Теплофизика высоких температур, 2021, T. 59, № 1, стр. 69-73
Устойчивость кристалла при температурах ниже температуры конечной точки линии плавления: молекулярно-динамическое моделирование
В. Г. Байдаков 1, *, С. П. Проценко 1
1 Институт теплофизики, Уральское отделение РАН
Екатеринбург, Россия
* E-mail: baidakov@itp.uran.ru
Поступила в редакцию 11.02.2020
После доработки 22.04.2020
Принята к публикации 18.06.2020
Аннотация
Рассмотрены условия устойчивости ГЦК-кристалла относительно бесконечно малых и конечных изменений параметров состояния при температурах ниже температуры конечной точки линии плавления. В процессе молекулярно-динамического моделирования определены модули простого μ и тетрагонального $\mu {\kern 1pt} '$ сдвигов, всестороннего K и одностороннего $\tilde {K}$ сжатия леннард-джонсовского кристалла. Показано, что кристаллическое состояние сохраняет устойчивость относительно бесконечно малых возмущений и при $K \leqslant 0$. Здесь, как и при K > 0, распад кристаллической фазы протекает по механизму спонтанного зарождения и роста кавитационных полостей.
ВВЕДЕНИЕ
Фазовые переходы первого рода предполагают существование метастабильных состояний. Две фазы, метастабильные по отношению к некоторой третьей фазе, могут равновесно сосуществовать друг с другом на плоской межфазной границе [1]. Последнее означает, что в однокомпонентной системе каждая из линий фазового равновесия может быть продолжена за тройную точку. Метастабильное продолжение линии плавления встречается в области отрицательных давлений со спинодалью растянутой жидкости [2, 3]. Точка встречи этих линий является особой для жидкой фазы. В то же время она ничем не выделяется для сосуществующей с ней кристаллической фазы.
Твердые тела по-разному реагируют на бесконечно малые однородные и неоднородные возмущения плотности. Это связано с тем, что при всяком неоднородном изменении плотности в твердом теле возникают сдвиговые деформации, медленно убывающие с расстоянием [4].
Состояние кубического кристалла, находящегося под гидростатическим давлением p, будет устойчивым относительно однородных деформаций, если выполнены условия [5]:
(1)
$\begin{gathered} K = {{\left( {{{{\tilde {c}}}_{{11}}} + 2{{{\tilde {c}}}_{{12}}}} \right)} \mathord{\left/ {\vphantom {{\left( {{{{\tilde {c}}}_{{11}}} + 2{{{\tilde {c}}}_{{12}}}} \right)} 3}} \right. \kern-0em} 3} > 0,\,\,\,\,\mu = {{{\tilde {c}}}_{{44}}} > 0, \\ \mu {\kern 1pt} ' = {{({{{\tilde {c}}}_{{11}}} - {{{\tilde {c}}}_{{12}}})} \mathord{\left/ {\vphantom {{({{{\tilde {c}}}_{{11}}} - {{{\tilde {c}}}_{{12}}})} 2}} \right. \kern-0em} 2} > 0. \\ \end{gathered} $Неравенства (1) известны как борновские критерии устойчивости [6]. Они нарушаются на границе существенной неустойчивости кристалла по отношению к однородным деформациям, которая определяется первым обратившимся в нуль модулем упругости. Нарушение первого критерия в (1) обычно называется спинодальной неустойчивостью.
