. Rev. B 2020. V. 102. № 14. Article No. 144401.

  13. Lee H.K., Barsukov I., Swartz A.G. et al. // AIP Advances. 2016. V. 6. № 5. Article No. 055212.

  14. Овсянников Г.А., Константинян К.И, Калачев Е.А., Климов А.А. // Письма в ЖТФ. 2022. Т. 48. № 12. С. 44.

  15. Tserkovnyak Ya., Brataas A., Bauer G.E.W. // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 88. № 11. Article No. 117601.

  16. Dubowik J., Graczyk P., Krysztofik A. et al. // Phys. Rev. Appl. 2020. V. 13. № 5. Article No. 054011.

  17. Wang Y., Deorani P., Qiu X. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. № 15. Article No. 152412.

  18. Nan T., Anderson T.J., Gibbons J. et al. // Proc. Nat. Acad. Sci. USA. 2019. V. 116. P. 6186.

  19. Marmion S.R., Ali M., McLaren M. et al. // Phys. Rev. B. 2014. V. 89. № 22. Article No. 220404(R).

  20. Константинян К.И., Ульев Г.Д., Овсянников Г.А. и др. // Труды XXVII Междунар. cимп. “Нанофизика и наноэлектроника”. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023. Т. 1. С. 221.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Радиотехника и электроника

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал