Записки Российского минералогического общества, 2023, T. 152, № 3, стр. 82-97

Прямое наблюдение процессов роста на кристаллической поверхности, инициируемых захватом примеси

Д. чл. Н. Н. Пискунова *

Институт геологии имени акад. Н.П. Юшкина, Коми НЦ УрО РАН
167982 Сыктывкар, Первомайская ул., 54, Россия

* E-mail: piskunova@geo.komisc.ru

Поступила в редакцию 17.03.2023
После доработки 29.03.2023
Принята к публикации 12.04.2023

Аннотация

В экспериментах по росту молекулярных кристаллов диоксидина в присутствии микрозерен турмалина в качестве механической примеси с помощью атомно-силовой микроскопии был зарегистрирован инициированный примесью процесс формирования винтовой дислокации. Для теоретического объяснения процесса предложен трехстадийный механизм, который заключается: (1) в релаксации напряжений вокруг примесной частицы путем формирования одной или нескольких дислокаций еще до ее герметизации на первой стадии, (2) присоединения к ним краевых дислокаций в момент закрывания ростовым слоем на второй стадии и (3) появлении результирующей дислокации после полного зарастания частицы на третьей стадии. Также впервые в наномасштабе зарегистрирован процесс прорастания винтовой дислокации сквозь накрывающий ее кристаллический макрослой.

Ключевые слова: атомно-силовая микроскопия, рост кристаллов из раствора, примеси, винтовые дислокации

Список литературы

  1. Авров Д.Д., Александрова О.А., Лебедев А.О., Мараева Е.В. Технология материалов микроэлектроники: методы разделения и очистки: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, 2020. 204 с.

  2. Пискунова Н.Н. Изучение процессов самоорганизации на поврежденной поверхности кристалла с помощью атомно-силовой микроскопии // ЗРМО. 2022. Ч. 151. № 5. С. 112–127.

  3. Смольский И.Л., Руднева Е.Б. Влияние морфологии растущих граней на ориентацию ростовых дислокаций в кристаллах KDP // Кристаллография. 1993. Т. 38. Вып. 4. С. 248–256.

  4. Современная кристаллография / Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С., Кузнецов В.А., Демьянец Л.Н., Лобачев А.Н. Т. 3. М.: Наука, 1980. 407 с.

Дополнительные материалы отсутствуют.