Деформации и напряжения в твердых телах, вызываемые тепловым движением, являются, как правило, неоднородными. Неоднородные флуктуации плотности в твердом теле – это тепловые продольные звуковые волны, которые зависят от волнового вектора $\vec {q}$ [4]. Если ось z декартовой системы координат направлена вдоль вектора $\vec {q}$, пространственно неоднородной флуктуации отвечает лишь одна отличная от нуля компонента тензора деформаций ${{u}_{{zz}}} = {{\partial {{u}_{z}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial {{u}_{z}}} {\partial z}}} \right. \kern-0em} {\partial z}} \equiv u$. Средний квадрат флуктуаций фурье-компонентa смещения u есть [4]
(2)
$\left\langle {u(\vec {q}) \cdot u( - \vec {q})} \right\rangle \approx \frac{{{{k}_{{\text{B}}}}T}}{V}{{\left[ {\tilde {K} + \mathcal{O}({{q}^{2}})} \right]}^{{ - 1}}},$Для главных направлений ГЦК-кристалла имеем [7]
Здесь анализируются только длинноволновые флуктуации ($q \ll {{\xi }^{{ - 1}}}$, где $\xi $ – корреляционная длина), поэтому член, пропорциональный q2, в (2) в явном виде не выписан и далее не рассматривается.
Сохраняя восстановительную реакцию на бесконечно малые изменения параметров состояния, метастабильная система проявляет неустойчивость относительно локальных возмущений определенного масштаба [1, 8]. Потеря устойчивости происходит в отдельных “точках”. Эти “точки роста”, или жизнеспособные зародыши, могут формироваться как на дефектах, неоднородностях в строении твердых тел, так и на порождаемых в процессе теплового движения флуктуациях плотности. Спонтанное зародышеобразование описывается классической теорией зародышеобразования (КТЗ), которая определяет число жизнеспособных зародышей, образующихся в единице объема за единицу времени (частоту зародышеобразования) [8]:
В неограниченной изотропной упругой среде радиус критической полости [9] равен
(4)
$R{{{\kern 1pt} }_{*}}\, = - \frac{{2{{\gamma }_{e}}}}{{p\left[ {{{1 - 2p\left\langle \mu \right\rangle } \mathord{\left/ {\vphantom {{1 - 2p\left\langle \mu \right\rangle } {{{{\left( {K + 4{{\left\langle \mu \right\rangle } \mathord{\left/ {\vphantom {{\left\langle \mu \right\rangle } 3}} \right. \kern-0em} 3}} \right)}}^{2}}}}} \right. \kern-0em} {{{{\left( {K + 4{{\left\langle \mu \right\rangle } \mathord{\left/ {\vphantom {{\left\langle \mu \right\rangle } 3}} \right. \kern-0em} 3}} \right)}}^{2}}}}} \right]}},$(5)
${{W}_{*}} = \frac{{16\pi \gamma _{e}^{3}}}{{3{{p}^{2}}{{{\left[ {{{1 - 2p\left\langle \mu \right\rangle } \mathord{\left/ {\vphantom {{1 - 2p\left\langle \mu \right\rangle } {{{{\left( {K + 4{{\left\langle \mu \right\rangle } \mathord{\left/ {\vphantom {{\left\langle \mu \right\rangle } 3}} \right. \kern-0em} 3}} \right)}}^{2}}}}} \right. \kern-0em} {{{{\left( {K + 4{{\left\langle \mu \right\rangle } \mathord{\left/ {\vphantom {{\left\langle \mu \right\rangle } 3}} \right. \kern-0em} 3}} \right)}}^{2}}}}} \right]}}^{2}}}}.$Если определяющим механизмом формирования кавитационных полостей является выход вакансий, для коэффициента диффузии зародышей имеем [10]
В данной работе методом молекулярно-динамического (МД) моделирования исследуется устойчивость леннард-джонсовского (ЛД) ГЦК-кристалла относительно бесконечно малых и конечных изменений параметров состояния при температурах ниже температуры конечной точки линии плавления TK.
РЕЗУЛЬТАТЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ
Исследуемые системы содержали от 2048 до 108 000 взаимодействующих частиц, которые размещались в кубической ячейке в узлах ГЦК-решетки. На границы ячейки налагались периодические граничные условия.
Свойства кристалла рассчитывались в NVT-ансамбле с использованием классического МД-кода LAMMPS [11]. Процесс зарождения и роста новой фазы протекал в условиях постоянства объема и энергии (NVE-ансамбль).
Устойчивость кристаллической фазы исследовалась при температурах $T < T_{K}^{{}} = 0.529$ [2] по изотермам T = 0.2, 0.3 и 0.4. Здесь и далее рассчитываемые величины приводятся в безразмерном виде. Единицами приведения выступают параметры потенциала $\sigma $, $\varepsilon $, масса частицы m и постоянная Больцмана ${{k}_{{\text{B}}}}$: единица длины $\sigma $, температуры ${\varepsilon \mathord{\left/ {\vphantom {\varepsilon {{{k}_{{\text{B}}}}}}} \right. \kern-0em} {{{k}_{{\text{B}}}}}}$, давления ${\varepsilon \mathord{\left/ {\vphantom {\varepsilon {{{\sigma }^{3}}}}} \right. \kern-0em} {{{\sigma }^{3}}}}$, плотности $\sigma _{{}}^{{ - 3}}$, времени $\sigma {{({m \mathord{\left/ {\vphantom {m \varepsilon }} \right. \kern-0em} \varepsilon })}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}$. Парный потенциал ЛД обрезался на расстоянии rc = 6.58σ от центра взаимодействия.
Заход в метастабильную область осуществлялся пошаговым уменьшением плотности путем увеличения длины ребер ячейки и соответствующего масштабирования координат частиц. Результаты расчета давления в кристаллической фазе представлены на рис. 1. При ${{\left( {{{\partial p} \mathord{\left/ {\vphantom {{\partial p} {\partial \rho }}} \right. \kern-0em} {\partial \rho }}} \right)}_{T}} < 0$ МД-моделирование проводилось до тех пор, пока не происходил фазовый распад кристалла.
Для определения границы идеальной прочности нагруженного ГЦК-кристалла рассчитывались эффективные упругие постоянные ${{\tilde {c}}_{{\alpha \beta }}}$, которые учитывают как изменение свободной энергии Гельмгольца при деформации вблизи исходного состояния с заданным значением p, так и работу против гидростатического давления силами, обусловленными этой деформацией. Процедура расчета постоянных ${{\tilde {c}}_{{\alpha \beta }}}$ подробно описана в работах [12–14].
Результаты расчета модулей всестороннего сжатия, простого и тетрагонального сдвигов ЛД ГЦК-кристалла при всех температурах свидетельствуют, что первым обращается в нуль объемный модуль. Модули μ и $\mu {\kern 1pt} '$ сохраняют при этом конечные, положительные значения. Это отличает поведение устойчивости кристаллической фазы в области температур $T < {{T}_{K}}$ от области $T > {{T}_{K}}$, где потеря устойчивости ГЦК-кристаллом связана с тетрагональным сдвигом ($\mu {\kern 1pt} ' = 0$) [14].
Экстраполяция результатов расчета модулей одностороннего сжатия для трех главных направлений ГЦК-решетки в ту часть метастабильной области кристаллической фазы, где МД-вычисления проведены быть не могут, свидетельствует, что первым обращается в нуль модуль $\tilde {K}$[100]. Это происходит за спинодалью (K = 0). На спинодали кристаллическая фаза сохраняет восстановительную реакцию на бесконечно малые возмущения плотности.
Кинетика разрушения кристаллического состояния исследовалась при растяжениях, отмеченных на рис. 1 точками 4. Во всех случаях распад кристаллической фазы связан с образованием и ростом локальной неоднородности. Начало разрушения кристалла регистрировалось по скачку давления. Время появления жизнеспособной локальной неоднородности $\tau $ связывалось с моментом, когда давление в кристалле на 2–3% превышало его среднее значение в однородном состоянии.
При температурах, близких к TK, жизнеспособная локальная неоднородность имела вид кавитационной полости. Полость свободна от частиц, а скорость ее роста почти в десять раз выше, чем скорость роста жидкой капли в случае плавления кристалла [14]. Для фиксированных значений температуры и давления распределение времен ожидания появления первой жизнеспособной полости описывается законом Пуассона (рис. 2). Среднее время ожидания полости $\bar {\tau }$ рассчитывалось как среднее арифметическое по числу событий зародышеобразования N. Среднее время связано с частотой зародышеобразования соотношением $J = {{\left( {\bar {\tau }V} \right)}^{{ - 1}}}$.
Частота зародышеобразования как функция давления представлена на рис. 3, где данные МД-моделирования сопоставляются с результатами расчета по КТЗ в рамках модели сферического зародыша в изотропном твердом теле. Сдвиговый модуль изотропного твердого тела $\left\langle \mu \right\rangle $ определялся по данным о модулях μ и $\mu {\kern 1pt} '$ ГЦК-кристалла как $\left\langle \mu \right\rangle = {{\left( {3\mu + 2\mu {\kern 1pt} '} \right)} \mathord{\left/ {\vphantom {{\left( {3\mu + 2\mu {\kern 1pt} '} \right)} 5}} \right. \kern-0em} 5}$ [15]. При нахождении работы образования и радиуса сферического зародыша использовались значения поверхностной свободной энергии на плоской межфазной границе кристалл–газ ${{\gamma }_{{e\,\infty }}}$ [16].
При существенном, до семи порядков по частоте нуклеации (T = 0.2), расхождении данных МД-моделирования и теории (рис. 3) имеет место близость наклонов изотерм J, т.е. производных $\left( {{{d\ln J} \mathord{\left/ {\vphantom {{d\ln J} {dp}}} \right. \kern-0em} {dp}}} \right){{{\kern 1pt} }_{T}}$.
С использованием МД-данных о частоте нуклеации рассчитаны работа образования критического зародыша (уравнение (3)), поверхностная свободная энергия ${{\gamma }_{{e*}}}$ и радиус $R{{{\kern 1pt} }_{*}}$ критического зародыша (уравнения (4), (5)). При T = 0.4 и ρ = 0.845 получены значения $R{{{\kern 1pt} }_{*}}$ = 0.68, ${{\gamma }_{{e*}}}$ = 1.96. Уменьшение плотности кристалла до ρ = 0.825 приводит к уменьшению размера критического зародыша и поверхностной свободной энергии: $R{{{\kern 1pt} }_{*}}$ = 0.20, ${{\gamma }_{{e*}}}$ = 1.14. Поверхностная свободная энергия на плоской межфазной границе кристалл–газ при данной температуре равна ${{\gamma }_{{e\,\infty }}}$ = 2.75 [16].
Результаты МД-моделирования позволяют оценить эффективный радиус полости, с которого начинается ее необратимый рост. При температуре T = 0.4 и плотностях ρ = 0.825 и 0.845 это 0.24 и 0.52 соответственно. КТЗ дает для этих плотностей значения $R{{{\kern 1pt} }_{*}}$ = 0.48, ${{R}_{*}}$ = 0.95. Таким образом, можно предположить, что вблизи температуры конечной точки линии плавления расхождения в частоте зародышеобразования между данными МД-моделирования и КТЗ связаны с размерной зависимостью поверхностной свободной энергии на границе кристалл–полость.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Молекулярно-динамическое моделирование ЛД ГЦК-кристалла показало, что при $T < {{T}_{K}}$ первым обращается в нуль модуль всестороннего сжатия K, при этом потери восстановительной реакции ГЦК-кристаллом на длинноволновые возмущения плотности не наблюдается. Кристалл сохраняет устойчивость и в состояниях с $K \leqslant 0$. Это отличает поведение ГЦК-кристалла при $T < {{T}_{K}}$ от $T > {{T}_{K}}$, где состояния, в которых происходит зануление какого-либо из модулей упругости, не достигаются, а экстраполяция модулей к их нулевым значениям свидетельствует, что первым обращается в нуль модуль тетрагонального сдвига $\mu {\kern 1pt} '$ [14].
Устойчивость кристалла относительно бесконечно малых неоднородных деформаций определяет модуль одностороннего сжатия $\tilde {K}$. Экстраполяция модуля $\tilde {K}$ к нулевому значению свидетельствует, что потеря устойчивости ГЦК-кристаллом связана с направлением [100].
При $T < {{T}_{K}}$ в состояниях с $K \leqslant 0$ фазовый распад носит активационный характер и начинается с появления первого жизнеспособного зародыша. Времена ожидания жизнеспособных зародышей распределены по закону Пуассона. Это характерно как для распада кристаллической фазы при $T > {{T}_{K}}$, когда образуются зародыши жидкой фазы [14], так и для других метастабильных фаз [1, 2].
Сопоставление результатов МД-расчетов частоты зародышеобразования с данными КТЗ показывает, что при удовлетворительном согласии в барической зависимости J имеют место систематические расхождения в абсолютных значениях частоты, которые достигают шести–семи порядков. Рассчитанные в соответствии с КТЗ по МД-данным о частоте зародышеобразования значения поверхностной свободной энергии критического зародыша меньше, чем на плоской межфазной границе. Меньшее значение имеет при этом и радиус критического зародыша. Для T = 0.4 расхождения в значениях ${{\gamma }_{{e\,\infty }}}$ и ${{\gamma }_{{e*}}}$ составляют 30–60%. Радиусы критических зародышей здесь – 0.20–0.68, что хорошо согласуется с прямыми оценками размеров критических полостей в процессе МД-моделирования.
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 18-19-00276).
Список литературы
Скрипов В.П. Метастабильная жидкость. М.: Наука, 1972. 312 с.
Baidakov V.G., Protsenko S.P. Singular Point of a System of Lennard-Jones Particles at Negative Pressures // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. № 1. 015701.
Байдаков В.Г., Проценко С.П. Метастабильные продолжения линий фазовых равновесий и особые точки простого вещества // ЖЭТФ. 2006. Т. 130. № 6. С. 1014.
Ginzburg V.L., Levanyuk A.P. On Light Scattering near Phase-transition Points in the Solid State // Phys. Lett. A. 1974. V. 47. № 4. P. 345.
Wang J., Li Ju., Yip S., Phillot S., Wolf D. Mechanical Instabilities of Homogeneous Crystals // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. № 17. P. 12627.
Born M. Thermodynamics of Crystals and Melting // J. Chem. Phys. 1939. V. 7. № 8. P. 591.
Журков С.Н., Нарзуллаев Б.Н. Временная зависимость прочности твердых тел // ЖТФ. 1953. Т. 23. № 10. С. 1677.
Зельдович Я.Б. Теория образования новой фазы. Кавитация // ЖЭТФ. 1942. Т. 12. № 11–12. С. 525.
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. М.: Наука, 1965. 204 с.
Turnbull D., Fisher J.C. Rate of Nucleation in Condensed Systems // J. Chem. Phys. 1949. V. 17. № 1. P. 71.
Plimpton S. Fast Parallel Algorithm for Short-range Molecular Dynamics // J. Comp. Phys. 1995. V. 117. № 1. P. 1.
Squire D.R., Holt A.C., Hoover W.G. Isothermal Elastic Constants for Argon. Theory and Monte Carlo Calculations // Physica. 1969. V. 42. № 1. P. 388.
Байдаков В.Г., Галашев А.Е., Скрипов В.П. Устойчивость перегретого кристалла в молекулярно-динамической модели аргона // ФТТ. 1980. Т. 22. № 9. С. 2681.
Байдаков В.Г., Типеев А.О. Идеальная и предельная прочность твердого тела при растяжении // ТВТ. 2018. Т. 56. № 2. С. 193.
Hill R. The Elastic Behavior of a Crystalline Aggregate // Proc. Phys. Soc. A. 1952. V. 65. № 5. P. 349.
Baidakov V.G., Tipeev A.O., Protsenko K.R. Surface Free Energy and Some Other Properties of a Crystal–Vapor Interface: Molecular Dynamics Simulation of a Lennard-Jones System // Chem. Phys. Lett. 2017. V. 680. P. 10.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Теплофизика высоких температур